JPH0610168B2 - 新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物 - Google Patents
新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物Info
- Publication number
- JPH0610168B2 JPH0610168B2 JP60113578A JP11357885A JPH0610168B2 JP H0610168 B2 JPH0610168 B2 JP H0610168B2 JP 60113578 A JP60113578 A JP 60113578A JP 11357885 A JP11357885 A JP 11357885A JP H0610168 B2 JPH0610168 B2 JP H0610168B2
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- oco
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。
現在、液晶表示素子としてはＴＮ(Twisted Nematic)型
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス、プラ
ズマデイスプレイ等）と比較して劣っており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改
善の可能性はあまり残っていないようである。そのため
ＴＮ型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が
種々試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用
する表示方式がある(N.A.Clark;APPlied Phys.lett.,3
6,899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラルスメ
クテックＣ相（以下SC*相と略称する）あるいはカイラ
ルスメクチックＨ相（以下SH*相と略称する）を利用す
るもので、それらの相が室温付近にあるのが望ましい。
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス、プラ
ズマデイスプレイ等）と比較して劣っており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改
善の可能性はあまり残っていないようである。そのため
ＴＮ型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が
種々試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用
する表示方式がある(N.A.Clark;APPlied Phys.lett.,3
6,899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラルスメ
クテックＣ相（以下SC*相と略称する）あるいはカイラ
ルスメクチックＨ相（以下SH*相と略称する）を利用す
るもので、それらの相が室温付近にあるのが望ましい。
本発明者らはこの表示方式に利用されるに、より適する
液晶物質の開発を主たる目的として、光学活性基を有す
る液晶物質を種々探索して本発明に到達した。
液晶物質の開発を主たる目的として、光学活性基を有す
る液晶物質を種々探索して本発明に到達した。
即ち、本発明の第一は一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４〜１０の光学活性なアルコキシ基またはアルコキシカ
ルボニル基を示し、Ａは炭素数４〜１２の光学活性でな
いアルキル基またはアルコキシ基を示す）で表される光
学活性化合物である。本発明の第二は前記の（Ｉ）式で
表される光学活性化合物を少なくとも一つ含有し、少な
くとも二つの成分からなる液晶組成物である。
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４〜１０の光学活性なアルコキシ基またはアルコキシカ
ルボニル基を示し、Ａは炭素数４〜１２の光学活性でな
いアルキル基またはアルコキシ基を示す）で表される光
学活性化合物である。本発明の第二は前記の（Ｉ）式で
表される光学活性化合物を少なくとも一つ含有し、少な
くとも二つの成分からなる液晶組成物である。
（Ｉ）式の化合物のうちでも特に好ましい性質を有する
ものは、次の化学構造を有するものである。
ものは、次の化学構造を有するものである。
（上記、各式に於てＡは前記と同じであるが特に炭素数
４〜１２のアルキル基又はアルコシキ基を示し、Ｒ＊は
炭素数４〜１０の光学活性なアルキル基を示し、特に１
−メチルヘプチル基又は２−メチルブチル基を示す） これらの化合物のうちの代表的なものの相転移温度自発
分極の値及びチルト角を第１表及び第２表に示す。
４〜１２のアルキル基又はアルコシキ基を示し、Ｒ＊は
炭素数４〜１０の光学活性なアルキル基を示し、特に１
−メチルヘプチル基又は２−メチルブチル基を示す） これらの化合物のうちの代表的なものの相転移温度自発
分極の値及びチルト角を第１表及び第２表に示す。
本発明の液晶組成物において（Ｉ）式の化合物の外に用
いられる成分としては、既に知られている強誘電性液晶
化合物が好ましい。これらの化合物はSC*相及び／又はS
H*相を有する物が好ましいが、室温を含む広い温度範囲
で強誘電性を示すという点からSC*を示す化合物が好ま
しく用いられる。
いられる成分としては、既に知られている強誘電性液晶
化合物が好ましい。これらの化合物はSC*相及び／又はS
H*相を有する物が好ましいが、室温を含む広い温度範囲
で強誘電性を示すという点からSC*を示す化合物が好ま
しく用いられる。
本発明の化合物の製造法を（Ｉａ）〜（Ｉｆ）式の化合
物について例示する。以下においてＡ、Ｒ＊、Ｂｎおよ
びＸはそれぞれアカイラルなアルキル基またはアルコキ
シ基、光学活性カルキル基、ベンジル基、およびハロゲ
ン原子、トシル基、メシル基、トリフルオロメタンスル
ホニル基などの脱離基を示し、ＤＭＡＰは４−ジメチル
アミノピリジンを意味する。
物について例示する。以下においてＡ、Ｒ＊、Ｂｎおよ
びＸはそれぞれアカイラルなアルキル基またはアルコキ
シ基、光学活性カルキル基、ベンジル基、およびハロゲ
ン原子、トシル基、メシル基、トリフルオロメタンスル
ホニル基などの脱離基を示し、ＤＭＡＰは４−ジメチル
アミノピリジンを意味する。
（Ｉａ）式の化合物 すなわち、ハイドロキノンモノベンジルエーテルに塩基
性条件の下で光学活性アルキルハライドもしくはアルキ
ルトシレートを作用させた後、接触還元により脱ベンジ
ル化を行い、４−光学活性アルコキシフエノールとす
る。この物にピリジン、トリエチルアミン、ＤＭＡＰな
どの塩基性条件の下で４−ベンジルオキシ安息香酸クロ
リドを作用させた後、接触還元により脱ベンジル化を行
い、光学活性４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルコキシベンゼンとする。さらに、４−置換安息香酸
クロリドを作用させて（Ｉａ）式の化合物を製造する。
性条件の下で光学活性アルキルハライドもしくはアルキ
ルトシレートを作用させた後、接触還元により脱ベンジ
ル化を行い、４−光学活性アルコキシフエノールとす
る。この物にピリジン、トリエチルアミン、ＤＭＡＰな
どの塩基性条件の下で４−ベンジルオキシ安息香酸クロ
リドを作用させた後、接触還元により脱ベンジル化を行
い、光学活性４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルコキシベンゼンとする。さらに、４−置換安息香酸
