JPH062116U - 磁気抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 出力電圧として得る中点電位を出力波形を歪
ませることなく調整できるようにする。 【構成】 各々強磁性薄膜からなる第１の感磁ストライ
プＳ１と第２の感磁ストライプＳ２のいずれか一方に非
磁性抵抗体Ｔを直列に接続する。この非磁性抵抗体Ｔを
接続した分中点電位を変化させることができるので、中
点電位を電源電圧の１／２以外の値に調整することがで
きる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、電源電圧の１／２以外の値の出力電圧を得るようにした磁気抵抗素 子に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来の磁気抵抗素子として図４に示したような構成のものが知られている。電 源端子Ｔ１と接地端子Ｔ２との間に、各々強磁性薄膜からなる第１の感磁ストラ イプＳ１と第２の感磁ストライプＳ２とが互いに平行になるように配置されて直 列に接続され、第１及び第２の感磁ストライプＳ１，Ｓ２の接続点から出力端子 Ｔ３を介して出力電圧が得られるようになっている。

【０００３】 ここで第１及び第２の感磁ストライプＳ１，Ｓ２の抵抗を各々Ｒ１，Ｒ２とす るとＲ１＝Ｒ２に設定され、電源端子Ｔ１と接地端子Ｔ２との間には電源電圧Ｖ ccが接続される。破線で囲んだ領域Ｍは磁界領域を示している。このような構成 の磁気抵抗素子では出力端子Ｔ３から中点電位Ｖｃを出力電圧として得ているが 、通常この値は電源電圧Ｖccの１／２である。

【０００４】 磁気抵抗素子の出力端子Ｔ３から得られる出力電圧は、図示しないオペアンプ 等に入力され、波形整形あるいは基準電圧との比較が行われる。しかしながら、 オペアンプの出力において、回路上基準電圧は電源電圧Ｖccの１／２より、高め の設定の方が出力波形を最も効果的にすることができることがある。ところが、 このことを前述のように磁気抵抗素子の中点電位Ｖｃを電源電圧Ｖccの１／２と した場合には、基準電圧との電位差により電源ノイズを増幅してしまい、オペア ンプの出力に大きなノイズを発生してしまうという不具合を生じる。

【０００５】 そこで、磁気抵抗素子の出力電圧の中点電位Ｖｃを上記オペアンプに合致させ るべく、中点電位Ｖｃを変化させることが試みられている。その第１の試みは図 ４において、例えば第１の感磁ストライプＳ１の幅を大きくしてその抵抗値Ｒ１ を変化させて、中点電位Ｖｃを変位させようとするものである。第２の試みは図 ４において、例えば第２の感磁ストライプＳ２を増設して抵抗値Ｒ２を高くして 、中点電位Ｖｃを変位させようとするものである。その他の第３の試みとして、 一方の感磁ストライプに抵抗体を直列接続して、中点電位Ｖｃを変化させること も行われている。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら従来の磁気抵抗素子では、第１あるいは第２の試みのようにして 中点電位Ｖｃを変位させようとすると、第１及び第２の磁気ストライプＳ１，Ｓ ２に変化磁界を加えると、当然ながら各磁気ストライプの抵抗値変化量が異なっ てしまうようになる。この結果、中点電位Ｖｃの出力波形が歪んでしまう問題が ある。また第３の試みにおいても、抵抗値を調整する必要が生じ、しかも温度変 化によって中点電位にドリフトが生じて検出精度が悪化する問題もある。

【０００７】 本考案は以上のような問題に対処してなされたもので、出力電圧として得る中 点電位を出力波形を歪ませることなく電源電圧の１／２以外の値に調整可能にし た磁気抵抗素子を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために本考案は、各々強磁性薄膜からなる第１の感磁スト ライプと第２の感磁ストライプとが直列に接続され、この接続点から中点電位を 出力電圧として得る磁気抵抗素子であって、前記第１又は第２の感磁ストライプ の一方に非磁性抵抗体を直列に接続して前記出力電圧となる中点電位の値を調整 したことを特徴とするものである。

【０００９】

【作用】

第１の感磁ストライプと第２の感磁ストライプのいずれか一方に非磁性抵抗体 を直列に接続することにより、非磁性抵抗体を接続した分中点電位を調整するこ とができる。しかも非磁性抵抗体を用いると共に、第１及び第２の感磁ストライ プは等しい形状のものを用いるので、磁気による抵抗変化も等しく保たれるため 出力波形が歪むことはない。

