JPH0620926A - 露光用シンクロトロン放射光走査装置 - Google Patents
露光用シンクロトロン放射光走査装置Info
- Publication number
- JPH0620926A JPH0620926A JP4172452A JP17245292A JPH0620926A JP H0620926 A JPH0620926 A JP H0620926A JP 4172452 A JP4172452 A JP 4172452A JP 17245292 A JP17245292 A JP 17245292A JP H0620926 A JPH0620926 A JP H0620926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- glancing angle
- exposure
- angle
- synchrotron radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】露光領域内での露光量を均一にし、かつ、近接
露光を行う場合にマスクパターン転写の位置ずれを低減
する。 【構成】電子蓄積リング１０からのシンクロトロン放射
光Ｒ１が視射角θで平面鏡１に入射する。平面鏡１は、
回転中心軸Ａをシンクロトロン放射光Ｒ１の進行方向と
直角にし電子軌道面内にしかつ鏡面上として、回転自在
である。平面鏡１で反射された放射光は、視射角φで湾
曲面鏡２に入射する。湾曲面鏡２は、回転中心軸を平面
鏡１の回転中心軸Ａと平行にして回転自在である。視射
角θの変化Δθに対し湾曲面鏡２の回転角を２Δθ変化
させて視射角φが一定になるように制御し、視射角θの
角速度が露光位置での光強度に比例するように視射角θ
を制御する。
露光を行う場合にマスクパターン転写の位置ずれを低減
する。 【構成】電子蓄積リング１０からのシンクロトロン放射
光Ｒ１が視射角θで平面鏡１に入射する。平面鏡１は、
回転中心軸Ａをシンクロトロン放射光Ｒ１の進行方向と
直角にし電子軌道面内にしかつ鏡面上として、回転自在
である。平面鏡１で反射された放射光は、視射角φで湾
曲面鏡２に入射する。湾曲面鏡２は、回転中心軸を平面
鏡１の回転中心軸Ａと平行にして回転自在である。視射
角θの変化Δθに対し湾曲面鏡２の回転角を２Δθ変化
させて視射角φが一定になるように制御し、視射角θの
角速度が露光位置での光強度に比例するように視射角θ
を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子蓄積リングから放
射されたシンクロトロン放射光を、マスクを介し試料上
に走査する露光用シンクロトロン放射光走査装置に関す
る。
射されたシンクロトロン放射光を、マスクを介し試料上
に走査する露光用シンクロトロン放射光走査装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ製造のために、解像度の優れた
Ｘ線露光、特に、光強度が大きくかつ平行度が高いシン
クロトロン放射光によるＸ線露光が研究されている。
Ｘ線露光、特に、光強度が大きくかつ平行度が高いシン
クロトロン放射光によるＸ線露光が研究されている。
【０００３】図４に示す如く、蓄積リング１０から放射
されたシンクロトロン放射光Ｒ１は、円筒鏡１２に対し
視射角θで入射し、湾曲面鏡１２、例えば円筒鏡で反射
された反射光Ｒ２がマスク１４を介しウエーハ１６上に
照射される。
されたシンクロトロン放射光Ｒ１は、円筒鏡１２に対し
視射角θで入射し、湾曲面鏡１２、例えば円筒鏡で反射
された反射光Ｒ２がマスク１４を介しウエーハ１６上に
照射される。
【０００４】シンクロトロン放射光Ｒ１の断面の強度分
布は、電子軌道面に平行な紙面垂直方向（水平方向）に
関しては一様となるが、電子軌道面に垂直方向の発散角
が１ｍｒａｄ前後と非常に狭いので、この垂直方向に沿
った強度分布は、正規分布に似たものとなる。このた
め、例えば、光源から１０ｍ離れた位置において１チッ
プの領域２５ｍｍ×２５ｍｍを均一に露光することがで
きない。
