JPH0614453B2 - カラ−受像管 - Google Patents
カラ−受像管Info
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- JPH0614453B2 JPH0614453B2 JP58120829A JP12082983A JPH0614453B2 JP H0614453 B2 JPH0614453 B2 JP H0614453B2 JP 58120829 A JP58120829 A JP 58120829A JP 12082983 A JP12082983 A JP 12082983A JP H0614453 B2 JPH0614453 B2 JP H0614453B2
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- hole
- shadow mask
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
- H01J29/076—Shadow masks for colour television tubes characterised by the shape or distribution of beam-passing apertures
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明はドツトーインラインタイプのカラー受像管、
すなわち電子銃がインライン配列であり、かつシヤドウ
マスクの孔形状が小孔であるカラー受像管に関するもの
である。
すなわち電子銃がインライン配列であり、かつシヤドウ
マスクの孔形状が小孔であるカラー受像管に関するもの
である。
従来から知られるように、ドツトーインラインタイプの
カラー受像管におけるランデイング特性の問題点の１つ
は、特公昭５０−２１２１４号、特公昭５０−１９９０
９号に述べられているように、３本の電子ビームの螢光
スクリーン上での到達点のパターンが最稠密構造とはな
らないことである。
カラー受像管におけるランデイング特性の問題点の１つ
は、特公昭５０−２１２１４号、特公昭５０−１９９０
９号に述べられているように、３本の電子ビームの螢光
スクリーン上での到達点のパターンが最稠密構造とはな
らないことである。
具体的に述べるならば、第１図において、螢光スクリー
ン(1)の長手方向と一致した方向に電子銃あるいは電子
ビームのインライン配列があり、青，緑，赤用の電子銃
あるいは電子ビームをそれぞれBB,BG,BRとする。また、
図のように、インライン配列の方向をＸ軸、それと直交
する方向をＹ軸とする。図のＡは螢光スクリーン(1)に
対応したシヤドウマスク(2)の孔配列の一部の拡大図で
あり、その孔(2a)の最も近い孔を結んだ破線ＢがＹ軸方
向と一致している。ここで、螢光スクリーン(1)は通常
ガラスパネルに形成され、しかも、最終の受像管が真空
容器であるために、爆縮防止面より球面状に成形されて
おり、このような螢光スクリーン(1)に対向するシヤド
ウマスク(2)も球面状に形成されている。
ン(1)の長手方向と一致した方向に電子銃あるいは電子
ビームのインライン配列があり、青，緑，赤用の電子銃
あるいは電子ビームをそれぞれBB,BG,BRとする。また、
図のように、インライン配列の方向をＸ軸、それと直交
する方向をＹ軸とする。図のＡは螢光スクリーン(1)に
対応したシヤドウマスク(2)の孔配列の一部の拡大図で
あり、その孔(2a)の最も近い孔を結んだ破線ＢがＹ軸方
向と一致している。ここで、螢光スクリーン(1)は通常
ガラスパネルに形成され、しかも、最終の受像管が真空
容器であるために、爆縮防止面より球面状に成形されて
おり、このような螢光スクリーン(1)に対向するシヤド
ウマスク(2)も球面状に形成されている。
第２図はそれぞれ螢光スクリーン(1)の各場所における
シヤドウマスク（第１図）(2)の１個の孔(2a)を通つた
電子ビームのトリオＢＢ，ＢＧ，ＢＲの到達点のパター
ンの特徴を誇張して示したものである。第３図は一例と
して、第２図に示された螢光スクリーン(1)における第
１象限のコーナー部Ｃの電子ビーム到達点を拡大して示
したものである。第３図では、シヤドウマスタ(2)の孔
（２−１）（図示せず、以下同じ）により電子ビームの
トリオが作るトリオをB1，G1，R1とし、右横の孔（２−
２）によるものをB2，G2，R2としている。また、孔（２
−１）に対し右斜下の孔（２−３）によるものがB2，
G3，R3である。ここで問題はB1，G1，R1で作る破線Ｄと
B2，G2，R2で作る破線ＥとがR1とB2間で段違いになるこ
とである。この結果として、たとえば第２図に示す螢光
スクリーン(1)の右上コーナー部Ｃでは、第３図のよう
にB3とR1間の間隔が異常にせまくなる。この点がドツト
ーインラインタイプのランデイング特性の不利な点の１
つである。
シヤドウマスク（第１図）(2)の１個の孔(2a)を通つた
電子ビームのトリオＢＢ，ＢＧ，ＢＲの到達点のパター
ンの特徴を誇張して示したものである。第３図は一例と
して、第２図に示された螢光スクリーン(1)における第
１象限のコーナー部Ｃの電子ビーム到達点を拡大して示
したものである。第３図では、シヤドウマスタ(2)の孔
（２−１）（図示せず、以下同じ）により電子ビームの
トリオが作るトリオをB1，G1，R1とし、右横の孔（２−
２）によるものをB2，G2，R2としている。また、孔（２
−１）に対し右斜下の孔（２−３）によるものがB2，
G3，R3である。ここで問題はB1，G1，R1で作る破線Ｄと
B2，G2，R2で作る破線ＥとがR1とB2間で段違いになるこ
とである。この結果として、たとえば第２図に示す螢光
スクリーン(1)の右上コーナー部Ｃでは、第３図のよう
にB3とR1間の間隔が異常にせまくなる。この点がドツト
ーインラインタイプのランデイング特性の不利な点の１
つである。
第４図は、理想的な場合の第３図に相当する図である。
ここでいう最稠密構造とは、この状態を指していつてお
り、正三角形を密につめたようになつている。この場合
に最も螢光スクリーンを効果的に使用していることにな
る。すなわち、スペースフアクターが良い状態である。
ここでいう最稠密構造とは、この状態を指していつてお
