JPH06167802A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06167802A JPH06167802A JP31986892A JP31986892A JPH06167802A JP H06167802 A JPH06167802 A JP H06167802A JP 31986892 A JP31986892 A JP 31986892A JP 31986892 A JP31986892 A JP 31986892A JP H06167802 A JPH06167802 A JP H06167802A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- polycrystalline silicon
- glass substrate
- mask
- shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地としてのガラス基板に対して容易に高選
択比でシフターパターンの形成が可能な位相シフトマス
クの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に形成されたマスクパターン
１１上に多結晶シリコンを堆積させて多結晶シリコン膜
１２を形成し、この多結晶シリコン膜１２に基板１に対
して選択比的にエッチングを行い所望の多結晶シリコン
のパターン１４を形成し、この多結晶シリコンのパター
ン１４を酸化することによりシフターパターン１５を形
成する。
択比でシフターパターンの形成が可能な位相シフトマス
クの製造方法を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に形成されたマスクパターン
１１上に多結晶シリコンを堆積させて多結晶シリコン膜
１２を形成し、この多結晶シリコン膜１２に基板１に対
して選択比的にエッチングを行い所望の多結晶シリコン
のパターン１４を形成し、この多結晶シリコンのパター
ン１４を酸化することによりシフターパターン１５を形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、位相シフトマスクに
おける位相シフターマスクを形成するための製造方法に
関するものである。
おける位相シフターマスクを形成するための製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の位相シフトマスクは、図
３に示すような工程を経て製造されている。以下、図に
基づいて従来の位相シフトマスクの製造方法について説
明する。まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板１
上にシフターパターン形成用のストッパ材料２としてシ
リコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）を形成し、その上から例え
ばＣｒ膜等のマスクパターン材料３を形成する。次に、
図３（Ｂ）に示すようにマスクパターンを形成するため
のフォトレジストパターン４を、マスクパターン材料３
の上に所望のパターンで形成する。
３に示すような工程を経て製造されている。以下、図に
基づいて従来の位相シフトマスクの製造方法について説
明する。まず、図３（Ａ）に示すように、ガラス基板１
上にシフターパターン形成用のストッパ材料２としてシ
リコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）を形成し、その上から例え
ばＣｒ膜等のマスクパターン材料３を形成する。次に、
図３（Ｂ）に示すようにマスクパターンを形成するため
のフォトレジストパターン４を、マスクパターン材料３
の上に所望のパターンで形成する。
【０００３】そして、このフォトレジストパターン４を
マスクとしてストッパ材料２にエッチングを行った後、
フォトレジストパターン４をアッシング（灰化処理）に
より除去して、図３（Ｃ）に示すようにマスクパターン
５を形成する。次いで、図３（Ｄ）に示すようにマスク
パターン５上に、例えば無機塗布膜（ＳＯＧ膜）等でな
るシフタ材料６を形成する。その後、図３（Ｅ）に示す
ようにこのシフタ材料６上に、フォトレジストパターン
７をシフタ材料加工用マスクとして形成する。そして、
このフォトレジストパターン７をマスクとしてシフタ材
料６を、ガラス基板１に対してストッパ材料２により高
選択比的にエッチング加工し、最後に、フォトレジスト
パターン７を除去することにより、図３（Ｆ）に示すよ
うにシフターパターン８が形成され位相シフトマスクの
製造工程は終了する。
マスクとしてストッパ材料２にエッチングを行った後、
フォトレジストパターン４をアッシング（灰化処理）に
より除去して、図３（Ｃ）に示すようにマスクパターン
５を形成する。次いで、図３（Ｄ）に示すようにマスク
パターン５上に、例えば無機塗布膜（ＳＯＧ膜）等でな
るシフタ材料６を形成する。その後、図３（Ｅ）に示す
ようにこのシフタ材料６上に、フォトレジストパターン
７をシフタ材料加工用マスクとして形成する。そして、
このフォトレジストパターン７をマスクとしてシフタ材
料６を、ガラス基板１に対してストッパ材料２により高
選択比的にエッチング加工し、最後に、フォトレジスト
パターン７を除去することにより、図３（Ｆ）に示すよ
うにシフターパターン８が形成され位相シフトマスクの
製造工程は終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クの製造方法は以上のような工程を経てなされているの
で、シフターパターン８の加工時に、下地のガラス基板
１に対して高選択比性が要求されるため、ガラス基板１
上に例えばＳｉ3Ｎ4膜またはＡｌ2Ｏ3膜等のストッパ材
料２を設けなければならず、加工時の制御性が必要にな
るという問題点があった。
クの製造方法は以上のような工程を経てなされているの
で、シフターパターン８の加工時に、下地のガラス基板
１に対して高選択比性が要求されるため、ガラス基板１
上に例えばＳｉ3Ｎ4膜またはＡｌ2Ｏ3膜等のストッパ材
料２を設けなければならず、加工時の制御性が必要にな
るという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、下地としてのガラス基板に対し
て容易に高選択比でシフターパターンの形成が可能な位
相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とした
ものである。
ためになされたもので、下地としてのガラス基板に対し
て容易に高選択比でシフターパターンの形成が可能な位
相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とした
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の位相シフトマスクの製造方法は、ガラス基板上に形成
されたマスクパターン上に多結晶シリコンを堆積させて
多結晶シリコン膜を形成し、この多結晶シリコン膜に基
板に対して選択比的にエッチングを行い所望の多結晶シ
リコンのパターンを形成し、この多結晶シリコンのパタ
ーンを酸化することによりシフターパターンを形成する
ようにしたものである。
の位相シフトマスクの製造方法は、ガラス基板上に形成
されたマスクパターン上に多結晶シリコンを堆積させて
多結晶シリコン膜を形成し、この多結晶シリコン膜に基
板に対して選択比的にエッチングを行い所望の多結晶シ
リコンのパターンを形成し、この多結晶シリコンのパタ
ーンを酸化することによりシフターパターンを形成する
ようにしたものである。
【０００７】又、請求項２の位相シフトマスクの製造方
法は、ガラス基板上に形成されたマスクパターン上に所
望のフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジ
ストパターン上からガラス基板に不純物のイオンを注入
して不純物注入層を形成し、フォトレジストパターンを
アッシング処理により除去した後、不純物注入層をガラ
ス基板に対して高選択比的にエッチングすることにより
シフター反転パターンを形成するようにしたものであ
る。
法は、ガラス基板上に形成されたマスクパターン上に所
望のフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジ
ストパターン上からガラス基板に不純物のイオンを注入
して不純物注入層を形成し、フォトレジストパターンを
アッシング処理により除去した後、不純物注入層をガラ
ス基板に対して高選択比的にエッチングすることにより
シフター反転パターンを形成するようにしたものであ
る。
【０００８】
【作用】この発明の請求項１におけるガラス基板上に堆
積された多結晶シリコン膜は、ガラス基板に対して高選
択比的にエッチングされシフターパターンを形成し、
又、請求項２におけるガラス基板に不純物のイオンを注
入して形成された不純物注入層は、ガラス基板に対して
高選択比的にエッチングされシフター反転パターンを形
成する。
積された多結晶シリコン膜は、ガラス基板に対して高選
択比的にエッチングされシフターパターンを形成し、
又、請求項２におけるガラス基板に不純物のイオンを注
入して形成された不純物注入層は、ガラス基板に対して
高選択比的にエッチングされシフター反転パターンを形
成する。
【０００９】
実施例１．以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの発明の実施例１における位相シフトマ
スクの製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図であ
る。まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１上に
マスクパターン材料９を形成する。次いで、このマスク
パターン材料９の上にマスクパターン加工用のマスクと
して所望のフォトレジストパターン１０を形成し、図１
（Ｂ）に示すように、このフォトレジストパターン１０
をマスクとしてマスクパターン材料９をエッチングす
る。
する。図１はこの発明の実施例１における位相シフトマ
スクの製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図であ
る。まず、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１上に
マスクパターン材料９を形成する。次いで、このマスク
パターン材料９の上にマスクパターン加工用のマスクと
して所望のフォトレジストパターン１０を形成し、図１
（Ｂ）に示すように、このフォトレジストパターン１０
をマスクとしてマスクパターン材料９をエッチングす
る。
【００１０】次に、フォトレジストパターン１０をアッ
シング処理により除去し、図１（Ｃ）に示すようにマス
クパターン１１を形成する。そして、このマスクパター
ン１１を覆うようにシフターパターン形成用の多結晶シ
リコン膜１２を図１（Ｄ）に示すように基板１上に化学
気相成長法を用いて形成し、次いで図１（Ｅ）に示すよ
うに、多結晶シリコン膜１２の上にシフターパターン加
工用のマスクとして所望のフォトレジストパターン１３
を形成する。そして、このフォトレジストパターン１３
をマスクとして多結晶シリコン膜１２を、ガラス基板１
と高選択比的にエッチングするとともに、このエッチン
グ後、フォトレジストパターン１３をアッシング処理に
より除去し、図１（Ｆ）に示すように多結晶シリコンパ
ターン１４を形成する。そして最後に、この多結晶シリ
コンパターン１４に酸化処理を施して図１（Ｇ）に示す
ようにシリコン酸化膜によるシフターパターン１５が形
成される。よって、従来のようにストッパ材料を設ける
必要もなくなるので、加工時の制御性も不要となり製造
が容易になる。
シング処理により除去し、図１（Ｃ）に示すようにマス
クパターン１１を形成する。そして、このマスクパター
ン１１を覆うようにシフターパターン形成用の多結晶シ
リコン膜１２を図１（Ｄ）に示すように基板１上に化学
気相成長法を用いて形成し、次いで図１（Ｅ）に示すよ
うに、多結晶シリコン膜１２の上にシフターパターン加
工用のマスクとして所望のフォトレジストパターン１３
を形成する。そして、このフォトレジストパターン１３
をマスクとして多結晶シリコン膜１２を、ガラス基板１
と高選択比的にエッチングするとともに、このエッチン
グ後、フォトレジストパターン１３をアッシング処理に
より除去し、図１（Ｆ）に示すように多結晶シリコンパ
ターン１４を形成する。そして最後に、この多結晶シリ
コンパターン１４に酸化処理を施して図１（Ｇ）に示す
ようにシリコン酸化膜によるシフターパターン１５が形
成される。よって、従来のようにストッパ材料を設ける
必要もなくなるので、加工時の制御性も不要となり製造
が容易になる。
【００１１】実施例２．尚、上記実施例１では、シフタ
ーパターン１５の材料に多結晶シリコン膜１２を用いる
ことにより、下地ガラス基板１との高選択比性を得てシ
フターパターン１５を形成するようにしているが、下地
ガラス基板１に例えばリン（Ｐ）等の不純物を注入し、
この不純物注入層をガラス基板１に対して高選択比的に
エッチング除去することによってもシフターパターンを
形成することができる。
ーパターン１５の材料に多結晶シリコン膜１２を用いる
ことにより、下地ガラス基板１との高選択比性を得てシ
フターパターン１５を形成するようにしているが、下地
ガラス基板１に例えばリン（Ｐ）等の不純物を注入し、
この不純物注入層をガラス基板１に対して高選択比的に
エッチング除去することによってもシフターパターンを
形成することができる。
【００１２】以下、この発明の実施例２における位相シ
フトマスクの製造方法の工程を図２に基づいて説明す
る。まず、図示はしないが、上記実施例１において図１
（Ａ）、（Ｂ）に示すと同様な処理工程を経て、図２
（Ａ）に示すようにガラス基板１上にマスクパターン１
６を形成する。そして、図２（Ｂ）に示すようにこのマ
スクパターン１６の一部を残して他の部分を覆うよう
に、シフターパターン形成用のフォトレジストパターン
１７を基板１上に形成するとともに、このフォトレジス
トパターン１７をマスクとして図中矢印で示すように例
えばリン（Ｐ）等の不純物のイオン注入を基板１に対し
て行い不純物注入層１８を形成する。その後、図２
（Ｃ）に示すようにフォトレジストパターン１７をアッ
シング処理により除去し、最後に、図２（Ｄ）に示すよ
うに不純物注入層１８を、ガラス基板１と高選択比的に
例えばフッ素液等を用いてウェットエッチングを施すこ
とによりシフター反転パターン１９を加工することがで
き、このシフター反転パターン１９の加工によりシフタ
ーパターン２０が形成される。
フトマスクの製造方法の工程を図２に基づいて説明す
る。まず、図示はしないが、上記実施例１において図１
（Ａ）、（Ｂ）に示すと同様な処理工程を経て、図２
（Ａ）に示すようにガラス基板１上にマスクパターン１
６を形成する。そして、図２（Ｂ）に示すようにこのマ
スクパターン１６の一部を残して他の部分を覆うよう
に、シフターパターン形成用のフォトレジストパターン
１７を基板１上に形成するとともに、このフォトレジス
トパターン１７をマスクとして図中矢印で示すように例
えばリン（Ｐ）等の不純物のイオン注入を基板１に対し
て行い不純物注入層１８を形成する。その後、図２
（Ｃ）に示すようにフォトレジストパターン１７をアッ
シング処理により除去し、最後に、図２（Ｄ）に示すよ
うに不純物注入層１８を、ガラス基板１と高選択比的に
例えばフッ素液等を用いてウェットエッチングを施すこ
とによりシフター反転パターン１９を加工することがで
き、このシフター反転パターン１９の加工によりシフタ
ーパターン２０が形成される。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
ればガラス基板上に形成されたマスクパターン上に多結
晶シリコンを堆積させて多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜に基板に対して選択比的にエッチン
グを行い所望の多結晶シリコンのパターンを形成し、こ
の多結晶シリコンのパターンを酸化することによりシフ
ターパターンを形成するようにし、又、この発明の請求
項２によれば、ガラス基板上に形成されたマスクパター
ン上に所望のフォトレジストパターンを形成し、このフ
ォトレジストパターン上からガラス基板に不純物のイオ
ンを注入して不純物注入層を形成し、フォトレジストパ
ターンをアッシング処理により除去した後、不純物注入
層をガラス基板に対して高選択比的にエッチングするこ
とによりシフター反転パターンを形成するようにしたの
で、下地としてのガラス基板に対して容易に高選択比で
シフターパターンの形成が可能な位相シフトマスクの製
造方法を提供することができる。
ればガラス基板上に形成されたマスクパターン上に多結
晶シリコンを堆積させて多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜に基板に対して選択比的にエッチン
グを行い所望の多結晶シリコンのパターンを形成し、こ
の多結晶シリコンのパターンを酸化することによりシフ
ターパターンを形成するようにし、又、この発明の請求
項２によれば、ガラス基板上に形成されたマスクパター
ン上に所望のフォトレジストパターンを形成し、このフ
ォトレジストパターン上からガラス基板に不純物のイオ
ンを注入して不純物注入層を形成し、フォトレジストパ
ターンをアッシング処理により除去した後、不純物注入
層をガラス基板に対して高選択比的にエッチングするこ
とによりシフター反転パターンを形成するようにしたの
で、下地としてのガラス基板に対して容易に高選択比で
シフターパターンの形成が可能な位相シフトマスクの製
造方法を提供することができる。
【図１】この発明の実施例１における位相シフトマスク
の製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図である。
の製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図である。
【図２】この発明の実施例２における位相シフトマスク
の製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図である。
の製造方法の各工程をそれぞれ示す模式断面図である。
【図３】従来の位相シフトマスクの製造方法の各工程を
それぞれ示す模式断面図である。
それぞれ示す模式断面図である。
１ ガラス基板 ９ マスクパターン材料 １０、１３、１７ フォトレジストパターン １１、１６ マスクパターン １２ 多結晶シリコン膜 １４ 多結晶シリコンパターン １５、２０ シフターパターン １８ 不純物注入層 １９ シフター反転パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上に形成されたマスクパター
ン上に多結晶シリコンを堆積させ多結晶シリコン膜を形
成する工程と、上記多結晶シリコン膜に上記基板に対し
て選択比的にエッチングを行い所望の多結晶シリコンの
パターンを形成する工程と、上記多結晶シリコンのパタ
ーンを酸化することによりシフターパターンを形成する
工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造
方法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に形成されたマスクパター
ン上に所望のフォトレジストパターンを形成する工程
と、上記フォトレジストパターン上から上記ガラス基板
に不純物のイオンを注入して不純物注入層を形成する工
程と、上記フォトレジストパターンをアッシング処理に
より除去する工程と、上記不純物注入層を上記ガラス基
板に対して高選択比的にエッチングすることによりシフ
ター反転パターンを形成する工程とを含むことを特徴と
する位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31986892A JPH06167802A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31986892A JPH06167802A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167802A true JPH06167802A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18115136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31986892A Pending JPH06167802A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016185941A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017038213A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP31986892A patent/JPH06167802A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016185941A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| US10481485B2 (en) | 2015-05-15 | 2019-11-19 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, method of manufacturing transfer mask and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2017038213A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2017038213A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-08-31 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| US11226549B2 (en) | 2015-08-31 | 2022-01-18 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing thereof, and method for manufacturing semiconductor device |
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