JPH0617247B2 - 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 - Google Patents
耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0617247B2 JPH0617247B2 JP2328259A JP32825990A JPH0617247B2 JP H0617247 B2 JPH0617247 B2 JP H0617247B2 JP 2328259 A JP2328259 A JP 2328259A JP 32825990 A JP32825990 A JP 32825990A JP H0617247 B2 JPH0617247 B2 JP H0617247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- heat
- stainless steel
- magnetic
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 67
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 45
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 11
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical class CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 9
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920013820 alkyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000010944 ethyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920003087 methylethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum alloys Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/16—Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus
- C03C3/19—Silica-free oxide glass compositions containing phosphorus containing boron
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は耐熱絶縁性基板または積層構体に関し、さら
に詳しくは磁性または非磁性の金属またはステンレス鋼
の表面に耐熱絶縁性ガラスまたは耐熱絶縁性ガラスまた
は金属酸化物焼結体をフィラーとした可視光硬化型樹脂
を積層し、機械的強度、耐熱性、電気的特性、加工性等
に優れた耐熱絶縁電子回路基板または積層構体およびそ
の製造方法に関するものである。
に詳しくは磁性または非磁性の金属またはステンレス鋼
の表面に耐熱絶縁性ガラスまたは耐熱絶縁性ガラスまた
は金属酸化物焼結体をフィラーとした可視光硬化型樹脂
を積層し、機械的強度、耐熱性、電気的特性、加工性等
に優れた耐熱絶縁電子回路基板または積層構体およびそ
の製造方法に関するものである。
電子回路基板用支持体として従来から用いられている材
料は鉄、ステンレス鋼、銅、リン青銅、アルミニウム、
アルミニウム合金等の金属、セラミックスおよびＦＲＰ
に代表される樹脂等がある。これらの材料の中、金属材
料は機械的強度、熱放散性、柔軟性等に優れており、表
面に絶縁性被覆を積層してその上に設計された電子回路
パターンを印刷して電子機器に使用されている。特にス
テンレス鋼は磁性、非磁性の両者共耐熱性でかつ低酸化
性のため、特別な雰囲気処理を必要としないで加工処理
ができる利点があり好ましい材料とされている。
料は鉄、ステンレス鋼、銅、リン青銅、アルミニウム、
アルミニウム合金等の金属、セラミックスおよびＦＲＰ
に代表される樹脂等がある。これらの材料の中、金属材
料は機械的強度、熱放散性、柔軟性等に優れており、表
面に絶縁性被覆を積層してその上に設計された電子回路
パターンを印刷して電子機器に使用されている。特にス
テンレス鋼は磁性、非磁性の両者共耐熱性でかつ低酸化
性のため、特別な雰囲気処理を必要としないで加工処理
ができる利点があり好ましい材料とされている。
しかしステンレス鋼は絶縁性被覆特にガラスおよび樹脂
との密着性が弱いためステンレス鋼とガラスまたは樹脂
との接合すなわち両者の溶着がむつかしく、かつステン
レス鋼に対してハンダ付けが不可能とされる等の問題が
あった。ステンレス鋼を電子回路基板の支持材として使
用するためには、このような接合要素を解決しなければ
ならず、そのため従来表面に電解または無電解により１
μｍ以下程度のニッケルメッキを施すか、塩酸またはカ
セイソーダ等で化学的にエッチングを施すか、硫酸浸漬
により部分酸化または予備酸化を行う等の前処理を行っ
てから絶縁性被覆を積層しなければならなかった。
との密着性が弱いためステンレス鋼とガラスまたは樹脂
との接合すなわち両者の溶着がむつかしく、かつステン
レス鋼に対してハンダ付けが不可能とされる等の問題が
あった。ステンレス鋼を電子回路基板の支持材として使
用するためには、このような接合要素を解決しなければ
ならず、そのため従来表面に電解または無電解により１
μｍ以下程度のニッケルメッキを施すか、塩酸またはカ
セイソーダ等で化学的にエッチングを施すか、硫酸浸漬
により部分酸化または予備酸化を行う等の前処理を行っ
てから絶縁性被覆を積層しなければならなかった。
本発明は前記のような問題を解決し、何等の前処理を必
要とせず、ステンレス鋼に直接ガラスまたは樹脂の絶縁
層を被覆した電子回路基板およびその製造方法を見出し
てなされたものである。
要とせず、ステンレス鋼に直接ガラスまたは樹脂の絶縁
層を被覆した電子回路基板およびその製造方法を見出し
