JPH06191892A - 導電性及び／又は赤外線反射性を有する薄膜の処理方法 - Google Patents
導電性及び／又は赤外線反射性を有する薄膜の処理方法Info
- Publication number
- JPH06191892A JPH06191892A JP5211424A JP21142493A JPH06191892A JP H06191892 A JPH06191892 A JP H06191892A JP 5211424 A JP5211424 A JP 5211424A JP 21142493 A JP21142493 A JP 21142493A JP H06191892 A JPH06191892 A JP H06191892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ions
- conductivity
- region
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 68
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 6
- JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N dibutyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn](=O)CCCC JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 241001074085 Scophthalmus aquosus Species 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L dibutyltin(2+);difluoride Chemical compound CCCC[Sn](F)(F)CCCC UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N Chlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)Cl VOPWNXZWBYDODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical class CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004773 chlorofluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(Cl)* 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- SBFKENUEAOCRNR-UHFFFAOYSA-K indium(3+);triformate Chemical compound [In+3].[O-]C=O.[O-]C=O.[O-]C=O SBFKENUEAOCRNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000013904 zinc acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/216—ZnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
- C03C2217/231—In2O3/SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
- C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明な基材、特にガラス基材上に配置された
１又は２種以上の金属酸化物、特に亜化学量論的な酸化
物に基づく薄膜の導電性及び／又は赤外線反射性を局部
的に変えるための処理方法を提供する。 【構成】 高温にされた膜を「低エネルギー」のイオン
ビームに選択的にさらす。
１又は２種以上の金属酸化物、特に亜化学量論的な酸化
物に基づく薄膜の導電性及び／又は赤外線反射性を局部
的に変えるための処理方法を提供する。 【構成】 高温にされた膜を「低エネルギー」のイオン
ビームに選択的にさらす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性及び／又は赤外
線反射性を有する、とりわけ低放射率の、薄膜を選択的
なやり方で処理して、これらの性質を局部的に変えるた
めの方法に関する。
線反射性を有する、とりわけ低放射率の、薄膜を選択的
なやり方で処理して、これらの性質を局部的に変えるた
めの方法に関する。
【０００２】より詳しく言うと、この処理方法は、透明
な基材、とりわけガラスの基材上に、直接かあるいは間
にある他の薄膜を介して配置された亜化学量論的な（su
bstoichiometric ）、１又は２種以上の金属酸化物を基
礎材料とする薄い半導体膜に関係するものである。
な基材、とりわけガラスの基材上に、直接かあるいは間
にある他の薄膜を介して配置された亜化学量論的な（su
bstoichiometric ）、１又は２種以上の金属酸化物を基
礎材料とする薄い半導体膜に関係するものである。
【０００３】本発明はまた、この方法を、窓ガラス、特
に例えば航空機といったような乗り物のための加熱窓ガ
ラスの製造に適用することに関する。
に例えば航空機といったような乗り物のための加熱窓ガ
ラスの製造に適用することに関する。
【０００４】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】霜を取
りあるいはくもりを取るのを可能にする加熱窓ガラスの
周知の本源は、窓ガラスの基材上に配置された導電性の
薄膜のジュール効果による制御された加熱に存し、この
加熱は、その薄膜に、一般には相対する側の２箇所でそ
の薄膜に接続される給電導線により電位を印加しながら
行われる。
りあるいはくもりを取るのを可能にする加熱窓ガラスの
周知の本源は、窓ガラスの基材上に配置された導電性の
薄膜のジュール効果による制御された加熱に存し、この
加熱は、その薄膜に、一般には相対する側の２箇所でそ
の薄膜に接続される給電導線により電位を印加しながら
行われる。
【０００５】この種の窓ガラスの共通の問題は、窓ガラ
スに比較的複雑な形状寸法が与えられるとたちまちに、
例えば窓ガラスが非長方形の輪郭にされ及び／又は幾分
か目につくように湾曲されると、導電性の膜があらゆる
箇所において実質的に一定の電気的特性を有する場合に
は窓ガラスの全体の領域を均一に加熱することはもはや
可能ではない、ということである。今日、この形状寸法
は自動車や航空機に装備される例えばフロントガラスも
しくは風防ガラスといったような窓ガラスの大部分で採
用されているが、ここでは、気候条件がどんなであれ明
らかな安全の理由から窓ガラスの最大限の視界を保証す
ることが最高に重要なことである。
スに比較的複雑な形状寸法が与えられるとたちまちに、
例えば窓ガラスが非長方形の輪郭にされ及び／又は幾分
か目につくように湾曲されると、導電性の膜があらゆる
箇所において実質的に一定の電気的特性を有する場合に
は窓ガラスの全体の領域を均一に加熱することはもはや
可能ではない、ということである。今日、この形状寸法
は自動車や航空機に装備される例えばフロントガラスも
しくは風防ガラスといったような窓ガラスの大部分で採
用されているが、ここでは、気候条件がどんなであれ明
らかな安全の理由から窓ガラスの最大限の視界を保証す
ることが最高に重要なことである。
【０００６】この場合、この加熱を均一にするために
は、膜の複数の領域の単位面積当たりの抵抗に変化をつ
けることが必要であり、すなわちこの膜は導電性に変化
を有するべきであり、あるいは同等であって且つ加熱窓
ガラスの分野において非常によく用いられるものとな
る。
は、膜の複数の領域の単位面積当たりの抵抗に変化をつ
けることが必要であり、すなわちこの膜は導電性に変化
を有するべきであり、あるいは同等であって且つ加熱窓
ガラスの分野において非常によく用いられるものとな
る。
【０００７】単位面積当たりの導電率又は抵抗に違いの
ある領域を有する導電性膜を製造するために現在まで応
用されている技術的な解決策は、完全に満足なものでは
ない。
ある領域を有する導電性膜を製造するために現在まで応
用されている技術的な解決策は、完全に満足なものでは
ない。
【０００８】例えば、フランス国特許出願公開第２２０
８００５号明細書から、陰極スパター法で堆積される導
電性膜の処理方法であって、スパッター操作自体を行う
際に、とりわけ一定の数のマスクによって、膜の厚さを
局部的に変えることができるものが知られている。マス
クが使用される領域での厚さの局部的な減少から、スク
エア抵抗が制御されて増大する。（スクエア抵抗Ｒsqは
抵抗率ρを厚さｅで割った商に等しい、即ちＲsq＝ρ／
ｅである、ということが思い出されよう。）とは言うも
のの、この技術の主な不都合は、膜の初期抵抗よりもは
るかにずっと高いスクエア抵抗を有する領域を作り出す
ことが必要になることがあることである。その場合、膜
の厚さのかなりの変更が必要とされ、この変更は窓ガラ
スのとりわけ反射して見る際における外観の変化に通
じ、すなわち特に不均質且つ見苦しいものをもたらす。
８００５号明細書から、陰極スパター法で堆積される導
電性膜の処理方法であって、スパッター操作自体を行う
際に、とりわけ一定の数のマスクによって、膜の厚さを
局部的に変えることができるものが知られている。マス
クが使用される領域での厚さの局部的な減少から、スク
エア抵抗が制御されて増大する。（スクエア抵抗Ｒsqは
抵抗率ρを厚さｅで割った商に等しい、即ちＲsq＝ρ／
ｅである、ということが思い出されよう。）とは言うも
のの、この技術の主な不都合は、膜の初期抵抗よりもは
るかにずっと高いスクエア抵抗を有する領域を作り出す
ことが必要になることがあることである。その場合、膜
の厚さのかなりの変更が必要とされ、この変更は窓ガラ
スのとりわけ反射して見る際における外観の変化に通
じ、すなわち特に不均質且つ見苦しいものをもたらす。
【０００９】また、フランス国特許第２５８４３９２号
明細書から、導電性酸化膜をその付着後に酸化性あるい
は還元性の雰囲気中において非常に強烈で急速な加熱に
さらす処理も知られている。これには、基本的に膜の厚
さを変更することなしに、膜の抵抗率をそれぞれ低下あ
るいは増大させるという効果がある。特にバーナーを使
用するこの技術は、異なる導電率を得る目的で、膜の一
つの領域を別の領域と差をつけて加熱することがある。
しかしながらそれは、陰極スパッター法のタイプの、真
空を使用する方法による付着に続いて使用するよりも、
むしろ連続のガラスの帯の上へ熱分解で付着させてから
の後処理として使用する方によりよく向いているようで
ある。
明細書から、導電性酸化膜をその付着後に酸化性あるい
は還元性の雰囲気中において非常に強烈で急速な加熱に
さらす処理も知られている。これには、基本的に膜の厚
さを変更することなしに、膜の抵抗率をそれぞれ低下あ
るいは増大させるという効果がある。特にバーナーを使
用するこの技術は、異なる導電率を得る目的で、膜の一
つの領域を別の領域と差をつけて加熱することがある。
しかしながらそれは、陰極スパッター法のタイプの、真
空を使用する方法による付着に続いて使用するよりも、
むしろ連続のガラスの帯の上へ熱分解で付着させてから
の後処理として使用する方によりよく向いているようで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段、及び作用効果】本発明の
目的は、１又は２種以上の金属酸化物を基礎材料とする
薄い半導体膜に導電率の異なる領域を作り出すことがで
きる処理方法を提供することであって、これは前述の不
都合を軽減することによって、すなわち膜の製造方法が
どんなであっても信頼性があり、正確で、応用可能であ
って、且つそのような膜を含む窓ガラスの外観の均質性
を維持して達成される。
目的は、１又は２種以上の金属酸化物を基礎材料とする
薄い半導体膜に導電率の異なる領域を作り出すことがで
きる処理方法を提供することであって、これは前述の不
都合を軽減することによって、すなわち膜の製造方法が
どんなであっても信頼性があり、正確で、応用可能であ
って、且つそのような膜を含む窓ガラスの外観の均質性
を維持して達成される。
【００１１】本発明は、透明な基材、とりわけガラスの
基材上に、直接かあるいは間にある他の薄膜を介して配
置された、１又は２種以上の金属酸化物、とりわけ亜化
学量論的な金属酸化物を基礎材料とする低放射率タイプ
の薄膜の導電性及び／又は赤外線反射性を局部的に変更
するための処理方法の提供を目的とする。この方法は、
高温にした導電性膜を「低エネルギー」のイオンビーム
に選択的にさらすものである。
基材上に、直接かあるいは間にある他の薄膜を介して配
置された、１又は２種以上の金属酸化物、とりわけ亜化
学量論的な金属酸化物を基礎材料とする低放射率タイプ
の薄膜の導電性及び／又は赤外線反射性を局部的に変更
するための処理方法の提供を目的とする。この方法は、
高温にした導電性膜を「低エネルギー」のイオンビーム
に選択的にさらすものである。
【００１２】本発明の関係する範囲内においては、「低
エネルギーイオンビーム」という表現は、それらのパラ
メーターがビームにさらされる領域でのイオンの衝撃に
よる膜の粉砕を避けるように選ばれるイオンのビームを
意味するものと理解すべきである。
エネルギーイオンビーム」という表現は、それらのパラ
メーターがビームにさらされる領域でのイオンの衝撃に
よる膜の粉砕を避けるように選ばれるイオンのビームを
意味するものと理解すべきである。
【００１３】二つの変形の態様を考えることができる。
第一には、ビームのイオンのうちの少なくとも一部分は
酸化性のもので、例えばイオン化された酸素に基づくイ
オンのようなものでよく、これはビームにさらされる領
域の膜の導電率を局部的に低下させる効果を有する。
第一には、ビームのイオンのうちの少なくとも一部分は
酸化性のもので、例えばイオン化された酸素に基づくイ
オンのようなものでよく、これはビームにさらされる領
域の膜の導電率を局部的に低下させる効果を有する。
【００１４】対照的に、ビームのイオンのうちの少なく
とも一部分は還元性のもので、例えばイオン化された水
素に基づくイオンのようなものでよく、これはビームに
さらされる領域の導電率を局部的に上昇させる作用を有
する。
とも一部分は還元性のもので、例えばイオン化された水
素に基づくイオンのようなものでよく、これはビームに
さらされる領域の導電率を局部的に上昇させる作用を有
する。
【００１５】この処理技術には多くの利点がある。まず
第一に、この処理の操作は付着（あるいは堆積）の操作
からすっかり切り離され、これは例えば真空を利用する
ような、あるいは熱分解タイプのような、全ての通常の
膜付着（堆積）技術をもくろむことを可能にする。更
に、ビームを調整及び制御することができる方向に集中
させることによって、処理すべき領域の局所化の制御を
完全に行うことが可能である。この技術は更に、ビーム
にさらされる膜の領域の厚さを変化させない。このよう
にして、処理された膜を組み込んだ窓ガラスについて言
えば、処理の度合いがどんなであれ、未処理の膜を有す
る窓ガラスの外観の均質性と互角の外観の均質性を保証
することが可能である。
第一に、この処理の操作は付着（あるいは堆積）の操作
からすっかり切り離され、これは例えば真空を利用する
ような、あるいは熱分解タイプのような、全ての通常の
膜付着（堆積）技術をもくろむことを可能にする。更
に、ビームを調整及び制御することができる方向に集中
させることによって、処理すべき領域の局所化の制御を
完全に行うことが可能である。この技術は更に、ビーム
にさらされる膜の領域の厚さを変化させない。このよう
にして、処理された膜を組み込んだ窓ガラスについて言
えば、処理の度合いがどんなであれ、未処理の膜を有す
る窓ガラスの外観の均質性と互角の外観の均質性を保証
することが可能である。
【００１６】更にこの技術は、任意の種類の半導体金属
酸化物の膜に、付着（堆積）後の金属酸化物膜の導電率
がどんなであっても、たやすく合わせることができる。
と言うのは、それはこの導電率を局部的に上昇させるこ
と、あるいは反対に低下させることの選択を可能にする
からである。（導電率は抵抗率の逆数であることが思い
出されよう。）
酸化物の膜に、付着（堆積）後の金属酸化物膜の導電率
がどんなであっても、たやすく合わせることができる。
と言うのは、それはこの導電率を局部的に上昇させるこ
と、あるいは反対に低下させることの選択を可能にする
からである。（導電率は抵抗率の逆数であることが思い
出されよう。）
【００１７】このように、発明者らは、今まではイオン
ビームは全く別の目的のために使用されていたにもかか
わらず、イオンビームと加熱操作とを組み合わせて使用
することが抵抗率に及ぼす特に驚くべき効果を発見した
のである。
ビームは全く別の目的のために使用されていたにもかか
わらず、イオンビームと加熱操作とを組み合わせて使用
することが抵抗率に及ぼす特に驚くべき効果を発見した
のである。
【００１８】「イオン支援付着ＩＡＤ（ion-assisted d
eposition IAD ）」として知られるタイプの技術におい
てイオンビームを使用する効果は知られており、これら
は蒸着あるいはイオンスパッターによる付着の際に膜に
向けられるビーム、特に酸素イオンのビームが、こうし
て形成される金属酸化物の膜を緻密化させる技術であ
る。一般に屈折率の上昇により測定することができるこ
の緻密化は、膜の化学的及び／又は物理的な耐久性の増
加を可能にする。
eposition IAD ）」として知られるタイプの技術におい
てイオンビームを使用する効果は知られており、これら
は蒸着あるいはイオンスパッターによる付着の際に膜に
向けられるビーム、特に酸素イオンのビームが、こうし
て形成される金属酸化物の膜を緻密化させる技術であ
る。一般に屈折率の上昇により測定することができるこ
の緻密化は、膜の化学的及び／又は物理的な耐久性の増
加を可能にする。
【００１９】従って、本発明による処理方法においては
多分全く異なる現象が起こっているのである。と言うの
は、多分、膜の表面でビームのイオンの作用を受けて酸
化物の格子の再構成が、膜の無視できない厚さを通して