クロリドを作用させて（Ｉａ）式の化合物を製造する。
（Ｉｂ）式の化合物 すなわち、４−ベンジルオキシ安息香酸クロリドに光学
活性アルコールを作用させてエステルとした後、接触還
元して脱ベンジル化し、光学活性４−ヒドロキシ安息香
酸エステルとする。この物に４−ヒドロキシ安息香酸を
反応させて光学活性４−ヒドロキシ安息香酸４’−アル
コキシカルボニルフエニルエステルを得る。この物に、
さらに４−置換安息香酸クロリドを作用させて（Ｉｂ）
式の化合物を得る。
活性アルコールを作用させてエステルとした後、接触還
元して脱ベンジル化し、光学活性４−ヒドロキシ安息香
酸エステルとする。この物に４−ヒドロキシ安息香酸を
反応させて光学活性４−ヒドロキシ安息香酸４’−アル
コキシカルボニルフエニルエステルを得る。この物に、
さらに４−置換安息香酸クロリドを作用させて（Ｉｂ）
式の化合物を得る。
（Ｉｃ）式の化合物 すなわち、４−ヒドロキシ安息香酸メチルにＲ＊Ｘを作
用させて光学活性４−アルコシキ安息香酸メチルとした
後、加水分解して光学活性４−アルコキシ安息香酸を得
る。これを塩化チオニルにより酸クロリドとした後、塩
基性溶媒下で４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルキルベンゼンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）アルコキシベンゼンと反応させて（Ｉｃ）
式の化合物を得る。
用させて光学活性４−アルコシキ安息香酸メチルとした
後、加水分解して光学活性４−アルコキシ安息香酸を得
る。これを塩化チオニルにより酸クロリドとした後、塩
基性溶媒下で４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）
アルキルベンゼンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾ
イルオキシ）アルコキシベンゼンと反応させて（Ｉｃ）
式の化合物を得る。
（Ｉｄ）式の化合物 すなわち、テレフタル酸に光学活性アルコールを作用さ
せてモノエステルとした後、塩化チオニルを作用させる
ことにより酸クロリド得る。これに塩基性溶媒の下で４
−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）アルキルベンゼ
ンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）ア
ルコキシベンゼンを作用させて（Ｉｄ）式の化合物を得
る。
せてモノエステルとした後、塩化チオニルを作用させる
ことにより酸クロリド得る。これに塩基性溶媒の下で４
−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）アルキルベンゼ
ンもしくは４−（４−ヒドロキシベンゾイルオキシ）ア
ルコキシベンゼンを作用させて（Ｉｄ）式の化合物を得
る。
（Ｉｅ）式の化合物 すなわち、ハイドロキノンモノベンジルエーテルと４−
置換安息香酸クロリドとの反応により得られるエステル
を接触還元して４−（４−置換ベンゾイルオキシ）フエ
ノールを得る。この物に光学活性４−アルコキシ安息香
酸クロリドを塩基性溶媒中で作用させて（Ｉｅ）式の化
合物を得る。
置換安息香酸クロリドとの反応により得られるエステル
を接触還元して４−（４−置換ベンゾイルオキシ）フエ
ノールを得る。この物に光学活性４−アルコキシ安息香
酸クロリドを塩基性溶媒中で作用させて（Ｉｅ）式の化
合物を得る。
（Ｉｆ）式の化合物 すなわち、光学活性４−アルコキシカルボニル安息香酸
クロリドを塩基性溶媒中で４−（４−アルキルベンゾイ
ルオキシ）フエノールもしくは４−（４−アルコキシベ
ンゾイルオキシ）フエノールと反応させて（Ｉｆ）式の
化合物を製造することができる。
クロリドを塩基性溶媒中で４−（４−アルキルベンゾイ
ルオキシ）フエノールもしくは４−（４−アルコキシベ
ンゾイルオキシ）フエノールと反応させて（Ｉｆ）式の
化合物を製造することができる。
〔発明の作用効果〕 一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、あるものは単体
でSC*相を呈することが観察できるが、単体でSC*相が観
察できないものに於いても結晶化点以下に於いてSC*相
を潜在的に有しており、これらのものもSC*液晶組成物
の配合成分として利用できる。前記（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
式の化合物のうち（Ｉｅ）及び（Ｉｆ）の化合物は、他
のものに比較してSC*相を生じる傾向が小さい。
でSC*相を呈することが観察できるが、単体でSC*相が観
察できないものに於いても結晶化点以下に於いてSC*相
を潜在的に有しており、これらのものもSC*液晶組成物
の配合成分として利用できる。前記（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
式の化合物のうち（Ｉｅ）及び（Ｉｆ）の化合物は、他
のものに比較してSC*相を生じる傾向が小さい。
（Ｉ）式に於いて、Ｚ*が光学活性アルキル基、例えば
２−メチルブチル基であるものは、自発分極の大きさ
（Ps値）が小さく、（Ｉａ）〜（Ｉｆ）式に示されるよ
うなＺ*＝ＯＲ＊又はＺ*＝COOR*のものの方がより大な
るPsを有するためSC*組成物の配合成分として優れてい
る。本発明の（Ｉ）式の化合物のあるものは、第２表に
示すような大きなPs値を有する。特に試料No.４、５、
６、１２、１３、１６、２０（第２表）に示すようにＺ
*が の型のもの、即ち光学活性２−アルカノールより誘導さ
れた物質は大なるPs値を有する。このような大なる値
は、例えば特開昭５３−２２８８３号記載の次式 の化合物のPs値が、本発明者らの測定によれば約１nC/c
m2という小さい値であるのに比較すれば驚くべき値であ
るといえるものである。更にこれらの物質のすぐれた特
徴としてSC*相のチルト角（基板に対する傾斜角）が大
であることがあげられる（第２表）。後に説明されるSC
*液晶組成物を使用するゲスト・ホスト型光スイッチン
グ素子に於いては、SC*相のチルト角は理想的には４５
°が望ましい。従ってこれらの特徴はゲスト・ホスト型
光スイッチング素子用のSC*液晶組成物の構成成分とし
てのきわめてすぐれた性能を示すものである。
２−メチルブチル基であるものは、自発分極の大きさ
（Ps値）が小さく、（Ｉａ）〜（Ｉｆ）式に示されるよ
うなＺ*＝ＯＲ＊又はＺ*＝COOR*のものの方がより大な
るPsを有するためSC*組成物の配合成分として優れてい
る。本発明の（Ｉ）式の化合物のあるものは、第２表に
示すような大きなPs値を有する。特に試料No.４、５、
６、１２、１３、１６、２０（第２表）に示すようにＺ
*が の型のもの、即ち光学活性２−アルカノールより誘導さ
れた物質は大なるPs値を有する。このような大なる値
は、例えば特開昭５３−２２８８３号記載の次式 の化合物のPs値が、本発明者らの測定によれば約１nC/c
m2という小さい値であるのに比較すれば驚くべき値であ
るといえるものである。更にこれらの物質のすぐれた特
徴としてSC*相のチルト角（基板に対する傾斜角）が大
であることがあげられる（第２表）。後に説明されるSC
*液晶組成物を使用するゲスト・ホスト型光スイッチン
グ素子に於いては、SC*相のチルト角は理想的には４５
°が望ましい。従ってこれらの特徴はゲスト・ホスト型
光スイッチング素子用のSC*液晶組成物の構成成分とし
てのきわめてすぐれた性能を示すものである。
SC*相の光スイッチング効果を表示素子として応用する
場合ＴＮ表示方式に比べて３つのすぐれた特徴がある。
第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常
