JPH06104367A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH06104367A
JPH06104367A JP4273551A JP27355192A JPH06104367A JP H06104367 A JPH06104367 A JP H06104367A JP 4273551 A JP4273551 A JP 4273551A JP 27355192 A JP27355192 A JP 27355192A JP H06104367 A JPH06104367 A JP H06104367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
solder
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4273551A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Yamaguchi
哲也 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH06104367A publication Critical patent/JPH06104367A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部リード端とランドとのはんだ結合部にお
ける応力分散を図り、温度サイクル耐性を向上する。 【構成】 外部リードの先端部が実装面に対して略コ字
状に角度をつけて曲げられている超薄形ICパッケージ
を有し、印刷配線板上に設けたランドに対して、上記外
部リードの先端部を、少なくとも2つずつのフィレット
部を含む部位ではんだ結合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、超薄形ICパッケー
ジを印刷配線板上に有する半導体集積回路装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の超薄形ICパッケージの正
面図であり、図において、1は超薄形ICパッケージの
本体、2は外部リードである。また、図4は上記の超薄
形ICパッケージを印刷配線板に実装した半導体集積回
路装置を示す正面図であり、図において、3ははんだ、
4は印刷配線板5上の内部回路と超薄形ICパッケージ
の本体1の外部リード2とを接続するために、印刷配線
板5上に設けられた銅箔としてのランド、5は上記印刷
配線板である。
【0003】さらに、図5は、図4に示すように、従来
の超薄形ICパッケージの本体1を印刷配線板5上に実
装した後、温度サイクルを加えたことにより、はんだ3
にクラックKが入った状態を示す正面図であり、同図に
おいて、6は温度サイクルによる機械的応力が集中する
フィレット部のポイントである。
【0004】次に動作について、超薄形ICパッケージ
の実装後にはんだクラックKが発生する過程を中心に説
明する。まず、上記超薄形ICパッケージの実装時に
は、印刷配線板5の表面に設けられたランド4上にペー
スト状のはんだ3が印刷され、続いて、超薄形ICパッ
ケージの本体1を、これの外部リード2がランド4上に
位置するように印刷配線板5上に置く。
【0005】次いで、高温の熱処理を行う。これによ
り、ランド4上のはんだ3が融解し、外部リード2の表
面に広がる。従って、このはんだ3を常温まで冷却する
ことにより、融解したはんだ3は固まり、外部リード2
とランド4が固まったはんだ3により電気的,機械的に
接続される。
【0006】ところで、この状態で温度サイクルが加わ
ると、超薄形ICパッケージの本体1と印刷配線板5と
の熱膨張係数の差による応力が発生し、この応力はフィ
レット部のポイント6に集中する。そして、このような
温度サイクルが繰り返し上記はんだ結合部に加わると、
やがてそのポイント6のはんだ3にクラックKが発生す
る。このクラックKは外部リード2とランド4の間を進
行し、ついに電気的オープンに至る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置は以上のように構成されているので、実使用におい
て繰り返し温度変化を受けることによって、はんだ3に
クラックKが発生し、外部リード2がランド4から分離
して回路で電気的にオープンになり、正常に機能しなく
なるなどの問題点があった。
【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、超薄形ICパッケージの外部リ
ードの形状を工夫することにより、この外部リードと印
刷配線板上のランドとのはんだ結合部に、温度サイクル
が加えられても、フィレット部のポイントにクラックが
発生するのを抑止できる半導体集積回路装置を得ること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路装置は、外部リードの先端部が実装面に対して略
コ字状に角度をつけて曲げられている超薄形ICパッケ
ージを有し、印刷配線板上に設けたランドに対して、上
記外部リードの先端部を、少なくとも2つのフィレット
部を含む部位ではんだ結合するようにしたものである。
【0010】
【作用】この発明における半導体集積回路装置は、超薄
形ICパッケージのリード先端部を、実装面に対して例
えば90度以下の角度をつけて略コ字状に曲げてあるた
め、実装時のはんだが2つのフィレット部にも集中し、
従って、温度サイクルにより発生する応力集中箇所を2
箇所ずつに分散でき、温度サイクル耐性の向上に寄与す
る。
【0011】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1において、1は超薄形ICパッケージの本
体、2は外部のリードであり、図2にも示すように、そ
の外部リード2の先端部は実装面に対して、例えば90
度以下の角度をつけて略コ字状に曲げられている。ま
た、3はランド4上に外部リード2の先端部を結合する
はんだである。
【0012】また、4は印刷配線板5の内部回路と超薄
形ICパッケージの外部リード2とを接続するために印
刷配線板5上に設けられた銅箔としての上記ランド、5
は上記印刷配線板、6,7はそれぞれ温度サイクルによ
る機械的応力が集中するはんだフィレット部のポイント
である。
【0013】次に動作について説明する。まず、超薄形
ICパッケージの実装時には、印刷配線板5の表面に設
けられたランド4上にペースト状のはんだ3が印刷さ
れ、続いて、超薄形ICパッケージの本体1を、これの
外部リード2がランド4上に位置するように印刷配線板
5上に置く。
【0014】次いで、高温の熱処理を行う。これによ
り、ランド4上のはんだ3が融解し、外部リード2の表
面に広がる。従って、このはんだ3を常温まで冷却する
ことにより、融解したはんだ3は固まり、外部リード2
とランド4が固まったはんだ3により電気的,機械的に
接続される。
【0015】この場合において、外部リード2の先端部
は実装面に対して例えば90度以下の角度をつけて略コ
字状に曲げられているため、実装時のはんだ接合部3に
フィレット部が2ヶ所形成される。このため、温度サイ
クルによる機械的応力が2つのポイント6,7に分散さ
せることができ、その結果、温度サイクル耐性の向上が
可能になり、そのポイント6,7からクラックKが発生
したり、そのクラックKが成長するのを有効に防止でき
る。
【0016】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば外部リ
ードの先端部が実装面に対して略コ字状に角度をつけて
曲げられている超薄形ICパッケージを有し、印刷配線
板上に設けたランドに対して、上記外部リードの先端部
を、少なくとも2つのフィレット部を含む部位ではんだ
結合するように構成したので、温度サイクルにより発生
する応力集中箇所を2箇所ずつに分散でき、温度サイク
ル耐性の向上に寄与するとともに、寿命を延ばすことが
できるものが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体集積回路装置
を示す正面図である。
【図2】図1における超薄形ICパッケージを示す正面
図である。
【図3】従来の超薄形ICパッケージを示す正面図であ
る。
【図4】従来の半導体集積回路装置を示す正面図であ
る。
【図5】従来の超薄形ICパッケージを実装後に、はん
だクラックが発生した状態を示す半導体集積回路装置を
示す正面図である。
【符号の説明】
2 外部リード 3 はんだ 4 ランド 5 印刷配線板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部リードの先端部が実装面に対して略
    コ字状に角度をつけて曲げられている超薄形ICパッケ
    ージと、印刷配線板上に設けられて、少なくとも2つの
    フィレット部を含む部位で上記外部リードの先端部を、
    はんだ結合するランドとを備えた半導体集積回路装置。
JP4273551A 1992-09-18 1992-09-18 半導体集積回路装置 Pending JPH06104367A (ja)

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JP4273551A JPH06104367A (ja) 1992-09-18 1992-09-18 半導体集積回路装置

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JPH06104367A true JPH06104367A (ja) 1994-04-15

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ID=17529396

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JP4273551A Pending JPH06104367A (ja) 1992-09-18 1992-09-18 半導体集積回路装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016082213A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 現代自動車株式会社Hyundai Motor Company 電力半導体モジュールおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016082213A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 現代自動車株式会社Hyundai Motor Company 電力半導体モジュールおよびその製造方法
CN106206497A (zh) * 2014-10-16 2016-12-07 现代自动车株式会社 功率半导体模块及其制造方法

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