JPH06224245A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06224245A JPH06224245A JP24761693A JP24761693A JPH06224245A JP H06224245 A JPH06224245 A JP H06224245A JP 24761693 A JP24761693 A JP 24761693A JP 24761693 A JP24761693 A JP 24761693A JP H06224245 A JPH06224245 A JP H06224245A
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】二重モールドされた半導体装置の外側モールド
樹脂封止部材の破損を防止する。 【構成】半導体素子１，２を二重にトランスファモール
ドした半導体装置において、内側の第一のトランスファ
ーモールド樹脂封止部材５のコーナー部７もしくは突出
部８を曲面とする。これにより、外側の第二の樹脂封止
部材６に局部的な応力が集中して外側樹脂を破損するこ
とを防ぎ、安定した均一品質の半導体装置を可能とす
る。
樹脂封止部材の破損を防止する。 【構成】半導体素子１，２を二重にトランスファモール
ドした半導体装置において、内側の第一のトランスファ
ーモールド樹脂封止部材５のコーナー部７もしくは突出
部８を曲面とする。これにより、外側の第二の樹脂封止
部材６に局部的な応力が集中して外側樹脂を破損するこ
とを防ぎ、安定した均一品質の半導体装置を可能とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体素子を二重封止する半導体装置に関する。
半導体素子を二重封止する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、半導体素子を樹脂
封止するにあたりトランスファモールド金型を用い製造
している。この素子用の樹脂層としては素子を直接封止
する第一の樹脂封止部材とこの第一の樹脂封止部材の上
から被覆する第二の樹脂封止部材とからなっており、特
に第一の樹脂部材の角は半径が０．１〜０．２ｍｍ以下
の角に近い曲面より成っている。
封止するにあたりトランスファモールド金型を用い製造
している。この素子用の樹脂層としては素子を直接封止
する第一の樹脂封止部材とこの第一の樹脂封止部材の上
から被覆する第二の樹脂封止部材とからなっており、特
に第一の樹脂部材の角は半径が０．１〜０．２ｍｍ以下
の角に近い曲面より成っている。
【０００３】図３は従来の一例を説明するための半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【０００４】図３に示すように、この半導体装置は発光
ダイオード１１とホトトランジスタ１２とをそれぞれ金
線１３により電極部材１４に接続し、これらを金型等に
入れ第一の樹脂封止部材１５を注入してモールドしてい
る。次に、このモールドした第一の樹脂封止部材１５の
上から第二の樹脂封止部材１６を同様に被覆し装置とし
て形成している。尚、この場合第二の樹脂封止部材１６
は収縮の際に第一の樹脂封止部材１５の角部（コーナー
部）１７により破損個所１９が生ずることがある。
ダイオード１１とホトトランジスタ１２とをそれぞれ金
線１３により電極部材１４に接続し、これらを金型等に
入れ第一の樹脂封止部材１５を注入してモールドしてい
る。次に、このモールドした第一の樹脂封止部材１５の
上から第二の樹脂封止部材１６を同様に被覆し装置とし
て形成している。尚、この場合第二の樹脂封止部材１６
は収縮の際に第一の樹脂封止部材１５の角部（コーナー
部）１７により破損個所１９が生ずることがある。
【０００５】従来、上述した樹脂封止のためのトランス
ファモールド金型の製作には、割り型による方法と放電
加工による方法がある。以下、前者を図４を参照し、後
者を図５を参照して説明する。
ファモールド金型の製作には、割り型による方法と放電
加工による方法がある。以下、前者を図４を参照し、後
者を図５を参照して説明する。
【０００６】まず、図４は従来の半導体装置の製造にお
いて割り型により形成される金型の断面図である。
いて割り型により形成される金型の断面図である。
【０００７】図４に示すように、金型のキャビティ２１
の角の部分は二つの金属ブロック２２，２３を合わせた
稜線にあたり、この部分は半径０．０５ｍｍ以下の鋭い
エッジをなしている。そのため、モールドされた樹脂，
特に第一の樹脂部材の角部は尖った形状になってしま
う。
の角の部分は二つの金属ブロック２２，２３を合わせた
稜線にあたり、この部分は半径０．０５ｍｍ以下の鋭い
エッジをなしている。そのため、モールドされた樹脂，
特に第一の樹脂部材の角部は尖った形状になってしま
う。
【０００８】また、図５は図４と同様に従来の半導体装
置の製造において放電加工により形成される金型の断面
図である。
置の製造において放電加工により形成される金型の断面
図である。
【０００９】図５に示すように、この放電加工による方
