JPS597363A - マスクの形成方法 - Google Patents
マスクの形成方法Info
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- JPS597363A JPS597363A JP57115778A JP11577882A JPS597363A JP S597363 A JPS597363 A JP S597363A JP 57115778 A JP57115778 A JP 57115778A JP 11577882 A JP11577882 A JP 11577882A JP S597363 A JPS597363 A JP S597363A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスクの形成方法に関するものである０
フォトマスク製造工程において、金属薄膜２例えばクロ
ム膜あるいは酸化クロム／クロム膜などの膜上に塗布さ
れるレジストとの密着性の良否は、フォトマスクのパタ
ーン形状、精度ならびにマスク欠陥（白欠陥、黒欠陥）
の発生状況に大きな影響を及ぼす。従って、従来、マス
ク製作に用いられるガラス基板上に形成された金属面に
対しては、その上に塗布するレジストとの間の汚染層お
よび異物を除去しその間の密着性を向上させていた。
ム膜あるいは酸化クロム／クロム膜などの膜上に塗布さ
れるレジストとの密着性の良否は、フォトマスクのパタ
ーン形状、精度ならびにマスク欠陥（白欠陥、黒欠陥）
の発生状況に大きな影響を及ぼす。従って、従来、マス
ク製作に用いられるガラス基板上に形成された金属面に
対しては、その上に塗布するレジストとの間の汚染層お
よび異物を除去しその間の密着性を向上させていた。
このために、有機溶剤、酸、水等による洗浄か行われて
きた。これら溶液による洗浄は金属表面上の強度の汚染
や大きな異物の除去には有効であるが、金属面とレジス
トとの密着性を本質的に向」−させるものではなく、密
着性を強化させるために金属膜表向に密着強化剤が塗失
される場合もあるが、十分な効果が得られない場合も多
かった。
きた。これら溶液による洗浄は金属表面上の強度の汚染
や大きな異物の除去には有効であるが、金属面とレジス
トとの密着性を本質的に向」−させるものではなく、密
着性を強化させるために金属膜表向に密着強化剤が塗失
される場合もあるが、十分な効果が得られない場合も多
かった。
本発明はこの様なマスク欠陥の原因となる金属薄膜の表
面を分子層レベルにおいて清浄にすると共に、レジスト
との密着性を向上させるような状態にすることにより、
マスクパターン精度を向−１＝し、マスク欠陥を低減さ
せるマスク形成方法を提供することを目的とする。
面を分子層レベルにおいて清浄にすると共に、レジスト
との密着性を向上させるような状態にすることにより、
マスクパターン精度を向−１＝し、マスク欠陥を低減さ
せるマスク形成方法を提供することを目的とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
半導体素子の製造に使用されるフォＩ−１）ソグラフィ
用ハードマスクでは、しゃ光膜として一般にクロム（Ｃ
ｒ）単層膜丑たはクロム−酸化クロム（Ｃｒ −Ｃｒｘ
Ｏｙ ）の２層膜が用いられている。本発明者はＣｒ単
層膜を用いるノ・−ドマスク製造工程において、レジス
ト塗布前のマスクプレートを酸素プラズマ中にてらすこ
とにより、金属膜とその上に塗布するレジストとの間の
密着性が強すると共に、金属膜表面の汚染層および有機
物等の異物が除去され、その結果、パターン精度の高い
、そして欠陥の少いマスクの製作がｉｊＪ能になること
を見い出した。
用ハードマスクでは、しゃ光膜として一般にクロム（Ｃ
ｒ）単層膜丑たはクロム−酸化クロム（Ｃｒ −Ｃｒｘ
Ｏｙ ）の２層膜が用いられている。本発明者はＣｒ単
層膜を用いるノ・−ドマスク製造工程において、レジス
ト塗布前のマスクプレートを酸素プラズマ中にてらすこ
とにより、金属膜とその上に塗布するレジストとの間の
密着性が強すると共に、金属膜表面の汚染層および有機
物等の異物が除去され、その結果、パターン精度の高い
、そして欠陥の少いマスクの製作がｉｊＪ能になること
を見い出した。
この密着性が強化される現象は、Ｃｒ膜の場合、表面に
レジストに対して活性なＣｒ ｘＯｙ層が極く薄く形成
されるだめと解釈される。又、しゃ光膜がＣｒ −Ｃｒ
ＸＯｙの２層膜の場合には、酸素プラズマによりＣｒ
Ｘ０Ｙ膜表面に一様に活性な酸化状態が生ずる／ζめと
解釈される。
レジストに対して活性なＣｒ ｘＯｙ層が極く薄く形成
されるだめと解釈される。又、しゃ光膜がＣｒ −Ｃｒ
ＸＯｙの２層膜の場合には、酸素プラズマによりＣｒ
Ｘ０Ｙ膜表面に一様に活性な酸化状態が生ずる／ζめと
解釈される。
以下本発明の具体的実施例を図面を参照して詳しく示す
。捷ず、ガラス基板１」二に、金属薄膜２を形成し、こ
れをレジスト塗布直前に酸素プラズマ（高周波電力４０
ｏＷ、０２Ｉｆ力２Ｔｏｒｒ）に１０分間さらし、この
処理で、レジスト上の有機物等の異物３を除去する（第
１図）。その後、レジスト４を塗布しく第２図）、描画
露光後、通常法により現像を行う（第３図）。現像後、
レジスト溶解部に１００人稈鹿の不溶レジスト層６が残
