JPH06112306A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06112306A JPH06112306A JP25702492A JP25702492A JPH06112306A JP H06112306 A JPH06112306 A JP H06112306A JP 25702492 A JP25702492 A JP 25702492A JP 25702492 A JP25702492 A JP 25702492A JP H06112306 A JPH06112306 A JP H06112306A
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- Japan
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- semiconductor layer
- dielectric isolation
- electrode
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】誘電体分離島に形成される電極コンタクトによ
る面積増加を抑えながら、従来と同様の耐圧を確保す
る。 【構成】誘電体分離膜１を介して半導体層２が支持体８
に支持された誘電体分離基板において、半導体層２を枝
状に引き出して、この引き出した部分より前記半導体層
２の電極３ｂを取り出した。 【効果】誘電体分離基板の誘電体分離島から枝状に引き
出した部分に半導体層２の電極３ｂを形成したので、Ｐ
Ｎ接合の界面と電極３ｂのコンタクト領域との距離を確
保でき、素子の耐圧を高めることができ、しかも、引き
出した部分は枝状であるので、従来よりも占有面積を小
さくできる。
る面積増加を抑えながら、従来と同様の耐圧を確保す
る。 【構成】誘電体分離膜１を介して半導体層２が支持体８
に支持された誘電体分離基板において、半導体層２を枝
状に引き出して、この引き出した部分より前記半導体層
２の電極３ｂを取り出した。 【効果】誘電体分離基板の誘電体分離島から枝状に引き
出した部分に半導体層２の電極３ｂを形成したので、Ｐ
Ｎ接合の界面と電極３ｂのコンタクト領域との距離を確
保でき、素子の耐圧を高めることができ、しかも、引き
出した部分は枝状であるので、従来よりも占有面積を小
さくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体分離基板を用い
た高耐圧ＩＣに好適な素子構造を有する半導体装置に関
するものである。
た高耐圧ＩＣに好適な素子構造を有する半導体装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の断面図であ
り、図５は図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
この半導体装置では、シリコン酸化膜のような誘電体分
離膜１に囲まれた一導電型（例えばＮ型）のシリコンよ
りなる第１の半導体層２が、ポリシリコンのような支持
体８に支持されており、この第１の半導体層２の表面に
異なる導電型（例えばＰ型）の第２の半導体層４が形成
されている。第１及び第２の半導体層２，４の電極３
ａ，３ｂが表面酸化膜６上に配線され、表面酸化膜６の
一部に設けたコンタクト用の穴を介して接続されてい
る。また、第１の半導体層２の電極３ｂとの接続部に
は、同じ導電型で、より濃度の高い半導体層５が形成さ
れている。第１の半導体層２の周囲及び底部にも第１の
半導体層２と同じ導電型で、より濃度の高い半導体層７
が形成され、前述の電極３ｂとの接続部の半導体層５と
つながっている。
り、図５は図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
この半導体装置では、シリコン酸化膜のような誘電体分
離膜１に囲まれた一導電型（例えばＮ型）のシリコンよ
りなる第１の半導体層２が、ポリシリコンのような支持
体８に支持されており、この第１の半導体層２の表面に
異なる導電型（例えばＰ型）の第２の半導体層４が形成
されている。第１及び第２の半導体層２，４の電極３
ａ，３ｂが表面酸化膜６上に配線され、表面酸化膜６の
一部に設けたコンタクト用の穴を介して接続されてい
る。また、第１の半導体層２の電極３ｂとの接続部に
は、同じ導電型で、より濃度の高い半導体層５が形成さ
れている。第１の半導体層２の周囲及び底部にも第１の
半導体層２と同じ導電型で、より濃度の高い半導体層７
が形成され、前述の電極３ｂとの接続部の半導体層５と
つながっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来例において、高耐
圧の素子を形成する場合、高耐圧を印加される異なる導
電型の接合界面から誘電体分離膜までの距離を十分に長
くとれば、形成する素子本来の耐圧が得られるが、この
距離が短ければ電界集中が発生し、耐圧が素子本来の耐
圧よりも低下するため、ある距離以上にしなければなら
ない。しかしながら、必要以上に距離を長くすると、素
子の占有面積が大きくなってしまう。そのため、素子の
占有面積を小さく抑えながら耐圧を得るためには、接合
