JPH062202Y2 - 電子銃装置 - Google Patents
電子銃装置Info
- Publication number
- JPH062202Y2 JPH062202Y2 JP6309888U JP6309888U JPH062202Y2 JP H062202 Y2 JPH062202 Y2 JP H062202Y2 JP 6309888 U JP6309888 U JP 6309888U JP 6309888 U JP6309888 U JP 6309888U JP H062202 Y2 JPH062202 Y2 JP H062202Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electron gun
- electron
- evaporated
- beam sweep
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この考案は、電子銃を用いて薄膜を製造する電子銃装置
の改良に関する。
の改良に関する。
(従来の技術) 従来の電子銃装置では、電子ビームスイープコイルの巻
線には、巻線どうしの絶縁のためにポリイミド樹脂等の
被覆線が用いられていた。
線には、巻線どうしの絶縁のためにポリイミド樹脂等の
被覆線が用いられていた。
(考案が解決しようとする問題点) しかしながら、前記のような従来の電子銃装置には以下
の様な欠点があった。
の様な欠点があった。
超高真空や極超高真空を得るためには、真空チャンバー
内および真空内部構成部品に付着した水分子等を短時間
で放出させるためにベーキングという手法が用いられて
いる。これは、真空チャンバーおよび内部構成部品の温
度を上げることにより、排気の妨げとなる真空チャンバ
ー内部に付着した水分子等にエネルギーを与え、壁面か
ら放出させ、迅速に排気する方法である。通常は250
〜300℃程度の温度が必要とされ、ベーキングを行な
うためには、真空チャンバー内構成部品はほぼ300℃
以上の耐熱温度を必要とする。
内および真空内部構成部品に付着した水分子等を短時間
で放出させるためにベーキングという手法が用いられて
いる。これは、真空チャンバーおよび内部構成部品の温
度を上げることにより、排気の妨げとなる真空チャンバ
ー内部に付着した水分子等にエネルギーを与え、壁面か
ら放出させ、迅速に排気する方法である。通常は250
〜300℃程度の温度が必要とされ、ベーキングを行な
うためには、真空チャンバー内構成部品はほぼ300℃
以上の耐熱温度を必要とする。
従来の電子銃装置では、構成部品の全て金属製にして高
温のベーキングを可能にしたものもあったが、それらは
電子ビームスイープ機能を持たないものばかりであっ
た。電子ビームスイープ機能を有する従来の装置では、
電子ビームスイープコイルの線材としてはポリイミド被
覆線が使われていて、その耐熱温度が低い(例えば、ポ
リイミド被覆線では最も高い耐熱温度のものでも230
℃)ために250℃以上の温度でベーキングすることは
できなかった。なお、アルマイトなどを被覆材とした線
材を電子ビームスイープコイルに使ってて耐熱温度を高
くしたものもありはするが、コイルの通電電流量が増加
して高温になると、被覆材のアルミナの付着に使用され
る水酸化アルミナなどが分解し、真空中に水分子などを
放出するため、高真空中での使用には不適当であった。
温のベーキングを可能にしたものもあったが、それらは
電子ビームスイープ機能を持たないものばかりであっ
た。電子ビームスイープ機能を有する従来の装置では、
電子ビームスイープコイルの線材としてはポリイミド被
覆線が使われていて、その耐熱温度が低い(例えば、ポ
リイミド被覆線では最も高い耐熱温度のものでも230
℃)ために250℃以上の温度でベーキングすることは
できなかった。なお、アルマイトなどを被覆材とした線
材を電子ビームスイープコイルに使ってて耐熱温度を高
くしたものもありはするが、コイルの通電電流量が増加
して高温になると、被覆材のアルミナの付着に使用され
る水酸化アルミナなどが分解し、真空中に水分子などを
放出するため、高真空中での使用には不適当であった。
上述のように、従来の装置では、高温のベーキングを可
能にしたものでは、原材料物質の有効利用や、絶縁物蒸
着、超伝導体材料の蒸着等に欠かせない電子ビームスイ
ープの機能を欠き、、またスイープ機能を有するもので
は高い温度でのベーキングが不可能で、ソフトベークな
どと呼ばれる150℃程度のベーキングしか行なえない
という欠点があった。
能にしたものでは、原材料物質の有効利用や、絶縁物蒸
着、超伝導体材料の蒸着等に欠かせない電子ビームスイ
ープの機能を欠き、、またスイープ機能を有するもので