法は、金型の材料３１とこの金型３１に空けようとする
キャビティーの形状に加工した金属電極３２とを油３３
の中に浸し、この金属電極３２を金型の材料３１に押し
つけた状態で定電流源３４より電極３２と材料３１との
間に電流を流すものである。この電流によりジュール熱
が発生し、金型材料３１を溶融加工することができる。
この場合、当然金属電極３２も同時に溶融変形するの
で、通常新しい電極を３回取替えて必要な形状を得てい
る。この放電加工による方法では、原理的にキャビティ
ーの角の形状を任意に形成することができるが、電極を
切削加工により作るため、従来は一番作り易い形状、す
なわち角が鋭いエッジとなった電極を用いていた。かか
る電極を用いた３回の放電加工により作った金型の場
合、空間に形成されるキャビティーの角は半径０．２ｍ
ｍ以下（通常は約０．１ｍｍ）の曲面によりなってい
た。
法は、金型の材料３１とこの金型３１に空けようとする
キャビティーの形状に加工した金属電極３２とを油３３
の中に浸し、この金属電極３２を金型の材料３１に押し
つけた状態で定電流源３４より電極３２と材料３１との
間に電流を流すものである。この電流によりジュール熱
が発生し、金型材料３１を溶融加工することができる。
この場合、当然金属電極３２も同時に溶融変形するの
で、通常新しい電極を３回取替えて必要な形状を得てい
る。この放電加工による方法では、原理的にキャビティ
ーの角の形状を任意に形成することができるが、電極を
切削加工により作るため、従来は一番作り易い形状、す
なわち角が鋭いエッジとなった電極を用いていた。かか
る電極を用いた３回の放電加工により作った金型の場
合、空間に形成されるキャビティーの角は半径０．２ｍ
ｍ以下（通常は約０．１ｍｍ）の曲面によりなってい
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の二重封
止された半導体装置は、第一の樹脂封止部材の角が半径
０．２ｍｍ以下の曲面より成っているので、第二の樹脂
封止部材をトランスファモールドにより作るとき、外側
の樹脂収縮により外側の樹脂に加わる応力が第一の樹脂
封止部材の角に集中し、外側の樹脂の厚さ等の条件によ
って図３の個所１９のように第二の樹脂封止部材１６の
破損を招くという問題があった。
止された半導体装置は、第一の樹脂封止部材の角が半径
０．２ｍｍ以下の曲面より成っているので、第二の樹脂
封止部材をトランスファモールドにより作るとき、外側
の樹脂収縮により外側の樹脂に加わる応力が第一の樹脂
封止部材の角に集中し、外側の樹脂の厚さ等の条件によ
って図３の個所１９のように第二の樹脂封止部材１６の
破損を招くという問題があった。
【００１１】また、成形直後に破損のない製品であって
も、製品を半田付けする際に加わる熱により、熱膨張に
差のある第一の樹脂封止部材と第二の樹脂封止部材との
間に応力が加わり、第一の樹脂封止部材が前述と同様
に、第二の樹脂封止部材を破損させるという問題があっ
た。
も、製品を半田付けする際に加わる熱により、熱膨張に
差のある第一の樹脂封止部材と第二の樹脂封止部材との
間に応力が加わり、第一の樹脂封止部材が前述と同様
に、第二の樹脂封止部材を破損させるという問題があっ
た。
【００１２】本発明の目的は、従来のかかる第二の樹脂
封止部材が破損することなく且つ安定した均一品質の半
導体装置を提供することにある。
封止部材が破損することなく且つ安定した均一品質の半
導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子と、前記半導体素子を搭載し金属配線により
接続した電極部材と、前記半導体素子および前記電極部
材を封止し外形コーナー部もしくは突出部に所定半径以
上の面をトランスファモールド形成した第一の樹脂封止
部材と、前記第一の樹脂封止部材をほぼ覆って封止する
第二の樹脂封止部材とを含んで構成される。
半導体素子と、前記半導体素子を搭載し金属配線により
接続した電極部材と、前記半導体素子および前記電極部
材を封止し外形コーナー部もしくは突出部に所定半径以
上の面をトランスファモールド形成した第一の樹脂封止
部材と、前記第一の樹脂封止部材をほぼ覆って封止する
第二の樹脂封止部材とを含んで構成される。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明の第一の実施例を説明するた
めのホトカップラの断面図である。
めのホトカップラの断面図である。
【００１６】図１に示すように、発光ダイオード１およ
びこのダイオード１に対向配置されたホトトランジスタ
２は電極部材４上に設置され、金線３により配線されて
いる。これら発光ダイオード１やホトトランジスタ２の
半導体素子と電極部材４とを覆い且つ外形のコーナー部
７が最小半径０．４ｍｍ以上の曲面を形成するように第
一の透光性樹脂封止材５により封止する。この第一の透
光性樹脂封止材５の金型は電極の角を丸めた放電加工に
より形成する。更に、この透光性樹脂封止材５の全面は
第二の不透光性樹脂封止材６により封止される。従っ
て、発光ダイオード１からの光は透光性樹脂中を通りホ
