JPH06181104A - ZnOバリスタ - Google Patents
ZnOバリスタInfo
- Publication number
- JPH06181104A JPH06181104A JP43A JP33149492A JPH06181104A JP H06181104 A JPH06181104 A JP H06181104A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 33149492 A JP33149492 A JP 33149492A JP H06181104 A JPH06181104 A JP H06181104A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- voltage
- zno
- variation
- added
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バリスタ電圧ばらつきや電圧非直線性ばらつ
きがほとんどないZnOバリスタを提供することを目的
とする。 【構成】 ZnOを主成分とし、副成分として少なくと
もMnを含むZnOバリスタにおいて、MnをMn3O4
として、0.01〜1.00モル%の範囲で添加するこ
とにより、Mn3O4がポットミルの内壁、及び粉砕用の
玉石等にほとんど入り込まず、Mnの添加量の減少がほ
とんど起こらないのでロット間のバリスタ電圧ばらつき
や電圧非直線性ばらつきがほとんどないZnOバリスタ
を得ることができるものである。
きがほとんどないZnOバリスタを提供することを目的
とする。 【構成】 ZnOを主成分とし、副成分として少なくと
もMnを含むZnOバリスタにおいて、MnをMn3O4
として、0.01〜1.00モル%の範囲で添加するこ
とにより、Mn3O4がポットミルの内壁、及び粉砕用の
玉石等にほとんど入り込まず、Mnの添加量の減少がほ
とんど起こらないのでロット間のバリスタ電圧ばらつき
や電圧非直線性ばらつきがほとんどないZnOバリスタ
を得ることができるものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ZnOバリスタに関す
るものである。
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、ZnOバリスタは主成分である
ZnOに対し、副成分としてBi2O3,Co2O3,Mn
O2,Sb2O3等の金属酸化物を添加して混合、粉砕及
び成形を行い、前記混合原料の成形体を空気中1000
℃〜1400℃の温度範囲で焼成することにより電圧非
直線性に優れたZnOバリスタを製造していた。特に副
成分として添加するMnは焼結素子のバリスタ電圧、電
圧非直線性に強く影響を及ぼすことが知られている。
ZnOに対し、副成分としてBi2O3,Co2O3,Mn
O2,Sb2O3等の金属酸化物を添加して混合、粉砕及
び成形を行い、前記混合原料の成形体を空気中1000
℃〜1400℃の温度範囲で焼成することにより電圧非
直線性に優れたZnOバリスタを製造していた。特に副
成分として添加するMnは焼結素子のバリスタ電圧、電
圧非直線性に強く影響を及ぼすことが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の製造方法より製造されたバリスタでは、Mn
をMnO2の粉体で添加しており、一般に、バリスタ製
造用の添加物として用いられるMnO2は粒径が5〜1
5μmとZnO粉体よりもかなり大きく、また粉体とし
ての硬度もBi,Co,Sb等の他の添加物より大きい
ため、添加物の粉砕時にポットミルやトロンメルの内
壁、及び粉砕用の玉石等に選択的に入り込む。その結
果、MnO2の添加量が初期投入量よりも減少し、電圧
非直線性が悪化するという課題を有していた。また、製
造ロット間の粉砕条件等の微妙な違いにより、MnO2
の減少量もまた微妙に変化するため、随時、安定したバ
リスタ電圧及び電圧非直線性を有するZnOバリスタを
得ることが困難であるという課題を有していた。特にM
nO2添加量の少ないZnOバリスタへの影響が強かっ
た。
うな従来の製造方法より製造されたバリスタでは、Mn
をMnO2の粉体で添加しており、一般に、バリスタ製
造用の添加物として用いられるMnO2は粒径が5〜1
5μmとZnO粉体よりもかなり大きく、また粉体とし
ての硬度もBi,Co,Sb等の他の添加物より大きい
ため、添加物の粉砕時にポットミルやトロンメルの内
壁、及び粉砕用の玉石等に選択的に入り込む。その結
果、MnO2の添加量が初期投入量よりも減少し、電圧
非直線性が悪化するという課題を有していた。また、製
造ロット間の粉砕条件等の微妙な違いにより、MnO2
の減少量もまた微妙に変化するため、随時、安定したバ
リスタ電圧及び電圧非直線性を有するZnOバリスタを
得ることが困難であるという課題を有していた。特にM
nO2添加量の少ないZnOバリスタへの影響が強かっ
た。
【0004】本発明は上記従来の課題点を解決するもの
で、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線性ばらつきの
ほとんどないZnOバリスタを提供することを目的とす
る。
で、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線性ばらつきの
ほとんどないZnOバリスタを提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるZnOバリスタは、MnをMn3O4で
添加することを特徴とするZnOバリスタであり、ま
た、Mn3O4の添加量は0.01〜1.00モル%であ
ることを特徴とするZnOバリスタである。
