JPH0590628A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0590628A JPH0590628A JP3248698A JP24869891A JPH0590628A JP H0590628 A JPH0590628 A JP H0590628A JP 3248698 A JP3248698 A JP 3248698A JP 24869891 A JP24869891 A JP 24869891A JP H0590628 A JPH0590628 A JP H0590628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- base
- aluminum electrode
- emitter
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミ電極上にプラズマ窒化膜のパッシベーシ
ョンを施すフォトトランジスタに於いて、プラズマ窒化
膜成長後の熱付加により発生するアルミふくれの防止を
目的とする。 【構成】フォトトランジスタのエミッタ部の広面積アル
ミ電極４をスリットパターン化することによって面積細
分化をはかり、アルミふくれ発生を防止する新規なるフ
ォトトランジスタ。
ョンを施すフォトトランジスタに於いて、プラズマ窒化
膜成長後の熱付加により発生するアルミふくれの防止を
目的とする。 【構成】フォトトランジスタのエミッタ部の広面積アル
ミ電極４をスリットパターン化することによって面積細
分化をはかり、アルミふくれ発生を防止する新規なるフ
ォトトランジスタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置にかかり、特
にフォトトランジスタのアルミニウム（以下アルミと称
す）電極のパターンに関する。
にフォトトランジスタのアルミニウム（以下アルミと称
す）電極のパターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のフォトトランジスタの製
品パターンを示したものである。まず、Ｎ型半導体基板
に通常の写真蝕刻法により受光面１のＰ型不純物拡散窓
を開孔した後、Ｐ型を呈する不純物の熱拡散を実施す
る。しかる後、高温熱処理を行なうことによりベース層
を形成する。
品パターンを示したものである。まず、Ｎ型半導体基板
に通常の写真蝕刻法により受光面１のＰ型不純物拡散窓
を開孔した後、Ｐ型を呈する不純物の熱拡散を実施す
る。しかる後、高温熱処理を行なうことによりベース層
を形成する。
【０００３】次に、Ｎ型不純物拡散窓２を通常の写真蝕
刻法により形成した後、Ｎ型を呈する不純物の熱拡散を
行ない、しかる後、高温熱処理を実施することにより、
エミッタ層を形成する。次に通常の写真蝕刻法によりエ
ミッタのコンタクト開孔層３とベース部コンタクト層７
を形成した後、全面にアルミを蒸着する。しかる後、通
常の写真蝕刻法によりエミッタのアルミ電極部４及びベ
ース部アルミ電極８以外のアルミをエッチング除去す
る。
刻法により形成した後、Ｎ型を呈する不純物の熱拡散を
行ない、しかる後、高温熱処理を実施することにより、
エミッタ層を形成する。次に通常の写真蝕刻法によりエ
ミッタのコンタクト開孔層３とベース部コンタクト層７
を形成した後、全面にアルミを蒸着する。しかる後、通
常の写真蝕刻法によりエミッタのアルミ電極部４及びベ
ース部アルミ電極８以外のアルミをエッチング除去す
る。
【０００４】次に、プラズマ窒化膜成長によりパッシベ
ーション膜を全面に施す。その後、通常の写真蝕刻法に
より円形のエミッタボンディング部５及びベースボンデ
ィング部６を形成することで、アルミ電極部の一部分を
露出させ、ボンディング引き出し部とする。
ーション膜を全面に施す。その後、通常の写真蝕刻法に
より円形のエミッタボンディング部５及びベースボンデ
ィング部６を形成することで、アルミ電極部の一部分を
露出させ、ボンディング引き出し部とする。
【０００５】フォトトランジスは、電極変換効率を上げ
るため受光面１の面積を大きくする必要がある、それに
伴なって製品パターンも大きなものとなっている。
るため受光面１の面積を大きくする必要がある、それに
伴なって製品パターンも大きなものとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アルミ電極上にプラズ
マ窒化膜のパッシベーションを施すフォトトランジスタ
に於いて、プラズマ窒化膜成長後にたとえば４８０℃の
温度による熱付加工程があると、アルミとプラズマ窒化
膜の界面に水素ガスが発生し、アルミふくれ外観不良と
なる問題があった。
マ窒化膜のパッシベーションを施すフォトトランジスタ
に於いて、プラズマ窒化膜成長後にたとえば４８０℃の
温度による熱付加工程があると、アルミとプラズマ窒化
膜の界面に水素ガスが発生し、アルミふくれ外観不良と
なる問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルミ電極上
にプラズマ窒化膜のパッシベーションを施すフォトトラ
ンジスタ等の半導体装置において、高面積アルミ電極パ
ターンにスリットを入れることで面積細分化及びアルミ
電極周辺長拡大をはかることを特徴とし、その結果、プ
ラズマ窒化膜成長後の４８０℃程度の熱付加工程に於け
るアルミふくれの発生を防止することを可能とする。
にプラズマ窒化膜のパッシベーションを施すフォトトラ
ンジスタ等の半導体装置において、高面積アルミ電極パ
ターンにスリットを入れることで面積細分化及びアルミ
電極周辺長拡大をはかることを特徴とし、その結果、プ
ラズマ窒化膜成長後の４８０℃程度の熱付加工程に於け
るアルミふくれの発生を防止することを可能とする。
【０００８】すなわち、アルミ電極面積を細分化する
と、水素ガスの分散がはかられ、その結果、アルミふく
れ発生防止が可能となる。また、周辺長を拡大するとア
ルミのアニール時の側面からの水素ガス放出効率が上が
り、前記同様アルミふくれ発生防止が成されるものであ
る。
と、水素ガスの分散がはかられ、その結果、アルミふく
れ発生防止が可能となる。また、周辺長を拡大するとア
ルミのアニール時の側面からの水素ガス放出効率が上が
り、前記同様アルミふくれ発生防止が成されるものであ
る。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照しながら説明
する。図１は、本発明をフォトトランジスタのエミッタ
のアルミ電極部に適用した場合の一実施例を示す平面図
である。
する。図１は、本発明をフォトトランジスタのエミッタ
のアルミ電極部に適用した場合の一実施例を示す平面図
である。
【００１０】まず、従来製法と同様にしてＮ型半導体基
板に通常の写真蝕刻法により受光面１のＰ型不純物拡散
窓を開孔した後、Ｐ型を呈する不純物の熱拡散を実施す
る。しかる後、高温熱処理を行なうことによりベース層
を形成する。
板に通常の写真蝕刻法により受光面１のＰ型不純物拡散
窓を開孔した後、Ｐ型を呈する不純物の熱拡散を実施す
る。しかる後、高温熱処理を行なうことによりベース層
を形成する。
【００１１】次にＮ型不純物拡散窓２を通常の写真蝕刻
法により形成した後、Ｎ型を呈する不純物の熱拡散を行
ない、しかる後、高温熱処理を実施することによりエミ
ッタ層を形成する。次に通常の写真蝕刻法によりエミッ
タ部コンタクト層３及びベース部コンタクト層７を形成
した後、全面にアルミを蒸着する。しかる後、通常の写
真蝕刻法によるり多数のスリット１０を形成したアルミ
電極部４及びベースアルミ電極部８をパターン形成す
る。
法により形成した後、Ｎ型を呈する不純物の熱拡散を行
ない、しかる後、高温熱処理を実施することによりエミ
ッタ層を形成する。次に通常の写真蝕刻法によりエミッ
タ部コンタクト層３及びベース部コンタクト層７を形成
した後、全面にアルミを蒸着する。しかる後、通常の写
真蝕刻法によるり多数のスリット１０を形成したアルミ
電極部４及びベースアルミ電極部８をパターン形成す
る。
【００１２】次に、プラズマ窒化膜成長によりパッシベ
ーション膜を全面に施す。その後、通常の写真蝕刻法に
