JPH0594939A - Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置Info
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- JPH0594939A JPH0594939A JP3253264A JP25326491A JPH0594939A JP H0594939 A JPH0594939 A JP H0594939A JP 3253264 A JP3253264 A JP 3253264A JP 25326491 A JP25326491 A JP 25326491A JP H0594939 A JPH0594939 A JP H0594939A
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- rays
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空窓膜が加熱されて破損することなく、Ｘ
線を気体中に取り出す。 【構成】 電子蓄積リングからの波長２〜８ｎｍのＸ線
１を厚さ１μｍのダイアモンド膜２を通過させることに
より、露光に不要で真空窓膜３を加熱する波長２ｎｍ〜
４．５ｎｍと６ｎｍ〜８ｎｍのＸ線を１万分の１に減衰
させ、厚さ２μｍのダイアモンドの真空窓膜３を通過さ
せる。従ってＸ線１が真空窓膜３を加熱することがな
い。
線を気体中に取り出す。 【構成】 電子蓄積リングからの波長２〜８ｎｍのＸ線
１を厚さ１μｍのダイアモンド膜２を通過させることに
より、露光に不要で真空窓膜３を加熱する波長２ｎｍ〜
４．５ｎｍと６ｎｍ〜８ｎｍのＸ線を１万分の１に減衰
させ、厚さ２μｍのダイアモンドの真空窓膜３を通過さ
せる。従ってＸ線１が真空窓膜３を加熱することがな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路などの製造に
用いられるＸ線取り出し部材およびＸ線露光装置に関す
るものである。
用いられるＸ線取り出し部材およびＸ線露光装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のパターン露光方法は、光学露光用
マスクを用いたマスク原図転写技術によっていた。しか
し、パターン寸法が露光に用いる光の波長程度またはそ
れ以下に微細化して来ると、こうした方法でパターンを
形成するのは原理的にも限界になった。
マスクを用いたマスク原図転写技術によっていた。しか
し、パターン寸法が露光に用いる光の波長程度またはそ
れ以下に微細化して来ると、こうした方法でパターンを
形成するのは原理的にも限界になった。
【０００３】近年では、従来の化学露光技術によるより
も微細なパターンを形成する技術として、光よりも波長
の短いＸ線を用いたＸ線露光技術が利用されるようにな
った。Ｘ線の内でもとりわけ、電子蓄積リング中に蓄積
された電子から放射されるシンクロトロン放射光は照射
強度が大きいこと、及び、照射光の平行性がよいことの
ために、単位時間当りの露光ウェハ枚数（スループッ
ト）が大きいこと、及び、より微細なパターンが形成で
きる点で優れているため、最も利用されている。
も微細なパターンを形成する技術として、光よりも波長
の短いＸ線を用いたＸ線露光技術が利用されるようにな
った。Ｘ線の内でもとりわけ、電子蓄積リング中に蓄積
された電子から放射されるシンクロトロン放射光は照射
強度が大きいこと、及び、照射光の平行性がよいことの
ために、単位時間当りの露光ウェハ枚数（スループッ
ト）が大きいこと、及び、より微細なパターンが形成で
きる点で優れているため、最も利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シンクロトロン放射光
は真空中で発せられ、露光が行われる気体中へ導かれマ
スクを通してウェハに照射される。このために、気体と
真空とを隔絶する真空窓膜が設けられる。シンクロトロ
ン放射光は連続した波長のＸ線を含む。露光に用いられ
る波長のＸ線は真空窓膜を透過するが、それ以外の波長
のＸ線は真空窓膜に吸収されて真空窓膜を加熱し、その
強度が損なわれて破損するという問題があった。また、
マスクを構成するマスクパターン支持膜も露光に用いら
れる波長のＸ線は透過するがそれ以外の波長のＸ線を吸
収し加熱されて、膨張しパターン位置が歪むという問題
があった。
は真空中で発せられ、露光が行われる気体中へ導かれマ
スクを通してウェハに照射される。このために、気体と
真空とを隔絶する真空窓膜が設けられる。シンクロトロ
ン放射光は連続した波長のＸ線を含む。露光に用いられ
る波長のＸ線は真空窓膜を透過するが、それ以外の波長
のＸ線は真空窓膜に吸収されて真空窓膜を加熱し、その
強度が損なわれて破損するという問題があった。また、
マスクを構成するマスクパターン支持膜も露光に用いら
れる波長のＸ線は透過するがそれ以外の波長のＸ線を吸
収し加熱されて、膨張しパターン位置が歪むという問題
があった。
【０００５】本発明の目的は、上記の課題を解決し、真
空窓膜あるいはマスクパターン支持膜の加熱を防止した
Ｘ線取り出し部材およびＸ線露光装置を提供することに
ある。
空窓膜あるいはマスクパターン支持膜の加熱を防止した
Ｘ線取り出し部材およびＸ線露光装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空中にある
Ｘ線源から放射されるＸ線を、気体と真空とを隔絶する
真空窓膜を通して気体中に取り出すＸ線取り出し部材に
おいて、前記真空窓膜よりもＸ線源に近い真空中に前記
真空窓膜と同じあるいはそれに近いＸ線吸収特性を有す
る膜を設けることをと特徴とするＸ線取り出し部材であ
る。また、本発明は、シンクロトロン放射光を用いるＸ
線露光装置において、マスクパターン支持膜よりも光源
側にこの支持膜と同じかあるいはそれに近いＸ線吸収特
性を有する膜を設けることを特徴とするＸ線露光装置で
ある。
Ｘ線源から放射されるＸ線を、気体と真空とを隔絶する
真空窓膜を通して気体中に取り出すＸ線取り出し部材に
おいて、前記真空窓膜よりもＸ線源に近い真空中に前記
真空窓膜と同じあるいはそれに近いＸ線吸収特性を有す
る膜を設けることをと特徴とするＸ線取り出し部材であ
る。また、本発明は、シンクロトロン放射光を用いるＸ
線露光装置において、マスクパターン支持膜よりも光源
側にこの支持膜と同じかあるいはそれに近いＸ線吸収特
性を有する膜を設けることを特徴とするＸ線露光装置で
ある。
【０００７】