は高い温度でのベーキングが不可能で、ソフトベークな
どと呼ばれる150℃程度のベーキングしか行なえない
という欠点があった。
また、電子ビームスイープの有効性について補足する
と、超高真空装置においては、所要の低圧力を得るの
に、2〜3日程度もしくはこれ以上の日数を必要とし、
仮に蒸発用原材料物質が少なくなると、装置の厳重な閉
鎖を開いて大気圧にし、原材料物質を補充する。そして
再び使用可能な状態とするのに何日もの日数を必要とす
る。ところが電子ビームスイープ機構があれば、この原
材料物質を(材料によって異なるが)2〜5倍もしくは
それ以上有効に使用することができる。さらに、材料に
よっては電子ビームスイープを行なわなければ殆んど蒸
発しないものもあり、電子ビームスイープは非常に有効
なものである。
と、超高真空装置においては、所要の低圧力を得るの
に、2〜3日程度もしくはこれ以上の日数を必要とし、
仮に蒸発用原材料物質が少なくなると、装置の厳重な閉
鎖を開いて大気圧にし、原材料物質を補充する。そして
再び使用可能な状態とするのに何日もの日数を必要とす
る。ところが電子ビームスイープ機構があれば、この原
材料物質を(材料によって異なるが)2〜5倍もしくは
それ以上有効に使用することができる。さらに、材料に
よっては電子ビームスイープを行なわなければ殆んど蒸
発しないものもあり、電子ビームスイープは非常に有効
なものである。
(考案の目的) 本考案は上記の問題を解決し、高い温度でのベーキング
を可能とし、なおかつ電子ビームスイープ可能な電子銃
装置を提供することを目的とする。
を可能とし、なおかつ電子ビームスイープ可能な電子銃
装置を提供することを目的とする。
(問題を解決するための手段) 本考案の電子銃装置では、電子ビームスイープコイル
が、表面に陽極析出型セラミックコ−ティングを施した
導体線を巻線として作られている。
が、表面に陽極析出型セラミックコ−ティングを施した
導体線を巻線として作られている。
(作用) 通常の電子銃装置に使用される部品で耐熱温度の低いも
のは、シール材のOリングが約150℃、電子ビームス
イープコイルの線材の被覆材がポリイミド樹脂で約23
0℃の2点であるが、電子銃を全て金属で構成し、シー
ル材にも金属を用い、電子ビームスイープコイルにも前
記セラミックスコーティングを施した線材を使用すれば
被覆材の耐熱温度は約1000℃となり、線材の一部に
アルミニウムを用いているとしてもその融点は660℃
であるため、電子銃装置全体の耐熱温度は飛躍的に向上
する。
のは、シール材のOリングが約150℃、電子ビームス
イープコイルの線材の被覆材がポリイミド樹脂で約23
0℃の2点であるが、電子銃を全て金属で構成し、シー
ル材にも金属を用い、電子ビームスイープコイルにも前
記セラミックスコーティングを施した線材を使用すれば
被覆材の耐熱温度は約1000℃となり、線材の一部に
アルミニウムを用いているとしてもその融点は660℃
であるため、電子銃装置全体の耐熱温度は飛躍的に向上
する。
また、前記線材は、アルマイト処理などと異なり、高
温、超高真空といった苛酷な条件の下でも非常に良好な
ガス放出特性を示し、さらに遠赤外線放射特性も良好で
あるので、真空中でも冷却しやすく、電子銃装置の電子
ビームスイープコイルの線材として十分な性能を示す。
温、超高真空といった苛酷な条件の下でも非常に良好な
ガス放出特性を示し、さらに遠赤外線放射特性も良好で
あるので、真空中でも冷却しやすく、電子銃装置の電子
ビームスイープコイルの線材として十分な性能を示す。
(実施例) 第1図は本考案の一実施例の電子銃装置の全体構成を示
す平面図。第2図aは、第1図の電子銃のスイープコイ
ルの断面図。第2図bは巻線の拡大断面図。第3図は第
1図の装置の概略横断面図を示す。
す平面図。第2図aは、第1図の電子銃のスイープコイ
ルの断面図。第2図bは巻線の拡大断面図。第3図は第
1図の装置の概略横断面図を示す。
高電圧で加速されてフィラメント2から飛び出した電子
は、電子ビーム偏向用磁石5および電子ビーム偏向用継
鉄6で作られる電子ビーム偏向用磁界により偏向される
が、ルツボ3内に納められた原材料物質4を有効に効率
よく蒸発させるために更に電子ビームスイープコイル8
により電子ビームを原材料物質上でスイープさせる。こ
のスイープコイルの線材9には、例えば、エディック
(ディプソール株式会社の商品名)と呼ばれて市販され
ている、表面に陽極析出型セラミックコーティングを施
した導体線を用いている。
は、電子ビーム偏向用磁石5および電子ビーム偏向用継
鉄6で作られる電子ビーム偏向用磁界により偏向される
が、ルツボ3内に納められた原材料物質4を有効に効率