界面から誘電体分離膜までの距離は、耐圧を得られる最
短の距離となるのであるが、第１の半導体層２の電極３
ｂを接続するために、電極コンタクト用の高濃度の半導
体層５が必要であり、この高濃度の半導体層５において
は、低濃度の半導体層２に比較して電界集中が強く、低
濃度の半導体層２のみの場合よりも誘電体分離膜１まで
の距離が長く必要となる。したがって、第２の半導体層
４がたとえ正方形であっても、誘電体分離島はコンタク
トを行うために長方形となり、誘電体分離島の面積が大
きくなっていた。このコンタクトによる誘電体分離島の
面積増加を抑えることが本発明の目的である。
圧の素子を形成する場合、高耐圧を印加される異なる導
電型の接合界面から誘電体分離膜までの距離を十分に長
くとれば、形成する素子本来の耐圧が得られるが、この
距離が短ければ電界集中が発生し、耐圧が素子本来の耐
圧よりも低下するため、ある距離以上にしなければなら
ない。しかしながら、必要以上に距離を長くすると、素
子の占有面積が大きくなってしまう。そのため、素子の
占有面積を小さく抑えながら耐圧を得るためには、接合
界面から誘電体分離膜までの距離は、耐圧を得られる最
短の距離となるのであるが、第１の半導体層２の電極３
ｂを接続するために、電極コンタクト用の高濃度の半導
体層５が必要であり、この高濃度の半導体層５において
は、低濃度の半導体層２に比較して電界集中が強く、低
濃度の半導体層２のみの場合よりも誘電体分離膜１まで
の距離が長く必要となる。したがって、第２の半導体層
４がたとえ正方形であっても、誘電体分離島はコンタク
トを行うために長方形となり、誘電体分離島の面積が大
きくなっていた。このコンタクトによる誘電体分離島の
面積増加を抑えることが本発明の目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置にあ
っては、前記の課題を解決するために、図１〜図３に示
すように、半導体層２が誘電体分離膜１を介して支持体
８に支持された誘電体分離基板において、半導体層２を
枝状に引き出して、この引き出した部分より前記半導体
層２の電極３ｂを取り出したことを特徴とするものであ
る。
っては、前記の課題を解決するために、図１〜図３に示
すように、半導体層２が誘電体分離膜１を介して支持体
８に支持された誘電体分離基板において、半導体層２を
枝状に引き出して、この引き出した部分より前記半導体
層２の電極３ｂを取り出したことを特徴とするものであ
る。
【０００５】
【作用】本発明では、半導体層２が誘電体分離膜１を介
して支持体８に支持された誘電体分離基板において、半
導体層２を枝状に引き出して、この引き出した部分より
前記半導体層２の電極３ｂを取り出したので、誘電体分
離島に形成する素子において、従来と同様の耐圧を有し
ながらも、従来よりも占有面積を小さくできる。
して支持体８に支持された誘電体分離基板において、半
導体層２を枝状に引き出して、この引き出した部分より
前記半導体層２の電極３ｂを取り出したので、誘電体分
離島に形成する素子において、従来と同様の耐圧を有し
ながらも、従来よりも占有面積を小さくできる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の平面図であり、図
２と図３はその断面図である。本実施例では、誘電体分
離島の形状を従来の方形ではなく、方形からより小さな
方形が突き出した形状としている。そして、その突出し
た方形の部分より第１の半導体層２からの電極３ｂが接
続されている。その他の構成は従来例と同様であり、シ
リコン酸化膜のような誘電体分離膜１に囲まれた一導電
型（例えばＮ型）のシリコンよりなる第１の半導体層２
が、ポリシリコンのような支持体８に支持されており、
この第１の半導体層２の表面に異なる導電型（例えばＰ
型）の第２の半導体層４が形成されている。第１及び第
２の半導体層２，４の電極３ａ，３ｂが表面酸化膜６上
に配線され、表面酸化膜６の一部に設けたコンタクト用
の穴を介して接続されている。また、第１の半導体層２
の電極３ｂとの接続部には、同じ導電型で、より濃度の
高い半導体層５が形成されている。第１の半導体層２の
周囲及び底部にも第１の半導体層２と同じ導電型で、よ
り濃度の高い半導体層７が形成され、前述の電極３ｂと
の接続部の半導体層５とつながっている。
２と図３はその断面図である。本実施例では、誘電体分
離島の形状を従来の方形ではなく、方形からより小さな
方形が突き出した形状としている。そして、その突出し
た方形の部分より第１の半導体層２からの電極３ｂが接
続されている。その他の構成は従来例と同様であり、シ
リコン酸化膜のような誘電体分離膜１に囲まれた一導電
型（例えばＮ型）のシリコンよりなる第１の半導体層２
が、ポリシリコンのような支持体８に支持されており、
この第１の半導体層２の表面に異なる導電型（例えばＰ
型）の第２の半導体層４が形成されている。第１及び第
２の半導体層２，４の電極３ａ，３ｂが表面酸化膜６上
に配線され、表面酸化膜６の一部に設けたコンタクト用
の穴を介して接続されている。また、第１の半導体層２
の電極３ｂとの接続部には、同じ導電型で、より濃度の
高い半導体層５が形成されている。第１の半導体層２の
周囲及び底部にも第１の半導体層２と同じ導電型で、よ