布は、電子軌道面に平行な紙面垂直方向（水平方向）に
関しては一様となるが、電子軌道面に垂直方向の発散角
が１ｍｒａｄ前後と非常に狭いので、この垂直方向に沿
った強度分布は、正規分布に似たものとなる。このた
め、例えば、光源から１０ｍ離れた位置において１チッ
プの領域２５ｍｍ×２５ｍｍを均一に露光することがで
きない。
【０００５】そこで、図４の紙面に垂直な軸Ｕを中心と
して湾曲面鏡１２を回転させることにより、反射光Ｒ２
を走査させる方法が提案され、実用化に向かって研究開
発が行われている。
して湾曲面鏡１２を回転させることにより、反射光Ｒ２
を走査させる方法が提案され、実用化に向かって研究開
発が行われている。
【０００６】平面鏡ではなく湾曲面鏡１２を用いている
理由は、単位面積当たりのＸ線強度を高めて、１ショッ
ト当たりの露光時間を数秒以内に収めるためである。一
般に、蓄積リング１０が小型になるほど放射光強度が低
減するため、放射光を効率良く集光することにより装置
全体を小型化することも重要な課題となっている。
理由は、単位面積当たりのＸ線強度を高めて、１ショッ
ト当たりの露光時間を数秒以内に収めるためである。一
般に、蓄積リング１０が小型になるほど放射光強度が低
減するため、放射光を効率良く集光することにより装置
全体を小型化することも重要な課題となっている。
【０００７】視射角θを変化させると、反射光Ｒ２の強
度が変化するので、等角速度で視射角θを変化させる
と、図示Ｙ方向に沿って露光量を均一にすることができ
ない。このため、視射角θの複雑な制御が必要となる。
しかも、視射角θの変化により焦点距離が変化してビー
ム断面形状や集光率が変化するので、Ｙ方向に沿って露
光量を均一にする制御が更に複雑となる。その上、ウエ
ーハ１６への入射角が視射角θにより変化するので、マ
スク１４とウエーハ１６との間に隙間の存在する近接Ｘ
線露光においては、パターン転写の位置ずれが露光位置
によって異なり、マスク１４上のパターン補正を複雑な
ものにする。
度が変化するので、等角速度で視射角θを変化させる
と、図示Ｙ方向に沿って露光量を均一にすることができ
ない。このため、視射角θの複雑な制御が必要となる。
しかも、視射角θの変化により焦点距離が変化してビー
ム断面形状や集光率が変化するので、Ｙ方向に沿って露
光量を均一にする制御が更に複雑となる。その上、ウエ
ーハ１６への入射角が視射角θにより変化するので、マ
スク１４とウエーハ１６との間に隙間の存在する近接Ｘ
線露光においては、パターン転写の位置ずれが露光位置
によって異なり、マスク１４上のパターン補正を複雑な
ものにする。
【０００８】図５は、光源から３ｍの位置に、曲率半径
１６０ｍｍの湾曲面鏡１２を配置し、視射角θを１．４
゜、１．５゜及び１．６゜と変化させたときに、光源か
ら８ｍの位置において反射光Ｒ２の強度分布を観測した
ものである。この条件下では、θ＝１．５゜において、
Ｙ軸に直交するＸ軸方向（図４の紙面垂直方向）に関し
反射光Ｒ２が平行光となる。この図から、θ＝１．４゜
で反射光Ｒ２がやや発散し、θ＝１．６゜で反射光Ｒ２
がやや集光していることがわかる。
１６０ｍｍの湾曲面鏡１２を配置し、視射角θを１．４
゜、１．５゜及び１．６゜と変化させたときに、光源か
ら８ｍの位置において反射光Ｒ２の強度分布を観測した
ものである。この条件下では、θ＝１．５゜において、
Ｙ軸に直交するＸ軸方向（図４の紙面垂直方向）に関し
反射光Ｒ２が平行光となる。この図から、θ＝１．４゜
で反射光Ｒ２がやや発散し、θ＝１．６゜で反射光Ｒ２
がやや集光していることがわかる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ような問題点に鑑み、露光領域内での露光量を均一にす
ることができ、かつ、近接露光を行う場合にマスクパタ
ーン転写の位置ずれを低減することができる露光用シン
クロトロン放射光走査装置を提供することにある。
ような問題点に鑑み、露光領域内での露光量を均一にす
ることができ、かつ、近接露光を行う場合にマスクパタ
ーン転写の位置ずれを低減することができる露光用シン