てなされたものである。
本発明は重量に基づきＳｉＯ２０〜８％，Ｂ２Ｏ３４〜
１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，Ａｌ
２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０〜２
％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２Ｏ
０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５％，Ｃ
ａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ ０〜
４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４％，Ｌ
ａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３０〜１
％，からなる高温絶縁性ガラスが磁性または非磁性の金
属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層されている
ことを特徴とする耐熱性絶縁電子回路基板または積層構
体である。本発明は前記組成のガラスに、さらに焼結し
た金属酸化物を０〜１０重量％添加した高温絶縁性ガラ
スを用いることができる。又、上記組成のガラスを溶融
粉砕した粉体または焼結した金属酸化物粉体をフィラー
として１０〜９５重量％含有する耐熱絶縁性可視光硬化
型樹脂が磁性または非磁性の金属またはステンレス鋼か
らなる板状支持体上に積層されていることを特徴とする
耐熱性絶縁電子回路基板または積層構体である。
１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，Ａｌ
２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０〜２
％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２Ｏ
０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５％，Ｃ
ａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ ０〜
４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４％，Ｌ
ａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３０〜１
％，からなる高温絶縁性ガラスが磁性または非磁性の金
属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層されている
ことを特徴とする耐熱性絶縁電子回路基板または積層構
体である。本発明は前記組成のガラスに、さらに焼結し
た金属酸化物を０〜１０重量％添加した高温絶縁性ガラ
スを用いることができる。又、上記組成のガラスを溶融
粉砕した粉体または焼結した金属酸化物粉体をフィラー
として１０〜９５重量％含有する耐熱絶縁性可視光硬化
型樹脂が磁性または非磁性の金属またはステンレス鋼か
らなる板状支持体上に積層されていることを特徴とする
耐熱性絶縁電子回路基板または積層構体である。
さらに、耐熱性絶縁電子回路基板または積層構体は、上
記組成の高温絶縁性ガラスを、５〜１０重量％のセルロ
ース誘導体のブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）
またはα−ターピネオールの溶液をバインダーとしてペ
ースト化し、磁性または非磁性の金属またはステンレス
鋼の板状支持体上に積層し焼結して製造される。
記組成の高温絶縁性ガラスを、５〜１０重量％のセルロ
ース誘導体のブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）
またはα−ターピネオールの溶液をバインダーとしてペ
ースト化し、磁性または非磁性の金属またはステンレス
鋼の板状支持体上に積層し焼結して製造される。
前記ガラスまたは焼結金属酸化物の粉体がフィラーとし
て含有された可視光硬化型樹脂をステンレス支持体等に
積層された電子回路基板または積層構体については、前
記ガラスを溶融粉砕した粉体または金属酸化焼結物の粉
体を、フィラーとして１０〜９５重量％含有する耐熱絶
縁性可視光硬化型樹脂を、ペースト化し、磁性または非
磁性の金属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層し
硬化させて製造される。
て含有された可視光硬化型樹脂をステンレス支持体等に
積層された電子回路基板または積層構体については、前
記ガラスを溶融粉砕した粉体または金属酸化焼結物の粉
体を、フィラーとして１０〜９５重量％含有する耐熱絶
縁性可視光硬化型樹脂を、ペースト化し、磁性または非
磁性の金属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層し
硬化させて製造される。
本発明の電子回路基板の支持体としては磁性または非磁
性の金属またはステンレス鋼である。金属として例えば
鉄、銅、リン青銅、アルミニウムおよびアルミニウム合
金等がある。本発明には磁性または非磁性のステンレス
鋼からなる基板支持体が好適に用いられる。ステンレス
鋼は他の金属に較べて酸化を受け難く、絶縁層を積層す
るとき特別な雰囲気処理をする必要がない利点を有す
る。なかでも比較的低膨張係数（１００〜３００℃にお
ける線膨張係数α100〜300が１１０〜１４０×１０−７
／℃）のものが好適である。
性の金属またはステンレス鋼である。金属として例えば
鉄、銅、リン青銅、アルミニウムおよびアルミニウム合
金等がある。本発明には磁性または非磁性のステンレス
鋼からなる基板支持体が好適に用いられる。ステンレス
鋼は他の金属に較べて酸化を受け難く、絶縁層を積層す
るとき特別な雰囲気処理をする必要がない利点を有す
る。なかでも比較的低膨張係数（１００〜３００℃にお
ける線膨張係数α100〜300が１１０〜１４０×１０−７