め、本発明によるZnOバリスタは、MnをMn3O4で
添加することを特徴とするZnOバリスタであり、ま
た、Mn3O4の添加量は0.01〜1.00モル%であ
ることを特徴とするZnOバリスタである。
【0006】
【作用】上記構成により、バリスタ電圧及び電圧非直線
性に強く影響を及ぼすMnを、粒径0.8〜2.0μm
程度で、粉体硬度がMnO2より小さいMn3O4として
添加を行うので、粒砕時にMn3O4がポットミルやトロ
ンメルの内壁、及び粉砕用の玉石等に入り込まず、その
結果、Mn3O4の添加量の減少に伴う電圧非直線性の悪
化はMn3O4の初期投入量の大小に関わらずほとんど起
こらない。また、製造ロット間の粉砕条件等の微妙な差
によるMn減少量のばらつき差の影響もほとんど受けな
いので、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線性ばらつ
きのほとんどないZnOバリスタが得られるものであ
る。
性に強く影響を及ぼすMnを、粒径0.8〜2.0μm
程度で、粉体硬度がMnO2より小さいMn3O4として
添加を行うので、粒砕時にMn3O4がポットミルやトロ
ンメルの内壁、及び粉砕用の玉石等に入り込まず、その
結果、Mn3O4の添加量の減少に伴う電圧非直線性の悪
化はMn3O4の初期投入量の大小に関わらずほとんど起
こらない。また、製造ロット間の粉砕条件等の微妙な差
によるMn減少量のばらつき差の影響もほとんど受けな
いので、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線性ばらつ
きのほとんどないZnOバリスタが得られるものであ
る。
【0007】
(実施例1)以下、本発明を実施例にしたがって詳細に
説明する。
説明する。
【0008】まず、主成分であるZnOに対し、Bi2
O3,Co2O3,Sb2O3,Al2O3,TiO2,MnO
2,Mn3O4を(表1)〜(表4)に示す添加量で、そ
れぞれの試料について30ロットずつ湿式配合を行い、
水分を脱水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。得ら
れた造粒粉末を1000kg/cm2の成形圧力のもとで、
直径13mm,厚み1.3mmに成形し、1200℃で2時
間焼成し焼結体を得た。この焼結体の両面に、銀(A
g)を主成分とする電極を形成し、電極にリード線を半
田付けし、エポキシ樹脂で被覆してZnOバリスタを作
成した。このようにして得られたZnOバリスタに対
し、単位厚み当りのバリスタ電圧(V1mA/mm)、
電圧比(V1mA/V10μA)、及びサージ耐量特性
を評価した。(表1),(表3)に、各々の試料につい
ての、副成分の添加量、(表2),(表4)に、(表
1),(表3)に対応するバリスタ電圧及び電圧比の3
0ロットの平均値とばらつき(σn)、並びにサージ耐
量の30ロットの平均値の結果を示した。ここで、バリ
スタ電圧(V1mA)とはバリスタに1mAの電流が流
れた時にバリスタの両端にかかる電圧であり、(V10
μA)と共に直流定電流電源にて測定した。電圧非直線
性は電圧比(V1mA/V10μA)で評価した。サー
ジ耐量は試料番号1から12までは2000Aのサージ
電流を印加した時のバリスタ電圧変化率(ΔV1mA)
で、試料番号13から24までは4000Aのサージ電
流を印加した時のバリスタ電圧変化率(Δ1mA)で評
価した。なお、(表1)において、*が付されている試
料は比較例であり、**が付されている試料はMnをM
nO2で添加を行う従来例である。
O3,Co2O3,Sb2O3,Al2O3,TiO2,MnO
2,Mn3O4を(表1)〜(表4)に示す添加量で、そ
れぞれの試料について30ロットずつ湿式配合を行い、
水分を脱水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。得ら
れた造粒粉末を1000kg/cm2の成形圧力のもとで、
直径13mm,厚み1.3mmに成形し、1200℃で2時
間焼成し焼結体を得た。この焼結体の両面に、銀(A
g)を主成分とする電極を形成し、電極にリード線を半
田付けし、エポキシ樹脂で被覆してZnOバリスタを作
成した。このようにして得られたZnOバリスタに対
し、単位厚み当りのバリスタ電圧(V1mA/mm)、
電圧比(V1mA/V10μA)、及びサージ耐量特性
を評価した。(表1),(表3)に、各々の試料につい
ての、副成分の添加量、(表2),(表4)に、(表
1),(表3)に対応するバリスタ電圧及び電圧比の3
0ロットの平均値とばらつき(σn)、並びにサージ耐
量の30ロットの平均値の結果を示した。ここで、バリ
スタ電圧(V1mA)とはバリスタに1mAの電流が流
れた時にバリスタの両端にかかる電圧であり、(V10
μA)と共に直流定電流電源にて測定した。電圧非直線
性は電圧比(V1mA/V10μA)で評価した。サー
ジ耐量は試料番号1から12までは2000Aのサージ
電流を印加した時のバリスタ電圧変化率(ΔV1mA)
で、試料番号13から24までは4000Aのサージ電
流を印加した時のバリスタ電圧変化率(Δ1mA)で評
価した。なお、(表1)において、*が付されている試
料は比較例であり、**が付されている試料はMnをM
nO2で添加を行う従来例である。
【0009】
【表1】
【0010】
【表2】
【0011】
【表3】
【0012】
【表4】
【0013】上記(表1)〜(表4)から明らかなよう
に、本実施例によるZnOバリスタ試料番号8〜11及
び20〜23は、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線
性(電圧比)ばらつきにおいて、従来例(**印)より
も格段に良好な効果を得ることができる。また、試料番
