JPH06224603A - 静磁波ｓ／ｎエンハンサ - Google Patents
静磁波ｓ／ｎエンハンサInfo
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- JPH06224603A JPH06224603A JP3267693A JP3267693A JPH06224603A JP H06224603 A JPH06224603 A JP H06224603A JP 3267693 A JP3267693 A JP 3267693A JP 3267693 A JP3267693 A JP 3267693A JP H06224603 A JPH06224603 A JP H06224603A
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静磁波フィルタを同一誘電体基板上に２個構
成しかつ位相反転合成ができるようなマイクロストリッ
プ線路構造とすることで、構成要素の削減を図り、かつ
２つの静磁波フィルタを一体構造とすることで小型化を
図る。 【構成】 静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂを同一誘電体基板
１上に構成し、静磁波フィルタ４Ａの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ静磁波フィルタ４Ｂの入出力トランスジューサ
は互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘電
体基板上のマイクロストリップ線路パターン２を構成
し、静磁波フィルタ４Ａの出力信号に対し静磁波フィル
タ４Ｂの出力信号を逆位相としてそれら静磁波フィルタ
４Ａ，４Ｂの出力信号同士を合成する構成である。
成しかつ位相反転合成ができるようなマイクロストリッ
プ線路構造とすることで、構成要素の削減を図り、かつ
２つの静磁波フィルタを一体構造とすることで小型化を
図る。 【構成】 静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂを同一誘電体基板
１上に構成し、静磁波フィルタ４Ａの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ静磁波フィルタ４Ｂの入出力トランスジューサ
は互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘電
体基板上のマイクロストリップ線路パターン２を構成
し、静磁波フィルタ４Ａの出力信号に対し静磁波フィル
タ４Ｂの出力信号を逆位相としてそれら静磁波フィルタ
４Ａ，４Ｂの出力信号同士を合成する構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静磁波の非線形動作を
利用して希望波信号(Signal)と雑音(Noise)との比を改
善することが可能なＳ／Ｎエンハンサに係り、特に２つ
の静磁波フィルタを用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエン
ハンサの小型化構成に関する。
利用して希望波信号(Signal)と雑音(Noise)との比を改
善することが可能なＳ／Ｎエンハンサに係り、特に２つ
の静磁波フィルタを用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエン
ハンサの小型化構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、２つのマイクロ波帯静磁波フィル
タを用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエンハンサとして
は、特開平４−１２３５０２号の構成が知られている。
タを用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエンハンサとして
は、特開平４−１２３５０２号の構成が知られている。
【０００３】図２に２つのマイクロ波帯静磁波フィルタ
を用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの従来例を
示す。この従来例では、静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、２
つのマイクロ波帯静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂと、２
つの方向性結合器２１Ａ，２１Ｂと、可変減衰器２２
と、可変遅延線２３とを具備している。さらに、図示さ
れていないが、静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂを動作さ
せるために外部磁界印加手段も必要となり、大型化した
装置構成となっている。
を用いて構成される静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの従来例を