クロトロン放射光走査装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及びその作用】図１は、本
発明に係る露光用シンクロトロン放射光走査装置の原理
構成を示す。
発明に係る露光用シンクロトロン放射光走査装置の原理
構成を示す。
【００１１】この露光用シンクロトロン放射光走査装置
は、電子蓄積リング１０からのシンクロトロン放射光Ｒ
１が視射角θで入射され、回転中心軸Ａをシンクロトロ
ン放射光Ｒ１の進行方向と直角にし電子軌道面内にしか
つ鏡面上として回転自在に配置された平面鏡１と、平面
鏡１で反射されたシンクロトロン放射光Ｒ３が視射角φ
で入射され、回転中心軸を平面鏡１の回転中心軸Ａと平
行にして回転自在に配置された湾曲面鏡２と、視射角θ
の変化Δθに対し湾曲面鏡２の回転角を２Δθ変化させ
て視射角φが一定になるように制御する湾曲面鏡回転制
御手段と、視射角θの角速度が露光位置での光強度に比
例するように視射角θを制御する平面鏡回転制御手段と
を備えている。
は、電子蓄積リング１０からのシンクロトロン放射光Ｒ
１が視射角θで入射され、回転中心軸Ａをシンクロトロ
ン放射光Ｒ１の進行方向と直角にし電子軌道面内にしか
つ鏡面上として回転自在に配置された平面鏡１と、平面
鏡１で反射されたシンクロトロン放射光Ｒ３が視射角φ
で入射され、回転中心軸を平面鏡１の回転中心軸Ａと平
行にして回転自在に配置された湾曲面鏡２と、視射角θ
の変化Δθに対し湾曲面鏡２の回転角を２Δθ変化させ
て視射角φが一定になるように制御する湾曲面鏡回転制
御手段と、視射角θの角速度が露光位置での光強度に比
例するように視射角θを制御する平面鏡回転制御手段と
を備えている。
【００１２】本発明によれば、平面鏡１に対する視射角
θが変化しても湾曲面鏡２に対する視射角φが一定とな
るので、シンクロトロン放射光Ｒ３に対する湾曲面鏡１
２の焦点距離は一定となり、シンクロトロン放射光Ｒ４
の断面形状や集光率は視射角θが変化しても変化せず、
したがって、マスク１４とウエーハ１６との間に隙間の
存在する近接Ｘ線露光においてパターン転写の位置ずれ
が位置Ｙによらず、マスクパターン転写の位置ずれを低
減することができ、マスク１４上のパターン補正が簡単
になる。このような条件下で、視射角θの角速度が露光
位置での光強度に比例するように視射角θを制御するの
で、露光領域内での露光量を均一にすることができる。
θが変化しても湾曲面鏡２に対する視射角φが一定とな
るので、シンクロトロン放射光Ｒ３に対する湾曲面鏡１
２の焦点距離は一定となり、シンクロトロン放射光Ｒ４
の断面形状や集光率は視射角θが変化しても変化せず、
したがって、マスク１４とウエーハ１６との間に隙間の
存在する近接Ｘ線露光においてパターン転写の位置ずれ
が位置Ｙによらず、マスクパターン転写の位置ずれを低
減することができ、マスク１４上のパターン補正が簡単
になる。このような条件下で、視射角θの角速度が露光
位置での光強度に比例するように視射角θを制御するの
で、露光領域内での露光量を均一にすることができる。
【００１３】本発明の第１態様では、例えば図２に示す
如く、平面鏡３２は、平面鏡３２の回転中心軸Ａを中心
として回転自在に支持された第１支持部材３０に固定さ
れ、湾曲面鏡３８は、平面鏡３２の回転中心軸Ａを中心
として回転自在に支持された第２支持部材３８に固定さ
れ、第１支持部材３０及び第２支持部材３８がそれぞれ
第１リンク３６及び第２リンク４０を介して共通部材２
４に連結され、共通部材２４を直線駆動することによ
り、視射角θの変化Δθに対し湾曲面鏡１２の回転角が
２Δθ変化するように構成している。
如く、平面鏡３２は、平面鏡３２の回転中心軸Ａを中心
として回転自在に支持された第１支持部材３０に固定さ
れ、湾曲面鏡３８は、平面鏡３２の回転中心軸Ａを中心
として回転自在に支持された第２支持部材３８に固定さ
れ、第１支持部材３０及び第２支持部材３８がそれぞれ
第１リンク３６及び第２リンク４０を介して共通部材２
４に連結され、共通部材２４を直線駆動することによ