のＴＮ表示方式の素子と比較すると、応答時間は1/100
以下である。第２の特徴はメモリー効果があるというこ
とであり、上記の高速応答性とあいまって、時分割駆動
が容易である。第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調
をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電
圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問があ
る。しかしSC*相の光スイッチング効果を応用する場合
には極性の反転時間を調節することにより、容易に階調
を得ることができ、グラフィック表示に非常に適してい
る。
場合ＴＮ表示方式に比べて３つのすぐれた特徴がある。
第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は通常
のＴＮ表示方式の素子と比較すると、応答時間は1/100
以下である。第２の特徴はメモリー効果があるというこ
とであり、上記の高速応答性とあいまって、時分割駆動
が容易である。第３の特徴はＴＮ表示方式で濃淡の階調
をとるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電
圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問があ
る。しかしSC*相の光スイッチング効果を応用する場合
には極性の反転時間を調節することにより、容易に階調
を得ることができ、グラフィック表示に非常に適してい
る。
表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相は
自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転することに
より、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*相
を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶ
ように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように配
置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧を
印加して、極性を反転することにより、明視野および暗
視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。一
方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の極
性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板の
配置により決まる）を得ることができる。
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相は
自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転することに
より、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*相
を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶ
ように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように配
置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧を
印加して、極性を反転することにより、明視野および暗
視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。一
方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の極
性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板の
配置により決まる）を得ることができる。
一般にスメクチック状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する（１℃
〜２℃／hr）ことにより、液晶分子を配向させている
が、スメクチック相を呈する温度より高温域でコレステ
リック相を有する液晶物質では磁場の代わりに５０Ｖ〜
１００Ｖの直流電圧を印加しながらコレステリック相を
呈する温度から１℃／minの冷却速度でスメクチック相
を呈する温度へ冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。
に配向させることは難かしく、数十キロガウス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと冷却する（１℃
〜２℃／hr）ことにより、液晶分子を配向させている
が、スメクチック相を呈する温度より高温域でコレステ
リック相を有する液晶物質では磁場の代わりに５０Ｖ〜
１００Ｖの直流電圧を印加しながらコレステリック相を
呈する温度から１℃／minの冷却速度でスメクチック相
を呈する温度へ冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。
尚、（Ｉ）式の化合物に対応するラセミ体は、下記に示
す光学活性体の製法に於いて中間原料として光学活性体
の代りに相当するラセミ体を使用することによって、同
様に製造されるものであるが、光学活性体とほぼ同じ相
転移点を示す。
す光学活性体の製法に於いて中間原料として光学活性体
の代りに相当するラセミ体を使用することによって、同
様に製造されるものであるが、光学活性体とほぼ同じ相
転移点を示す。
（Ｉ）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチック液晶、即ちカイラルネマチック液晶はＴＮ型表
示素子のいわゆるリバース・ドメイン（reverse domai
n、しま模様）を生成することがないので（Ｉ）式の化
合物はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチック液晶、即ちカイラルネマチック液晶はＴＮ型表
示素子のいわゆるリバース・ドメイン（reverse domai
n、しま模様）を生成することがないので（Ｉ）式の化
合物はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。
尚、原料の光学活性アルカノール類のうち、Ｓ（＋）−
２−オクタノール、Ｒ（−）−２−オクタノール、Ｓ
（−）−２−メチルブタノールは市販品として比較的安
価に入手できるが、他の光学活性アルカノール類は現在
のところ高価で大量の使用には向かない。
２−オクタノール、Ｒ（−）−２−オクタノール、Ｓ
（−）−２−メチルブタノールは市販品として比較的安
価に入手できるが、他の光学活性アルカノール類は現在
のところ高価で大量の使用には向かない。
本発明者らは公知の方法（R.H.Pickardら．J.Chem.So
c.,９９，４５（１９１１）記載の方法）に従ってラセ
ミ体の光学分割をおこなって得たものを原料として使用
したが、これらの光学活性アルカノール類を使用するこ
とによって（Ｉ）式に於けるＺ*の異る諸物質が得られ
る。Ｚ*の鎖長による液晶相転移温度の変化は、わずか
であるので最も容易に入手し得る２−オクタノ−ル及び
２−メチルブタノール以外の光学活性アルカノールを原
料とすることに格別な利点はない。
c.,９９，４５（１９１１）記載の方法）に従ってラセ
ミ体の光学分割をおこなって得たものを原料として使用