／℃）のものが好適である。
本発明の支持体上に積層されたガラスの組成は前記の通
りである。ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３およびＰ２Ｏ５はガラス
の基本構造をなす網目構造形成酸化物として、またＬｉ
２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ等は網目修飾酸化物と
して周知の酸化物である。
りである。ＳｉＯ２，Ｂ２Ｏ３およびＰ２Ｏ５はガラス
の基本構造をなす網目構造形成酸化物として、またＬｉ
２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ等は網目修飾酸化物と
して周知の酸化物である。
本発明に用いられるガラスは、そのほかにＺｎＯ，Ａｌ
２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｌａ２Ｏ３等多くの酸化物を添加成
分として含有し、前記基本構造をなす各成分の含有量と
の関係から前記の組成範囲が限定されたもので、前記範
囲外の組成では本発明の所期の目的を達成するガラスを
得ることができない。
２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｌａ２Ｏ３等多くの酸化物を添加成
分として含有し、前記基本構造をなす各成分の含有量と
の関係から前記の組成範囲が限定されたもので、前記範
囲外の組成では本発明の所期の目的を達成するガラスを
得ることができない。
本発明に用いられるガラスに前記の他にＡｓ２Ｏ３およ
びＳｂ２Ｏ３の少なくとも１種が添加成分として１重量
％含有される方が清澄作用に有効である。該成分はガラ
スを溶融するときの清澄剤として作用するものであり、
これを欠くと脱泡困難となる場合がある。
びＳｂ２Ｏ３の少なくとも１種が添加成分として１重量
％含有される方が清澄作用に有効である。該成分はガラ
スを溶融するときの清澄剤として作用するものであり、
これを欠くと脱泡困難となる場合がある。
本発明に用いられるガラスはさらに１０重量％以下の焼
結した金属酸化物、例えば市販の焼結顔料またはフォル
ステライトセラミックを添加成分として含有することが
できる。該成分はガラスの積層化に必要な耐熱性の向上
に有効である。市販の焼結顔料としては具体的には例え
ばＴｉ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｐｂ等の酸化物の少な
くとも二種以上の焼結粉体すなわちセラミックカラー粉
砕物（粉径＜１０μｍ）等である。
結した金属酸化物、例えば市販の焼結顔料またはフォル
ステライトセラミックを添加成分として含有することが
できる。該成分はガラスの積層化に必要な耐熱性の向上
に有効である。市販の焼結顔料としては具体的には例え
ばＴｉ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｐｂ等の酸化物の少な
くとも二種以上の焼結粉体すなわちセラミックカラー粉
砕物（粉径＜１０μｍ）等である。
本発明に用いられるガラスの具体的な組成の例を第１表
に示す。
に示す。
本発明の電子回路基板または積層構体は金属またはステ
ンレス鋼の板状支持体上に前記組成を有するガラスまた
は前記金属酸化物焼結体の微粉体をフィラーとして添加
した可視光硬化型樹脂が積層された構造体である。
ンレス鋼の板状支持体上に前記組成を有するガラスまた
は前記金属酸化物焼結体の微粉体をフィラーとして添加
した可視光硬化型樹脂が積層された構造体である。
従来ステンレス鋼に絶縁層として積層されるガラスまた
は樹脂は、ステンレス鋼との密着性が悪いため、積層に
先立ちステンレス鋼の表面に電解メッキもしくは無電解
メッキにより１μｍ以下のニッケルメッキを施すか、塩
酸または化成ソーダ等により化学的エッチングを行う
か、あるいは硫酸に浸漬して部分酸化を行う等の前処理
が必要であった。
は樹脂は、ステンレス鋼との密着性が悪いため、積層に
先立ちステンレス鋼の表面に電解メッキもしくは無電解
メッキにより１μｍ以下のニッケルメッキを施すか、塩
酸または化成ソーダ等により化学的エッチングを行う
か、あるいは硫酸に浸漬して部分酸化を行う等の前処理
が必要であった。
請求項１および２の本発明は前記のようなステンレス鋼
の下地処理を必要とせず、ステンレス鋼と密着性のよい
ガラス絶縁層が形成され、かつ積層されたガラス面は凹
凸が少なく（２００Å以下）研磨仕上げは殆ど必要な
い。またフレキシビリティーに優れ、ガラス中に添加さ
れた前記微量成分により耐化学薬品性、耐久性が向上し
ている。
の下地処理を必要とせず、ステンレス鋼と密着性のよい
ガラス絶縁層が形成され、かつ積層されたガラス面は凹
凸が少なく（２００Å以下）研磨仕上げは殆ど必要な
い。またフレキシビリティーに優れ、ガラス中に添加さ
れた前記微量成分により耐化学薬品性、耐久性が向上し
ている。
ステンレス鋼に積層されるガラスは比較的低膨張率のも
ので可及的ステンレス鋼支持体の線膨張係数に近いもの
であることが好ましい。例えば第１表に掲げた組成のガ
ラスの中で適宜選択して積層することができる。
ので可及的ステンレス鋼支持体の線膨張係数に近いもの
であることが好ましい。例えば第１表に掲げた組成のガ
ラスの中で適宜選択して積層することができる。
請求項３の本発明は、金属またはステンレス鋼の板状支
持体上に前記請求項１で用いるガラスまたは焼結金属酸
化物がフィラーとして１０〜９５重量％添加された可視
光硬化型樹脂を絶縁層として積層した耐熱性絶縁電子回
路基板または積層構体である。ガラスの含有率が１０重
量％以下では樹脂の耐熱性向上に効果がなく好ましくな
い。その意味でガラスの含有率としては５０重量％以上
であることが好ましい。また可視光硬化型樹脂の屈折率
（ｎＤ）と添加されるガラスの屈折率（ｎＤ）とが同一
であることが望ましい。樹脂の屈折率とガラスの屈折率
とが同一でないと硬化積層したときパターンの鮮明度が
低下するため好ましくないからである。可視光硬化型樹
脂としては市販品を使用することができ、その屈折率と
同一の屈折率を有する本発明に用いられるガラス組成を
適宜選択することができる。