り、視射角θの変化Δθに対し湾曲面鏡１２の回転角が
２Δθ変化するように構成している。
【００１４】この構成の場合、共通部材２４の直線駆動
速度のみを制御すればよいので、制御が簡単になる。
速度のみを制御すればよいので、制御が簡単になる。
【００１５】本発明の第２態様では、例えば図２に示す
如く、直線駆動装置２０でカム２２が等速直線駆動さ
れ、カム２２の曲面２２ａに共通部材２４の一端がコロ
２８を介し当接されて共通部材２４が直線駆動され、視
射角θの角速度が露光位置での光強度に比例するように
曲面２２ａが形成されている。
如く、直線駆動装置２０でカム２２が等速直線駆動さ
れ、カム２２の曲面２２ａに共通部材２４の一端がコロ
２８を介し当接されて共通部材２４が直線駆動され、視
射角θの角速度が露光位置での光強度に比例するように
曲面２２ａが形成されている。
【００１６】この構成の場合、直線駆動装置２０でカム
２２を等速直線駆動すればよいので、制御がさらに簡単
になる。
２２を等速直線駆動すればよいので、制御がさらに簡単
になる。
【００１７】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１８】図２は、露光用シンクロトロン放射光走査
装置の構成を示す。
装置の構成を示す。
【００１９】直線駆動装置２０は、電源をオンにする
と、その駆動軸２０ａを軸方向に等速直線駆動する。駆
動軸２０ａの先端には、曲面２２ａが形成されたカム２
２が固着されている。一方、Ｔ字型従節２４が、カム２
２の上方の固定側に配置された従節軸受２６に案内され
て、図示矢印方向へ移動自在となっている。Ｔ字型従節
２４の下端部には、コロ２８が回転自在に取り付けら
れ、コロ２８の周面がカム２２の曲面２２ａに当設して
いる。
と、その駆動軸２０ａを軸方向に等速直線駆動する。駆
動軸２０ａの先端には、曲面２２ａが形成されたカム２
２が固着されている。一方、Ｔ字型従節２４が、カム２
２の上方の固定側に配置された従節軸受２６に案内され
て、図示矢印方向へ移動自在となっている。Ｔ字型従節
２４の下端部には、コロ２８が回転自在に取り付けら
れ、コロ２８の周面がカム２２の曲面２２ａに当設して
いる。
【００２０】支持板３０の上面には、平面鏡３２が保持
されている。支持板３０は、支軸Ａを中心として回転自
在に脚３４に支持されている。支持板３０の先端部とＴ
字型従節２４の一方の肩部との間は、リンク３６で連結
されている。
されている。支持板３０は、支軸Ａを中心として回転自
在に脚３４に支持されている。支持板３０の先端部とＴ
字型従節２４の一方の肩部との間は、リンク３６で連結
されている。
【００２１】また、支持板３８の下面に湾曲面鏡１２、
例えば円筒鏡が保持されている。支持板３８は、その基
端部が支軸Ａを中心として回転自在に脚３４に支持され
ている。支持板３８の中間部と脚３４の他方の肩部との
間は、リンク４０で連結されている。
例えば円筒鏡が保持されている。支持板３８は、その基
端部が支軸Ａを中心として回転自在に脚３４に支持され
ている。支持板３８の中間部と脚３４の他方の肩部との
間は、リンク４０で連結されている。
【００２２】次に、上記の如く構成された露光用シンク
ロトロン放射光走査装置の動作を説明する。
ロトロン放射光走査装置の動作を説明する。
【００２３】平面鏡３２上の支軸Ａに沿った位置にシン
クロトロン放射光Ｒ１を視射角θで入射させると、その
中間反射光Ｒ３は支持板３８に視射角φで入射し、角度
φで反射した反射光Ｒ４が図１に示すマスク１４を通っ
てウエーハ１６に照射する。
クロトロン放射光Ｒ１を視射角θで入射させると、その
中間反射光Ｒ３は支持板３８に視射角φで入射し、角度
φで反射した反射光Ｒ４が図１に示すマスク１４を通っ
てウエーハ１６に照射する。
【００２４】直線駆動装置２０をオンにしてカム２２を
等速直線運動させると、カム２２の曲面２２ａの形状に
応じた速度でＴ字型従節２４が直線運動し、これによ
り、支持板３０及び３８が支軸Ａを中心として回転し、
平面鏡３２及び湾曲面鏡１２が回転する。
等速直線運動させると、カム２２の曲面２２ａの形状に