り、正三角形を密につめたようになつている。この場合
に最も螢光スクリーンを効果的に使用していることにな
る。すなわち、スペースフアクターが良い状態である。
第３図に相当する歪みをなくすために、シヤドウマスク
の孔配列を第５図のようにしようというのが上記特公昭
５０−１９９０９号である。確かに上記特公昭５０−１
９９０９号の孔配列Ｆは第４図の状態に近づけることが
可能である。しかし問題は、隣同士の孔位置にＸ，Ｙ両
軸に平行な成分とは微小偏位を持たせて、シヤドウマス
クの孔パターンを製造しなければならないことであり、
第５図に示したような孔配列Ｆのパターンはシヤドウマ
スクを作る上でかなり複雑で、高価なものにならざるを
得ない。
の孔配列を第５図のようにしようというのが上記特公昭
５０−１９９０９号である。確かに上記特公昭５０−１
９９０９号の孔配列Ｆは第４図の状態に近づけることが
可能である。しかし問題は、隣同士の孔位置にＸ，Ｙ両
軸に平行な成分とは微小偏位を持たせて、シヤドウマス
クの孔パターンを製造しなければならないことであり、
第５図に示したような孔配列Ｆのパターンはシヤドウマ
スクを作る上でかなり複雑で、高価なものにならざるを
得ない。
一方、この問題のために種々の孔配列が案出されている
が、いずれも１次元（一方向のみの）の孔配列の改良で
あり、完全に問題を解消し得るものではなかった（たと
えば、特開昭５８−４８３３９号公報参照）。
が、いずれも１次元（一方向のみの）の孔配列の改良で
あり、完全に問題を解消し得るものではなかった（たと
えば、特開昭５８−４８３３９号公報参照）。
この発明は上記のような点に鑑みてなされたもので、シ
ヤドウマスクの孔配列をより効果的な２次元的な改良パ
ターンとし、螢光スクリーン上では従来の問題の最小の
間隔（第３図の例ではR1とG1，B2，B3，G3間の寸法）を
一層大きくするようになし、しかも、シヤドウマスクを
作りやすいものとし、最終的に一層効果的にランデイン
グ裕度を大きくできるカラー受像管を提供しようとする
ものである。
ヤドウマスクの孔配列をより効果的な２次元的な改良パ
ターンとし、螢光スクリーン上では従来の問題の最小の
間隔（第３図の例ではR1とG1，B2，B3，G3間の寸法）を
一層大きくするようになし、しかも、シヤドウマスクを
作りやすいものとし、最終的に一層効果的にランデイン
グ裕度を大きくできるカラー受像管を提供しようとする
ものである。
以下、この発明の一実施を図面にもとづいて説明する。
第６図はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のフ
ラツトな状態でのシヤドウマスク(2)の孔配列を示すも
のである。第２図に示した螢光スクリーン(1)の中央に
相当するマスク有孔部の中心からＹ軸方向には、ピツ
チa0で孔(2a)が穿たれている。Ｘ軸上には、中心のつ
ぎには偶数列ごとにb2Nのピツチ離れたところに孔(2a)
であり、その孔(2a)のＹ軸方向のピツチａｎはａｏより
も小さく、しかもＹ軸に平行のままである。奇数列目は
偶数列の中間上にあり、奇数列目のＹ軸方向の孔位置は
たとえば偶数列（Ｘ軸方向にＰ列目）のＭ番目とＭ＋１
番目の孔とつぎの偶数列（Ｐ＋２）のＭ番目とＭ＋１番
目の孔に囲まれた奇数列（Ｐ＋１）目の孔の高さは、上
記４個の孔位置のほぼ平均と等しくなつている。すなわ
ちＸ軸近辺の奇数列のＹ方向の１番目の孔の高さは、ほ
ぼＹ＝１／２a0の位置にある。たとえば、ｎ列目の孔の
分布を説明すると、Ｘ軸方向には の距離にあり、Ｙ軸方向には最初のＹ軸方向へのピツチ
はanであり、Ｙ軸方向のｍ個目の孔ピツチもanとなつて
いる。
ラツトな状態でのシヤドウマスク(2)の孔配列を示すも
のである。第２図に示した螢光スクリーン(1)の中央に
相当するマスク有孔部の中心からＹ軸方向には、ピツ
チa0で孔(2a)が穿たれている。Ｘ軸上には、中心のつ
ぎには偶数列ごとにb2Nのピツチ離れたところに孔(2a)
であり、その孔(2a)のＹ軸方向のピツチａｎはａｏより
も小さく、しかもＹ軸に平行のままである。奇数列目は
偶数列の中間上にあり、奇数列目のＹ軸方向の孔位置は
たとえば偶数列（Ｘ軸方向にＰ列目）のＭ番目とＭ＋１
番目の孔とつぎの偶数列（Ｐ＋２）のＭ番目とＭ＋１番
目の孔に囲まれた奇数列（Ｐ＋１）目の孔の高さは、上
記４個の孔位置のほぼ平均と等しくなつている。すなわ
ちＸ軸近辺の奇数列のＹ方向の１番目の孔の高さは、ほ
ぼＹ＝１／２a0の位置にある。たとえば、ｎ列目の孔の
分布を説明すると、Ｘ軸方向には の距離にあり、Ｙ軸方向には最初のＹ軸方向へのピツチ
はanであり、Ｙ軸方向のｍ個目の孔ピツチもanとなつて
いる。
第７図(A)の縦軸方向はＹ軸方向の孔ピツチを示してお
り、横軸はＸ軸方向のｎ個の孔位置の座標を示してい
る。たとえば、この孔の分布はＸ軸方向にｎ列目のピツ
チとして、つぎのように表わしてもよい。
り、横軸はＸ軸方向のｎ個の孔位置の座標を示してい
る。たとえば、この孔の分布はＸ軸方向にｎ列目のピツ
チとして、つぎのように表わしてもよい。
a0（１−Ｋ・n2） ただし、上式でa0は０．３６８，Ｋは７．５９×１０
−３単位はmmである。
−３単位はmmである。
第７図(B)の縦軸はＸ軸方向のピツチ、横軸はＸ軸方向
の孔位置の座標を示している。この発明のものと従来提
案されているものとはこの点が異なつている。すなわち
Ｘ軸方向についてもＸ軸方向のピツチが変えられてお
り、しかもスクリーン端に向うにつれてピツチが大きく
なるように設定されている。
の孔位置の座標を示している。この発明のものと従来提
案されているものとはこの点が異なつている。すなわち
Ｘ軸方向についてもＸ軸方向のピツチが変えられてお
り、しかもスクリーン端に向うにつれてピツチが大きく
なるように設定されている。
たとえば具体的な式としては ｂ２Ｎ＝b0（１＋Ｋｉn2） ここで、上式でb0は０．５５４，K1は３．０６×１０
−７単位はmmである。（ｎ＝７００のときｂ２Ｎ＝０．
６３７） 具体的な例で示すと、たとえば２０インチサイズでは第
８図に示すように、電子ビームのトリオB1，G1，R1のＸ
軸との傾斜は３〜６゜程度であり、一般に「電子ビーム
トリオの傾斜＞対応の螢光体トリオの傾斜」であるから
シヤドウマスクの孔配列としては３〜４゜位の傾斜が好