存する（第４図）。この残存層５の膜厚は酸素プラズマ
にさらす時間および高周波電力に比例し増大する。この
レジスト残存層６は、酸素プラズマに金属表面をさらす
ことによって現像時に溶角イされない膜として金属表向
に形成されたものであり、この存在は、金属表面とレジ
ストとの密着性が強化されたことの証でもある。すなわ
ち、本来金属表面とレジストとの密着性が劣っていても
、この酸素プラズマによる金属表面の処理により密着性
を強化することが出来る。
。捷ず、ガラス基板１」二に、金属薄膜２を形成し、こ
れをレジスト塗布直前に酸素プラズマ（高周波電力４０
ｏＷ、０２Ｉｆ力２Ｔｏｒｒ）に１０分間さらし、この
処理で、レジスト上の有機物等の異物３を除去する（第
１図）。その後、レジスト４を塗布しく第２図）、描画
露光後、通常法により現像を行う（第３図）。現像後、
レジスト溶解部に１００人稈鹿の不溶レジスト層６が残
存する（第４図）。この残存層５の膜厚は酸素プラズマ
にさらす時間および高周波電力に比例し増大する。この
レジスト残存層６は、酸素プラズマに金属表面をさらす
ことによって現像時に溶角イされない膜として金属表向
に形成されたものであり、この存在は、金属表面とレジ
ストとの密着性が強化されたことの証でもある。すなわ
ち、本来金属表面とレジストとの密着性が劣っていても
、この酸素プラズマによる金属表面の処理により密着性
を強化することが出来る。
この残存層６は、再び酸素プラズマによるライトアッシ
ングにより除去される（第５図）。その後レジスト４を
マスクとして、金属薄膜２のエツチングが行われ（第６
図）、以下レジスト４を除去しフメトマスクが完成する
。
ングにより除去される（第５図）。その後レジスト４を
マスクとして、金属薄膜２のエツチングが行われ（第６
図）、以下レジスト４を除去しフメトマスクが完成する
。
本発明は、以上説明した様に酸素プラズマによる金属あ
るいは金属酸化物なとの薄膜表面処理により、表面上の
異物を除去するばかりてなくレジストとの密着性の強化
した後レジストによりパターン形成を行なうので、高精
度かつ欠陥密度の少ない微細寸法パタンのマスク形成方
法を提供出来、その効果は大きい。
るいは金属酸化物なとの薄膜表面処理により、表面上の
異物を除去するばかりてなくレジストとの密着性の強化
した後レジストによりパターン形成を行なうので、高精
度かつ欠陥密度の少ない微細寸法パタンのマスク形成方
法を提供出来、その効果は大きい。
第１図〜第６図は、本発明の実施例に係るマスクの形成
方法を示す工程図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・有機物等の異物、４・・・・・・レジス
ト、６・・・・・・レジスト残存層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第６図
方法を示す工程図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・金属薄膜、
３・・・・・・有機物等の異物、４・・・・・・レジス
ト、６・・・・・・レジスト残存層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第６図
Claims (1)
- ガラス基板上に形成された金属膜又は金属酸化物膜表面
を酸素プラスマ雰囲気にさらした後、前記金属膜又は金
属酸化物膜表面にレジストパターンを形成し、前記レジ
ストパターンをマスクとして前記金属膜又は金属酸化物
膜をエツチングして前記金属膜又は金属酸化物膜のパタ
ーン形成を行うことを特徴とするマスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115778A JPS597363A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | マスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115778A JPS597363A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | マスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597363A true JPS597363A (ja) | 1984-01-14 |
Family
ID=14670816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115778A Pending JPS597363A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | マスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597363A (ja) |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP57115778A patent/JPS597363A/ja active Pending
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