JPH06103523B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06103523B2 JPH06103523B2 JP2158896A JP15889690A JPH06103523B2 JP H06103523 B2 JPH06103523 B2 JP H06103523B2 JP 2158896 A JP2158896 A JP 2158896A JP 15889690 A JP15889690 A JP 15889690A JP H06103523 B2 JPH06103523 B2 JP H06103523B2
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- silicate glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/29—Structure or manufacture of unitary devices formed of plural heads for more than one track
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明はマルチトラック式等の磁気テープ・ヘッドに
おいて用いられる閉止用ガラスに関するものであり、よ
り詳細にいえば、閉止用ガラスとして用いるための改善
された摩耗特性を有する新規なガラスの組成に関するも
のである。
おいて用いられる閉止用ガラスに関するものであり、よ
り詳細にいえば、閉止用ガラスとして用いるための改善
された摩耗特性を有する新規なガラスの組成に関するも
のである。
B.従来の技術 酸化鉛をベースとしたガラスは、ニッケル・亜鉛（NiZ
n）フェライトとの適合性があることから、マルチトラ
ック式のテープ・ヘッドにおける閉止用ガラスのために
通常使用されている。マルチトラック式のテープ・ヘッ
ドのために通常使用されている典型例としての酸化鉛に
基づくガラスはIBM400式のガラスである。次の第１表に
は、IBM400式のガラスの組成が詳細に示されている。
n）フェライトとの適合性があることから、マルチトラ
ック式のテープ・ヘッドにおける閉止用ガラスのために
通常使用されている。マルチトラック式のテープ・ヘッ
ドのために通常使用されている典型例としての酸化鉛に
基づくガラスはIBM400式のガラスである。次の第１表に
は、IBM400式のガラスの組成が詳細に示されている。
第１表 構成成分 重量％ 酸化鉛（PbO） 68.0±0.5％ 酸化ケイ素（SiO2） 20.8±0.5％ 酸化ホウ素（B2O3） 7.0±1.5％ 酸化アルミ（Al2O3） 4.2±1.5％ 残余物 最大0.5％ IBM400式のガラスにおいて、その焼きなまし点は435℃
（ガラスの粘度＝1013ポイズ）、その軟化点は530℃
（ガラスの粘度＝107.6ポイズ）、その作業点は695℃
（ガラスの粘度＝104ポイズ）、そして、その熱膨張係
数は70＊10-7±3.0＊10-7/℃である。このIBM400式のガ
ラスはNiZnフェライトとの適合性という点では優れた特
性を有しているけれども、このガラスの摩耗比率は、磁
気テープ・ヘッドにおけるフェライトのそれに比べて高
いものである。
（ガラスの粘度＝1013ポイズ）、その軟化点は530℃
（ガラスの粘度＝107.6ポイズ）、その作業点は695℃
（ガラスの粘度＝104ポイズ）、そして、その熱膨張係
数は70＊10-7±3.0＊10-7/℃である。このIBM400式のガ
ラスはNiZnフェライトとの適合性という点では優れた特
性を有しているけれども、このガラスの摩耗比率は、磁
気テープ・ヘッドにおけるフェライトのそれに比べて高
いものである。
ホウ素・ケイ酸をベースとするガラスは、酸化鉛ガラス
に比べて硬度が高く、また、より良好な摩耗の属性を備
えている。コーニング（登録商標）ガラス・コード7740
なるホウ素・ケイ酸ガラスにおいては、その焼きなまし
点は565℃、その軟化点は821℃、その作業点は1252℃、
そして、その熱膨張係数は32.5＊10-7/℃である。コー
ニング（登録商標）ガラス・コード7570なる鉛・ホウ素
・ケイ酸ガラスにおいては、その焼きなまし点は363
℃、その軟化点は440℃、その作業点は560℃、そして、
その熱膨張係数は84＊10-7/℃である。しかしながら、
コーニング（登録商標）ガラス・コード7740なるホウ素
・ケイ酸ガラス、コーニング（登録商標）ガラス・コー
ド7570なる鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスのいずれにおいて
も、NiZnフェライトとの接着のためには受け入れること
ができない。
に比べて硬度が高く、また、より良好な摩耗の属性を備
えている。コーニング（登録商標）ガラス・コード7740
なるホウ素・ケイ酸ガラスにおいては、その焼きなまし
点は565℃、その軟化点は821℃、その作業点は1252℃、
そして、その熱膨張係数は32.5＊10-7/℃である。コー
ニング（登録商標）ガラス・コード7570なる鉛・ホウ素
・ケイ酸ガラスにおいては、その焼きなまし点は363
℃、その軟化点は440℃、その作業点は560℃、そして、
その熱膨張係数は84＊10-7/℃である。しかしながら、
コーニング（登録商標）ガラス・コード7740なるホウ素
・ケイ酸ガラス、コーニング（登録商標）ガラス・コー
ド7570なる鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスのいずれにおいて
も、NiZnフェライトとの接着のためには受け入れること
ができない。
ムカサ外（Mukasa et al.）に対する米国特許第4,63
8,387号によれば、磁気テープ・ヘッドと関連して用い
られるスライド式のコンタクト部材における細かい割れ
目に充填するための注入材として、ホウ素・ケイ酸ガラ
スを用いることが開示されている。ヤナギサワ外（Yana
gisawa et al.）に対する米国特許第4,069,360号によ
れば、ポリシリコン層を用いることが開示されている
が、これはホウ素・ケイ酸ガラスであればよく、潤滑剤
とともに被覆されていて、これが被覆されている記録用
ディスクおよび磁気記録ヘッドの表面の保護および摩擦
による摩耗を減少するようにされている。ヨコヤマ外
（Yokoyama et al.）に対する米国特許第4,170,032号
によれば、ホウ素・ケイ酸ガラスがギャップ・エリアに
スパッタリングで沈積された磁気ヘッドが開示されてい
る。カストロダール外（Castrodale et al.）に対す
る米国特許第4,110,804号によれば、磁気ヘッド・アセ
ンブリの読み取り／書き込みおよびトンネル消去におけ
る変換器の接着部分のために、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラ
スを用いることが開示されている。上記のいずれの特許
においても、マルチトラック式のテープ・ヘッドにおけ
る閉止ガラスとして、ホウ素・ケイ酸をベースとするガ
ラスを用いることの開示または検討はなされていない。
8,387号によれば、磁気テープ・ヘッドと関連して用い
られるスライド式のコンタクト部材における細かい割れ
目に充填するための注入材として、ホウ素・ケイ酸ガラ
スを用いることが開示されている。ヤナギサワ外（Yana
gisawa et al.）に対する米国特許第4,069,360号によ
れば、ポリシリコン層を用いることが開示されている
が、これはホウ素・ケイ酸ガラスであればよく、潤滑剤
とともに被覆されていて、これが被覆されている記録用
ディスクおよび磁気記録ヘッドの表面の保護および摩擦
による摩耗を減少するようにされている。ヨコヤマ外
（Yokoyama et al.）に対する米国特許第4,170,032号
によれば、ホウ素・ケイ酸ガラスがギャップ・エリアに
スパッタリングで沈積された磁気ヘッドが開示されてい
る。カストロダール外（Castrodale et al.）に対す
る米国特許第4,110,804号によれば、磁気ヘッド・アセ
ンブリの読み取り／書き込みおよびトンネル消去におけ
る変換器の接着部分のために、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラ
スを用いることが開示されている。上記のいずれの特許
においても、マルチトラック式のテープ・ヘッドにおけ
る閉止ガラスとして、ホウ素・ケイ酸をベースとするガ
ラスを用いることの開示または検討はなされていない。
C.発明が解決しようとする課題 従来のマルチトラック式のテープ・ヘッドにおいては、
閉止用ガラスの摩耗が過大になっている。この閉止用ガ
ラスがフェライトよりも速く摩耗すると、そのテープ・
ヘッドの信頼度が低くなる。ホウ素・ケイ酸をベースと
するガラスの優れた摩耗特性は、NiZnフェライトとの不
適合性のために、マルチトラック式のテープ・ヘッドに
は適用されていない。
閉止用ガラスの摩耗が過大になっている。この閉止用ガ
ラスがフェライトよりも速く摩耗すると、そのテープ・
ヘッドの信頼度が低くなる。ホウ素・ケイ酸をベースと
するガラスの優れた摩耗特性は、NiZnフェライトとの不
適合性のために、マルチトラック式のテープ・ヘッドに
は適用されていない。
従って、この発明の目的は、ホウ素・ケイ酸をベースと
する構成のガラスを用いて、改善された摩耗特性を有す
るマルチトラック式のテープ・ヘッドを提供することに
ある。
する構成のガラスを用いて、改善された摩耗特性を有す
るマルチトラック式のテープ・ヘッドを提供することに
ある。
この発明の別の目的は、ホウ素・ケイ酸ガラスを鉛・ホ
ウ素・ケイ酸ガラスと組み合わせて、NiZnフェライトと
適合される組成のガラスを提供することにある。
ウ素・ケイ酸ガラスと組み合わせて、NiZnフェライトと
適合される組成のガラスを提供することにある。
この発明の更に別の目的は、その摩耗特性の調整が焼き
なましサイクルの調節によって可能にされる閉止用ガラ
スを提供することにある。
なましサイクルの調節によって可能にされる閉止用ガラ
スを提供することにある。
D.課題を解決するための手段 この発明によれば、コーニング（登録商標）ガラス・コ
ード7570なる鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスが、コーニング
（登録商標）ガラス・コード7740なるホウ素・ケイ酸ガ
ラスと組み合わされて、閉止用ガラスとして改善された
属性を有する新規なガラスが形成される。実験がなされ
た結果として、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケ
イ酸ガラスとの最適な重量％比率が60/40と決定され
た。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
との60/40の比率により、溶融温度、フェライトの適合
性、ストレスおよび摩耗についての最良の結果が得られ
た。
ード7570なる鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスが、コーニング
（登録商標）ガラス・コード7740なるホウ素・ケイ酸ガ
ラスと組み合わされて、閉止用ガラスとして改善された
属性を有する新規なガラスが形成される。実験がなされ
た結果として、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケ
イ酸ガラスとの最適な重量％比率が60/40と決定され
た。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
との60/40の比率により、溶融温度、フェライトの適合
性、ストレスおよび摩耗についての最良の結果が得られ
た。
重量で60％の鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスと、重量で40％
のホウ素・ケイ酸ガラスとの粉末状の混合体が、スロッ
トが付された書き込み閉止用の平板（スロットが切り込
まれたフェライトの平板）の表面上に配置された。次い
で、この平板が炉内に装入されて、“ガラス化処理”と
呼ばれる手順においてガラスの溶融がなされた。これに
次いで、ガラス内でのバブルが“ヒッピング（hippin
g）”なる手順を用いて除去された。最後に、ガラスの
焼きなましがなされた。実験がなされて、最適の焼きな
まし温度は510℃であると決定された。焼きなましサイ
クルの関数としてのガラス内の残留ストレスは、生成さ
れるガラスの摩耗特性に影響をおよぼすことが決定され
た。摩耗・曲げのサンプルが平板から用意されて、媒体
の摩耗性テスト手順を用いることによるテストが行われ
た。
のホウ素・ケイ酸ガラスとの粉末状の混合体が、スロッ
トが付された書き込み閉止用の平板（スロットが切り込
まれたフェライトの平板）の表面上に配置された。次い
で、この平板が炉内に装入されて、“ガラス化処理”と
呼ばれる手順においてガラスの溶融がなされた。これに
次いで、ガラス内でのバブルが“ヒッピング（hippin
g）”なる手順を用いて除去された。最後に、ガラスの
焼きなましがなされた。実験がなされて、最適の焼きな
まし温度は510℃であると決定された。焼きなましサイ
クルの関数としてのガラス内の残留ストレスは、生成さ
れるガラスの摩耗特性に影響をおよぼすことが決定され
た。摩耗・曲げのサンプルが平板から用意されて、媒体
の摩耗性テスト手順を用いることによるテストが行われ
た。
E.実施例 第１図を参照すると、マルチトラック式のテープ・ヘッ
ドの閉止区画10が示されている。１列の磁気フェライト
・ブロック12が基板14によって支持されている。このフ
ェライト・ブロック12と基板14とは閉止ガラス16によっ
て一緒にされている。フェライト・ブロック12の幅はデ
ータ・トラックの幅を決定するものであり、また、フェ
ライト、ブロック12間の閉止ガラス16の幅はデータ・ト
ラック間の分離距離を設定するものである。
ドの閉止区画10が示されている。１列の磁気フェライト
・ブロック12が基板14によって支持されている。このフ
ェライト・ブロック12と基板14とは閉止ガラス16によっ
て一緒にされている。フェライト・ブロック12の幅はデ
ータ・トラックの幅を決定するものであり、また、フェ
ライト、ブロック12間の閉止ガラス16の幅はデータ・ト
ラック間の分離距離を設定するものである。
第２図に示されているマルチトラック式のテープ・ヘッ
ド11におけるフェライト・ウエーハ18は、閉止区画10と
同じ長さと幅とを有するものであって、変換ギャップ20
によって閉止区画10から間隔をおかれている。この変換
ギャップ20は、書き込み操作がなされているときの、テ
ープまたはディスクのような磁気媒体との共同動作をす
るものである。マルチトラック式ヘッド11の組み立て
は、この発明にとっては特に重要なことではなく、周知
の技術に従って実施することができる。この周知の技術
としては、例えば、チュウ外（Chow et al.）に対す
る米国特許第4,366,518号、アーグメンド外（Argumendo
et al.）に対する米国特許第4,396,967号、および、
フランクリン外（Franklin et al.）によるIBM TDB
（テクニカル・ディスクロージャ・ブレティン）第18
巻、第６号、第1981−1984頁の論文を挙げることができ
る。この発明が主として関連することは、マルチトラッ
ク式テープ・ヘッド11において用いられる閉止ガラス16
の耐久性についてである。
ド11におけるフェライト・ウエーハ18は、閉止区画10と
同じ長さと幅とを有するものであって、変換ギャップ20
によって閉止区画10から間隔をおかれている。この変換
ギャップ20は、書き込み操作がなされているときの、テ
ープまたはディスクのような磁気媒体との共同動作をす
るものである。マルチトラック式ヘッド11の組み立て
は、この発明にとっては特に重要なことではなく、周知
の技術に従って実施することができる。この周知の技術
としては、例えば、チュウ外（Chow et al.）に対す
る米国特許第4,366,518号、アーグメンド外（Argumendo
et al.）に対する米国特許第4,396,967号、および、
フランクリン外（Franklin et al.）によるIBM TDB
（テクニカル・ディスクロージャ・ブレティン）第18
巻、第６号、第1981−1984頁の論文を挙げることができ
る。この発明が主として関連することは、マルチトラッ
ク式テープ・ヘッド11において用いられる閉止ガラス16
の耐久性についてである。
ニューヨーク所在のコーニング・グラス社からの鉛・ホ
ウ素・ケイ酸ガラスを用いることが可能であるが、これ
はコーニング（登録商標）ガラス・コード7570として販
売されている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスは細かい粉末
状にされていて、浸漬処理、抽出処理、シルク・スクリ
ーニング処理その他の適当な技術を適用することができ
る。酢酸アルミのようなガラスに対する適当な媒質、お
よび、重量比で1.2％のニトロセルローズを添加するこ
とにより、スラリー状のガラスを用意することができ
る。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスの作業点は560℃であ
り、ここに、この作業点は104ポイズに等しいガラスの
粘度によって規定されるものである。鉛・ホウ素・ケイ
酸ガラスに対する熱膨張係数は84＊10-7in/in/℃に等し
い。
ウ素・ケイ酸ガラスを用いることが可能であるが、これ
はコーニング（登録商標）ガラス・コード7570として販
売されている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスは細かい粉末
状にされていて、浸漬処理、抽出処理、シルク・スクリ
ーニング処理その他の適当な技術を適用することができ
る。酢酸アルミのようなガラスに対する適当な媒質、お
よび、重量比で1.2％のニトロセルローズを添加するこ
とにより、スラリー状のガラスを用意することができ
る。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスの作業点は560℃であ
り、ここに、この作業点は104ポイズに等しいガラスの
粘度によって規定されるものである。鉛・ホウ素・ケイ
酸ガラスに対する熱膨張係数は84＊10-7in/in/℃に等し
い。
ニューヨーク所在のコーニング・グラス社からのホウ素
・ケイ酸ガラスを用いることが可能であるが、これはコ
ーニング（登録商標）ガラス・コード7740（これは膨張
性の低いホウ素・ケイ酸ガラスである）として販売され
ている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスと同様に、このホウ
素・ケイ酸ガラスは粉末状態で用いることが可能であっ
て、上述された技術を適用することができる。ホウ素・
ケイ酸ガラスの作業点は1252℃に等しく、また、その熱
膨張係数は33＊10-7in/in/℃に等しい。鉛・ホウ素・ケ
イ酸ガラスおよびホウ素・ケイ酸ガラスのいずれも高い
耐食性を有している。
・ケイ酸ガラスを用いることが可能であるが、これはコ
ーニング（登録商標）ガラス・コード7740（これは膨張
性の低いホウ素・ケイ酸ガラスである）として販売され
ている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスと同様に、このホウ
素・ケイ酸ガラスは粉末状態で用いることが可能であっ
て、上述された技術を適用することができる。ホウ素・
ケイ酸ガラスの作業点は1252℃に等しく、また、その熱
膨張係数は33＊10-7in/in/℃に等しい。鉛・ホウ素・ケ
イ酸ガラスおよびホウ素・ケイ酸ガラスのいずれも高い
耐食性を有している。
この発明の発明者が実験的に決定したことは、鉛・ホウ
素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの組み合わ
せにより、マルチトラック式磁気テープ・ヘッドにおい
て好適に用いられる新規なガラスを生成させることであ
る。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
とを70/30の重量比をもって混合させたものはNiZnフェ
ライトに適合しており、その溶融温度は870℃に等しい
ものであった。この70/30のガラスは大体良好な特性を
有するものではあるが、その損耗が大き過ぎるものであ
った。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラ
スとを50/50の重量比をもって混合させたものは、その
溶融温度が980℃に等しく、これはNiZnフェライトとの
適合には高過ぎるものであった。これに加えて、この50
/50のガラスにはクラックを生じる傾向があったが、そ
の理由は、書き込み用の閉止ピース（即ち、第１図にお
ける閉止ガラス16）のスロット内に組み込まれたとき
に、強いストレスがかかった状態になることがある。鉛
・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとを60
/40の重量比をもって混合させたものは、マルチトラッ
ク式テープ・ヘッドにおける閉止ガラス16として用いる
のに最適の特性を有するものであった。この60/40のガ
ラスの溶融温度は920℃であって、その熱膨張係数はNiZ
nフェライトとともに用いるのには適当なものであっ
た。その受け入れ可能な配合の限界は、鉛・ホウ素・ケ
イ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとを55/45の重量比
をもって混合させたものから、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラ
スとホウ素・ケイ酸ガラスとを65/35の重量比をもって
混合させたものまでである。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラス
配合比率が65％を超えると、そのストレスが大きくなり
過ぎるとともに、その損耗も大きくなり過ぎる。ホウ素
・ケイ酸ガラス配合比率が45％を超えると、そのストレ
スが再び大きくなり過ぎるとともに、その処理のために
必要とされるガラス化温度により、受け入れることので
きないフェライト粒子の臨界的な侵食が生じる。
素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの組み合わ
せにより、マルチトラック式磁気テープ・ヘッドにおい
て好適に用いられる新規なガラスを生成させることであ
る。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
とを70/30の重量比をもって混合させたものはNiZnフェ
ライトに適合しており、その溶融温度は870℃に等しい
ものであった。この70/30のガラスは大体良好な特性を
有するものではあるが、その損耗が大き過ぎるものであ
った。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラ
スとを50/50の重量比をもって混合させたものは、その
溶融温度が980℃に等しく、これはNiZnフェライトとの
適合には高過ぎるものであった。これに加えて、この50
/50のガラスにはクラックを生じる傾向があったが、そ
の理由は、書き込み用の閉止ピース（即ち、第１図にお
ける閉止ガラス16）のスロット内に組み込まれたとき
に、強いストレスがかかった状態になることがある。鉛
・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとを60
/40の重量比をもって混合させたものは、マルチトラッ
ク式テープ・ヘッドにおける閉止ガラス16として用いる
のに最適の特性を有するものであった。この60/40のガ
ラスの溶融温度は920℃であって、その熱膨張係数はNiZ
nフェライトとともに用いるのには適当なものであっ
た。その受け入れ可能な配合の限界は、鉛・ホウ素・ケ
イ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとを55/45の重量比
をもって混合させたものから、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラ
スとホウ素・ケイ酸ガラスとを65/35の重量比をもって
混合させたものまでである。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラス
配合比率が65％を超えると、そのストレスが大きくなり
過ぎるとともに、その損耗も大きくなり過ぎる。ホウ素
・ケイ酸ガラス配合比率が45％を超えると、そのストレ
スが再び大きくなり過ぎるとともに、その処理のために
必要とされるガラス化温度により、受け入れることので
きないフェライト粒子の臨界的な侵食が生じる。
第３図ないし第５図には、60/40の組み合わせのガラス
について、ガラス化処理、ヒッピング（hipping）処
理、焼きなまし処理のために用いられる時間、温度およ
び圧力の条件が例示されている。第３図には、ガラス化
処理のステップのための温度の概観図が示されている。
鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスと
は、粉末状態で、60/40の重量比をもって混合するよう
に組み合わされた。これが完全に混合された後で、約３
グラムないし４グラムのこの粉末の組み合わされたもの
が、その頂部表面に多くのスロットが切り込まれている
NiZnフェライト平板の表面上に配置された。このガラス
粉末が乗せられた平板が、赤外線加熱炉内に装入され
た。ガラスは平板上で溶融されて、これによりスロット
内に充填されたが、これは次のような加熱−冷却過程で
なされた。即ち、平板を加熱することにより、45分間の
中に920℃まで上昇させ、その温度を２時間にわたって9
20℃に保持し、次いで２時間の中にその温度を710℃ま
で低下させ、これに次いで４時間の中にその温度を345
℃まで低下させ、そして最後に炉を室温にまで戻した。
について、ガラス化処理、ヒッピング（hipping）処
理、焼きなまし処理のために用いられる時間、温度およ
び圧力の条件が例示されている。第３図には、ガラス化
処理のステップのための温度の概観図が示されている。
鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスと
は、粉末状態で、60/40の重量比をもって混合するよう
に組み合わされた。これが完全に混合された後で、約３
グラムないし４グラムのこの粉末の組み合わされたもの
が、その頂部表面に多くのスロットが切り込まれている
NiZnフェライト平板の表面上に配置された。このガラス
粉末が乗せられた平板が、赤外線加熱炉内に装入され
た。ガラスは平板上で溶融されて、これによりスロット
内に充填されたが、これは次のような加熱−冷却過程で
なされた。即ち、平板を加熱することにより、45分間の
中に920℃まで上昇させ、その温度を２時間にわたって9
20℃に保持し、次いで２時間の中にその温度を710℃ま
で低下させ、これに次いで４時間の中にその温度を345
℃まで低下させ、そして最後に炉を室温にまで戻した。
第４図には、温度および圧力の双方が制御された条件下
において、“ヒッピング”処理が施されたことについて
例示されている。ヒッピングとは、ガラス内に存在する
ガラス・バブル（泡）を除去するためになされる手順で
ある。ガラス化のために用いられた赤外線炉から取り出
されると、ガラス化されたフェライトの平板は平衡炉
（isostatic furnace）内に装入された。30分間の中に
炉の温度は室温から740℃まで上昇された。この30分間
でのガス圧力は初期的には1000psiであった。この圧力
は温度の関数として増大するものであり、740℃におい
ては約2000psiであった。この温度および圧力は30分間
にわたって維持され、この時点から10分間の間にその温
度が510℃まで低下するとともに、その圧力は1750psiま
で低下した。そして、この温度および圧力は１時間にわ
たって一定に保持され、しかる後に平衡炉の冷却がなさ
れた。
において、“ヒッピング”処理が施されたことについて
例示されている。ヒッピングとは、ガラス内に存在する
ガラス・バブル（泡）を除去するためになされる手順で
ある。ガラス化のために用いられた赤外線炉から取り出
されると、ガラス化されたフェライトの平板は平衡炉
（isostatic furnace）内に装入された。30分間の中に
炉の温度は室温から740℃まで上昇された。この30分間
でのガス圧力は初期的には1000psiであった。この圧力
は温度の関数として増大するものであり、740℃におい
ては約2000psiであった。この温度および圧力は30分間
にわたって維持され、この時点から10分間の間にその温
度が510℃まで低下するとともに、その圧力は1750psiま
で低下した。そして、この温度および圧力は１時間にわ
たって一定に保持され、しかる後に平衡炉の冷却がなさ
れた。
第５図には、赤外線炉内で実行される焼きなまし加熱サ
イクルが例示されている。焼きなましとは、ガラスの強
化のためおよびその脆さの減少のために用いられる、加
熱・徐冷処理のことである。ガラス化され、ヒッピング
処理が施されたフェライトの平板は、赤外線炉内に装入
されて、次のような温度の変化を受ける。即ち、30分間
にわたって炉の温度が室温から510℃まで上昇され、こ
れに次いで炉の温度は１時間にわたって一定に保持さ
れ、次いで８分間にわたって14℃±２℃に等しい冷却比
率をもって405℃まで炉の冷却がなされ、更に３分間だ
け405℃で一定に保持されてから、最終的な冷却がなさ
れる。
イクルが例示されている。焼きなましとは、ガラスの強
化のためおよびその脆さの減少のために用いられる、加
熱・徐冷処理のことである。ガラス化され、ヒッピング
処理が施されたフェライトの平板は、赤外線炉内に装入
されて、次のような温度の変化を受ける。即ち、30分間
にわたって炉の温度が室温から510℃まで上昇され、こ
れに次いで炉の温度は１時間にわたって一定に保持さ
れ、次いで８分間にわたって14℃±２℃に等しい冷却比
率をもって405℃まで炉の冷却がなされ、更に３分間だ
け405℃で一定に保持されてから、最終的な冷却がなさ
れる。
第６図には、種々の焼きなまし温度が使用されたとき
の、60/40の組み合わせのガラスに対する、実験的な曲
げ（bow）のストレスの結果が例示されている。この実
験で用いられたサンプルは全てクラックを生じなかっ
た。曲げのストレスについてのテストは次のようにして
なされる。即ち、ガラス化され、ヒッピング処理がなさ
れ、そして焼きなまし処理がなされた基板を用いて、こ
れに研磨処理を施すことにより、過剰なガラスをスロッ
トの頂部から取り除くことによってなされる。これに加
えて、大きいスロットの切り込みが基板の裏側までなさ
れる。ガラスのスロットを横切って基板の端部から端部
へとその外形のトレースをとると、ストレスの計測がな
される。その曲げの大きさは、フェライト／ガラス積層
構造の合成的なストレスに比例している。曲げの計測
は、11mmおよび22mmの長さのフェライト・サンプルにつ
いてなされた。第６図に示されているデータは、11mmの
サンプルに対して正規化されたものである。この第６図
から決定されることは、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスおよ
びホウ素・ケイ酸ガラスが60/40であるガラスが、510℃
において残留ストレスが最小のガラスであるということ
である。この510℃の最適な焼きなまし温度は、第５図
に示されている焼きなましサイクルにおいて実施され
た。
の、60/40の組み合わせのガラスに対する、実験的な曲
げ（bow）のストレスの結果が例示されている。この実
験で用いられたサンプルは全てクラックを生じなかっ
た。曲げのストレスについてのテストは次のようにして
なされる。即ち、ガラス化され、ヒッピング処理がなさ
れ、そして焼きなまし処理がなされた基板を用いて、こ
れに研磨処理を施すことにより、過剰なガラスをスロッ
トの頂部から取り除くことによってなされる。これに加
えて、大きいスロットの切り込みが基板の裏側までなさ
れる。ガラスのスロットを横切って基板の端部から端部
へとその外形のトレースをとると、ストレスの計測がな
される。その曲げの大きさは、フェライト／ガラス積層
構造の合成的なストレスに比例している。曲げの計測
は、11mmおよび22mmの長さのフェライト・サンプルにつ
いてなされた。第６図に示されているデータは、11mmの
サンプルに対して正規化されたものである。この第６図
から決定されることは、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスおよ
びホウ素・ケイ酸ガラスが60/40であるガラスが、510℃
において残留ストレスが最小のガラスであるということ
である。この510℃の最適な焼きなまし温度は、第５図
に示されている焼きなましサイクルにおいて実施され
た。
第７図には、種々の焼きなまし温度が使用されたとき
の、65/35および55/45の組み合わせのガラスに対する、
実験的な曲げ（bow）のストレスの結果が例示されてい
る。その曲げのストレスに対するテストは上述されたよ
うにして実行された。曲げについての計測は11mmの長さ
のフェライト・サンプルについてなされた。この第７図
においては、これらの組み合わせのものがより高いスト
レスの状態にあるときに、いくらかのクラックが生じる
ことが示されている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスおよび
ホウ素・ケイ酸ガラスのこれらの組み合わせは、受け入
れることができる閉止ガラスに対する限界を示すものと
考えるべきである。
の、65/35および55/45の組み合わせのガラスに対する、
実験的な曲げ（bow）のストレスの結果が例示されてい
る。その曲げのストレスに対するテストは上述されたよ
うにして実行された。曲げについての計測は11mmの長さ
のフェライト・サンプルについてなされた。この第７図
においては、これらの組み合わせのものがより高いスト
レスの状態にあるときに、いくらかのクラックが生じる
ことが示されている。鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスおよび
ホウ素・ケイ酸ガラスのこれらの組み合わせは、受け入
れることができる閉止ガラスに対する限界を示すものと
考えるべきである。
摩耗、曲げ用のサンプルは、第３図ないし第５図に示さ
れている手順によって得られた、ガラス化され、ヒッピ
ング処理がなされ、そして焼きなまし処理がなされたフ
ェライトの平板から用意された。この摩耗、曲げ用のサ
ンプルは、その表面がフェライトとガラスとの交番的な
部分を有するように切断され、ミーリング処理された平
板の区画である。テスト下にあるサンプルは、次いで、
該テスト・サンプルのコーナー部上でテープを通すこと
により、PDMソノイタ（Sonoita）記録媒体を用いて摩耗
処理を受けた。該テープがコーナ部を摩耗させるところ
では、このテストの手順に従ってフラットにされる。こ
の摩耗したフラットに沿ってとられた外形的なトレース
は、フェライトおよびガラスの双方の相対的な高さを示
している。この情報から、フェライトおよびガラスの双
方の相対的な摩耗の比率を決定することができる。
れている手順によって得られた、ガラス化され、ヒッピ
ング処理がなされ、そして焼きなまし処理がなされたフ
ェライトの平板から用意された。この摩耗、曲げ用のサ
ンプルは、その表面がフェライトとガラスとの交番的な
部分を有するように切断され、ミーリング処理された平
板の区画である。テスト下にあるサンプルは、次いで、
該テスト・サンプルのコーナー部上でテープを通すこと
により、PDMソノイタ（Sonoita）記録媒体を用いて摩耗
処理を受けた。該テープがコーナ部を摩耗させるところ
では、このテストの手順に従ってフラットにされる。こ
の摩耗したフラットに沿ってとられた外形的なトレース
は、フェライトおよびガラスの双方の相対的な高さを示
している。この情報から、フェライトおよびガラスの双
方の相対的な摩耗の比率を決定することができる。
第８図ないし第10図には、IBM400式のガラスを有するも
のの摩耗・曲げに対する、上述の摩耗性テストを用いて
得られた摩耗・曲げの外形的な結果が示さている。即
ち、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
との60/40の組み合わせによる高いストレスのもの（480
℃で焼きなましされたガラス）の摩耗・曲げ、および、
鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの
60/40の組み合わせによる低いストレスのもの（510℃で
焼きなましされたガラス）の摩耗・曲げ、のそれぞれに
ついての結果が示されている。第８図に示されているIB
M400式のガラスの摩耗・曲げの結果は参照のために用い
られているものであり、その寸法は、縦座標に沿って５
μ″、横座標に沿って1000μ″にされている。第９図お
よび第10図の双方における寸法は２μ″対1000μ″であ
る。IBM400式のガラスに比べると、鉛・ホウ素・ケイ酸
ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの60/40の組み合わせ
によるガラスの摩耗は遥かに少なかった。
のの摩耗・曲げに対する、上述の摩耗性テストを用いて
得られた摩耗・曲げの外形的な結果が示さている。即
ち、鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラス
との60/40の組み合わせによる高いストレスのもの（480
℃で焼きなましされたガラス）の摩耗・曲げ、および、
鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの
60/40の組み合わせによる低いストレスのもの（510℃で
焼きなましされたガラス）の摩耗・曲げ、のそれぞれに
ついての結果が示されている。第８図に示されているIB
M400式のガラスの摩耗・曲げの結果は参照のために用い
られているものであり、その寸法は、縦座標に沿って５
μ″、横座標に沿って1000μ″にされている。第９図お
よび第10図の双方における寸法は２μ″対1000μ″であ
る。IBM400式のガラスに比べると、鉛・ホウ素・ケイ酸
ガラスとホウ素・ケイ酸ガラスとの60/40の組み合わせ
によるガラスの摩耗は遥かに少なかった。
第９図および第10図を対比して認められることは、60/4
0のガラスの摩耗特性は当該ガラスにおける残留ストレ
スに関連していることである。第９図においては、60/4
0のガラスのストレスが高くなればなるほど、その摩耗
比率が少なくなることが示されている。これに対して、
第10図においては、低いストレスにおいて、60/40のガ
ラスの摩耗はNiZnフェライトのそれとほぼ同じであるこ
とが示されている。このNiZnフェライトは、マルチトラ
ック式のテープ・ヘッドにおける閉止ガラスに対する所
望の特性を有するものである。
0のガラスの摩耗特性は当該ガラスにおける残留ストレ
スに関連していることである。第９図においては、60/4
0のガラスのストレスが高くなればなるほど、その摩耗
比率が少なくなることが示されている。これに対して、
第10図においては、低いストレスにおいて、60/40のガ
ラスの摩耗はNiZnフェライトのそれとほぼ同じであるこ
とが示されている。このNiZnフェライトは、マルチトラ
ック式のテープ・ヘッドにおける閉止ガラスに対する所
望の特性を有するものである。
この発明の説明は、特定の時間−温度−圧力に基づく、
ガラス化処理、ヒッピング処理および焼きなまし処理の
条件が用いられた好適な実施例についてなされたけれど
も、当業者によって認められるように、これらの条件に
おける変動は特許請求の範囲に記載されている範囲内で
実施をすることができるものである。
ガラス化処理、ヒッピング処理および焼きなまし処理の
条件が用いられた好適な実施例についてなされたけれど
も、当業者によって認められるように、これらの条件に
おける変動は特許請求の範囲に記載されている範囲内で
実施をすることができるものである。
F.発明の効果 この発明により、摩耗特性の改良された磁気テープ・ヘ
ッドが提供される。
ッドが提供される。
第１図は、マルチトラックのヘッドにおける閉止区画の
等大図である。 第２図は、マルチトラック式テープ・ヘッドの等大図で
ある。 第３図ないし第５図は、それぞれに、ガラス処理、ヒッ
ピング処理および焼きなまし処理のステップのために用
いられる、炉の温度の時間に対する概観図である。 第６図および第７図は、ガラス・サンプルに対して用い
られる、焼きなまし温度に対する曲げストレスのテスト
結果を表すグラフ図である。 第８図ないし第10図は、それぞれに、IBM400式のガラ
ス、高いストレスの鉛・ホウ素・ケイ酸ガラス／ホウ素
・ケイ酸ガラス、および、低いストレスの鉛・ホウ素・
ケイ酸ガラス／ホウ素・ケイ酸ガラスによる、摩耗・曲
げに対する媒体の摩耗性のテスト結果についてのプロッ
ト図である。 10……閉止区画、11……マルチトラック式のテープ・ヘ
ッド、12……磁性フェライト・ブロック、14……基板、
16……閉止ガラス、18……フェライト・ウエーハ、20…
…変換ギャップ。
等大図である。 第２図は、マルチトラック式テープ・ヘッドの等大図で
ある。 第３図ないし第５図は、それぞれに、ガラス処理、ヒッ
ピング処理および焼きなまし処理のステップのために用
いられる、炉の温度の時間に対する概観図である。 第６図および第７図は、ガラス・サンプルに対して用い
られる、焼きなまし温度に対する曲げストレスのテスト
結果を表すグラフ図である。 第８図ないし第10図は、それぞれに、IBM400式のガラ
ス、高いストレスの鉛・ホウ素・ケイ酸ガラス／ホウ素
・ケイ酸ガラス、および、低いストレスの鉛・ホウ素・
ケイ酸ガラス／ホウ素・ケイ酸ガラスによる、摩耗・曲
げに対する媒体の摩耗性のテスト結果についてのプロッ
ト図である。 10……閉止区画、11……マルチトラック式のテープ・ヘ
ッド、12……磁性フェライト・ブロック、14……基板、
16……閉止ガラス、18……フェライト・ウエーハ、20…
…変換ギャップ。
Claims (4)
- 【請求項１】磁気フェライトでできた複数個の区画を磁
気的に絶縁するのに区画相互間のスロットにガラスを充
填して成る磁気ヘッドにおいて、 PbOを主成分とし10重量パーセント台のB2O3および少量
のSiO2を含む鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスの55ないし65重
量パーセント、および残余の成分としてSiO2を主成分と
し10重量パーセント台のB2O3を含むホウ素・ケイ酸ガラ
スの組み合わせからなるガラスを、前記スロットを充填
するのに使用したことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁気フェライトでできた複数個の区画を磁
気的に絶縁するのに区画相互間のスロットにガラスを充
填して成る磁気ヘツドの製造方法において、 PbOを主成分とし10重量パーセント台のB2O3および少量
のSiO2を含む鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスの55ないし65重
量パーセント、および残余の成分としてSiO2を主成分と
し10重量パーセント台のB2O3を含むホウ素・ケイ酸ガラ
ス混合して、ガラス混合体生成し、 前記ガラス混合体を、前記区画を分離するスロットに与
え、 前記ガラス混合体を溶融させる温度に前記ガラス混合体
および前記スロットを加熱し、前記スロットを前記ガラ
ス混合物で充填するようガラス化し、 前記ガラス化された中に存在するバブルを除去するよう
にヒッピング処理し、 前記ガラスを強化するため、前記ガラスで充填したスロ
ットと区画とを加熱して焼きなましをすることよりなる
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】前記鉛・ホウ素・ケイ酸ガラスが60重量％
存在し、前記ホウ素・ケイ酸ガラスが40重量％存在す
る、請求項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記焼きなましの温度が500℃ないし520℃
である請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36773389A | 1989-06-19 | 1989-06-19 | |
| US367733 | 1989-06-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0333028A JPH0333028A (ja) | 1991-02-13 |
| JPH06103523B2 true JPH06103523B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=23448386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2158896A Expired - Lifetime JPH06103523B2 (ja) | 1989-06-19 | 1990-06-19 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0404741B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06103523B2 (ja) |
| DE (1) | DE69007180T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9423717B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge roller for electrographic printer |
| CN108225403B (zh) * | 2017-12-28 | 2024-01-30 | 重庆日联科技有限公司 | 带托盘的异形件通用检测机 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2316742A (en) * | 1941-06-05 | 1943-04-13 | E I Du Pont De Neumours & Comp | Ceramic coating composition |
| US3493405A (en) * | 1967-08-07 | 1970-02-03 | Gen Electric | Semiconductor encapsulation glass |
| DE1596995A1 (de) * | 1967-12-28 | 1971-04-01 | Siemens Ag | Glaslot |
| US4435511A (en) * | 1982-09-13 | 1984-03-06 | Owens-Illinois, Inc. | Glasses suitable for sealing ferrites |
| JPS60186437A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-21 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | フエライト接着用ガラス組成物 |
| JPS63170240A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Toshiba Glass Co Ltd | 低融点ガラス組成物 |
| JPH01138151A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-05-21 DE DE1990607180 patent/DE69007180T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-21 EP EP19900850196 patent/EP0404741B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-19 JP JP2158896A patent/JPH06103523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0404741A1 (en) | 1990-12-27 |
| EP0404741B1 (en) | 1994-03-09 |
| JPH0333028A (ja) | 1991-02-13 |
| DE69007180T2 (de) | 1994-09-22 |
| DE69007180D1 (de) | 1994-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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