したが、これらの光学活性アルカノール類を使用するこ
とによって（Ｉ）式に於けるＺ*の異る諸物質が得られ
る。Ｚ*の鎖長による液晶相転移温度の変化は、わずか
であるので最も容易に入手し得る２−オクタノ−ル及び
２−メチルブタノール以外の光学活性アルカノールを原
料とすることに格別な利点はない。
以下、実施例により本発明につき詳細に説明する。
尚、以下の実施例に於ては原料の光学活性アルコールと
してはＳ型のものを使用した例だけを記載するがＲ型の
光学活性アルコールを原料とした場合にも夫々同一の相
転移温度のものが得られる。これは理論上からも当然の
ことである。但し施光度、ら旋の捩れ向き、自発分極の
向きはＳ型とＲ型とでは逆になる。
してはＳ型のものを使用した例だけを記載するがＲ型の
光学活性アルコールを原料とした場合にも夫々同一の相
転移温度のものが得られる。これは理論上からも当然の
ことである。但し施光度、ら旋の捩れ向き、自発分極の
向きはＳ型とＲ型とでは逆になる。
実施例１ 〔光学活性ｐ−〔Ｐ′−（１−メチルヘプチルオキシ）
ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、Ｘ＝−ＯＣＯ−、Ｙ＝
−ＯＣＯ−、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.１３）の製造〕 (i)光学活性ｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチ
ルエステルの製造 Ｓ（＋）−２−オクタノール２００ｇ（１．５３６モ
ル）を乾燥ピリジン６００mlに溶解し、そこへ系内の温
度が１０℃以上にならないようにしながらｐ−トルエン
スルホン酸クロリド２９２．８ｇ（１．５３６モル）を
乾燥トルエン４４０mlに溶解した溶液を滴下する。滴下
終了後、室温で１時間攪拌したのち、系内の温度を５０
℃に加温し、そのまま２時間保ってから冷却する。更に
水１とトルエン５００mlを加えて攪拌する。分離した
トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水
溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエン
を留去すると残留物として３２１．０ｇの光学活性ｐ−
トルエンスルホン酸１−メチルヘプチルエステルを得
た。
ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、Ｘ＝−ＯＣＯ−、Ｙ＝
−ＯＣＯ−、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.１３）の製造〕 (i)光学活性ｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチ
ルエステルの製造 Ｓ（＋）−２−オクタノール２００ｇ（１．５３６モ
ル）を乾燥ピリジン６００mlに溶解し、そこへ系内の温
度が１０℃以上にならないようにしながらｐ−トルエン
スルホン酸クロリド２９２．８ｇ（１．５３６モル）を
乾燥トルエン４４０mlに溶解した溶液を滴下する。滴下
終了後、室温で１時間攪拌したのち、系内の温度を５０
℃に加温し、そのまま２時間保ってから冷却する。更に
水１とトルエン５００mlを加えて攪拌する。分離した
トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水
溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエン
を留去すると残留物として３２１．０ｇの光学活性ｐ−
トルエンスルホン酸１−メチルヘプチルエステルを得
た。
(ii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息香
酸の製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステル１７７．０ｇ
（１．１６モル）をメタノール８００mlに溶解し、水酸
化カリウム６５．０ｇ（１．１６モル）を加える。発熱
がおさまったら(i)で製造した光学活性ｐ−トルエンス
ルホン酸１−メチルヘプチルエステル３００．０ｇ
（１．０６モル）を加え、約４時間還流し室温で放置す
る。冷却したら水１とトルエン５００mlを加えて攪拌
する。分離したトルエン層を２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で
十分洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを
留去したのち残留物をエタノール５０mlに溶解し、水酸
化ナトリウム３０．０ｇを水１５０mlに溶解したものを
加え１時間ほど還流する。そののち反応物を塩酸酸性に
し析出した結晶を過し、ヘプタンから再結晶して光学
活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息香酸９６．
２ｇを得た。
酸の製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルエステル１７７．０ｇ
（１．１６モル）をメタノール８００mlに溶解し、水酸
化カリウム６５．０ｇ（１．１６モル）を加える。発熱
がおさまったら(i)で製造した光学活性ｐ−トルエンス
ルホン酸１−メチルヘプチルエステル３００．０ｇ
（１．０６モル）を加え、約４時間還流し室温で放置す
る。冷却したら水１とトルエン５００mlを加えて攪拌
する。分離したトルエン層を２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で
十分洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを
留去したのち残留物をエタノール５０mlに溶解し、水酸
化ナトリウム３０．０ｇを水１５０mlに溶解したものを
加え１時間ほど還流する。そののち反応物を塩酸酸性に
し析出した結晶を過し、ヘプタンから再結晶して光学
活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息香酸９６．
２ｇを得た。
(iii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）安息
香酸クロリドの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸９０．０ｇ（０．３６モル）に塩化チオニ
ル５１．２ｇ（０．４３モル）を加え約２時間還流す
る。その後減圧蒸留によって過剰の塩化チオニルを完全
に除去し、光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド９０．０ｇを得た。
香酸クロリドの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸９０．０ｇ（０．３６モル）に塩化チオニ
ル５１．２ｇ（０．４３モル）を加え約２時間還流す
る。その後減圧蒸留によって過剰の塩化チオニルを完全
に除去し、光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド９０．０ｇを得た。
(iv)ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニ
ルエステルの製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸２０．０ｇ（０．１４５モ
ル）、ｐ−オクチルオキシフエノール４９．０ｇ（０．
２２モル）をトルエン９００mlに溶解し、ホウ酸０．４
５ｇと濃硫酸０．７３ｇを加える。反応によって生じる
水を除去しながら約２１時間還流する。その後トルエン
