JPH0617264B2 - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0617264B2 JPH0617264B2 JP63257649A JP25764988A JPH0617264B2 JP H0617264 B2 JPH0617264 B2 JP H0617264B2 JP 63257649 A JP63257649 A JP 63257649A JP 25764988 A JP25764988 A JP 25764988A JP H0617264 B2 JPH0617264 B2 JP H0617264B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成物、特に、
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、温度補償用コン
デンサを初め、SHF帯で低損失なることを利用する衛星
放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体共振
器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられる誘
電体磁器組成物に係り、特定の３価金属オインを含有さ
せることにより、組成中のZnを所要値に制御して内質的
に均一で特性のすぐれた磁器となした電子デバイス用誘
電体磁器組成物に関する。
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、温度補償用コン
デンサを初め、SHF帯で低損失なることを利用する衛星
放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の誘電体共振
器、マイクロ波ストリップライン基板等に用いられる誘
電体磁器組成物に係り、特定の３価金属オインを含有さ
せることにより、組成中のZnを所要値に制御して内質的
に均一で特性のすぐれた磁器となした電子デバイス用誘
電体磁器組成物に関する。
背景技術 一般に、SHF帯用として用いられる誘電体磁器組成物と
しては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記組
成物の （但しＡ；Ta、Nb Ｂ；２価金属イオン （Znまたはさらに、Ni、Co、Mnの１種または２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
しては、従来、ペロブスカイ型化合物中でも特に下記組
成物の （但しＡ；Ta、Nb Ｂ；２価金属イオン （Znまたはさらに、Ni、Co、Mnの１種または２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
すなわち、 等である。
このSHF帯に利用される誘電体磁器組成物に要求される
高εr、高Ｑ、τf＝０、等の特性は厳しく、かかる特性
に合致させるためには、組成制御が重要である。
高εr、高Ｑ、τf＝０、等の特性は厳しく、かかる特性
に合致させるためには、組成制御が重要である。
従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、前記組成
物中に含有されるZnが蒸発し易いため、Znの制御が重要
であり、また、Znは焼成時に、セラミックス外面に拡
散、凝集して所謂“皮”を形成し易く、内質の均一なセ
ラミックスを安定して得ることが困難であり、特性の安
定したセラミックスを得ることが困難であった。｛参考
文献J.Am.CeramSoc.68[10]546-51(1985)｝ 発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、τf、εr特性を有し、磁器組成物中に含有
のZnの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、かつ内質
均一のセラミックスを安定的に得ることができる電子デ
バイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としている。
物中に含有されるZnが蒸発し易いため、Znの制御が重要
であり、また、Znは焼成時に、セラミックス外面に拡
散、凝集して所謂“皮”を形成し易く、内質の均一なセ
ラミックスを安定して得ることが困難であり、特性の安
定したセラミックスを得ることが困難であった。｛参考
文献J.Am.CeramSoc.68[10]546-51(1985)｝ 発明の目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、τf、εr特性を有し、磁器組成物中に含有
のZnの蒸発を抑制して、組成制御を容易にし、かつ内質
均一のセラミックスを安定的に得ることができる電子デ
バイス用誘電体磁器組成物の提供を目的としている。
発明の概要 この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物の欠点を
解消し、誘電体磁器組成物におけるZnの制御を目的に、
前記 組成ついて種々検討した結果、特定の３価金属イオンを
含有させることにより、組成中のZnを所要値に制御して
内質的に均一で特性のすぐれた磁器が得られることを知
見し、完成したものである。
解消し、誘電体磁器組成物におけるZnの制御を目的に、
前記 組成ついて種々検討した結果、特定の３価金属イオンを
含有させることにより、組成中のZnを所要値に制御して
内質的に均一で特性のすぐれた磁器が得られることを知
見し、完成したものである。
この発明は、基本組成を、 と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満足する
組成からなることを特徴とする電子デバイス用誘電体組
成物である。
組成からなることを特徴とする電子デバイス用誘電体組
成物である。
0.9≦Ｘ＜1.0 ０＜Ｙ≦0.1 但しＡ：Ta、Nb 発明の構成 この発明において、好ましい誘電体磁器組成物は、 この発明において、0.9≦Ｘ＜1.0、０＜Ｙ≦0.1に限定