応じた速度でＴ字型従節２４が直線運動し、これによ
り、支持板３０及び３８が支軸Ａを中心として回転し、
平面鏡３２及び湾曲面鏡１２が回転する。
【００２５】支軸Ａ、支持板３０とリンク３６の連結軸
Ｂ及び支持板３８とリンク４０の連結軸Ｃについて、Ａ
Ｂ：ＡＣは、視射角θの制御範囲内において平面鏡３２
の回転角Δθに対し湾曲面鏡１２がΔφ＝２Δθだけ回
転するように、定められている。これにより、視射角θ
を変化させても、視射角φは一定となる。
Ｂ及び支持板３８とリンク４０の連結軸Ｃについて、Ａ
Ｂ：ＡＣは、視射角θの制御範囲内において平面鏡３２
の回転角Δθに対し湾曲面鏡１２がΔφ＝２Δθだけ回
転するように、定められている。これにより、視射角θ
を変化させても、視射角φは一定となる。
【００２６】したがって、視射角θが変化しても中間反
射光Ｒ３に対する湾曲面鏡１２の焦点距離は一定であ
り、反射光Ｒ４の断面形状や集光率は変化せず、Ｙ方向
に沿って露光量を均一にするための後述の制御が簡単と
なる。その上、マスク１４とウエーハ１６との間に隙間
の存在する近接Ｘ線露光において、パターン転写の位置
ずれが位置Ｙによらず、マスク１４上のパターン補正が
簡単になる。
射光Ｒ３に対する湾曲面鏡１２の焦点距離は一定であ
り、反射光Ｒ４の断面形状や集光率は変化せず、Ｙ方向
に沿って露光量を均一にするための後述の制御が簡単と
なる。その上、マスク１４とウエーハ１６との間に隙間
の存在する近接Ｘ線露光において、パターン転写の位置
ずれが位置Ｙによらず、マスク１４上のパターン補正が
簡単になる。
【００２７】次に、Ｙ方向に沿って露光量を均一にする
ための、カム２２の曲面２２ａの形状の定め方を説明す
る。
ための、カム２２の曲面２２ａの形状の定め方を説明す
る。
【００２８】支軸Ａからウエーハ１６までの距離をＬと
する。視射角θを微小角Δθだけ変化させると、露光位
置Ｙは、 ΔＹ＝２ＬΔθ ・・・（１） だけＹ方向へ変化する。１６上の位置Ｙでの光強度をＦ
（Ｙ）とすると、ＹからＹ＋ｄＹまでの間をｄｔの時間
で反射光Ｒ４が通過する際の平均光強度は、Ｆ（Ｙ）
（ｄｔ／ｄＹ）となる。この値がＹによらず一定となる
ようにするには、 Ｆ（Ｙ）ｄｔ／ｄＹ＝α ・・・（２） とする必要がある。ここに、αは定数である。
する。視射角θを微小角Δθだけ変化させると、露光位
置Ｙは、 ΔＹ＝２ＬΔθ ・・・（１） だけＹ方向へ変化する。１６上の位置Ｙでの光強度をＦ
（Ｙ）とすると、ＹからＹ＋ｄＹまでの間をｄｔの時間
で反射光Ｒ４が通過する際の平均光強度は、Ｆ（Ｙ）
（ｄｔ／ｄＹ）となる。この値がＹによらず一定となる
ようにするには、 Ｆ（Ｙ）ｄｔ／ｄＹ＝α ・・・（２） とする必要がある。ここに、αは定数である。
【００２９】一方、視射角θを微小角Δθだけ変化させ
たとき、Ｆ（Ｙ）の変化ΔＦはΔθの一次式で近似でき
る。上式（１）を考慮すると、Ｆ（Ｙ）は露光範囲内に
おいて、 Ｆ（Ｙ）＝β＋γＹ ・・・（３） と近似できる。上式（２）及び（３）から、 αｄＹ／（β＋γＹ）＝ｄｔ ・・・（４） なる微分方程式が得られる。この方程式を解き、上式
（１）を用いて変形すると、 Δθ＝λｅｘｐ（μｔ）＋μ ・・・（５） が得られる。ここに、λ、μ、νは定数である。
たとき、Ｆ（Ｙ）の変化ΔＦはΔθの一次式で近似でき
る。上式（１）を考慮すると、Ｆ（Ｙ）は露光範囲内に
おいて、 Ｆ（Ｙ）＝β＋γＹ ・・・（３） と近似できる。上式（２）及び（３）から、 αｄＹ／（β＋γＹ）＝ｄｔ ・・・（４） なる微分方程式が得られる。この方程式を解き、上式
（１）を用いて変形すると、 Δθ＝λｅｘｐ（μｔ）＋μ ・・・（５） が得られる。ここに、λ、μ、νは定数である。
【００３０】視射角θが式（５）に従って変化するよう
にカム２２の曲面２２ａの形状を決定することにより、
露光量がＹ方向に沿って均一となる。
にカム２２の曲面２２ａの形状を決定することにより、
露光量がＹ方向に沿って均一となる。
【００３１】［実験例］蓄積リング１０として、電子の
加速エネルギー１ＧｅＶのものを用いた。平面鏡３２及