より円形のエミッタボンディング部５及びベースボンデ
ィング部６を形成する。
ーション膜を全面に施す。その後、通常の写真蝕刻法に
より円形のエミッタボンディング部５及びベースボンデ
ィング部６を形成する。
【００１３】以上説明したように図２に示す実施例で
も、コンタクト及びアルミのパターンを変更し、アルミ
電極面積を細分化することで図１の実施例と同様の効果
が得られるものである。
も、コンタクト及びアルミのパターンを変更し、アルミ
電極面積を細分化することで図１の実施例と同様の効果
が得られるものである。
【００１４】
【発明の効果】以上の実施例から分るように、本発明は
フォトトランジスタの広面積のアルミ電極部をスリット
パターン化し、面積細分化及び周辺長拡大をはかること
で、プラズマ窒化膜成長後の熱付加工程に於けるアルミ
ふくれ防止が成され、その結果、外観不良率を大幅に
（約９０％）低減することが可能となった。
フォトトランジスタの広面積のアルミ電極部をスリット
パターン化し、面積細分化及び周辺長拡大をはかること
で、プラズマ窒化膜成長後の熱付加工程に於けるアルミ
ふくれ防止が成され、その結果、外観不良率を大幅に
（約９０％）低減することが可能となった。
【図１】本発明をフォトトランジスタに適用した場合の
一実施例の製品パターンの平面図である。
一実施例の製品パターンの平面図である。
【図２】本発明の他の実施例の製品パターンの平面図で
ある。
ある。
【図３】従来のフォトトランジスタの製品パターンの平
面図である。
面図である。
１ 受光面 ２ Ｎ型不純物拡散窓 ３ エミッタコンタクト窓 ４ エミッタアルミ電極 ５ エミッタボンディング部 ６ ベースボンディング部 ７ ベースコンタクト窓 ８ ベースアルミ電極 １０ スリット １１ 中抜き
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム電極上にプラズマ窒化膜の
パッシベーションを有する半導体装置に於いて、前記ア
ルミニウム電極のパターンにスリットもしくは中抜きを
形成することにより、前記アルミニウム電極の面積細分
化及び周囲長の拡大化をはかったことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記半導体装置はフォトトランジスタで
ある請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248698A JP2928000B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248698A JP2928000B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590628A true JPH0590628A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2928000B2 JP2928000B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17182006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248698A Expired - Lifetime JP2928000B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928000B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115350A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体装置 |
| JPS61289677A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 半導体光検出装置 |
| JPH0224540U (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-19 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3248698A patent/JP2928000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115350A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体装置 |
| JPS61289677A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 半導体光検出装置 |
| JPH0224540U (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2928000B2 (ja) | 1999-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0076106B1 (en) | Method for producing a bipolar transistor | |
| US4006046A (en) | Method for compensating for emitter-push effect in the fabrication of transistors | |
| JPH0590628A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03120828A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2906489B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6298721A (ja) | ３−Ｖ族化合物半導体へのＺｎ固相拡散方法 | |
| JPH0334322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6011459B2 (ja) | 拡散形半導体装置の製造方法 | |
| JPS6134255B2 (ja) | ||
| JPH02231713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6115579B2 (ja) | ||
| JPS60226166A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6118348B2 (ja) | ||
| JPS61194827A (ja) | 拡散保護膜形成方法 | |
| JPS59100563A (ja) | メサ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS5994852A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS583395B2 (ja) | 感温半導体素子 | |
| JPS59130469A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60210838A (ja) | 半導体のメタライズ方法 | |
| JPH01187974A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02214115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH065677B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61172369A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04267342A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01100971A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990420 |