よく蒸発させるために更に電子ビームスイープコイル8
により電子ビームを原材料物質上でスイープさせる。こ
のスイープコイルの線材9には、例えば、エディック
(ディプソール株式会社の商品名)と呼ばれて市販され
ている、表面に陽極析出型セラミックコーティングを施
した導体線を用いている。
この線材は、特殊なシリケートなどの水溶液中で線材を
陽極として通電することにより、先ず金属表面に抵抗性
の皮膜が生成され、次いで局所的にこの皮膜が破壊され
てこの時加えられる高エネルギーにより一種の点溶接の
様な形で析出物が固化してセラミックス化してゆくこと
が繰り返され、これによってセラミックス被覆が形成さ
れたものである。
陽極として通電することにより、先ず金属表面に抵抗性
の皮膜が生成され、次いで局所的にこの皮膜が破壊され
てこの時加えられる高エネルギーにより一種の点溶接の
様な形で析出物が固化してセラミックス化してゆくこと
が繰り返され、これによってセラミックス被覆が形成さ
れたものである。
また、この被覆は、現状では、おもにAなどの表面に
しか形成されない。そこで、線材の導電率や、熱伝導度
を考慮し芯線12にCuを用い、その外側に、AとC
uの合金化を防ぐために(AとCuは300℃以上で
合金化する。)Niメッキ15をし、さらにその外側に
A被膜16をつけて、そして、セラミックス処理を行
なっている。
しか形成されない。そこで、線材の導電率や、熱伝導度
を考慮し芯線12にCuを用い、その外側に、AとC
uの合金化を防ぐために(AとCuは300℃以上で
合金化する。)Niメッキ15をし、さらにその外側に
A被膜16をつけて、そして、セラミックス処理を行
なっている。
この実施例の装置の電子銃の動作は、全く従来と変わり
ないが、電子銃の構成材料はCu、Fe、W、Mo、T
a、ステンレス鋼などからなっており、最も耐熱温度の
低いものは巻線に使用されているアルミニウムの660
℃である。実験によって本考案の装置は、超高真空や極
超高真空を得るために必要なベーキングに十分耐えら
れ、ガス放出が少なくて、極超または超高真空内構成部
品としては最適であることが判明した。
ないが、電子銃の構成材料はCu、Fe、W、Mo、T
a、ステンレス鋼などからなっており、最も耐熱温度の
低いものは巻線に使用されているアルミニウムの660
℃である。実験によって本考案の装置は、超高真空や極
超高真空を得るために必要なベーキングに十分耐えら
れ、ガス放出が少なくて、極超または超高真空内構成部
品としては最適であることが判明した。
(考案の効果) 本考案によれば、十分に高温でベーキング可能であり、
なおかつ、電子ビームスイープが可能で超高真空特性の
良好な電子銃装置を得ることができる。
なおかつ、電子ビームスイープが可能で超高真空特性の
良好な電子銃装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は、本考案の一実施例の電子銃装置の全体構成を
示す平面図。 第2図aは、第1図の電子銃のスイープコイルの断面
図。 第2図bは巻線の拡大断面図。 第3図は第1図の装置の概略横断面図。 1…電子銃本体、2…フィラメント、 3…ルツボ、4…原材料物質、 5…電子ビーム偏向用磁石、 6…電子ビーム偏向用継鉄、7…水冷パイプ、 8…電子ビームスイープコイル、 9…コイル用線材、10…鉄芯、 11…コイル外壁、12…芯線(Cu)、 13…セラミックス皮膜、14…冷却水路、 14…Ni皮膜、15…A皮膜。
示す平面図。 第2図aは、第1図の電子銃のスイープコイルの断面
図。 第2図bは巻線の拡大断面図。 第3図は第1図の装置の概略横断面図。 1…電子銃本体、2…フィラメント、 3…ルツボ、4…原材料物質、 5…電子ビーム偏向用磁石、 6…電子ビーム偏向用継鉄、7…水冷パイプ、 8…電子ビームスイープコイル、 9…コイル用線材、10…鉄芯、 11…コイル外壁、12…芯線(Cu)、 13…セラミックス皮膜、14…冷却水路、 14…Ni皮膜、15…A皮膜。
Claims (1)
- 【請求項1】内部が排気可能な真空処理室内にて、電子
源で生成された電子を加速し、これを磁場で偏向させて
被蒸発物を照射し、該被蒸発物を加熱・蒸発させる電子
銃と、電子ビームをスイープさせるための電子ビームス
イープコイルとを備え、該蒸発物に対向設置された所定
の基板表面に薄膜を堆積させる電子銃装置において、 該電子ビームスイープコイルが、表面に陽極析出型セラ
ミックコ−ティングを施した導体線を巻線としているこ