持体上に前記請求項１で用いるガラスまたは焼結金属酸
化物がフィラーとして１０〜９５重量％添加された可視
光硬化型樹脂を絶縁層として積層した耐熱性絶縁電子回
路基板または積層構体である。ガラスの含有率が１０重
量％以下では樹脂の耐熱性向上に効果がなく好ましくな
い。その意味でガラスの含有率としては５０重量％以上
であることが好ましい。また可視光硬化型樹脂の屈折率
（ｎＤ）と添加されるガラスの屈折率（ｎＤ）とが同一
であることが望ましい。樹脂の屈折率とガラスの屈折率
とが同一でないと硬化積層したときパターンの鮮明度が
低下するため好ましくないからである。可視光硬化型樹
脂としては市販品を使用することができ、その屈折率と
同一の屈折率を有する本発明に用いられるガラス組成を
適宜選択することができる。
次に本発明の耐熱性絶縁電子回路基板の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
請求項４および５の本発明は、請求項１または２で用い
るガラスフリットを、５〜１０重量％のセルロース誘導
体のＢＣＡ溶液またはα−ターピネオール溶液をバイン
ダーとしてペーストとし、該ペーストを支持体上に塗布
して焼結する耐熱性絶縁電子回路基板の製造方法であ
る。
るガラスフリットを、５〜１０重量％のセルロース誘導
体のＢＣＡ溶液またはα−ターピネオール溶液をバイン
ダーとしてペーストとし、該ペーストを支持体上に塗布
して焼結する耐熱性絶縁電子回路基板の製造方法であ
る。
本発明は前記セルロース系バインダーを見出し、これを
用いてガラスフリットの長期安定なペーストの調製方法
を発明したことによりなされたものである。その結果特
に下地処理を要しないでステンレス鋼に直接印刷が可能
となり、密着性の大きい積層体が得られると共にステン
レス鋼の任意の部分に接合する技術が完成したものであ
る。
用いてガラスフリットの長期安定なペーストの調製方法
を発明したことによりなされたものである。その結果特
に下地処理を要しないでステンレス鋼に直接印刷が可能
となり、密着性の大きい積層体が得られると共にステン
レス鋼の任意の部分に接合する技術が完成したものであ
る。
次に本発明の絶縁回路基板の製造方法を詳説する。
ガラスフリットの調製： 本発明のガラス組成部を混合し、石英ルツボ中で粗溶解
し、水砕乾燥した後、白金ルツボを用いて再度溶融す
る。溶融温度および溶融時間はガラス組成によって任意
に選択することができ特に制限はないが、１，２００〜
１，４００℃で９０〜１５０分の範囲が好ましい。この
溶融は無気泡のガラスにするため光学溶融が望ましい。
溶融物を水砕乾燥後風篩分粒し、１０μｍ以上はカット
する。１０μｍ以上の粒子はペーストとして塗布すると
き好ましくないからである。１０μｍ以上の粒径粉を除
いたガラスフリットは例えば第１図および第２図に示す
ような粉度分布を示し、その平均粒径は２〜３μｍであ
る。
し、水砕乾燥した後、白金ルツボを用いて再度溶融す
る。溶融温度および溶融時間はガラス組成によって任意
に選択することができ特に制限はないが、１，２００〜
１，４００℃で９０〜１５０分の範囲が好ましい。この
溶融は無気泡のガラスにするため光学溶融が望ましい。
溶融物を水砕乾燥後風篩分粒し、１０μｍ以上はカット
する。１０μｍ以上の粒子はペーストとして塗布すると
き好ましくないからである。１０μｍ以上の粒径粉を除
いたガラスフリットは例えば第１図および第２図に示す
ような粉度分布を示し、その平均粒径は２〜３μｍであ
る。
ペーストの調製： 分粒されたガラスフリット（粒径１０μｍ未満）にビー
クルを加え、例えばスリーロールミル等の混練機を用い
て４時間以上混練機してペーストを調製する。ここで用
いられるピークルは本発明の特徴とするもので、５〜１
０重量％のセルロース誘導体のＢＣＡまたはα−ターピ
ネオールの溶液が用いられる。セルロース誘導体として
はメチルセルロース、エチルセルロース等のアルキルセ
ルロースが好適に用いられる。本発明におれるガラスフ
リットのペースト化はこのアルキルセルロースを５〜１
０重量％のＢＣＡ溶液等として使用する。溶剤としては
ＢＣＡが好ましい。溶液のアルキルセルロースの濃度は
ペーストの粘度の調製に重要で、通常５〜１０重量％の
範囲が好ましい。このビークルを用いて前記ガラスフリ
ットと混練すれば長期間安定なペーストを調製すること
ができ、かつこのペーストは何等の下地処理をしなくて
もステンレス鋼の表面に塗布して焼結することにより密
着性に優れた積層体を形成することができる。この場合
のペーストの粘度は１００〜２００ボイズが好適で、前
記濃度のビークルとガラスフリットとの混合比を適宜選
択して調製することができる。
クルを加え、例えばスリーロールミル等の混練機を用い
て４時間以上混練機してペーストを調製する。ここで用
いられるピークルは本発明の特徴とするもので、５〜１
０重量％のセルロース誘導体のＢＣＡまたはα−ターピ
ネオールの溶液が用いられる。セルロース誘導体として
はメチルセルロース、エチルセルロース等のアルキルセ
ルロースが好適に用いられる。本発明におれるガラスフ
リットのペースト化はこのアルキルセルロースを５〜１
０重量％のＢＣＡ溶液等として使用する。溶剤としては
ＢＣＡが好ましい。溶液のアルキルセルロースの濃度は
ペーストの粘度の調製に重要で、通常５〜１０重量％の
範囲が好ましい。このビークルを用いて前記ガラスフリ
ットと混練すれば長期間安定なペーストを調製すること
ができ、かつこのペーストは何等の下地処理をしなくて
もステンレス鋼の表面に塗布して焼結することにより密
着性に優れた積層体を形成することができる。この場合
のペーストの粘度は１００〜２００ボイズが好適で、前
記濃度のビークルとガラスフリットとの混合比を適宜選
択して調製することができる。
絶縁基板の製造： 絶縁基板は前記のペーストを金属またはステンレス鋼支
持体表面に塗布または印刷し、加熱乾燥、次いで焼成し
て製造される。ペーストの塗布方法は例えばロールコー
ター、スクリーンコーター、オートディスペンサー等、
印刷方法は例えばスクリーン印刷等いずれも従来公知の
方法を用いて行うことができる。このとき特にステンレ
ス鋼に対してもニッケルメッキ等、良好な接合性を与え