【作用】真空窓膜やマスクパターン支持膜と同じかある
いはそれに近いＸ線吸収特性をもつ膜を通過させること
により、露光に不要で真空窓膜やマスクパターン支持膜
を加熱する波長のＸ線が吸収されるので、Ｘ線が真空窓
膜やマスクパターン支持膜を加熱することがない。
いはそれに近いＸ線吸収特性をもつ膜を通過させること
により、露光に不要で真空窓膜やマスクパターン支持膜
を加熱する波長のＸ線が吸収されるので、Ｘ線が真空窓
膜やマスクパターン支持膜を加熱することがない。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は本発明の第１の実施例の説明図であ
る。電子蓄積リングを電子エネルギー５００ＭｅＶ、電
子軌道半径１ｍで運転して得られるＸ線を斜入射角８０
ｍｒａｄのＳｉＣミラーで反射させることにより、波長
２ｎｍから８ｎｍのＸ線１が得られた。このＸ線１を厚
さ１μｍのダイアモンド膜２を通過させ、波長２ｎｍか
ら４．５ｎｍ及び波長６ｎｍから８ｎｍのＸ線を１万分
の１に減衰させた後、厚さ２μｍのダイアモンドの真空
窓膜３を通過させることにより、真空窓膜３を破損させ
ることなく波長４．５ｎｍから６ｎｍのＸ線１’を気体
中に取り出すことができた。
説明する。図１は本発明の第１の実施例の説明図であ
る。電子蓄積リングを電子エネルギー５００ＭｅＶ、電
子軌道半径１ｍで運転して得られるＸ線を斜入射角８０
ｍｒａｄのＳｉＣミラーで反射させることにより、波長
２ｎｍから８ｎｍのＸ線１が得られた。このＸ線１を厚
さ１μｍのダイアモンド膜２を通過させ、波長２ｎｍか
ら４．５ｎｍ及び波長６ｎｍから８ｎｍのＸ線を１万分
の１に減衰させた後、厚さ２μｍのダイアモンドの真空
窓膜３を通過させることにより、真空窓膜３を破損させ
ることなく波長４．５ｎｍから６ｎｍのＸ線１’を気体
中に取り出すことができた。
【０００９】図２は第２の実施例を説明する図である。
図１と同様にして得たＸ線１を厚さ１μｍのダイアモン
ド膜２を通過させ、波長２ｎｍから４．５ｎｍ及び波長
６ｎｍから８ｎｍのＸ線を１万分の１に減衰させた後、
厚さ１μｍのダイアモンドのマスクパターン支持膜３を
通過させることにより、マスクパターン支持膜４を膨張
させることなく波長４．５ｎｍから６ｎｍのＸ線により
露光を行うことができた。図１、２の実施例では真空窓
膜３と支持膜４と同じＸ線吸収特性を持つ膜２として
３、４と全く同じ構成材料（ダイアモンド）のものを用
いたが、同種の元素を構成元素として含む膜を用いても
よいことは自明である。
図１と同様にして得たＸ線１を厚さ１μｍのダイアモン
ド膜２を通過させ、波長２ｎｍから４．５ｎｍ及び波長
６ｎｍから８ｎｍのＸ線を１万分の１に減衰させた後、
厚さ１μｍのダイアモンドのマスクパターン支持膜３を
通過させることにより、マスクパターン支持膜４を膨張
させることなく波長４．５ｎｍから６ｎｍのＸ線により
露光を行うことができた。図１、２の実施例では真空窓
膜３と支持膜４と同じＸ線吸収特性を持つ膜２として
３、４と全く同じ構成材料（ダイアモンド）のものを用
いたが、同種の元素を構成元素として含む膜を用いても
よいことは自明である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、真
空窓膜が加熱されて破損したり、マスクパターン支持膜
が加熱されて歪むことがなくなる。
空窓膜が加熱されて破損したり、マスクパターン支持膜
が加熱されて歪むことがなくなる。
【図１】本発明の第１の実施例の説明図である。
【図２】本発明の第２の実施例の説明図である。
【符号の説明】 １、１’Ｘ線 ２ 膜 ３ 真空窓膜 ４ マスクパターン支持膜
Claims (2)
- 【請求項１】 真空中にあるＸ線源から放射されるＸ線
を、気体と真空とを隔絶する真空窓膜を通して気体中に
取り出すＸ線取り出し部材において、前記真空窓膜より
もＸ線源に近い真空中に前記真空窓膜と同じあるいはそ
れに近いＸ線吸収特性を有する膜を設けることを特徴と
するＸ線取り出し部材。 - 【請求項２】 シンクロトロン放射光を用いるＸ線露光
装置において、マスクパターン支持膜よりも光源側にマ
スクパターン支持膜と同じあるいはそれに近いＸ線吸収
特性を有する膜を設けることを特徴とするＸ線露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253264A JPH0594939A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253264A JPH0594939A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594939A true JPH0594939A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17248863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253264A Pending JPH0594939A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594939A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107200A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Fujitsu Ltd | シンクロトロン放射光ビームライン |
| JPH0574688A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Soltec:Kk | Ｘ線露光方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253264A patent/JPH0594939A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107200A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Fujitsu Ltd | シンクロトロン放射光ビームライン |
| JPH0574688A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Soltec:Kk | Ｘ線露光方法及びその装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980331 |