トトランジスタ２に受光されるが、外部に対しては不透
光性樹脂により光が洩れないようにしている。
びこのダイオード１に対向配置されたホトトランジスタ
２は電極部材４上に設置され、金線３により配線されて
いる。これら発光ダイオード１やホトトランジスタ２の
半導体素子と電極部材４とを覆い且つ外形のコーナー部
７が最小半径０．４ｍｍ以上の曲面を形成するように第
一の透光性樹脂封止材５により封止する。この第一の透
光性樹脂封止材５の金型は電極の角を丸めた放電加工に
より形成する。更に、この透光性樹脂封止材５の全面は
第二の不透光性樹脂封止材６により封止される。従っ
て、発光ダイオード１からの光は透光性樹脂中を通りホ
トトランジスタ２に受光されるが、外部に対しては不透
光性樹脂により光が洩れないようにしている。
【００１７】このように、第一の透光性樹脂封止材５の
外形のコーナー部７を従来の最小半径０．０５ｍｍの割
り型から本実施例のように変更することにより、ホトカ
ップラの不透光性封止樹脂が透光性封止樹脂のコーナー
部によって破損していた問題を解消することができる。
例えば、このホトカップラの耐熱温度は２２０切歯から
３８０℃に向上し、半田付け等で必要とされる３００℃
以上の耐熱性を得ることができる。
外形のコーナー部７を従来の最小半径０．０５ｍｍの割
り型から本実施例のように変更することにより、ホトカ
ップラの不透光性封止樹脂が透光性封止樹脂のコーナー
部によって破損していた問題を解消することができる。
例えば、このホトカップラの耐熱温度は２２０切歯から
３８０℃に向上し、半田付け等で必要とされる３００℃
以上の耐熱性を得ることができる。
【００１８】次に、図２は本発明の第二の実施例を説明
するための光反射センサーの断面図である。
するための光反射センサーの断面図である。
【００１９】図２に示すように、発光ダイオード１およ
びホトトランジスタ２は同一方向に向くようにそれぞれ
別々に電極部材４上に設置され、金線３により配線され
ている。これら半導体素子と電極部材４とを別々に覆い
且つ外形のコーナー部７および突出部８が最小半径０．
４ｍｍ以上の曲面を形成するように第一の透光性樹脂封
止材５により封止する。更に、この別々に形成した透光
性樹脂封止材５の突出部８を除く部分を第二の不透光性
樹脂封止材６により封止する。かかる発光ダイオード１
およびホトトランジスタ２からなる光反射センサーの光
の送受はそれぞれの突出部８を通して行われる。
びホトトランジスタ２は同一方向に向くようにそれぞれ
別々に電極部材４上に設置され、金線３により配線され
ている。これら半導体素子と電極部材４とを別々に覆い
且つ外形のコーナー部７および突出部８が最小半径０．
４ｍｍ以上の曲面を形成するように第一の透光性樹脂封
止材５により封止する。更に、この別々に形成した透光
性樹脂封止材５の突出部８を除く部分を第二の不透光性
樹脂封止材６により封止する。かかる発光ダイオード１
およびホトトランジスタ２からなる光反射センサーの光
の送受はそれぞれの突出部８を通して行われる。
【００２０】このように形成された光反射センサーにお
ける第一の透光性樹脂封止材５の金型は、前記第一の実
施例と同様に、電極の角を丸めた放電加工により形成さ
れ、また光反射センサーの耐熱温度および半田付けの際
の耐熱性も同様の機能向上が得られる。
ける第一の透光性樹脂封止材５の金型は、前記第一の実
施例と同様に、電極の角を丸めた放電加工により形成さ
れ、また光反射センサーの耐熱温度および半田付けの際
の耐熱性も同様の機能向上が得られる。
【００２１】以上、本実施例について説明したが、本発
明はホトカップラや光反射センサー等の光学的半導体装
置に限定されることなく、通常のトランジスタを含む半
導体装置に置き換えても同様に実施することができる。
尚、そのときは第一の封止樹脂材は透光性樹脂である必
要はない。
明はホトカップラや光反射センサー等の光学的半導体装
置に限定されることなく、通常のトランジスタを含む半
導体装置に置き換えても同様に実施することができる。
尚、そのときは第一の封止樹脂材は透光性樹脂である必
要はない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は半導体素子および電極部材を封止した第一の樹脂封
止部材の外形コーナー部もしくは突出部に所定半径以上
の曲面を形成することにより、二重樹脂封止を行ったと
きの応力集中、すなわち成形収縮や熱膨張の差により第
二の樹脂封止部材に加わる応力が第一の樹脂封止部材の
角へ集中することが無くなったので、第二の樹脂封止部
材の破損を防止することができるとともに、多少の応力
集中があっても樹脂部を破壊しないため耐熱性をも向上
させることができるという効果がある。
置は半導体素子および電極部材を封止した第一の樹脂封
止部材の外形コーナー部もしくは突出部に所定半径以上
の曲面を形成することにより、二重樹脂封止を行ったと
きの応力集中、すなわち成形収縮や熱膨張の差により第
二の樹脂封止部材に加わる応力が第一の樹脂封止部材の
角へ集中することが無くなったので、第二の樹脂封止部
材の破損を防止することができるとともに、多少の応力