号7,19のようにMn3O4の添加量が0.01モル%
未満であると電圧比が極端に悪化し、試料番号12,2
4のように1.00モル%を越えるとサージ耐量特性が
極端に悪化することから、Mn3O4の添加量の最適値は
0.01〜1.00モル%であることが分かる。
に、本実施例によるZnOバリスタ試料番号8〜11及
び20〜23は、バリスタ電圧ばらつき及び電圧非直線
性(電圧比)ばらつきにおいて、従来例(**印)より
も格段に良好な効果を得ることができる。また、試料番
号7,19のようにMn3O4の添加量が0.01モル%
未満であると電圧比が極端に悪化し、試料番号12,2
4のように1.00モル%を越えるとサージ耐量特性が
極端に悪化することから、Mn3O4の添加量の最適値は
0.01〜1.00モル%であることが分かる。
【0014】以上のように本実施例によれば、ZnOを
主成分とし、副成分として少なくともMnを含むZnO
バリスタにおいて、MnをMn3O4で添加することによ
り、Mn3O4がポットミルの内壁、及び粉砕用の玉石等
にほとんど入り込まずMnの添加量の減少がほとんど起
こらないのでロット間のバリスタ電圧ばらつきや電圧非
直線性ばらつきがほとんどないZnOバリスタを得るこ
とが確認できる。
主成分とし、副成分として少なくともMnを含むZnO
バリスタにおいて、MnをMn3O4で添加することによ
り、Mn3O4がポットミルの内壁、及び粉砕用の玉石等
にほとんど入り込まずMnの添加量の減少がほとんど起
こらないのでロット間のバリスタ電圧ばらつきや電圧非
直線性ばらつきがほとんどないZnOバリスタを得るこ
とが確認できる。
【0015】なお、本発明の実施例においてMn以外の
添加物として、Bi2O3,Co2O3,Sb2O3,Al2
O3,TiO2を用いたが、添加物として、Y2O3,Ni
O,SnO2,Cr2O3,B2O3,Pr6O11等、他の金
属酸化物を用いても本発明の効果に変化は全くないこと
は言うまでもない。
添加物として、Bi2O3,Co2O3,Sb2O3,Al2
O3,TiO2を用いたが、添加物として、Y2O3,Ni
O,SnO2,Cr2O3,B2O3,Pr6O11等、他の金
属酸化物を用いても本発明の効果に変化は全くないこと
は言うまでもない。
【0016】
【発明の効果】以上詳細に説明したところから明らかな
ように、本発明はMnをMn3O4として、0.01〜
1.00モル%の範囲で添加することにより、Mn3O4
がポットミルの内壁、及び粉砕用の玉石等にほとんど入
り込まず、Mnの添加量の減少がほとんど起こらないの
でロット間のバリスタ電圧ばらつきや電圧非直線性ばら
つきがほとんどないZnOバリスタを得ることができる
ものである。
ように、本発明はMnをMn3O4として、0.01〜
1.00モル%の範囲で添加することにより、Mn3O4
がポットミルの内壁、及び粉砕用の玉石等にほとんど入
り込まず、Mnの添加量の減少がほとんど起こらないの
でロット間のバリスタ電圧ばらつきや電圧非直線性ばら
つきがほとんどないZnOバリスタを得ることができる
ものである。
Claims (2)
- 【請求項1】 ZnOを主成分とし、副成分として少な
くともMnを含むZnOバリスタにおいて、MnをMn
3O4で添加することを特徴とするZnOバリスタ。 - 【請求項2】 Mn3O4の添加量が0.01〜1.00
モル%である請求項1記載のZnOバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06181104A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ZnOバリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06181104A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ZnOバリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181104A true JPH06181104A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18244273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06181104A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ZnOバリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9259203B2 (en) | 2009-05-22 | 2016-02-16 | General Electric Company | System and method to automatic assist positioning of subject in mobile image acquisition |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP43A patent/JPH06181104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9259203B2 (en) | 2009-05-22 | 2016-02-16 | General Electric Company | System and method to automatic assist positioning of subject in mobile image acquisition |
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