JPH06132355A - 回路の接続構造 - Google Patents
回路の接続構造Info
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- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は相対峙して形成された接続用回路の
間に接着剤を狭持して接合する回路の接続構造におい
て、相対峙する接続用回路間には導伝性微粒子と可視光
を吸収しやすい微粒子を均一に混入分散させた接着剤シ
ートが挟持されて相対峙して形成された接続用回路が接
合されている構造である。 【効果】 相対峙して形成された接続用回路の接合の信
頼性を向上させ、接合コストを低減させる効果がある。
間に接着剤を狭持して接合する回路の接続構造におい
て、相対峙する接続用回路間には導伝性微粒子と可視光
を吸収しやすい微粒子を均一に混入分散させた接着剤シ
ートが挟持されて相対峙して形成された接続用回路が接
合されている構造である。 【効果】 相対峙して形成された接続用回路の接合の信
頼性を向上させ、接合コストを低減させる効果がある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案はポケットテレビ、壁掛け
テレビ、プロジェクションテレビ、ラップトップパソコ
ン、ゲーム機、等に持ちいられる液晶パネルやその他の
回路部品の実装構造に関する。
テレビ、プロジェクションテレビ、ラップトップパソコ
ン、ゲーム機、等に持ちいられる液晶パネルやその他の
回路部品の実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来よりポケットテレビなど液晶パネル
を組み込むためには小型、高密度実装の液晶パネルを構
成する必要がある。その対策の一例として液晶パネルを
構成しているガラス基板上にICチップを直接搭載する
方法が提案されている。
を組み込むためには小型、高密度実装の液晶パネルを構
成する必要がある。その対策の一例として液晶パネルを
構成しているガラス基板上にICチップを直接搭載する
方法が提案されている。
【0003】以下図面を参照しながら、従来の液晶パネ
ルにおける回路の接続構造について説明する。図4、5
は従来の回路の接続構造の一例を示すものである。図4
は相対峙して形成された接続用回路すなわちICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンの間に絶縁性接着剤
中に導電性微粒子を分散させた接着剤を均一に狭持して
上記相対峙する接続用回路を位置合わせして、ICの裏
面から加圧加熱し、接着剤を加熱し硬化してICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンを本圧着接合した構
造を示す。さらに図5は上記回路の接続構造においてI
Cチップを液晶パネルに圧着している様すを示すもので
ある。
ルにおける回路の接続構造について説明する。図4、5
は従来の回路の接続構造の一例を示すものである。図4
は相対峙して形成された接続用回路すなわちICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンの間に絶縁性接着剤
中に導電性微粒子を分散させた接着剤を均一に狭持して
上記相対峙する接続用回路を位置合わせして、ICの裏
面から加圧加熱し、接着剤を加熱し硬化してICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンを本圧着接合した構
造を示す。さらに図5は上記回路の接続構造においてI
Cチップを液晶パネルに圧着している様すを示すもので
ある。
【0004】図4、5において21はICチップ、22
は液晶パネル、23は液晶パネルの基板上に形成された
電極パターン、24は導電性微粒子を絶縁性接着剤中に
分散させた接着剤層、25はICのAuバンプ、26は
導電性粒子、27は加熱加圧ツールを示す。ICチップ
上には電極パッドが形成されている。その電極パッド上
にはAuバンプが形成されている。液晶パネルの基板上
には上記ICチップの接続電極と相対峙して接続用回路
が形成されている。
は液晶パネル、23は液晶パネルの基板上に形成された
電極パターン、24は導電性微粒子を絶縁性接着剤中に
分散させた接着剤層、25はICのAuバンプ、26は
導電性粒子、27は加熱加圧ツールを示す。ICチップ
上には電極パッドが形成されている。その電極パッド上
にはAuバンプが形成されている。液晶パネルの基板上
には上記ICチップの接続電極と相対峙して接続用回路
が形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4において、図5に
示す絶縁性接着剤中に導電性微粒子を分散させた接着剤
は相対峙して形成された接続用回路すなわちICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンの間に加熱や加圧無
しに狭持される、この時相対峙して形成された接続用回