集中があっても樹脂部を破壊しないため耐熱性をも向上
させることができるという効果がある。
【図１】本発明の第一の実施例を説明するためのホトカ
ップラの断面図。
ップラの断面図。
【図２】本発明の第二の実施例を説明するための光反射
センサーの断面図。
センサーの断面図。
【図３】従来の一例を説明するための半導体装置の断面
図。
図。
【図４】従来の半導体装置の製造において割り型により
形成される金型の断面図。
形成される金型の断面図。
【図５】図４と同様に従来の半導体装置の製造において
放電加工により形成される金型の断面図。
放電加工により形成される金型の断面図。
１ 発光ダイオード ２ ホトトランジスタ ３ 金線 ４ 電極部材 ５ 第一の樹脂封止材 ６ 第二の樹脂封止材 ７ コーナー部 ８ 突出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｃ 45/26 7158−4Ｆ Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｄ 8617−4Ｍ 23/29 23/31 31/12 Ａ 7210−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子と、前記半導体素子を搭載し
金属配線により接続した電極部材と、前記半導体素子お
よび前記電極部材を封止し外形コーナー部もしくは突出
部に所定半径以上の曲面をトランスファモールド形成し
た第一の樹脂封止部材と、前記第一の樹脂封止部材をほ
ぼ覆って封止する第二の樹脂封止部材とを含むことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記外形コーナー部もしくは突出部に形
成する曲面を半径０．３ｍｍ以上の曲面に形成した請求
項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761693A JPH06224245A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24761693A JPH06224245A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224245A true JPH06224245A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=17166164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24761693A Pending JPH06224245A (ja) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224245A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006015618A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Hitachi Ltd | 複数部材からなる部品の構造及びその製造方法 |
| US20150069422A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and light emitting element |
| US10903130B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019358A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-28 |
-
1993
- 1993-08-26 JP JP24761693A patent/JPH06224245A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019358A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-28 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006015618A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Hitachi Ltd | 複数部材からなる部品の構造及びその製造方法 |
| US20150069422A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and light emitting element |
| US9425350B2 (en) * | 2013-09-11 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and light emitting element |
| US10903130B2 (en) | 2016-10-20 | 2021-01-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961008 |