び湾曲面鏡１２は、研磨した石英基板上に白金を蒸着し
たものを用いた。また、シンクロトロン放射光Ｒ１の光
源から３ｍの位置に平面鏡３２を配置し、光源から８ｍ
の位置で露光を行った。
加速エネルギー１ＧｅＶのものを用いた。平面鏡３２及
び湾曲面鏡１２は、研磨した石英基板上に白金を蒸着し
たものを用いた。また、シンクロトロン放射光Ｒ１の光
源から３ｍの位置に平面鏡３２を配置し、光源から８ｍ
の位置で露光を行った。
【００３２】図３は、シンクロトロン放射光Ｒ１が蓄積
リング１０側の厚さ２５μｍのＢｅ窓を透過し、反射光
Ｒ４が厚さ２μｍのＳｉＣのマスク１４を透過した後、
ウエーハ１６上の厚さ１μｍのＰＭＭＡレジストに照射
された光強度Ｆを、θ＝１．４〜１．６゜の範囲につい
て示す。θ＝１．５゜視射角θをΔθだけ変化のときの
光強度Ｆを１とし、θ＝１．５゜からのθの変化分をΔ
θとすると、 Ｆ＝１−０．５Δθ ・・・（６） となる。
リング１０側の厚さ２５μｍのＢｅ窓を透過し、反射光
Ｒ４が厚さ２μｍのＳｉＣのマスク１４を透過した後、
ウエーハ１６上の厚さ１μｍのＰＭＭＡレジストに照射
された光強度Ｆを、θ＝１．４〜１．６゜の範囲につい
て示す。θ＝１．５゜視射角θをΔθだけ変化のときの
光強度Ｆを１とし、θ＝１．５゜からのθの変化分をΔ
θとすると、 Ｆ＝１−０．５Δθ ・・・（６） となる。
【００３３】視射角θを１．４゜から１．６゜まで１秒
で変化させるとき、式（５）及び（６）から、 Δθ＝−２．１ｅｘｐ（−０．１ｔ）＋２．０ ・・・（７） が得られる。
で変化させるとき、式（５）及び（６）から、 Δθ＝−２．１ｅｘｐ（−０．１ｔ）＋２．０ ・・・（７） が得られる。
【００３４】この式（７）に基づいて曲面２２ａの表面
形状を決定し、直線駆動装置２０をオンにして露光を行
ったところ、Ｘ方向及びＹ方向に関し露光量が均一とな
った。
形状を決定し、直線駆動装置２０をオンにして露光を行
ったところ、Ｘ方向及びＹ方向に関し露光量が均一とな
った。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る露光用
シンクロトロン放射光走査装置によれば、平面鏡に対す
る視射角θが変化しても湾曲面鏡に対する視射角φが一
定となるので、入射光に対する湾曲面鏡の焦点距離は一
定となり、照射光の断面形状や集光率は視射角θが変化
しても変化せず、したがって、マスクとウエーハとの間
に隙間の存在する近接Ｘ線露光においてパターン転写の
位置ずれを低減することができ、このような条件下で、
視射角θの角速度が露光位置での光強度に比例するよう
に視射角θを制御するので、露光領域内での露光量を均
一にすることができるという優れた効果を奏し、超ＬＳ
Ｉの高品質化に寄与するところが大きい。
シンクロトロン放射光走査装置によれば、平面鏡に対す
る視射角θが変化しても湾曲面鏡に対する視射角φが一
定となるので、入射光に対する湾曲面鏡の焦点距離は一
定となり、照射光の断面形状や集光率は視射角θが変化
しても変化せず、したがって、マスクとウエーハとの間
に隙間の存在する近接Ｘ線露光においてパターン転写の
位置ずれを低減することができ、このような条件下で、
視射角θの角速度が露光位置での光強度に比例するよう
に視射角θを制御するので、露光領域内での露光量を均
一にすることができるという優れた効果を奏し、超ＬＳ
Ｉの高品質化に寄与するところが大きい。
【００３６】本発明の第１態様によれば、共通部材の直
線駆動速度のみを制御すればよいので、制御が簡単にな
るという効果を奏する。
線駆動速度のみを制御すればよいので、制御が簡単にな
るという効果を奏する。
【００３７】本発明の第２態様によれば、直線駆動装置
でカムを等速直線駆動すればよいので、制御がさらに簡
単になるという効果を奏する。
でカムを等速直線駆動すればよいので、制御がさらに簡
単になるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る露光用シンクロトロン放射光走査
装置の原理構成図である。
装置の原理構成図である。
【図２】本発明の一実施例の露光用シンクロトロン放射