路すなわちICチップと液晶パネルガラスの電極パター
ンは純粋に位置合わせされる。その後、ICチップの上
からツール27によって加圧されながら上記ツール27
の熱が上記接着剤24がに伝導して接着剤24が加熱さ
れ、上記ICチップ21と液晶パネルガラスの電極パタ
ーン23は導通接続される。この時、一般的に用いられ
る接着剤としてのエポキシ系の接着剤は完全硬化する。
示す絶縁性接着剤中に導電性微粒子を分散させた接着剤
は相対峙して形成された接続用回路すなわちICチップ
と液晶パネルガラスの電極パターンの間に加熱や加圧無
しに狭持される、この時相対峙して形成された接続用回
路すなわちICチップと液晶パネルガラスの電極パター
ンは純粋に位置合わせされる。その後、ICチップの上
からツール27によって加圧されながら上記ツール27
の熱が上記接着剤24がに伝導して接着剤24が加熱さ
れ、上記ICチップ21と液晶パネルガラスの電極パタ
ーン23は導通接続される。この時、一般的に用いられ
る接着剤としてのエポキシ系の接着剤は完全硬化する。
【0006】しかし、従来の回路の接続構造は図3、4
より明らかなようにツールに加熱機構と加圧機構を合わ
せ持たせようとしているため、ツールが複雑かつ大きく
なってしまい、IC一個を接合するためのスペースが大
きくなってしまう。かたや、上記するようなICチップ
を直接パネルガラスに接合実装するようなパネル実装構
造においては一般的にはパネル内のパターンピッチは小
さくなり、ICも多数かつ小ピッチで実装されることが
多くなっている。然るに、上記の様に加熱加圧ツールが
サイズ的に大きくなると、ICを一括して圧着すること
が難しくなり、ICを一個、一個圧着しなければならな
くなる。すると、ICをパネルガラスに接合する工程数
が大きくなってしまい、製造コストが増大してしまう事
となる。
より明らかなようにツールに加熱機構と加圧機構を合わ
せ持たせようとしているため、ツールが複雑かつ大きく
なってしまい、IC一個を接合するためのスペースが大
きくなってしまう。かたや、上記するようなICチップ
を直接パネルガラスに接合実装するようなパネル実装構
造においては一般的にはパネル内のパターンピッチは小
さくなり、ICも多数かつ小ピッチで実装されることが
多くなっている。然るに、上記の様に加熱加圧ツールが
サイズ的に大きくなると、ICを一括して圧着すること
が難しくなり、ICを一個、一個圧着しなければならな
くなる。すると、ICをパネルガラスに接合する工程数
が大きくなってしまい、製造コストが増大してしまう事
となる。
【0007】さらに、図4において、ツールよりICチ
ップ上面に加えられた熱はIC上面ではほぼ温度は均一
に近いが、その熱がICの下の接着剤に伝導される課程
において、ICの側面から空気層へ逃げる熱の関係でI
C下面での温度分布はICの中央部で高温、周辺部で低
温の分布になってしまう。さらに、熱が接着剤を伝わ
り、ガラスにまで伝わる状態になると、おもにエポキシ
等の接着剤とICの電極パッドにある金バンプとでは熱
伝導率がきわめて異なるため、金バンプを通して熱が大
量にガラスに逃げるため、金バンプ周辺の温度はさらに
低下することとなる。すると、IC中央部と金バンプ周
辺を中心としたIC周辺部とでは温度差はさらに大きな
ものとなる。この様にICの部位による温度ばらつきが
大きいと、接着剤の硬化進度が異なることとなってしま
う。この様に接着剤の硬化進度が異なると、IC接合の
信頼性が著しく低減してしまうものであった。特にIC
コーナー部の接着剤材中の残留応力は大きいのにもかか
わらず、ICのコーナー部の接着剤の硬化進度が低くな
りがちであるため、ICのコーナー部の接続信頼性はき
わめて低減してしまうものであった。
ップ上面に加えられた熱はIC上面ではほぼ温度は均一
に近いが、その熱がICの下の接着剤に伝導される課程
において、ICの側面から空気層へ逃げる熱の関係でI
C下面での温度分布はICの中央部で高温、周辺部で低
温の分布になってしまう。さらに、熱が接着剤を伝わ
り、ガラスにまで伝わる状態になると、おもにエポキシ
等の接着剤とICの電極パッドにある金バンプとでは熱
伝導率がきわめて異なるため、金バンプを通して熱が大
量にガラスに逃げるため、金バンプ周辺の温度はさらに
低下することとなる。すると、IC中央部と金バンプ周
辺を中心としたIC周辺部とでは温度差はさらに大きな
ものとなる。この様にICの部位による温度ばらつきが
大きいと、接着剤の硬化進度が異なることとなってしま
う。この様に接着剤の硬化進度が異なると、IC接合の
信頼性が著しく低減してしまうものであった。特にIC
コーナー部の接着剤材中の残留応力は大きいのにもかか
わらず、ICのコーナー部の接着剤の硬化進度が低くな
りがちであるため、ICのコーナー部の接続信頼性はき
わめて低減してしまうものであった。
【0008】さらに、従来の回路の接続構造は図3、4
より明らかなようにツールに加熱機構と加圧機構を合わ
せ持たせようとしているため、ツールが複雑かつ大きく
なってしまい、ツールの先端の平行度を維持するのが難
しくなるものである。ツールの先端の平行度を維持する