ましい。第７図(A)による孔配列はこの傾斜を修正し、
この発明では、Ｙ軸方向のピツチ（ＧＮ＋１とＧＮとの
間隔）をも大きくし、周辺でのより大きいスペースを確
保しようとするものである。
−７単位はmmである。（ｎ＝７００のときｂ２Ｎ＝０．
６３７） 具体的な例で示すと、たとえば２０インチサイズでは第
８図に示すように、電子ビームのトリオB1，G1，R1のＸ
軸との傾斜は３〜６゜程度であり、一般に「電子ビーム
トリオの傾斜＞対応の螢光体トリオの傾斜」であるから
シヤドウマスクの孔配列としては３〜４゜位の傾斜が好
ましい。第７図(A)による孔配列はこの傾斜を修正し、
この発明では、Ｙ軸方向のピツチ（ＧＮ＋１とＧＮとの
間隔）をも大きくし、周辺でのより大きいスペースを確
保しようとするものである。
以上の説明は、実際、シヤドウマスクを作る上で便利な
ような説明となつてしまつたので、従来のものとこの発
明のものとの差をはつきりさせるために、それを第９図
で説明する。第９図は第６図と同じような図であるが、
螢光スクリーンに相当するシヤドウマスクの中央部およ
び対角軸端部のみの孔配列が画かれている。この図から
分るように、中央にある孔からＹ方向には２×ＰY0の所
につぎの孔があり、Ｘ方向には２×ＰＸ０の距離の所に
正しくはつぎの孔があるが、シヤドウマスクを巨視的に
見た場合には、Ｘ方向にはＰX0、Ｙ方向にはＰY0の「等
価なピツチ」として見えるので、以下、「等価なピツ
チ」とは以上の説明によるものとする。したがつて第６
図の説明のピツチの半分が「等価なピツチ」である。同
じように、周辺でもＰXE，ＰYEを図のように定義してお
く。ただし、この発明の構成では、Ｙ方向には正しくＹ
軸と平行となつているのに対し、Ｘ軸方向については数
度位Ｘ軸と傾いているが、この発明の考え方とは矛盾し
ないので、ほぼＸ軸に平行と考えて差しつかえない。
ような説明となつてしまつたので、従来のものとこの発
明のものとの差をはつきりさせるために、それを第９図
で説明する。第９図は第６図と同じような図であるが、
螢光スクリーンに相当するシヤドウマスクの中央部およ
び対角軸端部のみの孔配列が画かれている。この図から
分るように、中央にある孔からＹ方向には２×ＰY0の所
につぎの孔があり、Ｘ方向には２×ＰＸ０の距離の所に
正しくはつぎの孔があるが、シヤドウマスクを巨視的に
見た場合には、Ｘ方向にはＰX0、Ｙ方向にはＰY0の「等
価なピツチ」として見えるので、以下、「等価なピツ
チ」とは以上の説明によるものとする。したがつて第６
図の説明のピツチの半分が「等価なピツチ」である。同
じように、周辺でもＰXE，ＰYEを図のように定義してお
く。ただし、この発明の構成では、Ｙ方向には正しくＹ
軸と平行となつているのに対し、Ｘ軸方向については数
度位Ｘ軸と傾いているが、この発明の考え方とは矛盾し
ないので、ほぼＸ軸に平行と考えて差しつかえない。
ところで、この発明の実施例で使用しているシャドウマ
スクの孔配列は、この発明者により別に提案済みの式
および式に式を導入した点にある。
スクの孔配列は、この発明者により別に提案済みの式
および式に式を導入した点にある。
これらの式の内式はビームトリオの傾斜を修正するも
のである。この式の右辺はＹ軸方向の孔配列の等価ピ
ツチをＹ軸から遠ざかるに従って徐々に小さくするため
の条件であり、左辺は、ピツチを小さくすることによる
明るさの減少とシャドウマスクのむらの発生を考慮する
と、対角軸端部のＹ軸方向のピツチＰYEを中央部のＹ軸
方向のピッチＰYOより２５μｍ小さくするのが限度であ
ることを示している。また、式はＸ軸方向の最短距離
を長くしたいとの主旨によるものである。
のである。この式の右辺はＹ軸方向の孔配列の等価ピ
ツチをＹ軸から遠ざかるに従って徐々に小さくするため
の条件であり、左辺は、ピツチを小さくすることによる
明るさの減少とシャドウマスクのむらの発生を考慮する
と、対角軸端部のＹ軸方向のピツチＰYEを中央部のＹ軸
方向のピッチＰYOより２５μｍ小さくするのが限度であ
ることを示している。また、式はＸ軸方向の最短距離
を長くしたいとの主旨によるものである。
この発明による式の導入はつぎの意味をもつている。
すなわち、従来、高解像度受像管（以下ＨＲＣＲＴと称
する）は、高解像度として電子ビームの細いことおよび
シヤドウマスクのピツチの小さいことが要求される。一
方、シヤドウマスクについてさらに詳述すると、第９図
のセンターで説明すると、従来から行われていたシヤド
ウマスクは、孔配列として最稠密構造を取つていたた
め、隣の孔との関係は正三角形となつていた。すなわ
ち、 となつていた。一方、ＨＲＣＲＴの解像度としては、Ｘ
軸方向が低かつたために、設計上はＰX0が実質の解像力
として考えられてきた。この発明の受像管では、この点
をも考慮した孔の分布にしようとするのがポイントであ
る。
すなわち、従来、高解像度受像管（以下ＨＲＣＲＴと称
する）は、高解像度として電子ビームの細いことおよび
シヤドウマスクのピツチの小さいことが要求される。一
方、シヤドウマスクについてさらに詳述すると、第９図
のセンターで説明すると、従来から行われていたシヤド
ウマスクは、孔配列として最稠密構造を取つていたた
め、隣の孔との関係は正三角形となつていた。すなわ
ち、 となつていた。一方、ＨＲＣＲＴの解像度としては、Ｘ
軸方向が低かつたために、設計上はＰX0が実質の解像力
として考えられてきた。この発明の受像管では、この点
をも考慮した孔の分布にしようとするのがポイントであ
る。
すなわち、従来の設計では すなわちセンターでは正三角形がベースであつたが本マ
スクでは、従来では垂直(Y)方向に解像度の点で余裕が
あつたため、この余裕は色純度の裕度へ回そうとするも
のである。色純度は一番マージンの少ない所でその性能
が決まってしまう。そこで、対角軸端部の垂直方向の色
純度マージンの少ないのを大きくするために、中央付近
のＹ軸方向の解像度の余裕を色純度の裕度に回して中央
付近のＹ軸方向の孔ピツチを大きくし、式の左辺のよ
うに とし、また、文字などの構成を考えたときに極端にスク
リーン上の場所で違った見え方を避けるために、ＰYOの
限度は式の右辺のＰYO≦ＰX0×１．２とするものであ
る。
スクでは、従来では垂直(Y)方向に解像度の点で余裕が