示す。この従来例では、静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、２
つのマイクロ波帯静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂと、２
つの方向性結合器２１Ａ，２１Ｂと、可変減衰器２２
と、可変遅延線２３とを具備している。さらに、図示さ
れていないが、静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂを動作さ
せるために外部磁界印加手段も必要となり、大型化した
装置構成となっている。
【０００４】ここで、上記静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの核
となる静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂの構成は図３及び
図４に示すものが一般的である。この静磁波フィルタ
は、入力側マイクロストリップ線路３０Ａ及び出力側マ
イクロストリップ線路３０Ｂをアルミナ等の誘電体基板
３１上に設け、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット）板３２上に形成されたＹＩＧ（イットリウム・
鉄・ガーネット）のフェリ磁性膜３３を両方のマイクロ
ストリップ線路３０Ａ，３０Ｂを含む基板上の領域に設
けたものである。フェリ磁性膜３３に接するマイクロス
トリップ線路３０Ａ，３０Ｂは静磁波を励振するマイク
ロストリップトランスジューサとして機能する。なお、
誘電体基板３１の裏面は全面導体３４となっており、各
線路３０Ａ，３０Ｂのグランド側が接続されている。ま
た外部印加磁界Ｈexは、ＹＩＧのフェリ磁性膜３３と同
一平面内で静磁波の伝搬方向に直角な向きである。
となる静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂの構成は図３及び
図４に示すものが一般的である。この静磁波フィルタ
は、入力側マイクロストリップ線路３０Ａ及び出力側マ
イクロストリップ線路３０Ｂをアルミナ等の誘電体基板
３１上に設け、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット）板３２上に形成されたＹＩＧ（イットリウム・
鉄・ガーネット）のフェリ磁性膜３３を両方のマイクロ
ストリップ線路３０Ａ，３０Ｂを含む基板上の領域に設
けたものである。フェリ磁性膜３３に接するマイクロス
トリップ線路３０Ａ，３０Ｂは静磁波を励振するマイク
ロストリップトランスジューサとして機能する。なお、
誘電体基板３１の裏面は全面導体３４となっており、各
線路３０Ａ，３０Ｂのグランド側が接続されている。ま
た外部印加磁界Ｈexは、ＹＩＧのフェリ磁性膜３３と同
一平面内で静磁波の伝搬方向に直角な向きである。
【０００５】図３及び図４の静磁波フィルタの入出力特
性は、入力レベルが一定値以下では入力レベルと出力レ
ベルとは正比例の関係であるが、電磁波から静磁波への
変換に飽和があることに起因して入力レベルが一定値を
越えても出力レベルは増加できなくなり非線形特性を呈
する。なお、静磁波フィルタが、このような非線形特性
を呈するのは、フェリ磁性膜の特性や外部印加磁界の強
さ等で定まる特定の周波数帯であり、この結果、周波数
選択的に非線形な振幅制限特性を有する。
性は、入力レベルが一定値以下では入力レベルと出力レ
ベルとは正比例の関係であるが、電磁波から静磁波への
変換に飽和があることに起因して入力レベルが一定値を
越えても出力レベルは増加できなくなり非線形特性を呈
する。なお、静磁波フィルタが、このような非線形特性
を呈するのは、フェリ磁性膜の特性や外部印加磁界の強
さ等で定まる特定の周波数帯であり、この結果、周波数
選択的に非線形な振幅制限特性を有する。
【０００６】上記図２の従来例での静磁波Ｓ／Ｎエンハ
ンサとしての動作原理を簡単に説明すると、以下のよう
になる。まず、入力端子２４より入力されたマイクロ波
は、最初の方向性結合器２１Ａにより異なる電力比で分
配され、それぞれ別個の静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂ
へと入力される。一方の静磁波フィルタ２０Ａの出力信
号は可変減衰器２２を通して振幅を調整され、他方の静
磁波フィルタ２０Ｂの出力信号は可変遅延線２３により
位相反転され、再び出力側にある方向性結合器２１Ｂに
よって合成されて出力端子２５に出力される。
ンサとしての動作原理を簡単に説明すると、以下のよう
になる。まず、入力端子２４より入力されたマイクロ波
は、最初の方向性結合器２１Ａにより異なる電力比で分
配され、それぞれ別個の静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂ
へと入力される。一方の静磁波フィルタ２０Ａの出力信
号は可変減衰器２２を通して振幅を調整され、他方の静
磁波フィルタ２０Ｂの出力信号は可変遅延線２３により
位相反転され、再び出力側にある方向性結合器２１Ｂに
よって合成されて出力端子２５に出力される。
【０００７】今、低いレベルの信号（すなわち雑音）が