光走査装置の構成図である。
光走査装置の構成図である。
【図３】視射角θに対する照射光強度を示す図である。
【図４】従来のシンクロトロン放射光走査による露光を
示す図である。
示す図である。
【図５】視射角θ＝１．４゜、１．５゜及び１．６゜に
おけるウェーハ上での光強度分布を示す図である。
おけるウェーハ上での光強度分布を示す図である。
１０ 蓄積リング １２ 湾曲面鏡 １４ マスク １６ ウエーハ ２０ 直線駆動装置 ２０ａ 駆動軸 ２２ カム ２２ａ 曲面 ２４ Ｔ字型従節 ２６ Ｔ字型従節軸受 ２８ コロ ３０、３８ 支持板 ３２ 平面鏡 ３４ 脚 ３６、４０ リンク θ、φ 視射角
Claims (3)
- 【請求項１】 電子蓄積リング（１０）からのシンクロ
トロン放射光（Ｒ１）が視射角θで入射され、回転中心
軸（Ａ）を該シンクロトロン放射光の進行方向と直角に
し電子軌道面内にしかつ鏡面上として、回転自在に配置
された平面鏡（１）と、 該平面鏡で反射されたシンクロトロン放射光（Ｒ３）が
視射角φで入射され、回転中心軸を該平面鏡の回転中心
軸（Ａ）と平行にして回転自在に配置された湾曲面鏡
（２）と、 該視射角θの変化Δθに対し該湾曲面鏡の回転角を２Δ
θ変化させて該視射角φが一定になるように制御する湾
曲面鏡回転制御手段（３）と、 該視射角θの角速度が露光位置での光強度に比例するよ
うに該視射角θを制御する平面鏡回転制御手段（４）
と、 を有することを特徴とする露光用シンクロトロン放射光
走査装置。 - 【請求項２】 前記平面鏡（３２）は、該平面鏡の前記
回転中心軸（Ａ）を中心として回転自在に支持された第
１支持部材（３０）に固定され、 前記湾曲面鏡（１２）は、該平面鏡の該回転中心軸
（Ａ）を中心として回転自在に支持された第２支持部材
（３８）に固定され、 該第１支持部材及び該第２支持部材がそれぞれ第１リン
ク（３６）及び第２リンク（４０）を介して共通部材
（２４）に連結され、 該共通部材を直線駆動することにより、前記視射角θの
変化Δθに対し前記湾曲面鏡の回転角が２Δθ変化する
ようにしたことを特徴とする請求項１記載の露光用シン
クロトロン放射光走査装置。 - 【請求項３】 直線駆動装置（２０）でカム（２２）が
等速直線駆動され、該カムの曲面（２２ａ）に前記共通
部材（２４）の一端がコロ（２８）を介し当接されて該
共通部材が直線駆動され、前記視射角θの角速度が露光
位置での光強度に比例するように該曲面（２２ａ）が形
成されていることを特徴とする請求項２記載の露光用シ
ンクロトロン放射光走査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172452A JPH0620926A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 露光用シンクロトロン放射光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4172452A JPH0620926A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 露光用シンクロトロン放射光走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620926A true JPH0620926A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15942251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4172452A Withdrawn JPH0620926A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 露光用シンクロトロン放射光走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820327A (en) * | 1995-01-19 | 1998-10-13 | Nippon Filing Co., Ltd. | Apparatus for horizontally transferring distribution pallets |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4172452A patent/JPH0620926A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5820327A (en) * | 1995-01-19 | 1998-10-13 | Nippon Filing Co., Ltd. | Apparatus for horizontally transferring distribution pallets |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0083394B1 (en) | A method and apparatus for providing a uniform illumination of an area | |
| Price | X-ray microscopy using grazing-incidence reflections optics | |
| KR920001171B1 (ko) | X선 노출 장치 | |
| JPS63283022A (ja) | Ｘ線リソグラフイの投影スケール変更方法および装置 | |
| US20010042838A1 (en) | Position detection device, apparatus using the same, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same | |
| JP3236484B2 (ja) | エネルギービーム加工法 | |
| US20210389262A1 (en) | X-ray analysis apparatus and x-ray generation unit | |
| JPH0620926A (ja) | 露光用シンクロトロン放射光走査装置 | |
| JPH08213305A (ja) | 荷電ビーム転写装置および転写方法 | |
| JP2009274347A (ja) | ローラーモールド作製方法 | |
| JPS6349895B2 (ja) | ||
| EP0388834B1 (en) | Synchrotron radiation utilizing apparatus and method for utilizing synchrotron radiation | |
| JPH0639575A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2000100758A (ja) | ビーム描画装置及びパターン形成方法 | |
| JP3412852B2 (ja) | 単結晶インゴットのマーキング装置 | |
| JPH01295421A (ja) | 周辺露光装置 | |
| JP2891737B2 (ja) | 反射装置及び転写装置 | |
| JPH0246717A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JPS61212798A (ja) | 高精度ｘ線集光装置 | |
| JPH1126350A (ja) | 露光装置 | |
| JPS59107515A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH055162B2 (ja) | ||
| JPH10111399A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| CN120839285A (zh) | 晶圆打标系统 | |
| JPH02287300A (ja) | Ｘ線集光レンズ系の軸合わせ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |