JPH06112360A - 半導体実装基板及びその封止枠の形成方法 - Google Patents
半導体実装基板及びその封止枠の形成方法Info
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- JPH06112360A JPH06112360A JP25841492A JP25841492A JPH06112360A JP H06112360 A JPH06112360 A JP H06112360A JP 25841492 A JP25841492 A JP 25841492A JP 25841492 A JP25841492 A JP 25841492A JP H06112360 A JPH06112360 A JP H06112360A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低粘度の封止樹脂が封止枠とプリント基板と
の接合部から封止枠外に流出しないと共に、前記封止枠
をプリント基板へ搭載する工程を自動化し得る構成の半
導体実装基板を提供する。 【構成】 プリント基板２に実装された未封止状態の半
導体３を囲むよう前記プリント基板２に熱硬化性樹脂か
ら成る封止枠１を密着搭載すると共に、前記半導体３を
封止するよう前記封止枠１の内側に熱硬化性樹脂から成
る封止樹脂４を内在させた。前記封止枠１は、前記プリ
ント基板２に実装された半導体３を囲むよう前記プリン
ト基板２に非硬化状態の熱硬化性樹脂をＸ−Ｙ自動ディ
スペンサーにより塗布して封止枠形状を形成した後、該
熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより形成される。
の接合部から封止枠外に流出しないと共に、前記封止枠
をプリント基板へ搭載する工程を自動化し得る構成の半
導体実装基板を提供する。 【構成】 プリント基板２に実装された未封止状態の半
導体３を囲むよう前記プリント基板２に熱硬化性樹脂か
ら成る封止枠１を密着搭載すると共に、前記半導体３を
封止するよう前記封止枠１の内側に熱硬化性樹脂から成
る封止樹脂４を内在させた。前記封止枠１は、前記プリ
ント基板２に実装された半導体３を囲むよう前記プリン
ト基板２に非硬化状態の熱硬化性樹脂をＸ−Ｙ自動ディ
スペンサーにより塗布して封止枠形状を形成した後、該
熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に実装した半導体
を封止樹脂によって封止して成る半導体実装基板及びそ
の封止枠の形成方法に関するものである。
を封止樹脂によって封止して成る半導体実装基板及びそ
の封止枠の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は半導体実装基板の従来例を示す斜
視図であり、図５は同断面図である。
視図であり、図５は同断面図である。
【０００３】従来は、プラスチックや樹脂等で一体成型
された封止枠１１の接合部全体に接着剤７を念入りに塗
布して、プリント基板２に直接実装した未封止状態の半
導体３を囲むよう且つプリント基板２と封止枠１１との
間に隙間が生じないように該封止枠１１の接合部をプリ
ント基板２に接着搭載し、封止枠１１の内側に、エポキ
シ樹脂等の低粘度の熱硬化性封止樹脂４を流し込み、該
封止樹脂４を熱硬化させて前記半導体３の封止を行って
いた。
された封止枠１１の接合部全体に接着剤７を念入りに塗
布して、プリント基板２に直接実装した未封止状態の半
導体３を囲むよう且つプリント基板２と封止枠１１との
間に隙間が生じないように該封止枠１１の接合部をプリ
ント基板２に接着搭載し、封止枠１１の内側に、エポキ
シ樹脂等の低粘度の熱硬化性封止樹脂４を流し込み、該
封止樹脂４を熱硬化させて前記半導体３の封止を行って
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然しながら従来、プリ
ント基板２表面には回路パターン８による凹凸があり、
封止枠１１の接合部に接着剤の塗りむらがあったりした
場合には、図６（図４のＡ−Ａ断面図）に示すように前
記封止枠１１とプリント基板２との間に隙間１２が生
じ、その隙間１２から低粘度の封止樹脂４が流れ出して
しまうという問題があり、量産する場合の良品発生率が
非常に悪かった。又、封止枠１の接合部全面に接着剤５
を塗りむらなく塗布する作業は、非常に手間がかかると
いう問題があった。更に、前記封止枠１１を前記プリン
ト基板２に搭載する工程は手作業により行わなければ成
らず、非常に手間であると共に、生産機械等による自動
化が極めて困難であり、自動化するにしても非常に費用
もかかるという問題があった。
ント基板２表面には回路パターン８による凹凸があり、
封止枠１１の接合部に接着剤の塗りむらがあったりした
場合には、図６（図４のＡ−Ａ断面図）に示すように前
