JPH0616564B2 - バランス型ダイオ−ド減衰器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バランス型ダイオード減衰器に関し、特に高
周波で使用するバランス型ダイオード減衰器のバイアス
供給回路に関する。

（従来の技術） バランス型ダイオード減衰器は、１個の90゜電力等分割
回路と、２個のダイオード減衰回路と、１個の90゜電力
合成回路とから成っており、入出力インビーダンスが広
帯域で良好なことから広く使用されている。上記特徴を
生かす為には２個のダイオード減衰回路へ外部からバイ
アスを供給する方法として、ダイオード減衰回路のそれ
ぞれに同一構成のバイアス回路を設ける必要がある。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、両方のバイアス回路の供給線がそれぞれ独立
にダイオード減衰器の高周波回路の外に引き出されてい
る構成ではダイオード減衰器の両側にバイアス供給端子
が必要となり、上位機器に収容する場合の構造が複雑と
なる欠点がある。

第２図は従来のダイオード減衰器の一例の構成図であ
り、１は入力端子、２は入力端子のうちの片方を50Ωに
終端した入力側90゜ハイブリッド（電力等分割回路）、
３及び４は同じ特性の２段のダイオード減衰回路、５は
出力端子のうちの片方を50Ωに終端した出力側9゜ハイ
ブリッド（電力合成回路）、６は出力端子、11，12はイ
ンダクタＬとバイパスコンデンサＣとから成るバイアス
回路、７，８はバイアス回路、11，12のバイアス供給端
子である。バイアス回路からバイアス供給端子までの供
給線は、他のダイオード減衰回路の信号伝送路を横切る
と減衰器の特性に影響がある。そこで、従来のバランス
型ダイオード減衰器では、第２図に示すようにダイオー
ド減衰回路の両側にバイアス供給端子を設けてバイアス
供給線の影響を避けていた。ところが、この構成では、
バランス型ダイオード減衰器へ外部からバイアスを供給
する場合、ダイオード減衰回路をはさんで両側にバイア
スを供給することとなり、実装上構成が複雑になる。

本発明は上記従来のものの欠点を除去すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、入出力インビーダ
ンスや伝送特性等の高周波特性を従来のものより損なう
ことなく、実装上の構成が簡単なバランス型ダイオード
減衰器の提供にある。

（問題点を解決するための手段） 本発明によるバランス型ダイオード減衰器は、第１、第
２、第３及び第４の端子を有し、第１の端子に入力され
た高周波信号を第３及び第４の端子へ導き、前記第２の
端子に終端抵抗を接続し、該第２の端子は第３の端子に
直流的に接続するとともに第４の端子とは直流的に絶縁
してなる第１の９０゜ハイブリッドと、この第１の９０
゜ハイブリッドと同じ構成の第２の９０゜ハイブリッド
と、前記第１の９０゜ハイブリッドの前記第３の端子と
前記第２の９０゜ハイブリッドの前記第４の端との間に
接続された第１のダイオード減衰回路と、前記第１の９
０゜ハイブリッドの前記第４の端子と前記第２の９０゜
ハイブリッドの第３の端子との間に接続された第２のダ
イオード減衰回路と、前記第１及び第２のダイオード減
衰回路にバイアス電圧をそれぞれ供給する第１及び第２
のバイアス回路と、これら第１及び第２のバイアス回路
にバイアス電源から供給されるバイアス電圧を受けるバ
イアス供給端子とを備えてなるバランス型ダイオード減
衰器において、前記第１のバイアス回路は、前記第１の
９０゜ハイブリッドの前記第２の端子または前記第１の
ダイオード減衰回路に接続し、前記第２のバイアス回路
は、前記第１のバイアス回路が前記第１の９０゜ハイブ
リッドの前記第２の端子に接続されているときは前記第
２のダイオード減衰回路に接続し、前記第１のバイアス
回路が前記第１のダイオード減衰回路に接続されている
ときには前記第２の９０゜ハイブリッドの前記第２の端
子に接続し、前記第１及び第２のバイアス供給端子は前
記第１の９０゜ハイブリッドから第２の９０゜ハイブリ
ッドに至る主信号伝送方向の片側に配置してあることを
特徴とする。

（実施例） 以下、図面を参照し本発明の実施例を説明する。

第１図は本発明の一実施例の構成図であり、第２図と同
等部分は同一符号により示してある。本実施例において
第２図の構成と異なる点は、図示する如く、入力側90゜
ハイブリッド２の２つの入力端のうちの50Ωに終端され
た入力端に、インダクタＬとバイパスコンデンサＣから
なるバイアス回路13を追加し、バイアス供給端子９と接
続する点と、バイアス回路12にはバイアスは供給されな
いが、インビーダンス的にバイアス回路11と等価である
から、ダイオード減衰回路３，４は同じ特性に保たれる
ので、バランス型ダイオード減衰器の特徴である良好な
インビーダンス及び伝送特性は従来例と変わらない。ま
た、入力側90゜ハイブリッド２のうちの50Ωに終端され
た入力端にバイアス回路13を追加しても、50Ω終端され
ているから、ダイオード減衰器のインピーダンスに影響
を与えない。

（発明の効果） 上述の如く、本発明によれば、従来はダイオード減衰回
路の両側からバイアスを供給していたところを、バイア
スを片側から供給できるバランス型ダイオード減衰器が
提供できる。そこで、本発明のバランス型ダイオード減
衰器を採用することにより、高周波装置の実装上の簡素
化を招来することが出来、非常に有効である。

なお、第１図の実施例では、バイアス回路１３を入力側
９０゜ハイブリッド２の終端端子に接続し、バイアス供
給端子７をバイアス回路１１に設けることにより、２つ
のバイアス供給端子７，９を主線路の片側に配置した。
しかし、本発明は、第１図の実施例に限られるものでは
なく、バイアス回路１３を出力側９０゜ハイブリッド５
の終端端子に接続するとともに、バイアス供給端子７を
バイアス回路１２に設け、２つのバイアス供給端子７，
９を主線路の片側に配置するようにしても差し支えな
い。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は従来のバ
ランス型ダイオード減衰器の構成図である。 １……入力端子、２……電力等分割回路、３，４……ダ
イオード減衰回路、５……電力合成回路、６……出力端
子、７，８，９……バイアス供給端子、11，12，13……
バイアス回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１、第２、第３及び第４の端子を有し、
   第１の端子に入力された高周波信号を第３及び第４の端
   子へ導き、前記第２の端子に終端抵抗を接続し、該第２
   の端子は第３の端子に直流的に接続するとともに第４の
   端子とは直流的に絶縁してなる第１の９０゜ハイブリッ
   ドと、この第１の９０゜ハイブリッドと同じ構成の第２
   の９０゜ハイブリッドと、前記第１の９０゜ハイブリッ
   ドの前記第３の端子と前記第２の９０゜ハイブリッドの
   前記第４の端との間に接続された第１のダイオード減衰
   回路と、前記第１の９０゜ハイブリッドの前記第４の端
   子と前記第２の９０゜ハイブリッドの第３の端子との間
   に接続された第２のダイオード減衰回路と、前記第１及
   び第２のダイオード減衰回路にバイアス電圧をそれぞれ
   供給する第１及び第２のバイアス回路と、これら第１及
   び第２のバイアス回路にバイアス電源から供給されるバ
   イアス電圧を受けるバイアス供給端子と備えてなるバラ
   ンス型ダイオード減衰器において、 前記第１のバイアス回路は、前記第１の９０゜ハイブリ
   ッドの前記第２の端子または前記第１のダイオード減衰
   回路に接続し、 前記第２のバイアス回路は、前記第１のバイアス回路が
   前記第１の９０゜ハイブリッドの前記第２の端子に接続
   されているときは前記第２のダイオード減衰回路に接続
   し、前記第１のバイアス回路が前記第１のダイオード減
   衰回路に接続されているときには前記第２の９０゜ハイ
   ブリッドの前記第２の端子に接続し、 前記第１及び第２のバイアス供給端子は前記第１の９０
   ゜ハイブリッドから第２の９０゜ハイブリッドに至る主
   信号伝送方向の片側に配置してある ことを特徴とするバランス型ダイオード減衰器。