の大部分を留去し冷却し析出した結晶を過する。この
結晶をエタノールから２回再結晶することによってｐ−
ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニルエステ
ル２２．４ｇを得た。
ルエステルの製造 ｐ−ヒドロキシ安息香酸２０．０ｇ（０．１４５モ
ル）、ｐ−オクチルオキシフエノール４９．０ｇ（０．
２２モル）をトルエン９００mlに溶解し、ホウ酸０．４
５ｇと濃硫酸０．７３ｇを加える。反応によって生じる
水を除去しながら約２１時間還流する。その後トルエン
の大部分を留去し冷却し析出した結晶を過する。この
結晶をエタノールから２回再結晶することによってｐ−
ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオキシフエニルエステ
ル２２．４ｇを得た。
(v)表題化合物の製造 (iv)で得られたｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−オクチルオ
キシフエニルエステル２０．０ｇ（０．０６０モル）を
ピリジン７０mlに溶解する。ここへ氷冷しながら(iii)
で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド１３．７ｇ（０．０５１モル）を滴下
する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放
置する。その後トルエン３００ml、水２００mlを加え攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し更に中性になるまで水洗する。トルエ
ンを留去し残留物をエタノールから再結晶することによ
り目的物である光学活性ｐ−〔ｐ′−（１−メチルヘプ
チルオキシ）ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチル
オキシフエニルエステル１０．８ｇを得た。このものの
相転移点は、Ｃ−Ｃｈ点７７．５℃、Ｃｈ−Ｉ点１１
５．６℃、Ｃｈ−SC*点６７．７℃であった。
キシフエニルエステル２０．０ｇ（０．０６０モル）を
ピリジン７０mlに溶解する。ここへ氷冷しながら(iii)
で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）
安息香酸クロリド１３．７ｇ（０．０５１モル）を滴下
する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放
置する。その後トルエン３００ml、水２００mlを加え攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し更に中性になるまで水洗する。トルエ
ンを留去し残留物をエタノールから再結晶することによ
り目的物である光学活性ｐ−〔ｐ′−（１−メチルヘプ
チルオキシ）ベンゾイルオキシ〕安息香酸ｐ−オクチル
オキシフエニルエステル１０．８ｇを得た。このものの
相転移点は、Ｃ−Ｃｈ点７７．５℃、Ｃｈ−Ｉ点１１
５．６℃、Ｃｈ−SC*点６７．７℃であった。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
致した。
実測値 計算値（C36H46O6として） Ｃ ７５．２０％ ７５．２３％ Ｈ ７．９０％ ８．０７％ 本実施例において種々の光学活性アルコールを用いるこ
とによって対応する種々の（Ｉｃ）式の化合物を得るこ
とができる。また、前記の工程(v)において酸塩化物と
して光学活性ｐ−アルコキシカルボニル安息香酸クロリ
ド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシカル
ボニル）安息香酸クロリドあるいはｐ−（２−メチルブ
トキシカルボニル）安息香酸クロリドを用いることによ
って（Ｉｄ）式の化合物を製造できる。
とによって対応する種々の（Ｉｃ）式の化合物を得るこ
とができる。また、前記の工程(v)において酸塩化物と
して光学活性ｐ−アルコキシカルボニル安息香酸クロリ
ド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシカル
ボニル）安息香酸クロリドあるいはｐ−（２−メチルブ
トキシカルボニル）安息香酸クロリドを用いることによ
って（Ｉｄ）式の化合物を製造できる。
実施例２ 〔光学活性ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキ
シ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、X=-COO-、Y=-COO-、 Ａ＝C8H17O−のもの（試料No.5）の製造〕 (i)ｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリドの製造 ｐ−ベンジルオキシ安息香酸１００．０ｇ（０．４４モ
ル）に塩化チオニル６３．１ｇ（０．５３モル）を加
え、約２時間還流する。過剰の塩化チオニルを減圧蒸留
により完全に除去しｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリ
ド６３．４ｇを得た。
シ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル（（Ｉ）式に於いて、X=-COO-、Y=-COO-、 Ａ＝C8H17O−のもの（試料No.5）の製造〕 (i)ｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリドの製造 ｐ−ベンジルオキシ安息香酸１００．０ｇ（０．４４モ
ル）に塩化チオニル６３．１ｇ（０．５３モル）を加
え、約２時間還流する。過剰の塩化チオニルを減圧蒸留
により完全に除去しｐ−ベンジルオキシ安息香酸クロリ
ド６３．４ｇを得た。
(ii)光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエノ
ールの合成 ハイドロキノンモノベンジルエーテル２００．０ｇ
（１．００モル）に、エタノール１０００ml、実施例１
で合成したｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチル
エステル２１２．０ｇ（１．１０モル）、水酸化ナトリ
ウム４８．０ｇ（１．２０モル）を水５０．０ｇに溶解
したものを加え約１０時間還流を行なう。エタノールを
留去し残留物に６Ｎ−ＨＣｌ４００ml、トルエン５００
mlを加え攪拌する。トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで
２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄したのち中性になるまで
水洗しトルエン層を乾燥したのち、トルエンを留去す
る。残留物を活性アルミナ２００ｇのカラムクロマトに
かける。
ールの合成 ハイドロキノンモノベンジルエーテル２００．０ｇ
（１．００モル）に、エタノール１０００ml、実施例１
で合成したｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘプチル
エステル２１２．０ｇ（１．１０モル）、水酸化ナトリ
ウム４８．０ｇ（１．２０モル）を水５０．０ｇに溶解
したものを加え約１０時間還流を行なう。エタノールを
留去し残留物に６Ｎ−ＨＣｌ４００ml、トルエン５００
mlを加え攪拌する。トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで
２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄したのち中性になるまで
水洗しトルエン層を乾燥したのち、トルエンを留去す
る。残留物を活性アルミナ２００ｇのカラムクロマトに