記封止枠１１とプリント基板２との間に隙間１２が生
じ、その隙間１２から低粘度の封止樹脂４が流れ出して
しまうという問題があり、量産する場合の良品発生率が
非常に悪かった。又、封止枠１の接合部全面に接着剤５
を塗りむらなく塗布する作業は、非常に手間がかかると
いう問題があった。更に、前記封止枠１１を前記プリン
ト基板２に搭載する工程は手作業により行わなければ成
らず、非常に手間であると共に、生産機械等による自動
化が極めて困難であり、自動化するにしても非常に費用
もかかるという問題があった。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みて成されたもの
で、その目的とするところは、低粘度の封止樹脂が封止
枠とプリント基板との接合部から封止枠外に流出しない
ようにする共に、前記封止枠をプリント基板へ搭載する
工程を自動化し得る構成の半導体実装基板を提供するこ
とにある。
で、その目的とするところは、低粘度の封止樹脂が封止
枠とプリント基板との接合部から封止枠外に流出しない
ようにする共に、前記封止枠をプリント基板へ搭載する
工程を自動化し得る構成の半導体実装基板を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために成された第１の本発明は、基板に実装された半導
体を囲むよう前記基板に熱硬化性樹脂から成る封止枠を
密着搭載すると共に、前記半導体を封止するよう前記封
止枠の内側に熱硬化性樹脂から成る封止樹脂を内在させ
たことを特徴とする半導体実装基板である。又、第２の
本発明は、基板に実装された半導体を囲むよう前記基板
に非硬化状態の熱硬化性樹脂を塗布して封止枠形状を形
成し、該熱硬化性樹脂を熱硬化させることを特徴とする
半導体実装基板の封止枠の形成方法である。
ために成された第１の本発明は、基板に実装された半導
体を囲むよう前記基板に熱硬化性樹脂から成る封止枠を
密着搭載すると共に、前記半導体を封止するよう前記封
止枠の内側に熱硬化性樹脂から成る封止樹脂を内在させ
たことを特徴とする半導体実装基板である。又、第２の
本発明は、基板に実装された半導体を囲むよう前記基板
に非硬化状態の熱硬化性樹脂を塗布して封止枠形状を形
成し、該熱硬化性樹脂を熱硬化させることを特徴とする
半導体実装基板の封止枠の形成方法である。
【０００７】
【作用】本発明においては、基板に実装した半導体を囲
むよう熱硬化性樹脂から成る封止枠を前記基板に密着搭
載するようになっているので、低粘度の封止樹脂が封止
枠とプリント基板との接合部から封止枠外に流出しない
ようになっていると共に、Ｘ−Ｙ自動ディスペンサー等
により非硬化状態の熱硬化性樹脂を直接基板に塗布する
ことにより前記封止枠の搭載自動化が可能と成る。
むよう熱硬化性樹脂から成る封止枠を前記基板に密着搭
載するようになっているので、低粘度の封止樹脂が封止
枠とプリント基板との接合部から封止枠外に流出しない
ようになっていると共に、Ｘ−Ｙ自動ディスペンサー等
により非硬化状態の熱硬化性樹脂を直接基板に塗布する
ことにより前記封止枠の搭載自動化が可能と成る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明を、その一実施例を示す図に基
づいて説明する。尚、前記従来例と同様の構成要件部分
については同一符号を付する。
づいて説明する。尚、前記従来例と同様の構成要件部分
については同一符号を付する。
【０００９】図１は本発明実施例の半導体実装基板を示
す斜視図であり、図２は同断面図である。
す斜視図であり、図２は同断面図である。
【００１０】本発明実施例の半導体実装基板は、図１及
び図２に示すように、プリント基板２に実装された未封
止状態の半導体３を囲むよう前記プリント基板２に熱硬
化性樹脂から成る封止枠１を密着搭載すると共に、前記
半導体３を封止するよう前記封止枠１の内側に熱硬化性
樹脂から成る封止樹脂４を内在させたことを特徴とする
ものである。以下、詳細に説明する。
び図２に示すように、プリント基板２に実装された未封
止状態の半導体３を囲むよう前記プリント基板２に熱硬
化性樹脂から成る封止枠１を密着搭載すると共に、前記
半導体３を封止するよう前記封止枠１の内側に熱硬化性
樹脂から成る封止樹脂４を内在させたことを特徴とする
ものである。以下、詳細に説明する。
【００１１】前記プリント基板２の表面には、銅等から
成る回路パターン８が複数敷設されており、該複数の回
路パターン８には、未封止状態の半導体３が金線９によ
りワイヤボンディングされている。該半導体３は前記プ
リント基板２の表面に固定されており、該半導体３の周
囲には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る封止枠
１が設けられており、該封止枠１は前記プリント基板２