るための下地処理は不要である。勿論従来通り表面の酸
またはアルカリによる化学エッチング、ニッケルメッ
キ、硫酸による部分酸化物等を行っても問題はない。ペ
ーストの塗布厚さは５０〜２００μｍである。
持体表面に塗布または印刷し、加熱乾燥、次いで焼成し
て製造される。ペーストの塗布方法は例えばロールコー
ター、スクリーンコーター、オートディスペンサー等、
印刷方法は例えばスクリーン印刷等いずれも従来公知の
方法を用いて行うことができる。このとき特にステンレ
ス鋼に対してもニッケルメッキ等、良好な接合性を与え
るための下地処理は不要である。勿論従来通り表面の酸
またはアルカリによる化学エッチング、ニッケルメッ
キ、硫酸による部分酸化物等を行っても問題はない。ペ
ーストの塗布厚さは５０〜２００μｍである。
ペーストを塗布または印刷した後まず１２０〜１５０℃
で１５分程度乾燥する。次いでこれを焼成するが乾燥、
焼成は空気中で行うことができ、バインダーの分解燃焼
が活発な３５０〜４００℃の間では昇温速度をできるだ
けゆるやかにすることが好ましい。焼成の加熱および冷
却のパターンは第３図のように示すことができる。３５
０℃までは４０℃／分で昇温し、３５０〜４００℃の間
は前記のように昇温速度を落とし、約５℃／分とする。
４００℃に達した後は１０℃分で７５０℃〜８５０℃に
昇温し、この温度で約２０分焼成する。焼成後は放冷し
て室温に戻す。
で１５分程度乾燥する。次いでこれを焼成するが乾燥、
焼成は空気中で行うことができ、バインダーの分解燃焼
が活発な３５０〜４００℃の間では昇温速度をできるだ
けゆるやかにすることが好ましい。焼成の加熱および冷
却のパターンは第３図のように示すことができる。３５
０℃までは４０℃／分で昇温し、３５０〜４００℃の間
は前記のように昇温速度を落とし、約５℃／分とする。
４００℃に達した後は１０℃分で７５０℃〜８５０℃に
昇温し、この温度で約２０分焼成する。焼成後は放冷し
て室温に戻す。
請求項６の本発明は、請求項１で用いるガラスフリット
または焼結金属酸化物微粉をフィラーとして１０〜９５
重量％含有する耐熱絶縁性可視光硬化型樹脂を、ペース
ト化し、該ペーストを支持体上に塗布して光硬化させる
耐熱絶縁性電子回路基板または積層構体の製造方法であ
る。
または焼結金属酸化物微粉をフィラーとして１０〜９５
重量％含有する耐熱絶縁性可視光硬化型樹脂を、ペース
ト化し、該ペーストを支持体上に塗布して光硬化させる
耐熱絶縁性電子回路基板または積層構体の製造方法であ
る。
フィラーとして添加されるガラスフリットまたは焼結金
属酸化物微粉の調製については、請求項４および５の説
明で述べた方法と同様である。このガラスフリットまた
は焼結金属酸化物微粉を可視光硬化型樹脂と前記の割合
で混合する。この場合樹脂と同一の屈折率を有するガラ
ス組成を選ぶことが必要である。これは前記のように基
板上のパターンの鮮明度すなわち光散乱による透過およ
び反射をよくするためである。
属酸化物微粉の調製については、請求項４および５の説
明で述べた方法と同様である。このガラスフリットまた
は焼結金属酸化物微粉を可視光硬化型樹脂と前記の割合
で混合する。この場合樹脂と同一の屈折率を有するガラ
ス組成を選ぶことが必要である。これは前記のように基
板上のパターンの鮮明度すなわち光散乱による透過およ
び反射をよくするためである。
ペーストを支持体上に塗布する方法はガラスのみのペー
ストの塗布の場合と同様公知の方法を用いることができ
るが、本発明においてはオートディスペンサーを用いて
噴霧塗布する方法が表面の平滑性を一層よくするため好
ましい。
ストの塗布の場合と同様公知の方法を用いることができ
るが、本発明においてはオートディスペンサーを用いて
噴霧塗布する方法が表面の平滑性を一層よくするため好
ましい。
塗布されたペーストは、窒素気流中でメタルハライド光
源（４７０ｎｍ）を使用して数十秒〜数分照射すること
により硬化する。
源（４７０ｎｍ）を使用して数十秒〜数分照射すること
により硬化する。
本発明においては、さらに前記ビークルとして用いたセ
ルロース誘導体のバインダーペーストを予め塗布するこ
とにより、従来不可能であったステンレス鋼へのハンダ
付けを可能とすることができる。この目的で使用される
ペーストとしては、５〜１０重量％の無機酸が添加され
る。すなわちその構成は５〜１０％の無機酸を添加した
セルロース誘導体のＢＣＡ溶液またはα−ターピネオー
ル溶液からなるペーストである。ＢＣＡ溶液またはα−
ターピネオール溶液中のセルロース誘導体の濃度は５〜
１０重量％が好適である。セルロス誘導体としてはアル
キルセルロースが好ましく、メチルセルロースおよびエ
チルセルロースは好適である。また添加される無機酸と
しては、塩酸、フッ酸およびフッ酸とリン酸との混酸が
好ましい。混酸の組成としてはリン酸３〜１０容量％が
好適である。
ルロース誘導体のバインダーペーストを予め塗布するこ
とにより、従来不可能であったステンレス鋼へのハンダ
付けを可能とすることができる。この目的で使用される
ペーストとしては、５〜１０重量％の無機酸が添加され
る。すなわちその構成は５〜１０％の無機酸を添加した
セルロース誘導体のＢＣＡ溶液またはα−ターピネオー
ル溶液からなるペーストである。ＢＣＡ溶液またはα−
ターピネオール溶液中のセルロース誘導体の濃度は５〜
１０重量％が好適である。セルロス誘導体としてはアル
キルセルロースが好ましく、メチルセルロースおよびエ
チルセルロースは好適である。また添加される無機酸と
しては、塩酸、フッ酸およびフッ酸とリン酸との混酸が
好ましい。混酸の組成としてはリン酸３〜１０容量％が
好適である。
このペーストをステンレス鋼のハンダ付け部分に予め塗
布または印刷しておくことにより、ステンレス鋼に極め
て容易にハンダ付けすることができ、ステンレス鋼を支
持体とする電子回路のハイブリッド化に対する要求特性
の多彩化に適した基板を作製することができる。
布または印刷しておくことにより、ステンレス鋼に極め
て容易にハンダ付けすることができ、ステンレス鋼を支
持体とする電子回路のハイブリッド化に対する要求特性
の多彩化に適した基板を作製することができる。
以下に実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１ 重量％でＮｉ７４．０９，Ｃｒ１５．６９，Ｆｅ９．２