【００１０】

【実施例】

以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。図１は本考案の磁気抵抗素子 の第１の実施例を示す構成図で、電源端子Ｔ１と接地端子Ｔ２との間に、各々強 磁性薄膜からなる第１の感磁ストライプＳ１と第２の感磁ストライプＳ２とが互 いに平行になるように配置されて直列に接続されている。ここで第１及び第２の 感磁ストライプＳ１，Ｓ２の抵抗Ｒ１，Ｒ２はＲ１＝Ｒ２に設定される。また、 例えば第２のストライプＳ２と接地端子Ｔ２との間には、第２のストライプＳ２ にこれと直交するような方向に配置された非磁性抵抗体Ｔが直列に接続される。 電源端子Ｔ１と接地端子Ｔ２との間には電源電圧Ｖccが接続される。破線で囲ん だ領域Ｍは磁界領域を示している。

【００１１】 図３は本実施例の磁気抵抗素子の等価回路を示している。Ｒ３は非磁性抵抗体 Ｔの抵抗を示している。ここで出力端子Ｔ３から得られる中点電位Ｖｃは次式の ように示される。 Ｖｃ＝｛（Ｒ２＋Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）｝×Ｖcc ここで、Ｖcc＝５Ｖ、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ、Ｒ３＝０．５Ｒに設定したものとする と前式に基づき、 Ｖｃ＝３（Ｖ）が得られる。 一方、図５の従来例では、Ｖｃ＝｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝×Ｖccとなるので 、Ｖｃ＝２．５（Ｖ）が得られる。

【００１２】 すなわち、本実施例によれば非磁性抵抗体Ｔを第２の感磁ストライプＳ２に直 列に接続することにより、これを接続した分出力端子Ｔ３から得られる出力電圧 となる中点電位を電源電圧Ｖccの１／２以外の値に調整することができる。本実 施例の場合電源電圧Ｖcc＝５（Ｖ）に対して、中点電位Ｖｃ＝３（Ｖ）が得られ るので、０．５（Ｖ）だけ電源電圧Ｖccから移動させることができることになる 。この場合、第１及び第２の感磁ストライプＳ１，Ｓ２は各抵抗Ｒ１，Ｒ２が等 しくなるように等しい形状に設けることにより、磁界領域Ｍによる抵抗変化は等 しく保たれる。これによって出力端子Ｔ３から得られる出力波形を歪ませること なく、中点電位を電源電圧の１／２以外の値に調整することができる。

【００１３】 非磁性抵抗体Ｔは、可能な限り感磁ストライプとして用いられる強磁性薄膜に 近い抵抗温度係数を有する材料を用いることが望ましい。さらに、非磁性抵抗体 Ｔは実施例のようなストライプ形状に設けることにより、設計時の抵抗調整を容 易に行うことができる。

【００１４】 図２は本考案の第２の実施例を示すもので、非磁性抵抗体Ｔを第２の感磁スト ライプＳ２と平行に配置して、中断端子Ｔ４を介して第２の感磁ストライプＳ２ に直列に接続した例を示すものである。本実施例によっても非磁性抵抗体Ｔの配 置方向が異なるだけで、第１の実施例と同様な等価回路となるので、同様な効果 を得ることができる。すなわち、非磁性抵抗体Ｔは磁気によって抵抗が変化しな いので、その配置方向には関係なく出力端子Ｔ３から得られる中点電位の値を電 源電圧の１／２以外の値となるように調整するように作用する。

【００１５】 同様にして、各実施例には示していないが、非磁性抵抗体Ｔを第１の感磁スト ライプＳ１に直列に接続するようにしても目的を達成することができる。

【００１６】

【考案の効果】

以上述べたように本考案によれば、各々強磁性薄膜からなる第１及び第２の感 磁ストライプのいずれか一方に非磁性抵抗体を直列に接続するようにしたので、 この接続点から出力電圧として得る中点電位を出力波形を歪ませることなく調整 することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の磁気抵抗素子の第１の実施例を示す構
成図である。

【図２】本考案の磁気抵抗素子の第２の実施例を示す構
成図である。

【図３】本考案の各実施例の磁気抵抗素子の等価回路で
ある。

【図４】従来の磁気抵抗素子を示す構成図である。

【図５】従来の磁気抵抗素子の等価回路である。

【符号の説明】

Ｓ１ 第１の感磁ストライプ Ｓ２ 第２の感磁ストライプ Ｔ１ 電源端子 Ｔ２ 接地端子 Ｔ３ 出力端子 Ｔ４ 中継端子 Ｔ 非磁性抵抗体 Ｍ 磁界領域

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 各々強磁性薄膜からなる第１の感磁スト
   ライプと第２の感磁ストライプとが直列に接続され、こ
   の接続点から中点電位を出力電圧として得る磁気抵抗素
   子であって、前記第１又は第２の感磁ストライプの一方
   に非磁性抵抗体を直列に接続して前記出力電圧となる中
   点電位の値を調整したことを特徴とする磁気抵抗素子。