伝わる再構成が、起こるであろうからである。そのとき
に、それは格子における酸素の空所の濃度を変えること
になり、この濃度の変化は次いで導電率に直接影響を及
ぼすことになろう。と言うのは、酸化物に導電性を与え
るのは大抵はこれらの空所だからである。例えば、酸化
性のイオンは、この濃度を低下させることによって導電
率を低下させるであろうし、その一方で、還元性のイオ
ンは反対の作用を及ぼすであろう。
多分全く異なる現象が起こっているのである。と言うの
は、多分、膜の表面でビームのイオンの作用を受けて酸
化物の格子の再構成が、膜の無視できない厚さを通して
伝わる再構成が、起こるであろうからである。そのとき
に、それは格子における酸素の空所の濃度を変えること
になり、この濃度の変化は次いで導電率に直接影響を及
ぼすことになろう。と言うのは、酸化物に導電性を与え
るのは大抵はこれらの空所だからである。例えば、酸化
性のイオンは、この濃度を低下させることによって導電
率を低下させるであろうし、その一方で、還元性のイオ
ンは反対の作用を及ぼすであろう。
【００２０】本発明の発明者らにより証明されたこの現
象は、ビームにより処理される膜の領域がターゲットの
ようにして粉砕されることになり、かくしてまさに避け
られるべきものである厚さの局部的な減少を引き起こす
ことになるのを回避するために、低エネルギーイオンビ
ームを選ぶように注意すれば、なお一層驚くべきものに
なる。
象は、ビームにより処理される膜の領域がターゲットの
ようにして粉砕されることになり、かくしてまさに避け
られるべきものである厚さの局部的な減少を引き起こす
ことになるのを回避するために、低エネルギーイオンビ
ームを選ぶように注意すれば、なお一層驚くべきものに
なる。
【００２１】実際のところ、膜表面へのイオンの衝撃の
作用を受けて膜において生じる変化は、それらが実際に
少しでも考えられることがあったとすれば、非常に薄い
厚さを通して効果を現すだけではないかと思われていた
ようである。ところが、ビームのイオンは、膜が高温に
されると、既に述べたように導電率のかなりの変化を誘
発するのに十分なだけ大きい変化を、粉砕を引き起こす
ことなしに、酸化物の格子に引き起こすということが証
明された。
作用を受けて膜において生じる変化は、それらが実際に
少しでも考えられることがあったとすれば、非常に薄い
厚さを通して効果を現すだけではないかと思われていた
ようである。ところが、ビームのイオンは、膜が高温に
されると、既に述べたように導電率のかなりの変化を誘
発するのに十分なだけ大きい変化を、粉砕を引き起こす
ことなしに、酸化物の格子に引き起こすということが証
明された。
【００２２】更に、本発明による方法は使用に際して非
常に融通性があり、そして種々の設備及びビームを作り
だす種々のタイプのイオン銃に容易に合わせることがで
きる、ということに言及すべきである。実際に、種々の
パラメーター、例えば処理すべき膜が昇温される温度、
イオンビームでの処理時間、ビームが膜に突き当たる際
のそのビームのイオンのエネルギーといったようなもの
を、一緒にあるいは別々に調節することによって、導電
率を所望のように変えることが可能である。
常に融通性があり、そして種々の設備及びビームを作り
だす種々のタイプのイオン銃に容易に合わせることがで
きる、ということに言及すべきである。実際に、種々の
パラメーター、例えば処理すべき膜が昇温される温度、
イオンビームでの処理時間、ビームが膜に突き当たる際
のそのビームのイオンのエネルギーといったようなもの
を、一緒にあるいは別々に調節することによって、導電
率を所望のように変えることが可能である。
【００２３】とは言うものの、膜の温度は少なくともお
よそ１５０℃であること、例えばおよそ２５０℃である
ことが好ましい。
よそ１５０℃であること、例えばおよそ２５０℃である
ことが好ましい。
【００２４】一定の付着（堆積）技術がその上に膜を付
着させる基材を１５０℃を超える温度に加熱することを
必要とする限りにおいて、都合のよいことに、このよう
に既に適当な温度にある膜の付着後直ちにイオンビーム
による処理を行うことが必要であるだけである。処理時
間は、大量生産のための工業的な必要条件となおもうま
く合うように選ばれるべきである。
着させる基材を１５０℃を超える温度に加熱することを
必要とする限りにおいて、都合のよいことに、このよう
に既に適当な温度にある膜の付着後直ちにイオンビーム
による処理を行うことが必要であるだけである。処理時
間は、大量生産のための工業的な必要条件となおもうま
く合うように選ばれるべきである。
【００２５】イオンのエネルギーに関しては、粉砕なし
に所望の効果を挙げる目的でこのエネルギーを調節する
ためにいくつかの解決策を考えることができる。
に所望の効果を挙げる目的でこのエネルギーを調節する
ためにいくつかの解決策を考えることができる。
【００２６】実際において選択と制御にとって重要な点
は、放出源での又はイオン銃でのビームのエネルギーが
それほど大きいことではなく、選ばれなくてはならない
エネルギーは「小さな値」のものであって、イオンが膜
に突き当たるエネルギーは、とりわけ１００電子ボルト
（eV）未満、好ましくは５０〜９０電子ボルトである。
二つの調節法を考えることができる。まず第一には、膜
のレベルでのこのエネルギーを、放出源でのビームのエ
ネルギー及び放出源と膜との間隔を調整することで調節
することが可能である。この膜には電圧は印加されな
い。処理中にこの膜に極性を与え、そうして放出源での
エネルギーが先に述べた場合におけるよりも明らかに高
いイオンビームを使用することができるようにすること
も可能である。実際のところ、膜に極性を与えることに
はイオンが膜に接近するのを遅らせる効果があって、与
えられる極性はイオンが膜に極性が与えられない場合と
同じエネルギーで膜に突き当たるように調整することが
できる。
は、放出源での又はイオン銃でのビームのエネルギーが
それほど大きいことではなく、選ばれなくてはならない
エネルギーは「小さな値」のものであって、イオンが膜
に突き当たるエネルギーは、とりわけ１００電子ボルト
（eV）未満、好ましくは５０〜９０電子ボルトである。
二つの調節法を考えることができる。まず第一には、膜
のレベルでのこのエネルギーを、放出源でのビームのエ
ネルギー及び放出源と膜との間隔を調整することで調節
することが可能である。この膜には電圧は印加されな
い。処理中にこの膜に極性を与え、そうして放出源での
エネルギーが先に述べた場合におけるよりも明らかに高
いイオンビームを使用することができるようにすること
も可能である。実際のところ、膜に極性を与えることに
はイオンが膜に接近するのを遅らせる効果があって、与
えられる極性はイオンが膜に極性が与えられない場合と
同じエネルギーで膜に突き当たるように調整することが
できる。
【００２７】更に、ビームのイオン密度もやはり適切な
ように、とりわけ、例えばおよそ１mA/cm2程度になるよ
うに、選ばれるべきである。
ように、とりわけ、例えばおよそ１mA/cm2程度になるよ
うに、選ばれるべきである。
【００２８】本発明による方法は、いずれのタイプの亜
化学量論的な金属酸化物にも、及び／又は所定の金属の
酸化物の格子に一定の割合の別の金属をドープされた、
すなわち挿入されたものにも、適用することができる。
とりわけ、スズをドープされた酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、フッ素をドープされた酸化スズ（SnO2:F）、イン
ジウムをドープされた酸化亜鉛（ZnO:In）、アルミニウ
ムをドープされた酸化亜鉛（ZnO:Al）、スズをドープさ
れた酸化亜鉛（ZnO:Sn）、又はフッ素をドープされた酸
化亜鉛（ZnO:F ）を挙げることができる。
化学量論的な金属酸化物にも、及び／又は所定の金属の
酸化物の格子に一定の割合の別の金属をドープされた、
すなわち挿入されたものにも、適用することができる。
とりわけ、スズをドープされた酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、フッ素をドープされた酸化スズ（SnO2:F）、イン
ジウムをドープされた酸化亜鉛（ZnO:In）、アルミニウ
ムをドープされた酸化亜鉛（ZnO:Al）、スズをドープさ
れた酸化亜鉛（ZnO:Sn）、又はフッ素をドープされた酸
化亜鉛（ZnO:F ）を挙げることができる。
【００２９】膜を作る方法に関しては、真空下で、とり
わけ陰極スパッター法を使って、堆積する技術がよく知
られており、これらの技術は得られる膜の光学的及び電
気的な性能をうまく調節するのを可能にする。特に、電
子の移動度を増大させ、従ってイオン化の確率を上昇さ
せて、結果としてターゲットのスパッタリング速度を上
昇させる磁界の存在下に実施される技術が知られてい
る。例えば、平面マグネトロン（planar magnetron）を
使用するそのような方法を提案するドイツ国特許第２４
６３４３１号明細書や、「ベルトトラック」として知ら
れるベルトの形をしたターゲットを使用する米国特許第
４１１６８０６号明細書に言及することができる。
わけ陰極スパッター法を使って、堆積する技術がよく知
られており、これらの技術は得られる膜の光学的及び電
気的な性能をうまく調節するのを可能にする。特に、電
子の移動度を増大させ、従ってイオン化の確率を上昇さ
せて、結果としてターゲットのスパッタリング速度を上
昇させる磁界の存在下に実施される技術が知られてい
る。例えば、平面マグネトロン（planar magnetron）を
使用するそのような方法を提案するドイツ国特許第２４
６３４３１号明細書や、「ベルトトラック」として知ら
れるベルトの形をしたターゲットを使用する米国特許第
４１１６８０６号明細書に言及することができる。
【００３０】同様に、ターゲットの材料をプラズマのガ
スと反応させることで薄膜を作ることを可能にする反応
性陰極スパッターの技術が知られており、米国特許第３
９０７６６０号明細書はガラス上に金属酸化物を堆積さ
せるそのような方法を提案している。
スと反応させることで薄膜を作ることを可能にする反応
性陰極スパッターの技術が知られており、米国特許第３
９０７６６０号明細書はガラス上に金属酸化物を堆積さ
せるそのような方法を提案している。
【００３１】液相、固相、あるいは気相で、有機金属の
前駆物質をそれらが分解して所望の酸化物になるように
高温にされた基材上に放射することからなる、熱分解と
して知られる技術を使用することも可能である。
前駆物質をそれらが分解して所望の酸化物になるように
高温にされた基材上に放射することからなる、熱分解と
して知られる技術を使用することも可能である。
【００３２】例えば、熱分解によりＩＴＯの導電性膜を
得るためには、特に欧州特許第３９７２９２号明細書に
記載のように、ギ酸インジウムとジブチルスズオキシド
との粉末混合物が好ましく選ばれよう。
得るためには、特に欧州特許第３９７２９２号明細書に
記載のように、ギ酸インジウムとジブチルスズオキシド
との粉末混合物が好ましく選ばれよう。
【００３３】導電性膜がSnO2:Fである場合には、フラン
ス国特許第２３８０９９７号明細書に記載されたように
粉末形態のジブチルスズオキシド（ＤＢＴＯ）と気体の
無水フッ化水素から、あるいは欧州特許出願公開第１７
８９５６号及び同第０３９２５６号各明細書に記載のよ
うに、ことによってはＤＢＴＯとの混合物でもって、ジ
ブチルスズジフルオリド（ＤＢＴＦ）から、粉末の熱分
解によって作ることができる。
ス国特許第２３８０９９７号明細書に記載されたように
粉末形態のジブチルスズオキシド（ＤＢＴＯ）と気体の
無水フッ化水素から、あるいは欧州特許出願公開第１７
８９５６号及び同第０３９２５６号各明細書に記載のよ
うに、ことによってはＤＢＴＯとの混合物でもって、ジ
ブチルスズジフルオリド（ＤＢＴＦ）から、粉末の熱分
解によって作ることができる。
【００３４】気相熱分解によっても、特に、欧州特許出
願公開第０２７４０３号明細書に記載されたように例え
ば(CH3)2SnCl2 、(C4H9)2SnCl2、Sn(C2H3)4 のようなス
ズ化合物と、例えばCCl2F2、CHClF2、及びCH3CHF2 のよ
うな有機フッ素化化合物との混合物からも、あるいはモ
ノブチルスズトリクロリドと、式 CX2F2の化合物（この
式のＸはハロゲン又は水素でよい）、例えば欧州特許出
願公開第１２１４５９号明細書で言及されたクロロジフ
ルオロメタンのようなものからも、上記の膜を得ること
ができる。
願公開第０２７４０３号明細書に記載されたように例え
ば(CH3)2SnCl2 、(C4H9)2SnCl2、Sn(C2H3)4 のようなス
ズ化合物と、例えばCCl2F2、CHClF2、及びCH3CHF2 のよ
うな有機フッ素化化合物との混合物からも、あるいはモ
ノブチルスズトリクロリドと、式 CX2F2の化合物（この
式のＸはハロゲン又は水素でよい）、例えば欧州特許出
願公開第１２１４５９号明細書で言及されたクロロジフ
ルオロメタンのようなものからも、上記の膜を得ること
ができる。
【００３５】例えば特にフランス国特許第２２１１４１
１号明細書に記載のように、適当な有機溶媒中でスズア
セチルアセトネート又はジメチルスズ−２−プロピオネ
ートから液相熱分解により膜を得てもよい。
１号明細書に記載のように、適当な有機溶媒中でスズア
セチルアセトネート又はジメチルスズ−２−プロピオネ
ートから液相熱分解により膜を得てもよい。
【００３６】ZnO:In又はZnO:Alの膜は、欧州特許出願第
３８５７６９号明細書に記載されたように、ジエチル亜
鉛又は二酢酸亜鉛と、トリエチルインジウム、塩化イン
ジウム又はトリエチルアルミニウム、塩化アルミニウム
から、気相熱分解により作ることができる。
３８５７６９号明細書に記載されたように、ジエチル亜
鉛又は二酢酸亜鉛と、トリエチルインジウム、塩化イン
ジウム又はトリエチルアルミニウム、塩化アルミニウム
から、気相熱分解により作ることができる。
【００３７】本発明のこのほかの詳細及び有利な特徴
は、以下に掲げる本発明の態様の非限定的な例の説明か
ら明らかになろう。
は、以下に掲げる本発明の態様の非限定的な例の説明か
ら明らかになろう。
【００３８】
【実施例】以下に掲げる例は全て、厚さ３mmの透明なシ
リコ−ソーダ−石灰ガラスの基材上に、磁界に支援され
る陰極スパッター技術により堆積させたＩＴＯに基づく
薄い導電性膜の処理に関する。陰極スパッター技術によ
る堆積は、次に述べるパラメーターによる。すなわち、
ターゲットは酸化インジウムと酸化スズの混合物から構
成され、およそ９モル％の酸化スズを含む。垂直陰極
は、長さ３８０mm、幅１２０mmであり、ガラス基材の寸
法は３０×３０cmで、この基材は垂直であり且つ移動可
能である。ガラス基材は陰極の前を２cm/minの速さで移
動する。適用電力は０．５５ W/cm2である。キャリヤガ
スはアルゴン、容器内の圧力は８×１０ -3torr（あるい
はおよそ１．１Pa）である。ガラスは、およそ１３５nm
の厚さの膜が付着するのに十分な回数だけ陰極の前を移
動する。
リコ−ソーダ−石灰ガラスの基材上に、磁界に支援され
る陰極スパッター技術により堆積させたＩＴＯに基づく
薄い導電性膜の処理に関する。陰極スパッター技術によ
る堆積は、次に述べるパラメーターによる。すなわち、
ターゲットは酸化インジウムと酸化スズの混合物から構
成され、およそ９モル％の酸化スズを含む。垂直陰極
は、長さ３８０mm、幅１２０mmであり、ガラス基材の寸
法は３０×３０cmで、この基材は垂直であり且つ移動可
能である。ガラス基材は陰極の前を２cm/minの速さで移
動する。適用電力は０．５５ W/cm2である。キャリヤガ
スはアルゴン、容器内の圧力は８×１０ -3torr（あるい
はおよそ１．１Pa）である。ガラスは、およそ１３５nm
の厚さの膜が付着するのに十分な回数だけ陰極の前を移
動する。
【００３９】表１は、得られた膜の特性を要約して示し
ている。Ｒsqは４点法で測定しオーム（Ω）で表した膜
のスクエア抵抗であり、ρはΩ・cmで表した抵抗率、ｎ
は屈折率である。この表には、このように被覆された基
材の膜側での反射の光学的特性も示されている。ＲL は
パーセント（％）で表した光反射率、λdom はナノメー
トル（nm）で表した主波長、そしてＰe はパーセント
（％）で表した刺激純度である。λdom とＰe を一緒に
すると、残留色とその反射強度をローカススペクトルで
決定するのが可能になる。
ている。Ｒsqは４点法で測定しオーム（Ω）で表した膜
のスクエア抵抗であり、ρはΩ・cmで表した抵抗率、ｎ
は屈折率である。この表には、このように被覆された基
材の膜側での反射の光学的特性も示されている。ＲL は
パーセント（％）で表した光反射率、λdom はナノメー
トル（nm）で表した主波長、そしてＰe はパーセント
（％）で表した刺激純度である。λdom とＰe を一緒に
すると、残留色とその反射強度をローカススペクトルで
決定するのが可能になる。
【００４０】 表 １ ＩＴＯ膜 ｎ ２ Ｒsq １９．４ ρ ２．６×１０-4 ＲL ９．９ λdom − ５６２ Ｐe ２３
【００４１】高導電率を有するとみなすことができるＩ
ＴＯの膜から出発して、導電率がそれより低い局部化し
た領域を作り出すことが所望される。
ＴＯの膜から出発して、導電率がそれより低い局部化し
た領域を作り出すことが所望される。
【００４２】例 １ ＩＴＯ膜（その特性は先に示されている）を、非イオン
化分子の酸素Ｏ2 の分圧２×１０-4torr、又は２．７×
１０-2Paの真空下で３０分間２５０℃の温度に保持して
処理する。このように処理した膜の電気的及び光学的特
性は最初の膜とぴったり同じである。
化分子の酸素Ｏ2 の分圧２×１０-4torr、又は２．７×
１０-2Paの真空下で３０分間２５０℃の温度に保持して
処理する。このように処理した膜の電気的及び光学的特
性は最初の膜とぴったり同じである。
【００４３】例２と例３は、Commonwealth Scientific
Company によりCommonwealthマークIIの商品名で市販さ
れているイオン銃により発生される酸素イオンのビーム
を使用する。このイオン銃はビームを放出し、放出源か
ら１５cmのところで測定したそのイオン密度はおよそ
３．３mA/cm2である。
Company によりCommonwealthマークIIの商品名で市販さ
れているイオン銃により発生される酸素イオンのビーム
を使用する。このイオン銃はビームを放出し、放出源か
ら１５cmのところで測定したそのイオン密度はおよそ
３．３mA/cm2である。
【００４４】手順は次に述べるとおりである。すなわ
ち、ＩＴＯ膜で被覆された基材を２×１０-6torr、又は
２．７×１０-4Paの真空下で閉鎖容器内に入れる。有利
には、この容器は膜の付着を行った容器である。基材
は、ビームの発射点から約１０cm離してターンテーブル
の上に垂直に置く。
ち、ＩＴＯ膜で被覆された基材を２×１０-6torr、又は
２．７×１０-4Paの真空下で閉鎖容器内に入れる。有利
には、この容器は膜の付着を行った容器である。基材
は、ビームの発射点から約１０cm離してターンテーブル
の上に垂直に置く。
【００４５】例 ２ イオンビームによる処理条件は次のとおりである。 ・ビームのエネルギー ６０eV ・イオン電流密度 ３．３mA/cm2 ・処理時間 ３min ・基材温度 約３０℃
【００４６】３０℃及びこの高い電流密度の下で、膜の
処理された領域は抵抗率に変化を受けず、イオンの衝撃
の下で１０nm/minの平均速度で粉々になり始める。従っ
てこれらの結果は、これらが抵抗率を変えるという所望
の効果を奏さず、また膜は処理が続けられるにつれてど
んどん破壊されるので、適当ではない。
処理された領域は抵抗率に変化を受けず、イオンの衝撃
の下で１０nm/minの平均速度で粉々になり始める。従っ
てこれらの結果は、これらが抵抗率を変えるという所望
の効果を奏さず、また膜は処理が続けられるにつれてど
んどん破壊されるので、適当ではない。
【００４７】例３及び例４は本発明による例である。例 ３ ビームによる処理条件は次のとおりである。 ・ビームのエネルギー ５２eV ・イオン電流密度 ０．４mA/cm2 ・処理時間 ３０min ・基材温度 ２５０℃
【００４８】厚さの変化は認められず、膜の粉砕は起こ
っていないことを示している。先の表１（それは未処理
のＩＴＯ膜に関係している）について既に説明したパラ
メーターを要約して表２に示す。ここでは、これらのパ
ラメーターは、ビームの集中する範囲の中央に位置する
処理領域に関係している。
っていないことを示している。先の表１（それは未処理
のＩＴＯ膜に関係している）について既に説明したパラ
メーターを要約して表２に示す。ここでは、これらのパ
ラメーターは、ビームの集中する範囲の中央に位置する
処理領域に関係している。
【００４９】表 ２ ｎ ２ Ｒsq ７４ ρ １０．２×１０-4 ＲL １０．５ λdom ４５３ Ｐe ２９
【００５０】例 ４ 処理条件は、イオンビームによる処理の時間に関しては
この例ではわずかに６分であることを除き、例３の処理
条件と同じである。ビームの集中する範囲の中央に位置
する領域のスクエア抵抗は、およそ３２Ωの値まで増加
する。
この例ではわずかに６分であることを除き、例３の処理
条件と同じである。ビームの集中する範囲の中央に位置
する領域のスクエア抵抗は、およそ３２Ωの値まで増加
する。
【００５１】一方では例１の結果と例３の結果とを比較
し、他方では例２の結果と例３のそれとを比較すると、
厚さの変化を引き起こさずに導電率の局部的な変化を得
るためには、イオンビームを用いることと処理の際に膜
を高温に保持することとを組み合わせることが必要であ
ることが分かる。
し、他方では例２の結果と例３のそれとを比較すると、
厚さの変化を引き起こさずに導電率の局部的な変化を得
るためには、イオンビームを用いることと処理の際に膜
を高温に保持することとを組み合わせることが必要であ
ることが分かる。
【００５２】例えば、例１では、Ｏ2 の分子により高温
で酸化しようとすると何らの成果も得られず、一方で高
イオン電流密度で周囲温度において行う処理を「補償」
しようとすると（例２）、膜が局部的に破壊することに
なるだけである。
で酸化しようとすると何らの成果も得られず、一方で高
イオン電流密度で周囲温度において行う処理を「補償」
しようとすると（例２）、膜が局部的に破壊することに
なるだけである。
【００５３】従って、本発明は熱と反応性イオンとの相
乗作用を示唆しており、これが恐らく、導電率に期待さ
れる変化を生じさせるのに十分な厚さに膜を再構成する
のを促進するのに違いない。
乗作用を示唆しており、これが恐らく、導電率に期待さ
れる変化を生じさせるのに十分な厚さに膜を再構成する
のを促進するのに違いない。
【００５４】有利には、高温でのスパッターによりＩＴ
Ｏを付着させる場合、膜は既に高温になっており、そし
てこれは付着室それ自体の中で行われるので、付着とそ
して次に膜の処理を連続して行うことが可能であること
にも注目すべきである。
Ｏを付着させる場合、膜は既に高温になっており、そし
てこれは付着室それ自体の中で行われるので、付着とそ
して次に膜の処理を連続して行うことが可能であること
にも注目すべきである。
【００５５】表１と表２とを比較すると、処理された領
域の抵抗率（例３）は、未処理の初めの膜の抵抗率と比
べて４倍になっていることが分かり、これは相当なもの
である。この処理は膜の厚さを変えないので、スクエア
抵抗についても同じことが言える。更に、本発明による
例３と例４との比較から、分のオーダーの処理時間で、
スクエア抵抗の変化を無視はできないがより少なくする
ことも可能であることが分かる。それゆえに、特に処理
時間を調節することによって、抵抗率を処理領域と未処
理領域の中間の全範囲内で変化させることが可能であ
る。
域の抵抗率（例３）は、未処理の初めの膜の抵抗率と比
べて４倍になっていることが分かり、これは相当なもの
である。この処理は膜の厚さを変えないので、スクエア
抵抗についても同じことが言える。更に、本発明による
例３と例４との比較から、分のオーダーの処理時間で、
スクエア抵抗の変化を無視はできないがより少なくする
ことも可能であることが分かる。それゆえに、特に処理
時間を調節することによって、抵抗率を処理領域と未処
理領域の中間の全範囲内で変化させることが可能であ
る。
【００５６】従って、本発明による方法は非常に有効で
あって且つ融通のきくものであり、より具体的に言うと
航空機のための窓ガラス用の、風防ガラスの場合には一
般に３枚の基材を含む窓ガラス用の膜に首尾よく適用す
ることができる。
あって且つ融通のきくものであり、より具体的に言うと
航空機のための窓ガラス用の、風防ガラスの場合には一
般に３枚の基材を含む窓ガラス用の膜に首尾よく適用す
ることができる。
【００５７】例えば、この場合には、本発明に従って処
理された霜取り用の膜は、外側に取付けられる基材の面
２に有利に配置され、特にくもり取り用の膜は面４（中
間の基材）又は面５（一番内側の基材）に配置される。
理された霜取り用の膜は、外側に取付けられる基材の面
２に有利に配置され、特にくもり取り用の膜は面４（中
間の基材）又は面５（一番内側の基材）に配置される。
【００５８】必要な抵抗勾配（これは往々にしてこれら
の窓ガラスの形状寸法の点から見て比較的複雑である）
を得るために、イオン銃を自動化された可動アームに取
付けて、処理を行う際に処理される膜に向けながら動か
すことがたやすくできる。
の窓ガラスの形状寸法の点から見て比較的複雑である）
を得るために、イオン銃を自動化された可動アームに取
付けて、処理を行う際に処理される膜に向けながら動か
すことがたやすくできる。
【００５９】結論として、本発明による方法は、光学的
性質の均一性をそのまま保ちながら、電気的性質を所望
のように局部的に変えるのを可能にする。例えば、表１
及び表２から、ＲL とＰe の値はともに非常に近いの
で、処理された領域と未処理の領域の反射の見掛けには
気づくほどの違いはほとんどないことが分かる。同様
に、たとえ主波長はかけ離れているようでも、それらを
ローカススペクトルでプロットすれば実際にはそれらは
非常に接近していて、両方とも非常に似通った色合いに
相当している。
性質の均一性をそのまま保ちながら、電気的性質を所望
のように局部的に変えるのを可能にする。例えば、表１
及び表２から、ＲL とＰe の値はともに非常に近いの
で、処理された領域と未処理の領域の反射の見掛けには
気づくほどの違いはほとんどないことが分かる。同様
に、たとえ主波長はかけ離れているようでも、それらを
ローカススペクトルでプロットすれば実際にはそれらは
非常に接近していて、両方とも非常に似通った色合いに
相当している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランソワ リルベ フランス国，75010 パリ，アブニュ ク ロード ベレフォ ６
Claims (13)
- 【請求項１】 透明基材上に配置された１又は２種以上
の金属酸化物に基づく薄膜の導電性及び／又は赤外線反
射性を局部的に変えるための処理方法であって、高温に
されている当該膜を低エネルギーイオンビームに選択的
にさらすことを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 前記ビームのイオンのうちの少なくとも
一部が当該膜の当該ビームにさらされる領域の導電率を
局部的に低下させるように酸化性のものであることを特
徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記ビームのイオンのうちの少なくとも
一部が当該膜の当該ビームにさらされる領域の導電率を
局部的に上昇させるように還元性のものであることを特
徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記膜が昇温される温度、前記ビームに
さらされる領域のビームによる処理時間、前記ビームの
イオンが前記膜に突き当たる際のエネルギーを選ぶこと
によって、当該ビームにさらされる領域における膜の導
電率の変化を調節することを特徴とする、請求項１から
請求項３までのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項５】 前記膜に突き当たる際の前記ビームのイ
オンのエネルギーが１００eV未満であることを特徴とす
る、請求項１から請求項４までのいずれか一つに記載の
方法。 - 【請求項６】 イオンビームによる処理中に前記膜に極
性を与えることを特徴とする、請求項１から請求項５ま
でのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項７】 前記イオンビームのイオン電流密度がお
よそ１mA/cm2程度であることを特徴とする、請求項１か
ら請求項６までのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項８】 前記膜を当該処理の間１５０℃より高い
かあるいはこれと等しい温度まで昇温することを特徴と
する、請求項１から請求項７までのいずれか一つに記載
の方法。 - 【請求項９】 真空技術により前記金属酸化物の膜を付
着させてから実施されることを特徴とする、請求項１か
ら請求項８までのいずれか一つに記載の方法。 - 【請求項１０】 亜化学量論的な（substoichiometric
）及び／又はドープされた金属酸化物膜を処理するこ
とを特徴とする、請求項１から請求項９までのいずれか
一つに記載の方法。 - 【請求項１１】 電気的特性及び／又は赤外線反射特性
が一つの領域と別の領域とで異なる複数の領域を有する
１又は２以上の膜を含んでなる加熱窓ガラスの製造に適
用される、請求項１から請求項１０までのいずれか一つ
に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記膜の酸化性イオンビームにより処
理された領域が未処理の領域の電気抵抗よりも最高で４
倍までになりうる電気抵抗を有することを特徴とする、
請求項１から請求項１０までのいずれか一つの方法によ
り処理された薄膜。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１０までのいずれ
か一つの方法により処理された膜を組み入れてなる乗り
物のための加熱窓ガラス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9210388A FR2695117B1 (fr) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Procédé de traitement de couches minces à propriétés de conduction électrique et/ou de réflexion dans l'infra-rouge. |
| FR9210388 | 1992-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06191892A true JPH06191892A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=9433083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5211424A Pending JPH06191892A (ja) | 1992-08-28 | 1993-08-26 | 導電性及び／又は赤外線反射性を有する薄膜の処理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5443862A (ja) |
| EP (1) | EP0585166B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06191892A (ja) |
| AT (1) | ATE150739T1 (ja) |
| DE (1) | DE69309190D1 (ja) |
| FR (1) | FR2695117B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101297432B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2013-08-19 | 한국기계연구원 | 내굴곡성박막과 투명전도성박막이 구비된 투명유연기판 및 이의 제조방법 |
| JP2018163339A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-10-18 | グッドリッチ コーポレイション | 光学基板のコーティング方法、および窓 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756192A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-26 | Ford Motor Company | Multilayer coating for defrosting glass |
| US5965629A (en) * | 1996-04-19 | 1999-10-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby |
| DE19726966C1 (de) * | 1997-06-25 | 1999-01-28 | Flachglas Ag | Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren Verwendung |
| FR2787350B1 (fr) | 1998-12-21 | 2002-01-04 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a revetement mesoporeux fonctionnel, notamment hydrophobe |
| US6808606B2 (en) | 1999-05-03 | 2004-10-26 | Guardian Industries Corp. | Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s) |
| US6740211B2 (en) * | 2001-12-18 | 2004-05-25 | Guardian Industries Corp. | Method of manufacturing windshield using ion beam milling of glass substrate(s) |
| FR2811316B1 (fr) | 2000-07-06 | 2003-01-10 | Saint Gobain | Substrat texture transparent et procedes pour l'obtenir |
| US8524051B2 (en) * | 2004-05-18 | 2013-09-03 | Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) | Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method |
| US7563347B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-07-21 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Method of forming coated article using sputtering target(s) and ion source(s) and corresponding apparatus |
| US7550067B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-06-23 | Guardian Industries Corp. | Coated article with ion treated underlayer and corresponding method |
| US7229533B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-06-12 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article having low-E coating with ion beam treated and/or formed IR reflecting layer |
| US7311975B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-12-25 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article having low-E coating with ion beam treated IR reflecting layer and corresponding method |
| US7585396B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-09-08 | Guardian Industries Corp. | Coated article with ion treated overcoat layer and corresponding method |
| US8301275B2 (en) * | 2010-06-04 | 2012-10-30 | Sti Srl | Modified proportional integral derivative controller |
| WO2017042699A1 (en) | 2015-09-07 | 2017-03-16 | Sabic Global Technologies B.V. | Molding of plastic glazing of tailgates |
| EP3347219B1 (en) | 2015-09-07 | 2021-04-14 | SABIC Global Technologies B.V. | Aerodynamic features of plastic glazing of tailgates |
| US10690314B2 (en) | 2015-09-07 | 2020-06-23 | Sabic Global Technologies B.V. | Lighting systems of tailgates with plastic glazing |
| WO2017042698A1 (en) | 2015-09-07 | 2017-03-16 | Sabic Global Technologies B.V. | Surfaces of plastic glazing of tailgates |
| KR102215029B1 (ko) | 2015-11-23 | 2021-02-15 | 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. | 플라스틱 글레이징을 갖는 윈도우를 위한 라이팅 시스템 |
| US10472274B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-11-12 | Guardian Europe S.A.R.L. | Coated article having ceramic paint modified surface(s), and/or associated methods |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2002746A1 (ja) * | 1968-02-28 | 1969-10-31 | Ppg Industries Inc | |
| US3907660A (en) * | 1970-07-31 | 1975-09-23 | Ppg Industries Inc | Apparatus for coating glass |
| IL38468A (en) * | 1971-02-02 | 1974-11-29 | Hughes Aircraft Co | Electrical resistance device and its production |
| GB1446849A (en) * | 1972-11-29 | 1976-08-18 | Triplex Safety Glass Co | Articles comprising transparent electrically-conductive coatings on non-conducting substrates |
| US4102768A (en) * | 1972-11-29 | 1978-07-25 | Triplex Safety Glass Company Limited | Metal oxide coatings |
| GB1446848A (en) * | 1972-11-29 | 1976-08-18 | Triplex Safety Glass Co | Sputtered metal oxide coatings articles comprising transparent electrically-conductive coatings on non-conducting substrates |
| JPS4980119A (ja) * | 1972-12-06 | 1974-08-02 | ||
| US4166018A (en) * | 1974-01-31 | 1979-08-28 | Airco, Inc. | Sputtering process and apparatus |
| FR2380997A1 (fr) * | 1977-02-16 | 1978-09-15 | Saint Gobain | Procede de fabrication de vitrages protegeant de la chaleur |
| US4116806A (en) * | 1977-12-08 | 1978-09-26 | Battelle Development Corporation | Two-sided planar magnetron sputtering apparatus |
| JPS5511127A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-25 | Ricoh Co Ltd | Forming method for oxidation film |
| JPS5614498A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-12 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of transparent electrically conductive thin film |
| JPS6018090B2 (ja) * | 1979-10-03 | 1985-05-08 | 日本板硝子株式会社 | 導電薄膜の形成方法 |
| DE3010077C2 (de) * | 1980-03-15 | 1981-07-30 | Vereinigte Glaswerke Gmbh, 5100 Aachen | Verfahren zum Aufbringen von mit einem Halogen, vorzugsweise mit Fluor dotierten Zinnoxidschichten auf Glasoberflächen durch Pyrolyse |
| US4395467A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-26 | Rca Corporation | Transparent conductive film having areas of high and low resistivity |
| US4500567A (en) * | 1982-12-23 | 1985-02-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for forming tin oxide coating |
| AT382040B (de) * | 1983-03-01 | 1986-12-29 | Guenther Stangl | Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter |
| JPS60211924A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
| FR2570379B1 (fr) * | 1984-08-22 | 1986-11-21 | Saint Gobain Vitrage | Preparation d'une poudre de difluorure de dibutyl etain destinee a la formation d'un revetement sur un substrat, notamment en verre |
| DE3584012D1 (de) * | 1985-01-22 | 1991-10-10 | Saint Gobain Vitrage | Verfahren zur herstellung eines pulvers auf basis von indium-formiat zur herstellung einer duennen beschichtung auf einem substrat, insbesondere auf glas. |
| FR2584392B1 (fr) * | 1985-07-03 | 1992-02-14 | Saint Gobain Vitrage | Traitement de couches minces d'oxyde metallique ou de metal en vue de modifier leurs caracteristiques |
| JPS61246361A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-11-01 | Toray Ind Inc | コ−テイング層の製造方法および装置 |
| US4888202A (en) * | 1986-07-31 | 1989-12-19 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film |
| FR2633920B1 (fr) * | 1988-07-08 | 1992-02-21 | Saint Gobain Vitrage | Procede pour produire une couche transparente a faible resistivite |
| US4873118A (en) * | 1988-11-18 | 1989-10-10 | Atlantic Richfield Company | Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell |
| CA2011249A1 (en) * | 1989-03-03 | 1990-09-03 | Thomas C. Hodgson | Bonding sheet materials together |
| US5011580A (en) * | 1989-10-24 | 1991-04-30 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of reworking an electrical multilayer interconnect |
| JPH0317252A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-01-25 | Toppan Printing Co Ltd | バリアーフィルムの製造方法 |
| US5087322A (en) * | 1990-10-24 | 1992-02-11 | Cornell Research Foundation, Inc. | Selective metallization for high temperature semiconductors |
-
1992
- 1992-08-28 FR FR9210388A patent/FR2695117B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-18 AT AT93402066T patent/ATE150739T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-08-18 EP EP93402066A patent/EP0585166B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-18 DE DE69309190T patent/DE69309190D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-26 JP JP5211424A patent/JPH06191892A/ja active Pending
- 1993-08-30 US US08/112,979 patent/US5443862A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101297432B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2013-08-19 | 한국기계연구원 | 내굴곡성박막과 투명전도성박막이 구비된 투명유연기판 및 이의 제조방법 |
| JP2018163339A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-10-18 | グッドリッチ コーポレイション | 光学基板のコーティング方法、および窓 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2695117B1 (fr) | 1994-12-02 |
| FR2695117A1 (fr) | 1994-03-04 |
| DE69309190D1 (de) | 1997-04-30 |
| EP0585166A1 (fr) | 1994-03-02 |
| ATE150739T1 (de) | 1997-04-15 |
| US5443862A (en) | 1995-08-22 |
| EP0585166B1 (fr) | 1997-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5443862A (en) | Process for the treatment of thin films having properties of electrical conduction and/or reflection in the infrared | |
| EP0636702B1 (en) | Methods for producing functional films | |
| KR101343437B1 (ko) | 유전체 박막 층으로 코팅된 기판, 창유리 조립체, 기판 위에 증착하는 방법, 및 기판 위에 증착하는 장치 | |
| EP0108616B1 (en) | A process for making an electrically conductive coated substrate | |
| US5387433A (en) | Protective layer on a conductive substrate | |
| JP2625079B2 (ja) | 放射率の低い太陽熱制御型耐久性薄膜コーティング | |
| KR20090101217A (ko) | 얇은 층을 증착하기 위한 방법 및 그로 인해 수득된 제품 | |
| CN108285279A (zh) | 银层的热处理方法 | |
| US4650557A (en) | Process for making a conductively coated glass member and the product thereof | |
| US3694337A (en) | Sputtering method for manufacturing transparent,heat ray reflecting glass | |
| US10329190B2 (en) | Heat treatable coated article with zirconium based layer(s) in coating | |
| WO2000015572A2 (en) | Heat strengthened coated glass article and method for making same | |
| US7744955B2 (en) | Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using flame(s) in tempering furnace adjacent TCO to burn off oxygen and product made using same | |
| JPH07249316A (ja) | 透明導電膜および該透明導電膜を用いた透明基体 | |
| JP2001035273A (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 | |
| TW202110767A (zh) | 透明導電性膜 | |
| US20140220360A1 (en) | Heat treatable coated article with copper-doped zirconium based layer(s) in coating | |
| KR100668091B1 (ko) | 유리 코팅 및 그 생성 방법 | |
| JPH058527B2 (ja) | ||
| WO2021001691A2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| EP3004009B1 (en) | Heat treatable coated article with copper-doped zirconium based layer(s) in coating | |
| JPS6053411B2 (ja) | 透明導電性膜の製造法 | |
| WO2018085503A1 (en) | Heat treatable coated article with carbon-doped zirconium based layer(s) in coating | |
| JPS6338423B2 (ja) |