とを特徴とする電子銃装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309888U JPH062202Y2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 電子銃装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309888U JPH062202Y2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 電子銃装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166954U JPH01166954U (ja) | 1989-11-22 |
| JPH062202Y2 true JPH062202Y2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=31288627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309888U Expired - Lifetime JPH062202Y2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 電子銃装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062202Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP6309888U patent/JPH062202Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01166954U (ja) | 1989-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3836451A (en) | Arc deposition apparatus | |
| JPS59208070A (ja) | ア−ク安定化装置 | |
| CA1135324A (en) | Grid coating for thermionic electron emission suppression | |
| US3404084A (en) | Apparatus for depositing ionized electron beam evaporated material on a negatively biased substrate | |
| JPH062202Y2 (ja) | 電子銃装置 | |
| JPS61272367A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2570560Y2 (ja) | 電子ビーム蒸発源 | |
| JPH0770741A (ja) | 蒸発源 | |
| JPH0387360A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH069015Y2 (ja) | 蒸着用電子銃 | |
| JP4171365B2 (ja) | 蒸着装置 | |
| US3325307A (en) | Method of forming superconductive niobium films | |
| JP2592617B2 (ja) | イオン・プレーテイング装置 | |
| US3481778A (en) | Method of forming a superconducting metallic film | |
| JP2593292Y2 (ja) | 金属イオン源輻射リフレクタ構造 | |
| US3881038A (en) | Low temperature metallization of ferrite | |
| JPS5813622B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JP3030420B2 (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JPH02125864A (ja) | プラズマガンを用いたプラズマ真空装置 | |
| JPS6380438A (ja) | シヤドウマスクの表面処理方法 | |
| JP2005344137A (ja) | 電子ビームガンおよびプラズマ装置 | |
| KR100397751B1 (ko) | 자성체 재료 코팅용 마그네트론 원 | |
| JPH0238925Y2 (ja) | ||
| JPS63213664A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0192363A (ja) | 分子流発生装置 |