JPH0587962U - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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Publication number
JPH0587962U
JPH0587962U JP3375292U JP3375292U JPH0587962U JP H0587962 U JPH0587962 U JP H0587962U JP 3375292 U JP3375292 U JP 3375292U JP 3375292 U JP3375292 U JP 3375292U JP H0587962 U JPH0587962 U JP H0587962U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead frame
mold
injected
inner leads
Prior art date
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Pending
Application number
JP3375292U
Other languages
English (en)
Inventor
裕明 末吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Priority to JP3375292U priority Critical patent/JPH0587962U/ja
Publication of JPH0587962U publication Critical patent/JPH0587962U/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイアイランドの周りに多数のインナーリー
ドを狭い間隔で配設したリードフレームを樹脂注入する
時に注入樹脂が上型と下型にバランスよく配分されるよ
うにすることを目的とする。 【構成】 金型のゲート部側の吊りピンまたは吊りピン
両側のインナーリードを除くことにより、注入樹脂が通
過し易い隙間を設けた。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、多数の電極を備えたフラットパック形パッケージ（ＱＦＰ）タイプ の半導体装置のチップの組立てに使用するＱＦＰ用リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４は従来のこの種のリードフレームの一例を示す。図において、１はダイア イランド、２はダイアイランド１を支持する吊りピン、３はインナーリード、４ はアウターリード、５は樹脂モールドのパッケージライン、９は図３に示す下型 ８に設けたゲート部である。多くの電極を備えたＱＦＰタイプの半導体装置のチ ップの組立てに使用するリードフレームは、通常、ダイアイランド１を吊りピン ２により４隅を支持し、多数のインナーリード３を有するため吊りピンとインナ ーリード間、及びインナーリード相互の隙間は０．２ｍｍ程度と非常に狭いもの である。樹脂注入時には注入樹脂がこの隙間を通過してパッケージを形成する。
【０００３】 従来のこの種のリードフレームは樹脂注入時に、インナーリード配列領域で吊 りピン２とインナーリード３の隙間及びインナーリード３の隙間及びインナーリ ード３間の隙間を樹脂が通過しにくいため、上型と下型への樹脂流入のバランス が悪い。図５は従来のこの種のリードフレームを使用した際の注入樹脂の流れを 模式的に示す。図において、１、３は図４の同一符号と同一又は相当するものを 示し、６はチップ、７は上型、８は下型、９はゲート部、１０は注入樹脂である 。注入樹脂１０がインナーリード３とダイアイランド１の隙間に達するまで、イ ンナーリード配列領域の隙間を注入樹脂１０が通過しにくいため上型７内へはス ムーズに注入樹脂１０が流入せず、上型７と下型８での樹脂１０の流れのバラン スが非常に悪くなる。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
従来のこの種のリードフレームでは、モールド樹脂注入時に上型と下型への樹 脂流入のバランスが悪く、ボイド等の発生を招くという問題があった。又、上型 と下型の両方にゲート部を設けるものが提案されているが、金型を新たに製作し なければならず、金型を製作するのは高価でありコストアップにつながる。 本考案は上記の問題を解決し、ボイド等の発生をなくし、品質の良好なＱＦＰ タイプの半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本考案のリードフレームは、金型のゲート部側の吊りピン又は吊りピン両側の インナーリードを除くことにより、金型のゲート部近くのインナーリード配列領 域にゲート部より注入された注入樹脂が上型と下型にバランスよく配分されるよ うに樹脂の通過し易い隙間を設けたものである。
【０００６】
【実施例】
図１、図２はそれぞれ本考案の実施例を示す。図において、図４と同一符号は 同一又は相当するものを示し、図１は金型のゲート部側の吊りピンを除いて樹脂 の通過し易い隙間を設けた例を示し、図２は金型のゲート部側の吊りピン２の両 側のインナーリード３を除いて樹脂の通過し易い隙間を設けた例を示す。
【０００７】 図３は本考案のリードフレームを使用した際の注入樹脂の流れを模式的に示す 。図において、図５と同一符号は同一または相当するものを示す。モールド樹脂 注入の際、注入樹脂が金型のゲート部を通過すると下型８からゲート部近くに設 けた隙間を通過して上型７に流入し、注入樹脂１０が上型７と下型８にバランス よく配分されて流れる。図１に示すリードフレームの場合は、ダイアイランド１ は３本の吊りピン２で支持される構造となり、図２に示すリードフレームの場合 は、金型のゲート部側の隅の両側の端子がＮＣ（ノンコネクト）ピンとなる。本 実施例においては、図１、図２に別紙の例として示したが、吊りピン及びＮＣピ ンを合わせることによって注入樹脂をバランスよく流すことができる。
【０００８】
【考案の効果】 以上説明したように、本考案によれば、モールド樹脂注入の際に注入樹脂が上 型と下型にバランスよく配分されて、ボイドが発生しなくなり、品質が良好とな るので信頼性の向上に寄与する効果が大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例を示す平面図である。
【図２】本考案の他の実施例を示す平面図である。
【図３】本考案のリードフレームを使用した際の注入樹
脂の流れを模式的に示す説明図である。
【図４】従来のこの種のリードフレームの一例を示す平
面図である。
【図５】従来のこの種のリードフレームを使用した際の
注入樹脂の流れを模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
１ ダイアイランド ２ 吊りピン ３ インナーリード ４ アウターリード ５ パッケージライン ６ チップ ７ 上型 ８ 下型 ９ ゲート部 １０ 注入樹脂 １１ ＮＣピン

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイアイランドを吊りピンで支持し、ダ
    イアイランドの周りに複数のインナーリードを配置した
    フラットパック形パッケージ（ＱＦＰ）用リードフレー
    ムにおいて、 樹脂注入時にモールド用金型の上型と下型に注入樹脂が
    バランスよく配分されるように、金型のゲート部側の上
    記ダイアイランドの吊りピンまたは吊りピン両側のイン
    ナーリードを除去することにより、樹脂の通過し易い隙
    間を設けたことを特徴とするリードフレーム。
JP3375292U 1992-04-23 1992-04-23 リードフレーム Pending JPH0587962U (ja)

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JP3375292U JPH0587962U (ja) 1992-04-23 1992-04-23 リードフレーム

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JPH0587962U true JPH0587962U (ja) 1993-11-26

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ID=12395163

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JP3375292U Pending JPH0587962U (ja) 1992-04-23 1992-04-23 リードフレーム

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JP (1) JPH0587962U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020079743A1 (ja) * 2018-10-16 2021-09-02 三菱電機株式会社 電力用半導体装置及びその製造方法

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