あつたため、この余裕は色純度の裕度へ回そうとするも
のである。色純度は一番マージンの少ない所でその性能
が決まってしまう。そこで、対角軸端部の垂直方向の色
純度マージンの少ないのを大きくするために、中央付近
のＹ軸方向の解像度の余裕を色純度の裕度に回して中央
付近のＹ軸方向の孔ピツチを大きくし、式の左辺のよ
うに とし、また、文字などの構成を考えたときに極端にスク
リーン上の場所で違った見え方を避けるために、ＰYOの
限度は式の右辺のＰYO≦ＰX0×１．２とするものであ
る。
第１０図は上記説明を模式的に画いたもので、(A)は従
来の、(B)はこの発明の場合のピツチの分布を説明する
図である。縦軸はピツチの絶対値で、横軸はセンターか
らの距離を示す。実際には、第７図のごとく階段状にな
つているが曲線で示している。(A)図ではセンターで であり、ＰYEはさらに小さくなつている。一方、この発
明の一実施例（Ｂ）の場合には、 とすることによって、対角軸端部およびＸ軸方向周辺部
での等価ピッチＰYEをより大きくし、Ｙ軸方向（垂直軸
方向）のランディング余裕が得られるようになってい
る。
来の、(B)はこの発明の場合のピツチの分布を説明する
図である。縦軸はピツチの絶対値で、横軸はセンターか
らの距離を示す。実際には、第７図のごとく階段状にな
つているが曲線で示している。(A)図ではセンターで であり、ＰYEはさらに小さくなつている。一方、この発
明の一実施例（Ｂ）の場合には、 とすることによって、対角軸端部およびＸ軸方向周辺部
での等価ピッチＰYEをより大きくし、Ｙ軸方向（垂直軸
方向）のランディング余裕が得られるようになってい
る。
第１１図(A)は第８図の傾斜を修正することによる第３
図のB3−R1の間隔寸法がどの程度修正されたかを説明す
るためのものである。同図において、縦軸は修正される
寸法（μｍ）、横軸はシャドウマスクの孔による電子ビ
ームＢ，Ｇ，Ｒのスクリーン上での到達点とＣＲＴのＸ
軸とが成している角度、即ち、修正する角度を示してい
る。例えば、２０インチサイズのＣＲＴでは、電子ビー
ムのトリオＢ，Ｇ，ＲのＸ軸との成す角度は３〜６゜程
度であるので、傾斜角度を３゜修正するような仕様では
第１１図（Ａ）から明らかなように電子ビーム間の最狭
寸法Ｂ３−Ｒ１（第３図）は１５μｍ大きくできる。
図のB3−R1の間隔寸法がどの程度修正されたかを説明す
るためのものである。同図において、縦軸は修正される
寸法（μｍ）、横軸はシャドウマスクの孔による電子ビ
ームＢ，Ｇ，Ｒのスクリーン上での到達点とＣＲＴのＸ
軸とが成している角度、即ち、修正する角度を示してい
る。例えば、２０インチサイズのＣＲＴでは、電子ビー
ムのトリオＢ，Ｇ，ＲのＸ軸との成す角度は３〜６゜程
度であるので、傾斜角度を３゜修正するような仕様では
第１１図（Ａ）から明らかなように電子ビーム間の最狭
寸法Ｂ３−Ｒ１（第３図）は１５μｍ大きくできる。
第１１図(B)は第７図(B)のＸ軸方向のピツチの変更によ
るスペースフアクターの改良を説明するためおよびこの
発明の効果を説明するものである。同図において、縦軸
は最小寸法が大きくなる割合(%)、横軸はピツチの大き
くなる割合(%)である。この図から明らかなように改良
される割合は１：１で、ピツチに比例する。たとえばセ
ンターのピツチが であり、周辺でのピツチが すなわち１５％ピツチを大きくした場合横方向について
１５％有利であり、隣接するものとの寸法関係について
も約４％（実際の寸法で約７μｍ）有利となる。
るスペースフアクターの改良を説明するためおよびこの
発明の効果を説明するものである。同図において、縦軸
は最小寸法が大きくなる割合(%)、横軸はピツチの大き
くなる割合(%)である。この図から明らかなように改良
される割合は１：１で、ピツチに比例する。たとえばセ
ンターのピツチが であり、周辺でのピツチが すなわち１５％ピツチを大きくした場合横方向について
１５％有利であり、隣接するものとの寸法関係について
も約４％（実際の寸法で約７μｍ）有利となる。
この発明の場合には、さらに中央部のＹ軸方向のピッチ
も大きくしているので、例えば第６図の例で２０インチ
サイズのＣＲＴでは従来ａ０＝０．３０２／２であった
ものをａ０＝０．３６８／２とすることによって、対角
軸端部における電子ビームドットの最隣接間隔Ｂ３−Ｒ
１を１５％大きくでき、寸法でいえば、約２０μｍの改
良になる。
も大きくしているので、例えば第６図の例で２０インチ
サイズのＣＲＴでは従来ａ０＝０．３０２／２であった
ものをａ０＝０．３６８／２とすることによって、対角
軸端部における電子ビームドットの最隣接間隔Ｂ３−Ｒ
１を１５％大きくでき、寸法でいえば、約２０μｍの改
良になる。
このような大きな改良がなし得る理由は、従来Ｙ方向に
は解像度の点で余裕があり過ぎたのを中央部で犠牲を払
い周辺の改良も振り分けたため、および輝度の設計がＨ
ＲＣＲＴではテレビ用受像管と異なり、周辺の輝度の方
の重要性が高くなるため、中央部での犠牲という考え方
が成り立つものである。
は解像度の点で余裕があり過ぎたのを中央部で犠牲を払
い周辺の改良も振り分けたため、および輝度の設計がＨ
ＲＣＲＴではテレビ用受像管と異なり、周辺の輝度の方
の重要性が高くなるため、中央部での犠牲という考え方
が成り立つものである。
また、Ｙ方向のピツチを大きくすることは、シヤドウマ
スクのピツチと走査時の電子ビーム間隔との干渉すなわ
ち“モアレ”の点で不利であるが、一般にＨＲＣＲＴの
ピツチは電子ビーム間隔とは約１／２のオーダーで、実
際には軽微であり、今議論のオーダーでは無視できるも
のである。
スクのピツチと走査時の電子ビーム間隔との干渉すなわ
ち“モアレ”の点で不利であるが、一般にＨＲＣＲＴの
ピツチは電子ビーム間隔とは約１／２のオーダーで、実
際には軽微であり、今議論のオーダーでは無視できるも
のである。
この発明は以上の説明のような構造となつているため
に、第５図と比較した場合には、第５図のパターンがＹ
軸方向には「バレル」、Ｘ軸方向には「ピンクツシヨ
ン」で形成されていたのに対して、この発明の場合には
Ｙ軸方向にのみ「バレル」のパターンであり、しかもＸ
軸方向にはＹ軸と平行で、かつ、Ｙ軸方向に等ピッチの
孔配列となつている。したがつて、シヤドウマスクの孔
配列が作りやすく、ひいてはシヤドウマスクの値段のコ