した理由は、Ｘ値が0.9未満、Ｙ値が0.1を越えると、得
られる誘電体磁器組成物はＱ値の劣化が著しく、また温
度係数の劣化も大きくなり、また、Ｘ値が1.0以上、Ｙ
値が０では、Ｑ値の改善効果が見られないため、0.9≦
Ｘ＜1.0、０＜Ｙ≦0.1の範囲とする。
した理由は、Ｘ値が0.9未満、Ｙ値が0.1を越えると、得
られる誘電体磁器組成物はＱ値の劣化が著しく、また温
度係数の劣化も大きくなり、また、Ｘ値が1.0以上、Ｙ
値が０では、Ｑ値の改善効果が見られないため、0.9≦
Ｘ＜1.0、０＜Ｙ≦0.1の範囲とする。
発明の効果 この発明の誘電体磁器組成物は、9GHzにおけるＱは5000
〜11000、τf≦50ppm/゜C、εr31〜44となり、従来の誘電
体磁器組成物と同等またはそれ以上の特性のものが得ら
れ、焼成時においても、磁器組成物中に含まれるZnの蒸
発がある程度抑制されるため、組成の制御がより容易と
なり、また、セラミックス内のZnの偏析も防止し易く、
内質均一なセラミックスを安定的に得ることができる。
〜11000、τf≦50ppm/゜C、εr31〜44となり、従来の誘電
体磁器組成物と同等またはそれ以上の特性のものが得ら
れ、焼成時においても、磁器組成物中に含まれるZnの蒸
発がある程度抑制されるため、組成の制御がより容易と
なり、また、セラミックス内のZnの偏析も防止し易く、
内質均一なセラミックスを安定的に得ることができる。
なお、この発明においては、ZnをNi2+、Co2+、Mn2+など
の２価金属イオンやCa2+、Mg2+等のアルカリ土類イオン
で約20mol/%まで置換してもほぼ同等の効果が得られ
る。
の２価金属イオンやCa2+、Mg2+等のアルカリ土類イオン
で約20mol/%まで置換してもほぼ同等の効果が得られ
る。
実施例 原料を第１表に示した組成になるように秤量し、ボール
ミルにて混式混合し、1300゜Cに２時間仮焼した後、再度
ボールミルにて平均粒径１μｍ程度に粉砕した。
ミルにて混式混合し、1300゜Cに２時間仮焼した後、再度
ボールミルにて平均粒径１μｍ程度に粉砕した。
この粉砕粉を加圧成形し、1500゜C〜1650゜Cに焼成して、
寸法10mmΦ×20mmの焼結体を得た。
寸法10mmΦ×20mmの焼結体を得た。
得られた焼結体について、25゜C、9GHzにおける比誘電率
εr、Ｑ、共振周波数の温度係数τf(ppm/゜C)を測定し、
その結果を第１表に示す。
εr、Ｑ、共振周波数の温度係数τf(ppm/゜C)を測定し、
その結果を第１表に示す。
なお、第１表における比誘電率とＱは、Hakki and Cele
manらによる誘電体共振器法により測定したもので、共
振周波数の温度係数τf、誘電率、誘電率の温度係数τ
εとは、磁器の線熱膨張係数αとの間に下記式の如き関
係がある。
manらによる誘電体共振器法により測定したもので、共
振周波数の温度係数τf、誘電率、誘電率の温度係数τ
εとは、磁器の線熱膨張係数αとの間に下記式の如き関
係がある。
τf＝-1/2τε-α 第１表の結果より明らかなように、この発明による誘電
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
+50ppm/゜C付近まで広く、低損失、高誘電率材料である
ことが分る。
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
+50ppm/゜C付近まで広く、低損失、高誘電率材料である
ことが分る。
Claims (1)
- 【請求項１】基体組成を と表し、組成範囲を限定するＸ、Ｙが下記値を満足する
組成からなることを特徴とする電子デバイス用誘電体磁
器組成物。 0.9≦Ｘ＜1.0 ０＜Ｙ≦0.1 但しＡ：Ta、Nb
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257649A JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257649A JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02107552A JPH02107552A (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0617264B2 true JPH0617264B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=17309182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257649A Expired - Lifetime JPH0617264B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617264B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517985A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Dielectric material |
| JPS5857842B2 (ja) * | 1980-12-10 | 1983-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体材料 |
| JPS59195576A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 株式会社村田製作所 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63257649A patent/JPH0617264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02107552A (ja) | 1990-04-19 |
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