２，Ｍｎ０．３１，Ｃｏ０．３，Ｓｉ０．２１，Ｐ０．
００９，Ｓ０．００１，Ｃｕ０．０４の組成の非磁性ス
テンレス鋼（１００〜３００℃における線膨張係数α
100〜300＝１３７，２×１０−７／℃）からなる板状支
持体（以下「Ａ基板」という）の上に第１表のNo.３の
組成を有するガラス（α100〜300＝１２８，０×１０
−７／℃）を積層して基盤を作製した。
２，Ｍｎ０．３１，Ｃｏ０．３，Ｓｉ０．２１，Ｐ０．
００９，Ｓ０．００１，Ｃｕ０．０４の組成の非磁性ス
テンレス鋼（１００〜３００℃における線膨張係数α
100〜300＝１３７，２×１０−７／℃）からなる板状支
持体（以下「Ａ基板」という）の上に第１表のNo.３の
組成を有するガラス（α100〜300＝１２８，０×１０
−７／℃）を積層して基盤を作製した。
ガラスフリットの製造：No３の組成の混合物を４の石
英ルツボで粗溶解した後溶解物を水砕、乾燥した。この
乾燥物を４の白金ルツボを用いて、１，２５０℃で９
０分再度溶融した後水砕、乾燥し、風篩で分粒し１０μ
ｍ以上をカットしたものを用いた。
英ルツボで粗溶解した後溶解物を水砕、乾燥した。この
乾燥物を４の白金ルツボを用いて、１，２５０℃で９
０分再度溶融した後水砕、乾燥し、風篩で分粒し１０μ
ｍ以上をカットしたものを用いた。
ガラスグレーズ基板の作製：前記で得られたガラスフリ
ット（３２５メッシュパス１００％、平均粒径２．７７
μｍ）にビークルを加え、スリーロールミルで４時間混
練した後抜気して、粘度約２００ポイズのペーストを調
製した。ビークルとしては、エチルセルロース（８重量
％の塩酸を含む）の７％ＢＣＡ溶液を使用した。このペ
ーストをステンレス鋼１５０メッシュの印刷用スクリー
ンを用いて前記Ａ基板上に約１００μｍの厚さに塗布
し、１３０℃で１５分間乾燥した後焼成を行った。焼成
のスケジュールは第３図に示したように、まず約４０℃
／分程度の速度で３５０℃迄加熱し、３５０℃〜４００
℃の間はバインダー等の分解、燃焼が活発なため５℃／
分と昇温速度を暖め、４００℃に達した後は１０℃／分
で７５０℃に昇温し、７５０℃で２０分間焼成する。焼
成終了後は約４０℃／分で冷却した。
ット（３２５メッシュパス１００％、平均粒径２．７７
μｍ）にビークルを加え、スリーロールミルで４時間混
練した後抜気して、粘度約２００ポイズのペーストを調
製した。ビークルとしては、エチルセルロース（８重量
％の塩酸を含む）の７％ＢＣＡ溶液を使用した。このペ
ーストをステンレス鋼１５０メッシュの印刷用スクリー
ンを用いて前記Ａ基板上に約１００μｍの厚さに塗布
し、１３０℃で１５分間乾燥した後焼成を行った。焼成
のスケジュールは第３図に示したように、まず約４０℃
／分程度の速度で３５０℃迄加熱し、３５０℃〜４００
℃の間はバインダー等の分解、燃焼が活発なため５℃／
分と昇温速度を暖め、４００℃に達した後は１０℃／分
で７５０℃に昇温し、７５０℃で２０分間焼成する。焼
成終了後は約４０℃／分で冷却した。
上記のようにして得られたステンレスグレーズ基板は第
２表に示した特性値を有し、回路基板として極めて優れ
たものであった。
２表に示した特性値を有し、回路基板として極めて優れ
たものであった。
実施例２ 重量％でＣｒ１６．７５，Ｍｎ０．５４，Ｎｂ０．５
２，Ｓｉ０．４９，Ｃｕ０．３８，Ｐ０．０２６，Ｃ
０．０１５，Ｓ０．００３を含むＦｅからなる磁性ステ
ンレス鋼（α100〜300＝１１０，２×１０−７／℃）の
板状支持体（以下「Ｂ基板」という）の上に第１表のN
o.５の組成を有するガラス（α100〜300＝１０５×１０
−７／℃）を積層して基板を作製した。
２，Ｓｉ０．４９，Ｃｕ０．３８，Ｐ０．０２６，Ｃ
０．０１５，Ｓ０．００３を含むＦｅからなる磁性ステ
ンレス鋼（α100〜300＝１１０，２×１０−７／℃）の
板状支持体（以下「Ｂ基板」という）の上に第１表のN
o.５の組成を有するガラス（α100〜300＝１０５×１０
−７／℃）を積層して基板を作製した。
ガラスフリットの製造およびガラスグレーズ基板の作成
は実施例１と同様な手順で行った。得られた磁性ステン
レスグレーズ基板の特性値は第２表の値を満足するもの
であった。
は実施例１と同様な手順で行った。得られた磁性ステン
レスグレーズ基板の特性値は第２表の値を満足するもの
であった。
実施例３ ＩＣＩ社製可視光硬化型樹脂ＬＣＲＸ０４０３
（ｎＤ：１．５４０８）にフィラーとして第１表のNo
８の組成のガラスフリット（ｎＤ：１．５４〜１．５
５）を７０重量％の含有率になるように添加して樹脂組
成物を調製した。ガラスフリットは実施例１と同様にし
て製造した。このガラスの線膨張係数α100〜300は９５
×１０−７／℃であった。
（ｎＤ：１．５４０８）にフィラーとして第１表のNo
８の組成のガラスフリット（ｎＤ：１．５４〜１．５
５）を７０重量％の含有率になるように添加して樹脂組
成物を調製した。ガラスフリットは実施例１と同様にし
て製造した。このガラスの線膨張係数α100〜300は９５
×１０−７／℃であった。
上記の樹脂組成物を混合してスリーロールミルで４時間
混練し、続いて抜気して粘度約１７０ポイズのペースト
とした。このペーストを、ディスペンサーにてエア圧力
４．０kg／cm2、風量１７０Ｎ／分でＡ基板およびＢ
基板上に噴霧塗布してフィルム状に積層し、メタルハラ
イド光源（４７０ｎｍ）を用いて、窒素気流中で２分間
照射し硬化させた。この表面は研磨して仕上げた基板
は、２００℃以下の使用範囲で耐ヒートサイクル性に異
常がなく、体積固有抵抗は常温で１０１５Ωcm以上、１
００〜２００℃で１０１３Ωcm以上、絶縁耐圧３ＫＶ／
１００μｍ以上、比誘電率（１０２１０７Hz）７．０〜
１１．０で特性値を十分クリアーした。
混練し、続いて抜気して粘度約１７０ポイズのペースト
とした。このペーストを、ディスペンサーにてエア圧力
４．０kg／cm2、風量１７０Ｎ／分でＡ基板およびＢ
基板上に噴霧塗布してフィルム状に積層し、メタルハラ
イド光源（４７０ｎｍ）を用いて、窒素気流中で２分間
照射し硬化させた。この表面は研磨して仕上げた基板
は、２００℃以下の使用範囲で耐ヒートサイクル性に異
常がなく、体積固有抵抗は常温で１０１５Ωcm以上、１
００〜２００℃で１０１３Ωcm以上、絶縁耐圧３ＫＶ／
１００μｍ以上、比誘電率（１０２１０７Hz）７．０〜
１１．０で特性値を十分クリアーした。
本発明の耐熱性絶縁電子回路基板は、機械的強度、耐熱
性、加工性に優れ、従来の絶縁性基板では実現できなか
った電子回路のハイブリッド化に適した絶縁基板であ
り、大型異型基板ができ、かつセラミック基板と同様に
スナップラインを設けて多数個取りも可能である。また
磁性ステンレス鋼を支持体としたものは、静電および電
磁シールド基板としての特性を具備している。
性、加工性に優れ、従来の絶縁性基板では実現できなか
った電子回路のハイブリッド化に適した絶縁基板であ
り、大型異型基板ができ、かつセラミック基板と同様に
スナップラインを設けて多数個取りも可能である。また
磁性ステンレス鋼を支持体としたものは、静電および電
磁シールド基板としての特性を具備している。
第１図および第２図は本発明のガラスフリットの粒度分
布の例を示す図、第３図はガラスペーストの焼成時の加
熱・冷却のパターンを示す図である。
布の例を示す図、第３図はガラスペーストの焼成時の加
熱・冷却のパターンを示す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】重量に基づきＳｉＯ２０〜８％，Ｂ２Ｏ３
４〜１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，
Ａｌ２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０
〜２％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２
Ｏ ０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５
％，ＣａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ
０〜４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４
％，Ｌａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３
０〜１％，からなる高温絶縁性ガラスが磁性または非磁
性の金属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層され
ていることを特徴とする耐熱性絶縁電子回路基板または
積層構体。 - 【請求項２】請求項（１）記載の組成を有するガラスに
添加成分として焼結した金属酸化物０〜１０％を加えた
高温絶縁性ガラスが磁性または非磁性の金属またはステ
ンレス鋼の板状支持体上に積層されていることを特徴と
する耐熱性絶縁電子回路基板または積層構体。 - 【請求項３】重量に基づきＳｉＯ２０〜８％，Ｂ２Ｏ３
４〜１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，
Ａｌ２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０
〜２％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２
Ｏ ０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５
％，ＣａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ
０〜４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４
％，Ｌａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３
０〜１％，からなるガラスまたは焼結した金属酸化物０
〜１０％からなる高温絶縁性物質の粉体を、フィラーと
して１０〜９５重量％含有する耐熱絶縁性可視光硬化型
樹脂が磁性または非磁性の金属またはステンレス鋼から
なる板状支持体上に積層されていることを特徴とする耐
熱性絶縁電子回路基板または積層構体。 - 【請求項４】重量に基づきＳｉＯ２０〜８％，Ｂ２Ｏ３
４〜１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，
Ａｌ２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０
〜２％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２
Ｏ ０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５
％，ＣａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ
０〜４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４
％，Ｌａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３
０〜１％，からなる高温絶縁性ガラスを、５〜１０重量
％のセルロース誘導体のブチルカルビトールアセテート
またはα−ターピネオールの溶液をバインダーとしてペ
ースト化し、磁性または非磁性の金属またはステンレス
鋼の板状支持体上に積層して焼結することを特徴とする
耐熱性絶縁電子回路基板または積層構体の製造方法。 - 【請求項５】請求項（４）記載の組成を有するガラスに
添加成分として焼結した金属酸化物０〜１０％を加えた
高温絶縁ガラスを、５〜１０重量％のセルロース誘導体
のブチルカルビトールアセテートまたはα−ターピネオ
ールの溶液をバインダーとしてペースト化し、磁性また
は非磁性の金属またはステンレス鋼の板状支持体上に積
層して焼結することを特徴とする耐熱性電子回路基板ま
たは積層構体の製造方法。 - 【請求項６】重量に基づきＳｉＯ２０〜８％，Ｂ２Ｏ３
４〜１５％，Ｐ２Ｏ５２０〜７１％，ＺｎＯ０〜２％，
Ａｌ２Ｏ３０〜１０％，ＰｂＯ ０〜１％，ＺｒＯ２０
〜２％，ＴｉＯ２０〜２％，Ｌｉ２Ｏ０〜１％，Ｎａ２