かける。
この残留物をエタノール２００mlに溶解し、５％Ｐｄ／
Ｃｌ０．０ｇの存在下に於いて還元し粗製の光学活性ｐ
−（１−メチルヘプチルオキシ）フエノールを得た。こ
れを減圧において蒸留し光学活性ｐ−（１−メチルヘプ
チルオキシ）フエノール１４２．４ｇ（１．５mmHg１３
２℃）を得た。
Ｃｌ０．０ｇの存在下に於いて還元し粗製の光学活性ｐ
−（１−メチルヘプチルオキシ）フエノールを得た。こ
れを減圧において蒸留し光学活性ｐ−（１−メチルヘプ
チルオキシ）フエノール１４２．４ｇ（１．５mmHg１３
２℃）を得た。
(iii)光学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸ｐ−（１−
メチルヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）フエノール５０．０ｇ（０．２２モル）をピリジン
３００mlに溶解し、そこへｐ−ベンジルオキシ安息香酸
クロリド５０．０ｇ（０．２０モル）をトルエン３００
mlに溶解したものを、氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン１５００ml、水１０００mlを加え攪拌し、トル
エン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液
で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留
去し、残留物をエタノールから再結晶することにより光
学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシ）フエニルエステル６９．０を得た。
メチルヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (ii)で得られた光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）フエノール５０．０ｇ（０．２２モル）をピリジン
３００mlに溶解し、そこへｐ−ベンジルオキシ安息香酸
クロリド５０．０ｇ（０．２０モル）をトルエン３００
mlに溶解したものを、氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン１５００ml、水１０００mlを加え攪拌し、トル
エン層を６Ｎ−ＨＣｌ、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液
で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留
去し、残留物をエタノールから再結晶することにより光
学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシ）フエニルエステル６９．０を得た。
(iv)光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−（１−メチル
ヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (iii)で得られた光学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸
ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニリルエステル
６９．０ｇ（０．１６モル）を酢酸エチル−エタノール
混合溶媒（２：１）１０００mlに溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ
１５．０ｇの存在下に於いて還元し光学活性ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル４９．８ｇを得た。
ヘプチルオキシ）フエニルエステルの製造 (iii)で得られた光学活性ｐ−ベンジルオキシ安息香酸
ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニリルエステル
６９．０ｇ（０．１６モル）を酢酸エチル−エタノール
混合溶媒（２：１）１０００mlに溶解し、５％Ｐｄ／Ｃ
１５．０ｇの存在下に於いて還元し光学活性ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエニ
ルエステル４９．８ｇを得た。
(v)表題化合物の製造 (iv)で得られた光学活性ｐ−ヒドロキシ安息香酸ｐ−
（１−メチルヘプチルオキシ）フエニルエステル１１．
２ｇ（０．０３３モル）をピリジン５０mlに溶解し、こ
こへｐ−オクチルオキシ安息香酸クロリド８．０ｇ
（０．０３０モル）を氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン３００ml、水２００mlを加え攪拌し、トルエン
層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄
し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留去し、
残留物をエタノールから再結晶することにより目的物で
ある光学活性ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオ
キシ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエ
ニルエステル５．９ｇを得た。このものの相転移点は、
Ｃ−ＳＡ点７５．０℃、ＳＡ−Ｉ点１３４．１℃であっ
た。
（１−メチルヘプチルオキシ）フエニルエステル１１．
２ｇ（０．０３３モル）をピリジン５０mlに溶解し、こ
こへｐ−オクチルオキシ安息香酸クロリド８．０ｇ
（０．０３０モル）を氷冷しながら滴下する。約５０〜
６０℃に保ちながら２時間攪拌し一晩放置する。その後
トルエン３００ml、水２００mlを加え攪拌し、トルエン
層を６Ｎ−塩酸、次いで２Ｎ−苛性ソーダ水溶液で洗浄
し、更に中性になるまで水洗する。トルエンを留去し、
残留物をエタノールから再結晶することにより目的物で
ある光学活性ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオ
キシ）安息香酸ｐ−（１−メチルヘプチルオキシ）フエ
ニルエステル５．９ｇを得た。このものの相転移点は、
Ｃ−ＳＡ点７５．０℃、ＳＡ−Ｉ点１３４．１℃であっ
た。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
致した。
実測値 計算値（C36H46O6として） Ｃ ７４．９０％ ７５．２３％ Ｈ ８．１０％ ８．０７％ 本実施例においてｐ−トルエンスルホン酸１−メチルヘ
プチルエステルの代わりに種々の光学活性ｐ−トルエン
スルホン酸エステルを用いることによって、対応する種
々の（Ｉａ）式の化合物が製造できる。また、前記の工
程(iii)において光学活性フエノールとして、ｐ−アル
コキシカルボニルフエノール、特にｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシカルボニル）フエノールあるいはｐ−（２
−メチルブトキシカルボニル）フエノールを使用するこ
とによって（Ｉｂ）式の化合物を製造することができ
る。
プチルエステルの代わりに種々の光学活性ｐ−トルエン
スルホン酸エステルを用いることによって、対応する種
々の（Ｉａ）式の化合物が製造できる。また、前記の工
程(iii)において光学活性フエノールとして、ｐ−アル
コキシカルボニルフエノール、特にｐ−（１−メチルヘ
プチルオキシカルボニル）フエノールあるいはｐ−（２
−メチルブトキシカルボニル）フエノールを使用するこ
とによって（Ｉｂ）式の化合物を製造することができ
る。