のが難しくなると、ICをガラスに平行にしっかりと圧
着するのがかなり難しくなり、接合の信頼性が低減する
ものである。
より明らかなようにツールに加熱機構と加圧機構を合わ
せ持たせようとしているため、ツールが複雑かつ大きく
なってしまい、ツールの先端の平行度を維持するのが難
しくなるものである。ツールの先端の平行度を維持する
のが難しくなると、ICをガラスに平行にしっかりと圧
着するのがかなり難しくなり、接合の信頼性が低減する
ものである。
【0009】そこで、本発明は従来のこのような欠点を
解決し相対峙して形成された接続回路の接合の信頼性を
高くし、接合コストを低減するものである。
解決し相対峙して形成された接続回路の接合の信頼性を
高くし、接合コストを低減するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による回路の接続
構造は、相対峙して形成された接続用回路の間に接着剤
を狭持して接合する回路の接続構造において、上記接着
剤中に可視光領域の光をよく吸収する非導通性の成分を
均一に分散混入させていることを特徴とする。
構造は、相対峙して形成された接続用回路の間に接着剤
を狭持して接合する回路の接続構造において、上記接着
剤中に可視光領域の光をよく吸収する非導通性の成分を
均一に分散混入させていることを特徴とする。
【0011】
【実施例】図1は本発明による回路の接続構造を示す。
また図2は本発明においてICチップを液晶パネルに圧
着接合する様子を示す。また図3は本発明に用いている
異方導電性接着剤を示す。図1および図2および図3に
おいて、1はICチップ、2は液晶パネル、3は液晶パ
ネルの基板上に形成された電極パターン、4は導電性微
粒子を分散させた接着剤層、5は導電性微粒子、6は光
吸収剤、8はAuバンプ、9は可視光ランプ、10は圧
着ツールを示す。
また図2は本発明においてICチップを液晶パネルに圧
着接合する様子を示す。また図3は本発明に用いている
異方導電性接着剤を示す。図1および図2および図3に
おいて、1はICチップ、2は液晶パネル、3は液晶パ
ネルの基板上に形成された電極パターン、4は導電性微
粒子を分散させた接着剤層、5は導電性微粒子、6は光
吸収剤、8はAuバンプ、9は可視光ランプ、10は圧
着ツールを示す。
【0012】液晶パネルは2枚のガラス基板に液晶を挟
持した構造になっている。各基板の各々対向する面には
液晶を駆動するXライン、Yラインが多数平行して配さ
れている。アクティブマトリクスパネルの場合は上記ラ
インにTFTやMIMなどのアクティブ素子が多数接続
されている。上記2枚の基板の重ね合わせ部の外側には
どちらか1枚の基板が延長して構成され、上記2枚の基
板の重ね合わせ部のすぐ外側には、上記ラインの端末部
が配されている。上記基板の延長部には、液晶を駆動す
るICチップがフェイスダウンによって搭載されてお
り、上記ICチップの出力電極と上記ラインの端末部と
は疑似放射状に上記基板延長上に電極パターンが形成さ
れている。
持した構造になっている。各基板の各々対向する面には
液晶を駆動するXライン、Yラインが多数平行して配さ
れている。アクティブマトリクスパネルの場合は上記ラ
インにTFTやMIMなどのアクティブ素子が多数接続
されている。上記2枚の基板の重ね合わせ部の外側には
どちらか1枚の基板が延長して構成され、上記2枚の基
板の重ね合わせ部のすぐ外側には、上記ラインの端末部
が配されている。上記基板の延長部には、液晶を駆動す
るICチップがフェイスダウンによって搭載されてお
り、上記ICチップの出力電極と上記ラインの端末部と
は疑似放射状に上記基板延長上に電極パターンが形成さ
れている。
【0013】まず図3にしめす本発明による回路の接続
構造にもちいる異方導電性接着剤について説明する。一
般の異方導電性接着剤は接着剤層に導電性微粒子を均一
に分散させている。接着剤としてはエポキシ等の完全熱
硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、その中間の半熱硬化性
接着剤等がある。また導電性微粒子としては半田粒子、
ニッケル粒子、プラスチックに金属メッキを施した粒子
等がある。本発明においてはこれに可視光領域において
光吸収度が基礎となる接着剤層より5倍以上大きい波長
が存在する光吸収性の微粒子が接着剤層中に均一に分散
されている。
構造にもちいる異方導電性接着剤について説明する。一
般の異方導電性接着剤は接着剤層に導電性微粒子を均一
に分散させている。接着剤としてはエポキシ等の完全熱
硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、その中間の半熱硬化性
接着剤等がある。また導電性微粒子としては半田粒子、
ニッケル粒子、プラスチックに金属メッキを施した粒子
等がある。本発明においてはこれに可視光領域において
光吸収度が基礎となる接着剤層より5倍以上大きい波長
が存在する光吸収性の微粒子が接着剤層中に均一に分散
されている。
【0014】この様な異方導電性接着剤がICチップと
液晶パネルガラスとの間に挟持されてICチップの裏面
から圧着ツールが押しつけられ、液晶パネルガラスの裏
面から強い可視光が照射されて異方導電性接着剤が加熱
硬化しICチップが液晶パネルガラスに接合する。この
様なICチップを液晶パネルガラスに接合する様子を示
すものが図2である。上記に説明するように異方導電性
接着剤には光吸収性の微粒子が混在分散されているた
め、透明な液晶パネルのガラスの裏面から可視光の光が
照射されると異方導電性接着剤はよくこの光を吸収し異
方導電性接着剤自身が高温に加熱される。
液晶パネルガラスとの間に挟持されてICチップの裏面
から圧着ツールが押しつけられ、液晶パネルガラスの裏
面から強い可視光が照射されて異方導電性接着剤が加熱
硬化しICチップが液晶パネルガラスに接合する。この
様なICチップを液晶パネルガラスに接合する様子を示
すものが図2である。上記に説明するように異方導電性
接着剤には光吸収性の微粒子が混在分散されているた
め、透明な液晶パネルのガラスの裏面から可視光の光が
照射されると異方導電性接着剤はよくこの光を吸収し異
方導電性接着剤自身が高温に加熱される。
【0015】この様にしてICチップと液晶パネルガラ
スを異方導電性接着剤にて接合したものが図1にしめす
本発明による回路の接続構造である。図1より明らかな
ようにICチップはフェイスダウンにて液晶パネルのガ
ラスの上に異方導電性接着剤を介して登載されており、
異方導電性接着剤には黒あるいは濃い有色の顔料、染料
あるいはその他の可視光領域の光をよく吸収する物質が
混入されており、上述するように液晶パネルのガラスの
裏面から可視光の光を照射して上記異方導電性接着剤を
加熱硬化するため上記接着剤中の可視光領域の光をよく
吸収する物質がよく光を吸収して接着剤の温度を効率良
く高めるため接着剤の硬化が効率よく進行し、接合の作
業時間を短縮して接合工数を低減し、接合M/Cの生産
性を向上させ、M/Cの消却コストを低減し、製造コス
トを低減する効果がある。
スを異方導電性接着剤にて接合したものが図1にしめす
本発明による回路の接続構造である。図1より明らかな
ようにICチップはフェイスダウンにて液晶パネルのガ
ラスの上に異方導電性接着剤を介して登載されており、
異方導電性接着剤には黒あるいは濃い有色の顔料、染料
あるいはその他の可視光領域の光をよく吸収する物質が
混入されており、上述するように液晶パネルのガラスの
裏面から可視光の光を照射して上記異方導電性接着剤を
加熱硬化するため上記接着剤中の可視光領域の光をよく
吸収する物質がよく光を吸収して接着剤の温度を効率良
く高めるため接着剤の硬化が効率よく進行し、接合の作
業時間を短縮して接合工数を低減し、接合M/Cの生産
性を向上させ、M/Cの消却コストを低減し、製造コス
トを低減する効果がある。
【0016】さらに本発明においてはICと液晶パネル
ガラスに挟持される異方導電性接着剤中に可視光領域の
光をよく吸収する物質が混入されており、上述するよう
に液晶パネルのガラスの裏面から可視光の光を照射して
上記異方導電性接着剤を加熱硬化するため上記接着剤中
の可視光領域の光をよく吸収する物質がよく光を吸収し
て接着剤自身が効率よく温度上昇するためIC下の接着
剤の温度ばらつきが均一となるため、光照射による硬化
後の接着剤の硬化度合のばらつきが極めてすなくなり、
IC下面の接着剤の硬化度合のばらつきが小さくなる。
すると、部分的に接着強度が弱いところもなくなる。従
って、接続信頼性を大幅に向上する事が出来るものであ
る。特に、ICコーナー部はもともと接合による残留応
力が大きいところであり、この様に、残留応力の大きい
ところに光が充分照射され接着剤の硬化進度が他の所に
引けをとらずに充分であると信頼性がますます向上する
こととなる。
ガラスに挟持される異方導電性接着剤中に可視光領域の
光をよく吸収する物質が混入されており、上述するよう
に液晶パネルのガラスの裏面から可視光の光を照射して
上記異方導電性接着剤を加熱硬化するため上記接着剤中
の可視光領域の光をよく吸収する物質がよく光を吸収し
て接着剤自身が効率よく温度上昇するためIC下の接着
剤の温度ばらつきが均一となるため、光照射による硬化
後の接着剤の硬化度合のばらつきが極めてすなくなり、
IC下面の接着剤の硬化度合のばらつきが小さくなる。
すると、部分的に接着強度が弱いところもなくなる。従
って、接続信頼性を大幅に向上する事が出来るものであ
る。特に、ICコーナー部はもともと接合による残留応
力が大きいところであり、この様に、残留応力の大きい
ところに光が充分照射され接着剤の硬化進度が他の所に
引けをとらずに充分であると信頼性がますます向上する
こととなる。
【0017】また、本発明において、IC下面の温度が
均一になるとIC下面において異常に高温になるところ
もなくなり、その結果ICが破壊されることもなくなる
ものである。
均一になるとIC下面において異常に高温になるところ
もなくなり、その結果ICが破壊されることもなくなる
ものである。
【0018】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、ICチッ
プと液晶パネルの電極を接着剤シートを狭持して接合す