Ｏ ０〜２％，Ｋ２Ｏ ０〜１１％，ＭｇＯ ０〜５
％，ＣａＯ ０〜１４％，ＳｒＯ ０〜１８％，ＢａＯ
０〜４２％，Ｎｂ２Ｏ５０〜１％，Ｔａ２Ｏ５０〜４
％，Ｌａ２Ｏ３０〜１１％，ＷＯ３０〜１％，Ｙ２Ｏ３
０〜１％，からなるガラスまたは焼結した金属酸化物の
粉体を、フィラーとして１０〜９５重量％含有する耐熱
絶縁性可視光硬化型樹脂をペースト化し、磁性または非
磁性の金属またはステンレス鋼の板状支持体上に積層し
硬化させることを特徴とする耐熱性絶縁電子回路基板ま
たは積層構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2328259A JPH0617247B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2328259A JPH0617247B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198037A JPH04198037A (ja) | 1992-07-17 |
| JPH0617247B2 true JPH0617247B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=18208225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2328259A Expired - Fee Related JPH0617247B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617247B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114634309B (zh) * | 2022-03-09 | 2023-05-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种耐氢氟酸侵蚀玻璃及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109390A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 株式会社住友金属セラミックス | 印刷回路基板 |
| JPH0629152B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1994-04-20 | 株式会社オハラ | 基板用結晶化ガラスの製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2328259A patent/JPH0617247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04198037A (ja) | 1992-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841495B2 (en) | Glass and conductive paste using the same | |
| CN102332320B (zh) | 导电糊 | |
| JPH057801B2 (ja) | ||
| EP3496112B1 (en) | Conductive paste | |
| JP2002226259A (ja) | セラミック電子部品の基体用組成物、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
| CN111564234B (zh) | 一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法 | |
| US7935168B2 (en) | Use of conductor compositions in electronic circuits | |
| JPH0324796B2 (ja) | ||
| JP5641216B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品 | |
| JPS6248097A (ja) | 多層回路基板の製造法 | |
| CN113782251A (zh) | 一种电极膏体和电极厚膜及其制备方法 | |
| JPH0617247B2 (ja) | 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 | |
| JPS5946701A (ja) | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 | |
| JPS59207853A (ja) | ガラス組成物 | |
| JPS6374957A (ja) | 低温焼結性低誘電率無機組成物 | |
| JPH046046B2 (ja) | ||
| JP2941002B2 (ja) | 導体組成物 | |
| JPH0645476B2 (ja) | メタルマスク基板 | |
| JPS5946703A (ja) | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 | |
| JPS6050003B2 (ja) | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 | |
| JPH08148783A (ja) | 銅ペーストおよび多層配線基板の製造方法 | |
| JP2026015255A (ja) | ガラスペーストおよびその用途 | |
| JP2025140746A (ja) | 金ペースト | |
| JPH0147412B2 (ja) | ||
| JPH03149706A (ja) | ニッケル導電ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080309 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090309 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |