JPH06122566A

JPH06122566A - 接合方法

Info

Publication number: JPH06122566A
Application number: JP14974893A
Authority: JP
Inventors: Koujirou Ogami; 公二郎屋上; Kazunori Sato; 一徳佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-08-31
Filing date: 1993-05-31
Publication date: 1994-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】接合部の空隙の発生を防止し、その接合強度
を良好なものとする。【構成】少なくとも一方の被接合体の接合面に薄膜が
形成されてなる一対の被接合体を、ガラスを介して接合
する接合方法において、高温等方加圧雰囲気中で接合を
行う。またこの時、上記薄膜がスパッタリング法により
形成されていても良く、薄膜がガラスと接触する構成で
あっても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも一方の被接
合体の接合面にスパッタリング法等により薄膜が形成さ
れてなる一対の被接合体を、ガラスを介して接合する接
合方法に係わるものであり、詳細には上記薄膜と接する
ガラス中の気泡の発生を抑制する接合方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、高密
度記録化が要求されており、これに対応すべく、例えば
約１μｍ以下の狭ギャップ長を有する磁気ヘッドが要求
されている。上記磁気ヘッドは、フェライト等の磁性体
により構成される一対の磁気コアをＳｉＯ₂、ガラス等
の非磁性材料を介し、磁気ギャップを有して接合して形
成されるものであり、該磁気ギャップには上記非磁性材
料が配されている。

【０００３】このような磁気ヘッドを形成するには、先
ず接合させる一対の磁気コアの突き合わせ面に所望のギ
ャップ長を形成できるようなギャップ膜をＳｉＯ₂ 、ガ
ラス等の非磁性材を用い、スパッタリング法等の方法に
より形成する。その後、上記一対の磁気コアを互いに突
き合わせ熱圧着することにより接合一体化する。この
時、接合部である磁気コアの突き合わせ面間に非磁性材
の配された磁気ギャップが形成される。なお、上記のよ
うな磁気ヘッドにおいては磁気ギャップ近傍に補強ガラ
スを充填し補強することが一般に行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な方法で形成される磁気ヘッドの磁気ギャップ及び磁気
ギャップ近傍に充填される補強ガラス中には空隙が発生
し易いという問題が生じている。これは、以下の理由に
よるものと思われる。例えば、ギャップ膜を少なくとも
ガラスを含む構成とした場合には、熱圧着時には接合す
る磁気コアを上記ガラス（以下、ギャップガラスと称す
る）の軟化点以上に昇温する。しかしながら、この時ギ
ャップ膜を形成するギャップガラスまたはＳｉＯ₂膜の
形成時にこれらに混入されたスパッターガスが上記ギャ
ップガラス膜内で気泡となり、これがギャップガラスの
冷却後も磁気ギャップ内に空隙として残存するためであ
ると思われる。また、磁気ギャップ近傍に充填されるガ
ラス（以下、補強ガラスと称する）は前記ＳｉＯ₂、ギ
ャップガラス膜上に該ガラスよりも低い粘度（約１／１
０００）で流される。従って、補強ガラス内にはギャッ
プ膜中に含まれるスパッターガスがより顕著に気泡とし
て発生し、空隙を形成する。

【０００５】前述のように磁気ヘッド中の磁気ギャップ
は非常に小さく、上記のような空隙が磁気ギャップ内に
発生すると、磁気ギャップの比較的大きな部分を占める
こととなり、磁気ギャップの接合強度を低下させてしま
うばかりか、磁気ギャップのギャップ長等の精度も低下
させてしまう。また、この空隙が媒体走行面に残存する
と、媒体表面より剥がれた磁性粉が詰まり、クロッグ不
良等を引き起こす。さらに、この空隙はクラックの起点
ともなり、得られる磁気ヘッドの品質の低下を招いてい
る。一方、補強ガラス内の空隙は、ヘッドチップの強度
低下、上述のクロッグ不良等の不具合を引き起こす。こ
のような空隙の発生を減少させるには、成膜時のスパッ
ター条件、接合時の温度条件や時間を厳しく制御する必
要があり、生産性が非常に悪い。

【０００６】そこで、上記のように磁気ヘッドの磁気ギ
ャップに残存する空隙を除去する方法として、特公昭６
１−１６７５２号や特開昭６３−１７０２８０号に示さ
れるように、磁気コアの接合後に高温等方加圧雰囲気中
で熱処理を施す、すなわち高圧の不活性ガス中でガラス
の軟化点以上の温度で熱処理を施して、上記空隙を形成
する気泡を押し潰して消失させる方法が提案されてい
る。さらに前者の方法においては、磁気コアの接合時に
ガラスを溶融させた後に不活性ガスを導入し、発生した
気泡を押し潰す方法も提案されている。

【０００７】ところが、このような方法により磁気ギャ
ップ内の空隙を除去しようとすると、ギャップガラスの
粘度が高いために該ギャップガラス内に残存する気泡の
内圧は非常に高く、高温等方加圧雰囲気中での熱処理に
よって気泡を消失させるには４０．５ＭＰａ以上の高圧
が必要であり、生産性が良好でない。また、上記方法に
よると加熱処理を少なくとも２度行う必要があり、この
点からも生産性が良好ではなく、磁気特性にも好ましく
ない影響を与えることが多い。さらに、気泡の消失に伴
って磁気ヘッド全体に圧縮応力がかかり、これによるク
ラックが発生し易い、上記方法では周囲がガラスで囲ま
れていない気泡、たとえば磁気コア突き合わせ面に沿っ
て発生した気泡などにおいては、該気泡が閉空間ではな
いため等方加圧の効果はなく、高圧をかけても気泡を消
失させることができないといった不都合も生じる。

【０００８】そこで本発明は、接合部に空隙を生ずるこ
とがなく、良好な接合強度を有して接合を行うことの可
能な接合方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】少なくとも一方の被接合
体の接合面に薄膜が形成されてなる一対の被接合体を、
ガラスを介して接合する接合方法において、高温等方加
圧雰囲気中で接合を行うことを特徴とするものである。

【００１０】また、上記のような接合方法において、薄
膜がスパッタリング法により形成されている、または上
記薄膜がガラスと接触する構成であることを特徴とする
ものである。

【００１１】

【作用】ガラスを介して接合される被接合体が、接合面
にスパッタリング等により形成された薄膜を有し、これ
がガラスと接触・接合する構成である場合、接合の際、
薄膜形成時に該薄膜中に含まれるスパッターガスによる
気泡が上記ガラス内に発生し易く、冷却後に空隙を生じ
易い。

【００１２】本発明においては、少なくとも一方の被接
合体の接合面に薄膜が形成されてなる一対の被接合体
を、ガラスを介して接合する接合方法において、高温等
方加圧雰囲気中で接合を行うため、薄膜中に含まれるス
パッターガスによる気泡がガラス内に形成されにくい。

【００１３】

【実施例】以下、本発明を適用する具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。実施例１本実施例においては、磁気ヘッドの磁気コア同士の接
合，磁気ギャップの形成を本発明を適用した接合方法に
より行った例を示す。

【００１４】本実施例において形成される磁気ヘッド
は、図１に示すように磁性体よりなる一対の磁気コア
１，２がフロントギャップである磁気ギャップｇ₁とバ
ックギャップである磁気ギャップｇ₂を有して突き合わ
され接合一体化されたものであり、各磁気コア１，２に
は、磁気ヘッド８のトラック幅を規制するＨ溝３，４お
よび磁気コア１，２のガラス融着およびコイル巻回用の
巻線溝５，６が形成されており、該巻線溝５，６間には
補強ガラス７が充填され、磁気コア１，２を接合一体化
している。この時、磁気コア１，２の接合，磁気ギャッ
プｇ₁，ｇ₂の形成を本実施例の接合方法によって行
う。

【００１５】以下に、上記の磁気ヘッドの製造方法を述
べる。先ず、図２に示すようにフェライト等の磁性材料
よりなるブロック９に、形成される磁気ヘッドのトラッ
ク幅を規制するＨ溝３，４を複数形成し、磁気コア間の
ガラス接合を行うための巻線溝５，６を形成する。次に
このブロック９を図中Ｘ−Ｘ’，Ｙ─Ｙ’にて分断し、
一対の磁気コアを形成する磁気コアブロック１０，１１
を得る。そして、磁気コアブロック１０，１１の磁気ギ
ャップ形成面１０ａ，１１ａに、図３（図３には磁気コ
アブロック１０を示す。）に示すようにスパッタリング
によりＳｉＯ₂薄膜１２を形成した後、ガラス転移点Ｔ
ｇが５４７℃であるガラス薄膜１３を形成し、これらを
ギャップ膜とする。なお、得られる磁気ヘッドのギャッ
プ長が０．４５μｍとなるように、一方の磁気コアブロ
ックに形成されるＳｉＯ₂薄膜１２とガラス薄膜１３の
厚さの合計を０．２２５μｍ（ただし、ガラス膜１３の
厚さを０．０５μｍとした）なるようにした。

【００１６】次に、上述のようにして得られる磁気コア
ブロック１０，１１を接合して磁気ヘッドブロックを形
成する。そして、この際、本実施例の接合方法を適用す
る。すなわち、図４に示すように、Ｈ溝３，巻線溝５が
形成され、ＳｉＯ₂薄膜１２とガラス薄膜１３の形成さ
れた磁気コアブロック１０とＨ溝４，巻線溝６が形成さ
れ、ＳｉＯ₂薄膜１４とガラス薄膜１５の形成された磁
気コアブロック１１をガラス薄膜１３，１５を突き合わ
せるようにしてＨ溝３，４、巻線溝５，６の位置が一致
するように突き合わせ、巻線溝５，６にガラス転移点４
６５℃である補強ガラス７を配する。そして、該磁気コ
アブロック１０，１１を治具により保持し、高温等方加
圧雰囲気中でガラス薄膜１３，１５の熱圧着及び補強ガ
ラス７の溶融充填を行なうものである。この時、磁気コ
アブロック１０，１１が接合されるとともに、ガラス薄
膜１３，１５の熱圧着により磁気コアブロック１０，１
１間には磁気ギャップが形成されることとなる。

【００１７】この時の高温等方加圧雰囲気条件を図５に
示す。この時の高温等方加圧雰囲気条件は、図５に示さ
れるように不活性ガスの圧力が３０．４ＭＰａである雰
囲気中で室温から１０．０℃／分の昇温速度で昇温さ
せ、不活性ガスの圧力６０．８ＭＰａ，雰囲気温度７５
０℃の条件下で１時間保持し、その後５．０℃／分の冷
却速度で冷却し、図５中Ａで示す雰囲気温度が５００℃
に達した時点よりガスの回収を行い、不活性ガスの圧力
が０．１ＭＰａ（大気圧），雰囲気温度が室温となるま
で冷却する。なお、圧着は不活性ガスの圧力６０．８Ｍ
Ｐａ，雰囲気温度７５０℃の条件下で１時間行う。

【００１８】そして、この磁気ヘッドブロックに必要な
研磨加工を施した後、チップ裁断を行い、図１に示すよ
うな磁気ヘッドを得た。この磁気ヘッドを実施サンプル
１とした。なお、高温等方加圧雰囲気条件は、昇温時か
ら冷却時の少なくとも使用するギャップガラスのガラス
転移点まで高圧雰囲気が保たれているものとする。

【００１９】次に比較のためのサンプルを作製した。先
ず、実施サンプル１を形成した方法と同様の方法で一対
の磁気コアブロック上にスパッタリングによりＳｉＯ₂
薄膜を形成しその上にガラス転移点が５４７℃であるガ
ラス薄膜を形成する。なお、得られる磁気ヘッドのギャ
ップ長が０．４５μｍとなるように、実施サンプル１と
同様にＳｉＯ₂薄膜とガラス薄膜の厚さの合計を０．２
２５μｍとした。次いで実施サンプル１と同様に一対の
磁気コアブロックを対向させ、その巻線溝中に補強ガラ
スを配し、加熱条件は実施サンプル１と同条件とし、大
気圧下で上記一対の磁気コアブロックの接合を行い、こ
れに研磨加工およびチップ裁断を行い、得られた磁気ヘ
ッドを比較サンプル１とした。

【００２０】また、比較サンプル１と同様にＳｉＯ₂薄
膜を形成しその上にガラス転移点が５４７℃であるガラ
ス薄膜を形成した一対の磁気コアに、これら薄膜に含ま
れるスパッターガスを抜くために圧着温度と同じ温度に
てベーク処理を行った後、比較サンプル１と同条件で上
記一対の磁気コアブロックの接合を行い、研磨加工およ
びチップ裁断して得られた磁気ヘッドを比較サンプル２
とした。これら実施サンプル１および比較サンプル１，
２の実際のギャップ長とそのバラツキ（σ）、および磁
気ギャップ内の空隙と補強ガラス内の空隙の有無を調査
した結果を表１に示す。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１の結果を見てわかるように、磁気コア
ブロックの接合を高温等方加圧雰囲気中で行った実施サ
ンプル１においては、磁気ギャップ及び補強ガラス内に
空隙が存在せず、精度の良好なギャップ長が得られた。
これは、接合を高温等方加圧雰囲気中で行ったため、ス
パッター膜（ＳｉＯ₂１２，１４及びガラス薄膜１３，
１５）中に含まれるスパッターガスが気泡を形成しにく
いためと思われる。なお、接合強度も良好であった。

【００２３】一方、磁気コアブロックの接合を大気圧中
で行った比較サンプル１，２においては、磁気ギャップ
及び補強ガラス内に空隙が存在し、ベーク処理を行なわ
ない比較サンプル１では磁気ギャップの精度も良好では
なかった。比較サンプル１においては、磁気コアブロッ
ク上にＳｉＯ₂薄膜およびガラス薄膜をスパッタリング
により形成した後、これら薄膜中のスパッターガス排出
のための処理を特には行っておらず、接合時にスパッタ
ーガスが気泡として発生しこれが空隙となり、ギャップ
長を変動させてしまったものと思われる。比較サンプル
２においては、ベーク処理により薄膜中のスパッターガ
スはある程度排出されるものの、完全には排出されない
ため、やはり接合時にガラス中に気泡となって若干発生
するものと思われる。また、比較サンプル２においては
熱処理を２度行なうことから、薄膜が厚さ方向に収縮
し、ギャップ長が成膜厚よりも薄くなること、ベーク処
理のための加熱炉への出し入れの際の薄膜表面へのゴミ
の付着が懸念される。

【００２４】本実施例の接合方法によって磁気ヘッドの
磁気ギャップの熱圧着及び補強ガラスの溶融充填を行え
ば、磁気ギャップ中及び補強ガラス中に空隙を生ずるこ
となく良好な精度を有する磁気ギャップを形成するこが
でき、良好な接合強度をもって接合を行なうことができ
る。さらに、ベーク処理を行わなくて済むため、熱処理
は１回で良く、工程の効率向上及びヘッドコアに対する
ダメージの軽減をすることができる。

【００２５】上記の磁気ヘッドにおいては、図６に示す
ようにギャップ膜をＳｉＯ₂薄膜１２，１４とガラス薄
膜１３，１５によって構成するものとし、磁気コア同士
の接合をガラス薄膜１３，１５の熱圧着と補強ガラス７
の溶融充填により行うものとしたが、本発明の接合方法
は上述のような磁気ヘッドの他に次に述べるような磁気
ヘッドにおける磁気コア同士の接合或いは磁気ギャップ
の形成にも適用可能である。

【００２６】例えば、図７に示すようなギャップ膜をＳ
ｉＯ₂薄膜１２，１４によって構成し、磁気コア同士の
接合を補強ガラス７の溶融充填のみによって行っている
磁気ヘッドにも適用可能であり、本発明の接合方法によ
って磁気コア同士の接合を行うと、補強ガラス７内のＳ
ｉＯ₂薄膜１２，１４に含まれるスパッターガスによる
空隙の発生を防止することができる。また、図８，図９
に示すような、磁気コアがフェライト等の磁性材料より
なる磁気コアブロック１０，１１上に金属磁性膜１６，
１７が形成されたものであり、これら金属磁性膜１６，
１７を突き合わせるようにして接合一体化されている、
いわゆるＭＩＧヘッドにおいても適用可能である。な
お、図８はギャップ膜がＳｉＯ₂薄膜１２，１４とガラ
ス薄膜１３，１５によって構成されたもの、図９はギャ
ップ膜がＳｉＯ₂薄膜１２，１４によって形成されたも
のを示す。

【００２７】実施例２本実施例は、薄膜磁気ヘッドのガード材を本発明の接合
方法により接合した例について述べる。本実施例によっ
て形成される薄膜磁気ヘッドは図１０に示すように、磁
気回路２４の形成された薄膜磁気ヘッドチップ２１にガ
ード材２２がガラス２３により接合されてなるものであ
る。上記薄膜磁気ヘッドチップ２１は、板状のフェライ
ト等の磁性材料により形成されており、その一主面２１
ａに薄膜よりなる磁気回路２４が形成され、媒体摺動面
２１ｂには円筒研磨がなされている。一方のガード材２
２は板状のフォトセラム等の非磁性体よりなりその一主
面２２ａには溝部２５が形成され、媒体摺動面２２ｂに
は円筒研磨が施されている。上記薄膜磁気ヘッドチップ
２１とガード材２２は、薄膜磁気ヘッドチップ２１の一
主面２１ａとガード材２２の一主面２２ａを対向面と
し、磁気回路２４の端末部以外をガード材２２が覆うよ
うな形でガラス２３を介して接合されている。

【００２８】以下に上記の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
述べる。先ず、図１１に示すようにフェライト等のブロ
ック２６上に図示しない磁気回路をスパッタリング等に
より形成し、これをチップ切断し、図１２に示すような
一主面２１ａに薄膜よりなる磁気回路２４の形成された
薄膜磁気ヘッドチップ２１を得る。次に、図１３に示す
ように、フォトセラム等により形成される基板２７の一
主面２７ａに所定の大きさ，間隔で複数の溝部２５を形
成し、基板２７の一主面２７ａに図示しないガラス棒を
配し、これに加熱を行いガラスパックした後、所定の厚
さになるように研磨を行い、図１４に示すように基板２
７の一主面２７ａに接合材としてガラス転移点Ｔｇが４
０２℃であるガラス２３を形成する。なお、本実施例に
おいてはガラス２３をガラスパックによって形成した
が、スパッタリング等の手法によって形成しても良い。

【００２９】この後、チップ切断を行い図１５に示すよ
うな一主面に溝部２５が形成されガラス２３の形成され
るガード材２２を得る。そして、図１６に示すように薄
膜磁気ヘッドチップ２１とガード材２２を対向させ、治
具２８によって保持し加圧加熱処理を施してガラス２３
の熱圧着によりこれらの接合を行い、それぞれの媒体摺
動面２１ｂ，２２ｂに円筒研磨を施し、図１０に示すよ
うな薄膜磁気ヘッドを得る。

【００３０】この時、本実施例においては、薄膜磁気ヘ
ッドチップとガード材の接合を高温等方加圧雰囲気中で
行う。この時の高温等方加圧雰囲気条件を図１７に示
す。この時の高温等方加圧雰囲気条件は、図１７に示さ
れるように不活性ガスの圧力が３０．４ＭＰａである雰
囲気中で室温から５．０℃／分の昇温速度で昇温させ、
不活性ガスの圧力を５４．７ＭＰａ，雰囲気温度５８５
℃中で１時間保持し、その後３．０℃／分の冷却速度で
冷却し、図１７中Ｂで示す雰囲気温度が３４０℃に達し
た時点よりガスの回収を行い、不活性ガスの圧力が約
０．１ＭＰａ（大気圧），雰囲気温度が室温となるまで
冷却する。なお、圧着は、不活性ガスの圧力を５４．７
ＭＰａ，雰囲気温度５８５℃中で１時間行った。このよ
うにして薄膜磁気ヘッドチップ２１とガード材２２をガ
ラス２３の熱圧着によって接合して得た薄膜磁気ヘッド
を実施サンプル２とする。

【００３１】また、比較のために、実施サンプル２と同
様の方法で薄膜磁気ヘッドチップを形成し、ガード材に
ガラス転移点Ｔｇが４０２℃であるガラス薄膜を形成
し、これらを大気圧中で５８０℃，３０分の条件下（た
だし、昇温冷却速度は実施例１と同じ。）で加熱加圧処
理を施してガラスの熱圧着による接合を行い薄膜磁気ヘ
ッドを得、これを比較サンプル３とした。さらに、比較
サンプル３と同様に薄膜磁気ヘッドチップを形成し、こ
れに圧着温度よりも低めの温度でベーク処理を施した
後、比較サンプル３と同様にガラス膜が形成されたガー
ド材と共に、大気圧中で加熱加圧処理を施して接合を行
ない、薄膜磁気ヘッドを得た。この時の圧着条件が５８
５℃，１時間のものを比較サンプル４、５８０℃，３０
分のものを比較サンプル５とした。（ただし、昇温冷却
速度は実施例２と同じ。）なお、上記比較サンプル５の
圧着条件は、信頼できる接合強度が得られる最低温度及
び時間とした。

【００３２】そして、これら実施サンプル２、比較サン
プル３，４，５の空隙不良率を調査した。結果を表２に
示す。なお、上記薄膜磁気ヘッドチップにおいてはスパ
ッタリングによって形成される薄膜に含まれるスパッタ
ーガス抜きの効果を得るためには圧着温度以上でベーク
することが望ましいが、異種材質の薄膜の多層構造で磁
気回路を構成しているため、たとえば、熱圧着温度と同
じ５８０℃でベーク処理を行なうと膜剥がれが起き易
い。そこで、ここでは安全な５２０℃でベーク処理する
こととした。

【００３３】

【表２】

【００３４】表２を見てわかるように、薄膜磁気ヘッド
チップおよびガード材に脱ガスのための処理を特に施し
ていない比較例３においては、薄膜磁気ヘッドチップ上
に形成される磁気回路をスパッタリング等により形成す
る際に磁気回路中に含まれるスパッターガス（たとえば
アルゴンガス）等が熱圧着時にガラス中に気泡として発
生し、空隙として残存するために、空隙不良率が高くな
っている。

【００３５】このような空隙が薄膜磁気ヘッドの媒体走
行面に存在すると、媒体より剥がれ落ちた磁性粉が詰ま
り、クロッグ不良等を引き起こし易く、品質の低下を招
き、製造歩留りの低下も引き起こす。

【００３６】また、薄膜磁気ヘッドチップに脱ガスのた
めにベーク処理を施した比較サンプル４，５において
は、圧着温度を下げ、圧着時間を短縮することにより空
隙不良率を低下させることができることが確認された
が、空隙不良率が圧着条件によって大きく変化してお
り、圧着条件の設定にかなりの精度が要求されることが
わかった。すなわち、上記薄膜磁気ヘッドチップとガー
ド材を接合する際には、ガラスは薄膜磁気ヘッドチップ
の磁気回路の形状に応じて変形する必要があるため、圧
着条件にはかなりの精度が要求される。また、上記比較
サンプル４，５においては、圧着温度よりも低い温度で
ベーク処理を行なっていることから、磁気回路中に含ま
れるスパッターガスが十分に排気されていないことも推
察される。さらに、前述のようにサンプル５の圧着条件
は、信頼できる接合強度が得られる最低温度及び時間で
あるが、それでも空隙不良は２０％発生した。すなわ
ち、ベーク処理及び圧着条件のコントロールだけではこ
れ以上の空隙不良の低減は望めない。

【００３７】一方、薄膜磁気ヘッドチップとガード材の
接合を高温等方加圧雰囲気中で行った実施サンプル２に
おいては、ベーク処理がなくても空隙不良率が０％とな
った。これは、薄膜磁気ヘッドチップ上に形成される磁
気回路をスパッタリング等により形成する際に磁気回路
中に含まれるガス（たとえばアルゴンガス）が、熱圧着
時に高圧下では気泡を形成することができず、空隙が生
じないためと思われる。従って、実施サンプル２におい
ては、空隙不良率の圧着条件への依存性は少なく、圧着
条件にあまり精度を必要としないため、生産性を大きく
向上させることができる。また、実施サンプル２におい
てはベーク処理も不要であり熱処理は１回で済み、工程
の効率向上及び磁性特性へのダメージの低減、膜剥がれ
が生じない、などの利点もある。上記高温等方加圧雰囲
気の条件は、本実施例で述べたような条件に限られるも
のではなく、圧着温度付近でスパッターガスの気泡形成
を困難にする条件であれば良く、ガラスの種類によって
異なるが、圧着温度が５８０℃以下であれば、３０ＭＰ
ａ程度で効果がある。また、初期圧は１０ＭＰａ程度以
上あれば良い。また、このようにして得られた薄膜磁気
ヘッドにおいては、クラックの発生，材料の変化，特性
の劣化，膜ハガレ等も発生せず品質の良好な薄膜磁気ヘ
ッドを得ることができた。特に薄膜磁気ヘッドのような
異種物質を多数積層して組み合わせたものにおいては、
複数回の熱処理は好ましくなく、本実施例は適している
と思われる。

【００３８】本実施例の接合方法により薄膜磁気ヘッド
チップとガード材の接合を行うと、接合部に空隙を残存
させることなく接合を行うことが可能であり、品質の良
好な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。また、圧着条
件に依存することなく良好な接合を行うことが可能であ
るため、圧着条件の許容範囲が広く、生産性も良好であ
る。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、少なくとも一方の被接合体の接合面にス
パッタリング法により形成された薄膜が形成されてなる
一対の被接合体をガラスを介して接合する接合方法にお
いて、高温等方加圧雰囲気中で接合を行うため、薄膜に
含まれるスパッターガスによる気泡が形成されにくく、
このため薄膜と接するガラス内に空隙が生じにくく、良
好な接合強度を有して接合を行うことが可能である。

【００４０】さらに、本発明においては、被接合物の薄
膜に含まれるスタッパーガス等の成膜ガスにより発生し
てしまった気泡を消失させるための再度の熱処理を必要
とせず、また被接合物にベーク処理等の脱ガス処理を予
め行う必要もなく、圧着条件に左右されることなく良好
な接合を行うことができる。また、従来のように接合部
分に発生する気泡を圧力により消失させる必要がないた
め、比較的低圧での処理が可能で、気泡を消失させる場
合のように被接合物に変形や割れが生じない。さらにベ
ーク処理等の脱ガス処理を予め行う必要がないことか
ら、薄膜磁気ヘッドのような異種物質を多数、積層、組
み合わせた構造の被接合物の接合も可能である。従っ
て、本発明は様々な分野での応用が可能であり、その工
業的価値は非常に高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した接合方法により磁気コア同士
の接合，磁気ギャップの形成を行った磁気ヘッドの一例
を示す斜視図である。

【図２】本発明を適用した接合方法を用い磁気ヘッドを
製造する製造方法を工程順に示すものであり、ブロック
にＨ溝，巻線溝を形成し、一対の磁気コアブロックに分
断する工程を示す斜視図である。

【図３】磁気コアブロックにＳｉＯ₂薄膜，ガラス薄膜
を形成する工程を示す斜視図である。

【図４】一対の磁気コアブロックを接合する工程を示す
斜視図である。

【図５】磁気コアブロックを接合する際の高温等方加圧
雰囲気条件を示す図である。

【図６】図１の磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面近傍部
を示す模式図である。

【図７】本発明を適用した接合方法により磁気コア同士
の接合，磁気ギャップの形成を行った磁気ヘッドの他の
例の磁気記録媒体対向面近傍部を示す模式図である。

【図８】本発明を適用した接合方法により磁気コア同士
の接合，磁気ギャップの形成を行った磁気ヘッドのさら
に他の例の磁気記録媒体対向面近傍部を示す模式図であ
る。

【図９】本発明を適用した接合方法により磁気コア同士
の接合，磁気ギャップの形成を行った磁気ヘッドのさら
に他の例の磁気記録媒体対向面近傍部を示す模式図であ
る。

【図１０】本発明を適用した接合方法によりガード材の
接合を行った薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。

【図１１】本発明を適用した接合方法によりガード材の
接合を行った薄膜磁気ヘッドを製造する製造方法を工程
順に示すものであり、ブロックに磁気回路を形成する工
程を示す斜視図である。

【図１２】ブロックをチップ切断し、薄膜磁気ヘッドチ
ップを形成する工程を示す斜視図である。

【図１３】基板に溝部を形成する工程を示す斜視図であ
る。

【図１４】基板上にガラス膜を形成する工程を示す側面
図である。

【図１５】基板をチップ切断し、ガード材を形成する工
程を示す斜視図である。

【図１６】薄膜磁気ヘッドチップとガード材を接合する
工程を示す側面図である。

【図１７】薄膜磁気ヘッドチップとガード材を接合する
際の高温等方加圧雰囲気条件を示す図である。

【符号の説明】

１，２・・・・・・磁気コア１０，１１・・・・磁気コアブロック１０ａ，１１ａ・・ギャップ形成面１２，１４・・・・ＳｉＯ₂薄膜１３，１５・・・・ガラス薄膜２１・・・・・・・薄膜磁気ヘッドチップ２２・・・・・・・ガード材２３・・・・・・・ガラス２７・・・・・・・ブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方の被接合体の接合面に薄
膜が形成されてなる一対の被接合体を、ガラスを介して
接合する接合方法において、高温等方加圧雰囲気中で接
合を行うことを特徴とする接合方法。
【請求項２】薄膜がスパッタリング法により形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の接合方法。
【請求項３】薄膜がガラスと接触する構成であること
を特徴とする請求項２記載の接合方法。