スト上昇分を極力抑えることができる。
に、第５図と比較した場合には、第５図のパターンがＹ
軸方向には「バレル」、Ｘ軸方向には「ピンクツシヨ
ン」で形成されていたのに対して、この発明の場合には
Ｙ軸方向にのみ「バレル」のパターンであり、しかもＸ
軸方向にはＹ軸と平行で、かつ、Ｙ軸方向に等ピッチの
孔配列となつている。したがつて、シヤドウマスクの孔
配列が作りやすく、ひいてはシヤドウマスクの値段のコ
スト上昇分を極力抑えることができる。
しかも、対角軸端部における電子ビームのチルト現象を
補正したうえで、さらに、シャドウマスク中央部でのＹ
軸方向の等価ピッチＰYOを、 （ＰXO：Ｘ軸方向の等価ピッチ）よりも大きくしたか
ら、第１０図（Ｂ）のように、シャドウマスクの対角軸
端部からＸ軸方向周辺部でのＹ軸方向の等価ピッチＰYE
が従来（第１０図（Ａ））に比べて大きくなり、これに
より、上記対角軸端部を含めた周辺部の垂直方向（Ｙ軸
方向）のランディング（色純度）裕度をも大きくできる
ので、この結果、螢光体ドットを大きくして、画面全体
の輝度を向上するとともに、特に対角軸端を含めたＸ軸
方向の周辺部の輝度を向上して輝度のバランスを良好に
できる。
補正したうえで、さらに、シャドウマスク中央部でのＹ
軸方向の等価ピッチＰYOを、 （ＰXO：Ｘ軸方向の等価ピッチ）よりも大きくしたか
ら、第１０図（Ｂ）のように、シャドウマスクの対角軸
端部からＸ軸方向周辺部でのＹ軸方向の等価ピッチＰYE
が従来（第１０図（Ａ））に比べて大きくなり、これに
より、上記対角軸端部を含めた周辺部の垂直方向（Ｙ軸
方向）のランディング（色純度）裕度をも大きくできる
ので、この結果、螢光体ドットを大きくして、画面全体
の輝度を向上するとともに、特に対角軸端を含めたＸ軸
方向の周辺部の輝度を向上して輝度のバランスを良好に
できる。
ここで、上記等価ピッチＰYOを よりも大きくすると、周知のように、シャドウマスク中
央部の孔配列が、最稠密構造（正三角形）ではなく、Ｙ
軸方向に縦長の三角形となるため、垂直解像度が若干低
下するという問題はあるが、この発明では、垂直解像度
よりもランディング裕度の確保を重視した点に特徴があ
る。
央部の孔配列が、最稠密構造（正三角形）ではなく、Ｙ
軸方向に縦長の三角形となるため、垂直解像度が若干低
下するという問題はあるが、この発明では、垂直解像度
よりもランディング裕度の確保を重視した点に特徴があ
る。
つまり、ディスプレイ用のカラー受像管では、一般に、
シャドウマスクの中央部ではＹ軸方向に解像度の余裕
があり過ぎること、シャドウマスクの孔配列がＹ軸方
向にバレルである場合、対角軸端部を含めた周辺部の垂
直方向の孔ピッチが小さくなり、この周辺部のランディ
ング裕度が小さくなるので、輝度の低下は免れることが
できない致命的なものである、という二つの特性を有し
ている。
シャドウマスクの中央部ではＹ軸方向に解像度の余裕
があり過ぎること、シャドウマスクの孔配列がＹ軸方
向にバレルである場合、対角軸端部を含めた周辺部の垂
直方向の孔ピッチが小さくなり、この周辺部のランディ
ング裕度が小さくなるので、輝度の低下は免れることが
できない致命的なものである、という二つの特性を有し
ている。
したがって、垂直解像度を若干犠牲にしてでも、周辺部
のランディング裕度を大きくする方が、カラー受像管の
致命的な欠陥を減らす点で極めて有利となる。
のランディング裕度を大きくする方が、カラー受像管の
致命的な欠陥を減らす点で極めて有利となる。
さらに、この発明のカラー受像管は、キヤラクター、グ
ラフなどを映出するのに使用されることが多いが、この
ような場合、Ｙ軸方向については通常ピツチの公差で±
２５μｍ程度（５０μｍの差）が限度である。さらに前
述したようにＸ軸方向のピツチとの関係では２０％増が
限度である。また、Ｘ軸方向についてはセンターに比べ
て２０％増までが限度である。たとえば最稠密構造でＹ
軸方向が０．３００であるとき、Ｘ軸方向については約
０．５２mmがピツチであり、センターでこの値に選んだ
時周辺で２０％増、すなわち約０．６２が実用上の限度
値であることもわかつた。ピツチが０．３００mm付近の
高解像度受像管において、本発明の実施例のごとく約２
０μｍ程度の改良は著るしい改良を意味するもので、完
成管の状態でのランデイング裕度を大きくするだけでは
なく、螢光面作成上での歩留りも著るしく改良できるも
のである。
ラフなどを映出するのに使用されることが多いが、この
ような場合、Ｙ軸方向については通常ピツチの公差で±
２５μｍ程度（５０μｍの差）が限度である。さらに前
述したようにＸ軸方向のピツチとの関係では２０％増が
限度である。また、Ｘ軸方向についてはセンターに比べ
て２０％増までが限度である。たとえば最稠密構造でＹ
軸方向が０．３００であるとき、Ｘ軸方向については約
０．５２mmがピツチであり、センターでこの値に選んだ
時周辺で２０％増、すなわち約０．６２が実用上の限度
値であることもわかつた。ピツチが０．３００mm付近の
高解像度受像管において、本発明の実施例のごとく約２
０μｍ程度の改良は著るしい改良を意味するもので、完
成管の状態でのランデイング裕度を大きくするだけでは
なく、螢光面作成上での歩留りも著るしく改良できるも
のである。
なお、上記孔パターンの説明はフラツトマスクで説明し
たが、実際にはドーム状に成形し、その後、電子ビーム
との関連を調べ、フラツトマスクにその結果をフイード
バツクしているので、フラツトマスクで議論するのがよ
り実際的である。
たが、実際にはドーム状に成形し、その後、電子ビーム
との関連を調べ、フラツトマスクにその結果をフイード
バツクしているので、フラツトマスクで議論するのがよ
り実際的である。
この発明を要約すると、電子銃のインライン配列の方向
をＸ軸とし、それと螢光スクリーンのほぼ中央を含む直
角は方向をＹ軸とし、シヤドウマスクの孔配列で作り得
るＸ軸，Ｙ軸それぞれにほぼ平行な仮想線を引いたとき
の線間の最小ピツチを等価なピツチと定義したときに、
フラツトな状態でのシヤドウマスクの孔配列がＹ軸方向
については常にＹ軸に平行、かつ、等ピッチであり、対
角軸端でのＹ軸と平行の等価ピツチがPYE、Ｘ軸にほぼ
平行な等価ピツチがPXEであり、センターでのＹ軸及び