の回路パターン８表面及び回路パターン未敷設部分に密
着するように該プリント基板２に搭載されている。
成る回路パターン８が複数敷設されており、該複数の回
路パターン８には、未封止状態の半導体３が金線９によ
りワイヤボンディングされている。該半導体３は前記プ
リント基板２の表面に固定されており、該半導体３の周
囲には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る封止枠
１が設けられており、該封止枠１は前記プリント基板２
の回路パターン８表面及び回路パターン未敷設部分に密
着するように該プリント基板２に搭載されている。
【００１２】図３は前記封止枠１の形成過程を示す図で
あるが、該封止枠１は、図３に示すように、非硬化状態
のクリーム状の熱硬化性樹脂１ａを、Ｘ−Ｙ自動ディス
ペンサー２０等のクリーム塗布機械により前記半導体３
を囲むように前記プリント基板２表面に直接塗布する。
このとき、非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａが図２のよう
に必要の高さに山盛りされるように、Ｘ−Ｙ自動ディス
ペンサー２０により重ね塗りする。又、ある程度山盛り
状態になるよう且つ該非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａが
前記プリント基板２に完全に密着するように、前記非硬
化状態の熱硬化性樹脂１ａの粘度を適度の粘度に調節し
ておく。通常、前記プリント基板２の表面は、前記回路
パターン８により凹凸を成しているが、前述のように前
記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを前記プリント基板２
に塗布すると、前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａは前
記回路パターン８表面のみならず前記回路パターン未敷
設部分にまで入り込み、前記プリント基板２表面の凹凸
に対応して該プリント基板２表面に隙間なく密着する。
あるが、該封止枠１は、図３に示すように、非硬化状態
のクリーム状の熱硬化性樹脂１ａを、Ｘ−Ｙ自動ディス
ペンサー２０等のクリーム塗布機械により前記半導体３
を囲むように前記プリント基板２表面に直接塗布する。
このとき、非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａが図２のよう
に必要の高さに山盛りされるように、Ｘ−Ｙ自動ディス
ペンサー２０により重ね塗りする。又、ある程度山盛り
状態になるよう且つ該非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａが
前記プリント基板２に完全に密着するように、前記非硬
化状態の熱硬化性樹脂１ａの粘度を適度の粘度に調節し
ておく。通常、前記プリント基板２の表面は、前記回路
パターン８により凹凸を成しているが、前述のように前
記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを前記プリント基板２
に塗布すると、前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａは前
記回路パターン８表面のみならず前記回路パターン未敷
設部分にまで入り込み、前記プリント基板２表面の凹凸
に対応して該プリント基板２表面に隙間なく密着する。
【００１３】そして、非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａに
より前記半導体３を完全に囲んで封止枠形状を形成した
後、プリント基板２ごとリフロー槽に入れて該非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａに熱を加えて硬化させる。それに
より、前記プリント基板２表面に隙間なく密着するよう
に前記封止枠１を形成することが出来る。その後、該固
体状の封止枠１の内側に熱硬化性の低粘度の封止樹脂４
（エポキシ樹脂等）を充填して再びプリント基板２ごと
リフロー槽に入れて低粘度の封止樹脂４に熱を加えて熱
硬化させる。この際、前記封止枠１は前記プリント基板
２に隙間なく密着しているので、低粘度の封止樹脂４が
封止枠１とプリント基板２との接合部から封止枠１外に
流出することが一切無い。
より前記半導体３を完全に囲んで封止枠形状を形成した
後、プリント基板２ごとリフロー槽に入れて該非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａに熱を加えて硬化させる。それに
より、前記プリント基板２表面に隙間なく密着するよう
に前記封止枠１を形成することが出来る。その後、該固
体状の封止枠１の内側に熱硬化性の低粘度の封止樹脂４
（エポキシ樹脂等）を充填して再びプリント基板２ごと
リフロー槽に入れて低粘度の封止樹脂４に熱を加えて熱
硬化させる。この際、前記封止枠１は前記プリント基板
２に隙間なく密着しているので、低粘度の封止樹脂４が
封止枠１とプリント基板２との接合部から封止枠１外に
流出することが一切無い。
【００１４】尚、プリント基板２をリフロー槽に入れて
封止形状を成す前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを熱
硬化させる前に、低粘度状態の封止樹脂４を前記非硬化
状態の封止枠形状の内側に充填して、プリント基板２ご
とリフロー槽に入れて、封止枠形状を形成する非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａと前記低粘度状態の封止樹脂４と
を同時に熱硬化させるようにしてもよい。又、封止枠１
を形成する前記熱硬化性樹脂１ａと前記封止樹脂４とを
同じ物質（例えばエポキシ樹脂等）にすれば、両者の馴
染みが非常に良いので、熱硬化させたときに前記封止枠
１と前記封止樹脂４との間に寸分の隙間も生じず、故に
前記半導体３の封止品質を向上させることが出来る。
封止形状を成す前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを熱
硬化させる前に、低粘度状態の封止樹脂４を前記非硬化
状態の封止枠形状の内側に充填して、プリント基板２ご
とリフロー槽に入れて、封止枠形状を形成する非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａと前記低粘度状態の封止樹脂４と
を同時に熱硬化させるようにしてもよい。又、封止枠１
を形成する前記熱硬化性樹脂１ａと前記封止樹脂４とを
同じ物質（例えばエポキシ樹脂等）にすれば、両者の馴
染みが非常に良いので、熱硬化させたときに前記封止枠
１と前記封止樹脂４との間に寸分の隙間も生じず、故に
前記半導体３の封止品質を向上させることが出来る。
【００１５】又、本発明実施例の方法によれば、封止枠
１を従来のように接着剤により前記プリント基板２に接
着する必要もなく、該封止枠１をプリント基板２に搭載
する作業工程が従来に比して削減出来る。又、封止枠１
をプリント基板２に搭載する際に使用する機械は、クリ
ーム半田等をプリント基板２に塗布するための従来のデ
ィスペンサーで足りるので、特別な専用機械を設計・製
作する必要も無く、自動化に際する費用も安価にすむ。
１を従来のように接着剤により前記プリント基板２に接
着する必要もなく、該封止枠１をプリント基板２に搭載
する作業工程が従来に比して削減出来る。又、封止枠１
をプリント基板２に搭載する際に使用する機械は、クリ
ーム半田等をプリント基板２に塗布するための従来のデ
ィスペンサーで足りるので、特別な専用機械を設計・製
作する必要も無く、自動化に際する費用も安価にすむ。
【００１６】
【発明の効果】以上の如く構成した本発明によれば、低
粘度の封止樹脂を封止枠に充填する工程において、該低
粘度の封止樹脂が前記封止枠とプリント基板との接合部
から封止枠外に流出しないので、量産に係る不良品発生
率が極めて低く、品質に優れた半導体実装基板を量産す
ることが出来る。又、前記封止枠をプリント基板へ搭載
する工程を自動化することが出来、従来の手作業による
手間を削減出来る。
粘度の封止樹脂を封止枠に充填する工程において、該低
粘度の封止樹脂が前記封止枠とプリント基板との接合部
から封止枠外に流出しないので、量産に係る不良品発生
率が極めて低く、品質に優れた半導体実装基板を量産す
ることが出来る。又、前記封止枠をプリント基板へ搭載
する工程を自動化することが出来、従来の手作業による
手間を削減出来る。
【図１】本発明実施例の半導体実装基板１を示す斜視
図。
図。
【図２】本発明実施例の半導体実装基板１を示す断面
図。
図。
【図３】本発明実施例において封止枠１を形成する過程
を示す図。
を示す図。
【図４】従来例の半導体実装基板１を示す斜視図。
【図５】従来例の半導体実装基板１を示す断面図。
【図６】図４のＡ−Ａ断面図。
１ 封止枠 ２ プリント基板 ３ 半導体 ４ 封止樹脂 ８ 回路パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】 そして、非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａ
により前記半導体３を完全に囲んで封止枠形状を形成し
た後、プリント基板２ごとオーブンに入れて該非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａに熱を加えて硬化させる。それに
より、前記プリント基板２表面に隙間なく密着するよう
に前記封止枠１を形成することが出来る。その後、該固
体状の封止枠１の内側に熱硬化性の低粘度の封止樹脂４
（エポキシ樹脂等）を充填して再びプリント基板２ごと
オーブンに入れて低粘度の封止樹脂４に熱を加えて熱硬
化させる。この際、前記封止枠１は前記プリント基板２
に隙間なく密着しているので、低粘度の封止樹脂４が封
止枠１とプリント基板２との接合部から封止枠１外に流
出することが一切無い。
により前記半導体３を完全に囲んで封止枠形状を形成し
た後、プリント基板２ごとオーブンに入れて該非硬化状
態の熱硬化性樹脂１ａに熱を加えて硬化させる。それに
より、前記プリント基板２表面に隙間なく密着するよう
に前記封止枠１を形成することが出来る。その後、該固
体状の封止枠１の内側に熱硬化性の低粘度の封止樹脂４
（エポキシ樹脂等）を充填して再びプリント基板２ごと
オーブンに入れて低粘度の封止樹脂４に熱を加えて熱硬
化させる。この際、前記封止枠１は前記プリント基板２
に隙間なく密着しているので、低粘度の封止樹脂４が封
止枠１とプリント基板２との接合部から封止枠１外に流
出することが一切無い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 尚、プリント基板２をオーブンに入れて
封止形状を成す前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを熱
硬化させる前に、低粘度状態の封止樹脂４を前記非硬化
状態の封止枠形状の内側に充填して、プリント基板２ご
とオーブンに入れて、封止枠形状を形成する非硬化状態
の熱硬化性樹脂１ａと前記低粘度状態の封止樹脂４とを
同時に熱硬化させるようにしてもよい。又、封止枠１を
形成する前記熱硬化性樹脂１ａと前記封止樹脂４とを同
じ物質（例えばエポキシ樹脂等）にすれば、両者の馴染
みが非常に良いので、熱硬化させたときに前記封止枠１
と前記封止樹脂４との間に寸分の隙間も生じず、故に前
記半導体３の封止品質を向上させることが出来る。
封止形状を成す前記非硬化状態の熱硬化性樹脂１ａを熱
硬化させる前に、低粘度状態の封止樹脂４を前記非硬化
状態の封止枠形状の内側に充填して、プリント基板２ご
とオーブンに入れて、封止枠形状を形成する非硬化状態
の熱硬化性樹脂１ａと前記低粘度状態の封止樹脂４とを
同時に熱硬化させるようにしてもよい。又、封止枠１を
形成する前記熱硬化性樹脂１ａと前記封止樹脂４とを同
じ物質（例えばエポキシ樹脂等）にすれば、両者の馴染
みが非常に良いので、熱硬化させたときに前記封止枠１
と前記封止樹脂４との間に寸分の隙間も生じず、故に前
記半導体３の封止品質を向上させることが出来る。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板に実装された半導体を囲むよう前記
基板に熱硬化性樹脂から成る封止枠を密着搭載すると共
に、前記半導体を封止するよう前記封止枠の内側に熱硬
化性樹脂から成る封止樹脂を内在させたことを特徴とす
る半導体実装基板。 - 【請求項２】 基板に実装された半導体を囲むよう前記
基板に非硬化状態の熱硬化性樹脂を塗布して封止枠形状
を形成し、該熱硬化性樹脂を熱硬化させることを特徴と
する半導体実装基板の封止枠の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25841492A JPH06112360A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体実装基板及びその封止枠の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25841492A JPH06112360A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体実装基板及びその封止枠の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112360A true JPH06112360A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17319900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25841492A Pending JPH06112360A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 半導体実装基板及びその封止枠の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112360A (ja) |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP25841492A patent/JPH06112360A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001121 |