り濃度の高い半導体層７が形成され、前述の電極３ｂと
の接続部の半導体層５とつながっている。
【０００７】図２及び図３は、図１のＡ−Ａ’線及びＢ
−Ｂ’線についての断面図である。図２及び図３の断面
形状を図５の断面形状と比較すると、図３の断面形状は
図５の断面形状と同等であるが、図２の断面形状はコン
タクト部を含まないため、図５の断面形状に比べて小さ
くなっている。したがって、実質的に誘電体分離島の面
積の増大を抑制することができるものである。
−Ｂ’線についての断面図である。図２及び図３の断面
形状を図５の断面形状と比較すると、図３の断面形状は
図５の断面形状と同等であるが、図２の断面形状はコン
タクト部を含まないため、図５の断面形状に比べて小さ
くなっている。したがって、実質的に誘電体分離島の面
積の増大を抑制することができるものである。
【０００８】なお、実施例では、第１の半導体層２と高
濃度の半導体層５及び７がＮ型、第２の半導体層４がＰ
型である場合について説明したが、第１の半導体層２と
高濃度の半導体層５及び７がＰ型、第２の半導体層４が
Ｎ型であっても良い。
濃度の半導体層５及び７がＮ型、第２の半導体層４がＰ
型である場合について説明したが、第１の半導体層２と
高濃度の半導体層５及び７がＰ型、第２の半導体層４が
Ｎ型であっても良い。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体層が誘電体分離
膜を介して支持体に支持された誘電体分離基板におい
て、半導体層を枝状に引き出して、この引き出した部分
より前記半導体層の電極を取り出したものであるから、
誘電体分離基板に形成する高耐圧素子の耐圧を確保しな
がら従来よりも占有面積を小さくすることができるとい
う効果がある。
膜を介して支持体に支持された誘電体分離基板におい
て、半導体層を枝状に引き出して、この引き出した部分
より前記半導体層の電極を取り出したものであるから、
誘電体分離基板に形成する高耐圧素子の耐圧を確保しな
がら従来よりも占有面積を小さくすることができるとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線についての断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線についての断面図である。
【図４】従来例の平面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
１ 誘電体分離膜 ２ 第１の半導体層 ３ａ 電極 ３ｂ 電極 ４ 第２の半導体層 ５ 高濃度の半導体層 ６ 表面酸化膜 ７ 高濃度の半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉浦 義幸 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体層が誘電体分離膜を介して支持
体に支持された誘電体分離基板において、半導体層を枝
状に引き出して、この引き出した部分より前記半導体層
の電極を取り出したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257024A JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257024A JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112306A true JPH06112306A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2774220B2 JP2774220B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=17300682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257024A Expired - Lifetime JP2774220B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774220B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165454A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ラテラル型半導体装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP4257024A patent/JP2774220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165454A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-18 | Hitachi Ltd | ラテラル型半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2774220B2 (ja) | 1998-07-09 |
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