Ｘ軸方向の等価ピツチPYO，PXOに比べて PYO−５０／２（μｍ）≦PYE＜PYO … であり、しかも、上記Ｙ軸方向の等価ピツチは、Ｙ軸か
ら遠ざかるに従つてＰYOからＰYEへと徐々に小さくなつ
ている。また、Ｘ軸方向のピツチについては、任意のＸ
＝Ｘで、PXO＜PXE≦PXO×１．２ …とし更にＸ，Ｙ
軸方向ピツチの関係が としたフラツトマスクを構成し、このフラツトマスクを
曲面状のシヤドウマスクに形成しなことである。
をＸ軸とし、それと螢光スクリーンのほぼ中央を含む直
角は方向をＹ軸とし、シヤドウマスクの孔配列で作り得
るＸ軸，Ｙ軸それぞれにほぼ平行な仮想線を引いたとき
の線間の最小ピツチを等価なピツチと定義したときに、
フラツトな状態でのシヤドウマスクの孔配列がＹ軸方向
については常にＹ軸に平行、かつ、等ピッチであり、対
角軸端でのＹ軸と平行の等価ピツチがPYE、Ｘ軸にほぼ
平行な等価ピツチがPXEであり、センターでのＹ軸及び
Ｘ軸方向の等価ピツチPYO，PXOに比べて PYO−５０／２（μｍ）≦PYE＜PYO … であり、しかも、上記Ｙ軸方向の等価ピツチは、Ｙ軸か
ら遠ざかるに従つてＰYOからＰYEへと徐々に小さくなつ
ている。また、Ｘ軸方向のピツチについては、任意のＸ
＝Ｘで、PXO＜PXE≦PXO×１．２ …とし更にＸ，Ｙ
軸方向ピツチの関係が としたフラツトマスクを構成し、このフラツトマスクを
曲面状のシヤドウマスクに形成しなことである。
以上のように、この発明によれば、シャドウマスクの孔
配列のパターンがＹ軸方向にバレルでＸ軸方向にはＹ軸
と平行、かつ、等ピッチであるので、孔配列の作製が容
易であるとともに、対角軸端部におけるチルト現象を補
正することができ、さらに、シャドウマスク中央部での
Ｙ軸方向の等価ピッチＰYOと、Ｘ軸方向の等価ピッチＰ
XOとの関係を、 としたので、シャドウマスクの対角軸端部からＸ軸方向
周辺部でのＹ軸方向の等価ピッチＰYEが大きくなり、こ
れにより、上記対角軸端部を含めた周辺部の垂直方向
（Ｙ軸方向）のランディング（色純度）裕度をも大きく
できるので、この結果、螢光体ドットを大きくして、画
面全体の輝度の向上するとともに、特に対角軸端を含め
たＸ軸方向の周辺部の輝度を向上した輝度のバランスが
とれたカラー受像管を提供できる。
配列のパターンがＹ軸方向にバレルでＸ軸方向にはＹ軸
と平行、かつ、等ピッチであるので、孔配列の作製が容
易であるとともに、対角軸端部におけるチルト現象を補
正することができ、さらに、シャドウマスク中央部での
Ｙ軸方向の等価ピッチＰYOと、Ｘ軸方向の等価ピッチＰ
XOとの関係を、 としたので、シャドウマスクの対角軸端部からＸ軸方向
周辺部でのＹ軸方向の等価ピッチＰYEが大きくなり、こ
れにより、上記対角軸端部を含めた周辺部の垂直方向
（Ｙ軸方向）のランディング（色純度）裕度をも大きく
できるので、この結果、螢光体ドットを大きくして、画
面全体の輝度の向上するとともに、特に対角軸端を含め
たＸ軸方向の周辺部の輝度を向上した輝度のバランスが
とれたカラー受像管を提供できる。
第１図は電子銃のインライン配列とシヤドウマスクの孔
配列の関係とＸ，Ｙ軸とを説明する図、第２図は螢光ス
クリーン上で電子ビームが傾斜することを説明する図、
第３図は第２図の詳細を説明する図、第４図は理想的な
場合の第３図に相当する図、第５図は第３図に相当する
歪みをなくすためのシヤドウマスクの孔配列を示す図、
第６図はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のシ
ヤドウマスクの孔パターンを示す図、第７図(A)はこの
発明のＹ軸方向のピツチの変化を示す図、第７図(B)は
同Ｘ軸方向のピツチの変化を示す図、第８図は電子ビー
ムトリオの傾斜を説明する図、第９図は等価ピツチを説
明する図、第１０図はこの発明の一実施例のピツチを説
明する図、第１１図(A)，(B)はそれぞれ第７図(A)，(B)
により隣接するビームとの間隔寸法が改良された程度を
示す図である。 (1)……螢光スクリーン、ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ……電子
銃、(2)……シヤドウマスク、(2a)……孔、PXO，PYO…
…センターでのＸ，Ｙ軸方向の等価ピツチ、PXE，PYE…
…対角軸端でのＸ，Ｙ軸方向の等価ピツチ。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
配列の関係とＸ，Ｙ軸とを説明する図、第２図は螢光ス
クリーン上で電子ビームが傾斜することを説明する図、
第３図は第２図の詳細を説明する図、第４図は理想的な
場合の第３図に相当する図、第５図は第３図に相当する
歪みをなくすためのシヤドウマスクの孔配列を示す図、
第６図はこの発明の一実施例にかかるカラー受像管のシ
ヤドウマスクの孔パターンを示す図、第７図(A)はこの
発明のＹ軸方向のピツチの変化を示す図、第７図(B)は
同Ｘ軸方向のピツチの変化を示す図、第８図は電子ビー
ムトリオの傾斜を説明する図、第９図は等価ピツチを説
明する図、第１０図はこの発明の一実施例のピツチを説
明する図、第１１図(A)，(B)はそれぞれ第７図(A)，(B)
により隣接するビームとの間隔寸法が改良された程度を
示す図である。 (1)……螢光スクリーン、ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ……電子
銃、(2)……シヤドウマスク、(2a)……孔、PXO，PYO…
…センターでのＸ，Ｙ軸方向の等価ピツチ、PXE，PYE…
…対角軸端でのＸ，Ｙ軸方向の等価ピツチ。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−34640（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−48339（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−100338（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−41648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−194330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−194331（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−74756（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】電子銃のインライン配列の方向をＸ軸と
し、それと螢光スクリーン配列のほぼ中央を含む直角な
方向をＹ軸とし、シャドウマスクの孔配列で作り得るＸ
軸、Ｙ軸それぞれにほぼ平行な仮想線を引いたときの線
間の最小ピッチを等価なピッチと定義し、螢光スクリー
ンの中央部に相当するシャドウマスクの中央部でのＸ軸
方向の等価なピッチをＰXO、Ｙ軸方向の等価なピッチを
ＰYOとし、上記シャドウマスクの対角軸端での、Ｘ軸方
向にほぼ平行の等価なピッチをＰXE、Ｙ軸と平行の等価
なピッチをＰYEとしたときに、 フラットな状態でのシャドウマスクのＹ軸方向の孔配列
は等価ピッチが等しく常にＹ軸に平行であり、かつ、上
記Ｙ軸方向の孔配列の等価ピッチがＹ軸から遠ざかるに
従って徐々に小さくなっているとともに、 であるフラットマスクを構成し、このフラットマスクを
曲面状に形成してなるシャドウマスクを備えたことを特
徴とするカラー受像管。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120829A JPH0614453B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | カラ−受像管 |
| KR1019840002138A KR890003824B1 (ko) | 1983-06-30 | 1984-04-23 | 컬러 수상관(受像管) |
| US06/620,702 US4638212A (en) | 1983-06-30 | 1984-06-14 | Color cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120829A JPH0614453B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | カラ−受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084739A JPS6084739A (ja) | 1985-05-14 |
| JPH0614453B2 true JPH0614453B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=14795991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58120829A Expired - Lifetime JPH0614453B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | カラ−受像管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4638212A (ja) |
| JP (1) | JPH0614453B2 (ja) |
| KR (1) | KR890003824B1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691138A (en) * | 1985-03-14 | 1987-09-01 | Rca Corporation | Color picture tube having shadow mask with varied aperture column spacing |
| JPS6258548A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | インライン型カラ−ブラウン管 |
| KR0163172B1 (ko) * | 1990-12-27 | 1998-12-01 | 김정배 | 음극선관 |
| JPH0730930U (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-13 | 哲文 浜元 | 折り落し兼滑り止め用切り込み付き食用串 |
| US5841247A (en) * | 1995-11-24 | 1998-11-24 | U.S. Philips Corporation | Cathode ray tube, display system incorporating same and computer including control means for display system |
| IT1298770B1 (it) | 1998-03-20 | 2000-02-02 | Videocolor Spa | Maschera d'ombra di un cinescopio a colori,comportante una miglior spaziatura delle colonne di aperture della stessa |
| KR100545712B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-05-23 | 엘지전자 주식회사 | 칼라음극선관용 섀도우마스크 |
| KR100403703B1 (ko) | 2000-01-28 | 2003-11-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 모아레가 개선된 음극선관 |
| US6646368B2 (en) * | 2000-05-30 | 2003-11-11 | Lg Electronics Inc. | Shadow mask in color cathode ray tube |
| US6621206B2 (en) * | 2000-07-04 | 2003-09-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube |
| KR100370520B1 (ko) * | 2000-07-13 | 2003-01-30 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 칼라 브라운관 |
| KR100404578B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2003-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 칼라 음극선관용 새도우마스크 |
| KR100396625B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2003-09-02 | 엘지.필립스디스플레이(주) | 칼라음극선관 |
| KR100414498B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-01-07 | 엘지.필립스디스플레이(주) | 상하주사형 칼라음극선관 |
| EP2827136B1 (en) * | 2013-07-19 | 2020-02-26 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Switchable multi perspective detector, optics therefore and method of operating thereof |
| JP6716005B1 (ja) * | 2019-11-18 | 2020-07-01 | 西部電機株式会社 | 個別停電検出装置及び個別停電検出方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2947899A (en) * | 1958-01-23 | 1960-08-02 | Zenith Radio Corp | Color image reproducers |
| US3721853A (en) * | 1971-12-01 | 1973-03-20 | Sony Corp | Shadow mask having apertures at intersections of barrel-shaped and pincushion shaped lines |
| DE2328024C3 (de) * | 1973-06-01 | 1975-11-13 | Aeg-Elotherm Gmbh, 5630 Remscheid | Mittelfrequenz-Leistungstransformator mit einer zur starren Verbindung mit einem kühlmitteldurchflossenen Induktor geeigneten Sekundärwicklung |
| JPS5019909A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-03 | ||
| JPS5039971A (ja) * | 1973-08-13 | 1975-04-12 | ||
| US4162421A (en) * | 1975-03-19 | 1979-07-24 | Rca Corporation | Cathode ray tube having corrugated shadow mask with slits |
| US4136300A (en) * | 1975-03-19 | 1979-01-23 | Rca Corporation | Cathode ray tube having improved shadow mask |
| JPS5641648A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Cathode ray tube |
| US4370591A (en) * | 1979-09-14 | 1983-01-25 | Hitachi, Ltd. | Color picture tube shadow mask |
| JPS5671256A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Shadow mask cathode-ray tube |
| JPS5734640A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Nec Corp | Color cathode-ray tube |
| JPS5848339A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | カラ−受像管 |
| JPS58100338A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | シヤドウマスク式カラ−ブラウン管 |
| JPS58157039A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | シヤドウマスク式カラ−陰極線管 |
| JPS59194330A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-05 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58120829A patent/JPH0614453B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-04-23 KR KR1019840002138A patent/KR890003824B1/ko not_active Expired
- 1984-06-14 US US06/620,702 patent/US4638212A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890003824B1 (ko) | 1989-10-05 |
| KR850000770A (ko) | 1985-03-09 |
| JPS6084739A (ja) | 1985-05-14 |
| US4638212A (en) | 1987-01-20 |
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