実施例３ 〔光学活性ｐ−（２−メチルブトキシカルボニル）安息
香酸ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキシフエ
ニルエステル（（Ｉ）式に於いてX=-COO-、Y=-OCO-、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.２１）の製造〕 (i)ｐ−オキチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフ
エニルエステルの製造 ハイドロキノンモノベンジルエーテル１００．０ｇ
（０．５０モル）をピリジン６００mlに溶解し、ｐ−オ
クチルオキシ安息香酸クロリド１２２．２ｇ（０．４５
モル）をトルエン６００mlに溶解したものを氷冷しなが
ら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し
一晩放置する。その後トルエン３０００ml、水２０００
mlを加え攪拌し、トルエン層を６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−
苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗す
る。トルエンを留去し、残留物をエタノールから再結晶
することによりｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジ
ルオキシフエニルエステル１２１．０を得た。
香酸ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキシフエ
ニルエステル（（Ｉ）式に於いてX=-COO-、Y=-OCO-、 Ａ＝Ｃ８Ｈ１７Ｏ−のもの（試料No.２１）の製造〕 (i)ｐ−オキチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフ
エニルエステルの製造 ハイドロキノンモノベンジルエーテル１００．０ｇ
（０．５０モル）をピリジン６００mlに溶解し、ｐ−オ
クチルオキシ安息香酸クロリド１２２．２ｇ（０．４５
モル）をトルエン６００mlに溶解したものを氷冷しなが
ら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪拌し
一晩放置する。その後トルエン３０００ml、水２０００
mlを加え攪拌し、トルエン層を６Ｎ−塩酸次いで２Ｎ−
苛性ソーダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗す
る。トルエンを留去し、残留物をエタノールから再結晶
することによりｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジ
ルオキシフエニルエステル１２１．０を得た。
(ii)ｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイルオキシ）フ
エノールの製造 ｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフエニ
ルエステル５０．０ｇ（０．１２モル）を酢酸エチル−
エタノール混合溶媒（２：１）８００mlに溶解し、５％
Ｐｄ／Ｃ２．５ｇの存在下に於いて還元しｐ−（ｐ′−
オクチルオキシベンゾイルオキシ）フエノール３８．６
ｇを得た。
エノールの製造 ｐ−オクチルオキシ安息香酸ｐ−ベンジルオキシフエニ
ルエステル５０．０ｇ（０．１２モル）を酢酸エチル−
エタノール混合溶媒（２：１）８００mlに溶解し、５％
Ｐｄ／Ｃ２．５ｇの存在下に於いて還元しｐ−（ｐ′−
オクチルオキシベンゾイルオキシ）フエノール３８．６
ｇを得た。
(iii)表題化合物の製造 (ii)で得られたｐ−（ｐ′−オクチルオキシベンゾイル
オキシ）フエノール１０ｇ（０．０２９モル）をピリジ
ン１００mlに溶解し、そこへ光学活性ｐ−（２−メチル
ブトキシカルボニル）安息香酸クロリド５．６ｇ（０．
０２７モル）をトルエン５０mlに溶解したものを氷冷し
ながら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トル
エンを留去し、残留物をエタノールから再結晶すること
により目的物である光学活性ｐ−（２−メチルブトキシ
カルボニル）安息香酸ｐ−（ｐ’−オクチルオキシベン
ゾイルオキシ）フエニルエステル７．２ｇを得た。
オキシ）フエノール１０ｇ（０．０２９モル）をピリジ
ン１００mlに溶解し、そこへ光学活性ｐ−（２−メチル
ブトキシカルボニル）安息香酸クロリド５．６ｇ（０．
０２７モル）をトルエン５０mlに溶解したものを氷冷し
ながら滴下する。約５０〜６０℃に保ちながら２時間攪
拌し、トルエン層を６Ｎ−ＨＣｌ次いで２Ｎ−苛性ソー
ダ水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。トル
エンを留去し、残留物をエタノールから再結晶すること
により目的物である光学活性ｐ−（２−メチルブトキシ
カルボニル）安息香酸ｐ−（ｐ’−オクチルオキシベン
ゾイルオキシ）フエニルエステル７．２ｇを得た。
このものの相転移点はＣ−Ｃｈ点１０６．５℃、Ｃｈ−
Ｉ点１４５．５℃であり、また元素分析値は以下の如く
計算値とよく一致した。
Ｉ点１４５．５℃であり、また元素分析値は以下の如く
計算値とよく一致した。
実測値 計算値（C33H40O6として） Ｃ ７４．１０％ ７４．４１％ Ｈ ７．４０％ ７．５７％ 本実施例記載の方法と類似の方法で前記（Ｉｆ）式のも
のがすべて製造できる。又、本実施例の第３段階に於い
て光学活性物質として光学活性ｐ−アルコキシ安息香酸
クロリド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸クロリドあるいは光学活性ｐ−（２−メチ
ルブトキシ安息香酸クロリドを使用することによって種
々の（Ｉｅ）式の化合物を製造することができる。
のがすべて製造できる。又、本実施例の第３段階に於い
て光学活性物質として光学活性ｐ−アルコキシ安息香酸
クロリド、特に光学活性ｐ−（１−メチルヘプチルオキ
シ）安息香酸クロリドあるいは光学活性ｐ−（２−メチ
ルブトキシ安息香酸クロリドを使用することによって種
々の（Ｉｅ）式の化合物を製造することができる。
実施例４（使用例１） からなるネマチック液晶組成物を配向処理剤として、ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極
間隔１０μｍのセルに注入してＴＮ型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイス
トドメインを生じているのが観察された。
リビニルアルコール（ＰＶＡ）を塗布し、その表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極
間隔１０μｍのセルに注入してＴＮ型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイス
トドメインを生じているのが観察された。
この上記のネマチック液晶組成物に本発明の試料No.９
の化合物を１重量％添加し、同様にＴＮ型セルにて観察
したところ、リバース・ツイストドメインは解消され、
均一なネマチック相が観察された。
の化合物を１重量％添加し、同様にＴＮ型セルにて観察
したところ、リバース・ツイストドメインは解消され、
均一なネマチック相が観察された。
実施例５（使用例２） 前記第１表中の試料No.１６の光学活性ジエステル液晶
化合物と他の光学活性液晶化合物を用いて、下記の組成
の液晶組成物を調製した。
化合物と他の光学活性液晶化合物を用いて、下記の組成
の液晶組成物を調製した。
組成物の調製法は、上記４種の液晶化合物を所定の重量
秤量し、４種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しながら
混合するものである。得られた組成物を配向処理とし
て、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向処理
を施した透明電極を備えたセル厚２μｍのセルに注入
し、この液晶素子を２枚の直交する偏光子の間に設置
し、電界を印加したところ、２０Ｖの印加によって透過
光強度の変化が観測された。この時の透過光強度の変化
から応答時間を求めると、２５℃で約０．７msecの値を
示した。
秤量し、４種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しながら
混合するものである。得られた組成物を配向処理とし
て、ＰＶＡを塗布し、表面をラビングして平行配向処理
を施した透明電極を備えたセル厚２μｍのセルに注入
し、この液晶素子を２枚の直交する偏光子の間に設置
し、電界を印加したところ、２０Ｖの印加によって透過
光強度の変化が観測された。この時の透過光強度の変化
から応答時間を求めると、２５℃で約０．７msecの値を
示した。
尚、上記液晶組成物について、偏光顕微鏡によりテクス
チュアの温度変化を調べたところ、１５℃から５０℃の
温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発
分極の大きさは、２５℃で２０nC/cm2であり、チルト角
は２４°であった。
チュアの温度変化を調べたところ、１５℃から５０℃の
温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発
分極の大きさは、２５℃で２０nC/cm2であり、チルト角
は２４°であった。
実施例６（使用例３） 前記第１表中の試料番号１３及び１５の光学活性ジエス
テル液晶化合物及び他の光学活性液晶化合物を用い、実
施例５と同様な方法で下記の組成の液晶組成物を調製し
た。
テル液晶化合物及び他の光学活性液晶化合物を用い、実
施例５と同様な方法で下記の組成の液晶組成物を調製し
た。
この組成物に二色性色素としてアントラキノン系色素の
Ｄ−１６（ＢＤＨ社製）を３重量％添加していわゆるゲ
スト・ホスト型にしたものを実施例５と同様なセル（た
だし、セル厚は１０μｍ）に注入し、１枚の偏光子を偏
光面が分子軸に平行になる様に設置し、電界を印加した
ところ、４０Ｖの印加によって、透過光強度の変化が観
測された。この時の透過光強度の変化から応答時間を求
めると、２５℃で約２msecの値を示した。
Ｄ−１６（ＢＤＨ社製）を３重量％添加していわゆるゲ
スト・ホスト型にしたものを実施例５と同様なセル（た
だし、セル厚は１０μｍ）に注入し、１枚の偏光子を偏
光面が分子軸に平行になる様に設置し、電界を印加した
ところ、４０Ｖの印加によって、透過光強度の変化が観
測された。この時の透過光強度の変化から応答時間を求
めると、２５℃で約２msecの値を示した。
尚、上記液晶組成物について、偏光顕微鏡により、テク
スチュアの温度変化を調べたところ、２０℃から６０℃
の温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自
発分極の大きさは、２５℃で１８nC/cm2であり、チルト
角は３５°であった。
スチュアの温度変化を調べたところ、２０℃から６０℃
の温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自
発分極の大きさは、２５℃で１８nC/cm2であり、チルト
角は３５°であった。
Claims (8)
- 【請求項１】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
活性化合物。 - 【請求項２】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な１−メ
チルヘプチルオキシ基である特許請求の範囲第１項記載
の光学活性化合物。 - 【請求項３】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な２−メ
チルブトキシ基である特許請求の範囲第１項記載の光学
活性化合物。 - 【請求項４】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な１−メ
チルヘプチルオキシカルボニル基である特許請求の範囲
第１項記載の光学活性化合物。 - 【請求項５】（Ｉ）式に於けるＺ*が光学活性な２−メ
チルブトキシカルボニル基である特許請求の範囲第１項
記載の光学活性化合物。 - 【請求項６】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
活性液晶化合物を少なくとも１種含有することを特徴と
する少なくとも２成分からなる液晶組成物。 - 【請求項７】特許請求の範囲第６項に記載のカイラルス
メクチック液晶組成物。 - 【請求項８】一般式 （但し、上式に於いて、Ｘは-COO-あるいは-OCO-のいず
れかであり、ＹはＸが-COO-のとき-COO-又は-OCO-であ
り、Ｘが-OCO-のとき-OCO-である。また、Ｚ*は炭素数
４−１０の光学活性なアルコキシ基又はアルコキシカル
ボニル基を示し、Ａは炭素数４−１２の光学活性でない
アルキル基又はアルコキシ基を示す）で表わされる光学
活性液晶化合物を少なくとも１種含有する少なくとも２
成分からなるカイラルスメクチックＣ相を呈する液晶組
成物を使用して構成された光スイッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113578A JPH0610168B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60113578A JPH0610168B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271252A JPS61271252A (ja) | 1986-12-01 |
| JPH0610168B2 true JPH0610168B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=14615784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60113578A Expired - Lifetime JPH0610168B2 (ja) | 1985-05-27 | 1985-05-27 | 新規光学活性ジエステル誘導体及びその組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610168B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257139A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-11 | Dainippon Toryo Kk | Production of cairal nematic compound and liquid crystal composition |
-
1985
- 1985-05-27 JP JP60113578A patent/JPH0610168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61271252A (ja) | 1986-12-01 |
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Legal Events
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