る回路の接続構造において、IC下面全域の接着剤の硬
化進度を均一にし、接合の信頼性を向上させ、ICの破
壊を防止し、ICの液晶パネルガラスへの接続工数を低
減するする効果がある。
プと液晶パネルの電極を接着剤シートを狭持して接合す
る回路の接続構造において、IC下面全域の接着剤の硬
化進度を均一にし、接合の信頼性を向上させ、ICの破
壊を防止し、ICの液晶パネルガラスへの接続工数を低
減するする効果がある。
【図1】 本発明の実施例の部分断面図。
【図2】 本発明の実施例におけるICを液晶パネルガ
ラスに接続する工程例を示す図。
ラスに接続する工程例を示す図。
【図3】 本発明の実施例における接着剤層の例を示す
図。
図。
【図4】 従来の実施例の部分断面図。
【図5】 従来の実施例におけるICを液晶パネルガラ
スに接続する工程例を示す図。
スに接続する工程例を示す図。
【符号の説明】 1,21 ICチップ 2,22 液晶パネル 3,23 液晶パネルの基板上に形成された電極パタ
ーン 4,24 導電性微粒子を分散させた接着剤層 5,25 導電性微粒子 6 光吸収剤 8,26 Auバンプ 9 可視光ランプ 10 圧着ツール 27 加熱加圧ツール 11 光
ーン 4,24 導電性微粒子を分散させた接着剤層 5,25 導電性微粒子 6 光吸収剤 8,26 Auバンプ 9 可視光ランプ 10 圧着ツール 27 加熱加圧ツール 11 光
Claims (4)
- 【請求項1】相対峙して形成された接続用回路の間に接
着剤を狭持して接合する回路の接続構造において、上記
接着剤中に可視光領域の光をよく吸収する非導通性の成
分を均一に分散混入させていることを特徴とする回路の
接続構造。 - 【請求項2】上記接着剤中に可視光領域の光をよく吸収
する成分が黒色あるいは濃い有色の微粒子であることを
特徴とする請求項1記載の回路の接続構造。 - 【請求項3】上記相対峙する接続用回路の間に挟持する
接着剤は導電性粒子を分散混入させた異方導電性の接着
剤であることを特徴とする請求項1および請求項2記載
の回路の接続構造。 - 【請求項4】上記相対峙して形成された接続用回路の一
方はガラスあるいは樹脂等の基板に液晶層を挟持してな
る液晶パネルであり、他の一方は半導体であることを特
徴とする請求項1および請求項2および請求項3記載の
回路の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27729392A JP3269136B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 液晶装置及び液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27729392A JP3269136B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 液晶装置及び液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132355A true JPH06132355A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3269136B2 JP3269136B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=17581520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27729392A Expired - Fee Related JP3269136B2 (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | 液晶装置及び液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269136B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572216B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 이방성도전필름 |
| JP2009076606A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27729392A patent/JP3269136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100572216B1 (ko) * | 1998-12-31 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 이방성도전필름 |
| JP2009076606A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3269136B2 (ja) | 2002-03-25 |
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