従来例の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに入力された場合を考
えると、２つの静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂは共に線
形動作をするので、可変減衰器２２の減衰量及び可変遅
延線２３での位相遅れを制御することにより、出力側方
向性結合器２１Ｂで２つの信号は相殺されてしまい、出
力端子２５には極めて小さな信号しか現れない。
従来例の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに入力された場合を考
えると、２つの静磁波フィルタ２０Ａ，２０Ｂは共に線
形動作をするので、可変減衰器２２の減衰量及び可変遅
延線２３での位相遅れを制御することにより、出力側方
向性結合器２１Ｂで２つの信号は相殺されてしまい、出
力端子２５には極めて小さな信号しか現れない。
【０００８】しかしながら、高いレベルの信号（希望信
号）が入力されると、入力側方向性結合器２１Ａで異な
る電力比で電力が配分されていることから、一方の静磁
波フィルタが飽和領域に達してしまい、出力側方向性結
合器２１Ｂにて２つの信号が相殺されなくなり、出力端
子２５に比較的大きなレベルの信号が現れる。従って、
低いレベルの信号を阻止し、高いレベルの信号は通過さ
せ得るＳ／Ｎエンハンサとしての機能を実現できる。
号）が入力されると、入力側方向性結合器２１Ａで異な
る電力比で電力が配分されていることから、一方の静磁
波フィルタが飽和領域に達してしまい、出力側方向性結
合器２１Ｂにて２つの信号が相殺されなくなり、出力端
子２５に比較的大きなレベルの信号が現れる。従って、
低いレベルの信号を阻止し、高いレベルの信号は通過さ
せ得るＳ／Ｎエンハンサとしての機能を実現できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２の従来
例は構成要素が多いため、装置が大型化する問題点があ
った。
例は構成要素が多いため、装置が大型化する問題点があ
った。
【００１０】本発明は、上記の点に鑑み、静磁波フィル
タを同一誘電体基板上に２個構成しかつ位相反転合成が
できるようなマイクロストリップ線路構造とすること
で、従来例で必要であった遅延線を無くして構成要素の
削減を図り、かつ２つの静磁波フィルタを一体構造とす
ることで小型化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハンサを提供
することを目的とする。
タを同一誘電体基板上に２個構成しかつ位相反転合成が
できるようなマイクロストリップ線路構造とすること
で、従来例で必要であった遅延線を無くして構成要素の
削減を図り、かつ２つの静磁波フィルタを一体構造とす
ることで小型化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハンサを提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、周波数選択的
に非線形な振幅制限特性を有する静磁波フィルタを２個
用い、それらの２個の静磁波フィルタを同一誘電体基板
上に構成し、第１の静磁波フィルタの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ第２の静磁波フィルタの入出力トランスジュー
サは互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘
電体基板上のマイクロストリップ線路パターンを構成
し、第１の静磁波フィルタの出力信号に対し第２の静磁
波フィルタの出力信号を逆位相としてそれら第１及び第
２の静磁波フィルタの出力信号同士を合成する。
に、本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、周波数選択的
に非線形な振幅制限特性を有する静磁波フィルタを２個
用い、それらの２個の静磁波フィルタを同一誘電体基板
上に構成し、第１の静磁波フィルタの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ第２の静磁波フィルタの入出力トランスジュー
サは互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘
電体基板上のマイクロストリップ線路パターンを構成
し、第１の静磁波フィルタの出力信号に対し第２の静磁
波フィルタの出力信号を逆位相としてそれら第１及び第
２の静磁波フィルタの出力信号同士を合成する。
【００１２】
【作用】本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサにおいては、
第１の静磁波フィルタの入出力トランスジューサは互い
に同一方向に高周波信号が伝搬するように、かつ第２の
静磁波フィルタの入出力トランスジューサは互いに逆方
向に高周波信号が伝搬するようにマイクロストリップ線
路パターンを構成したことで、第１の静磁波フィルタの
出力信号に対し第２の静磁波フィルタの出力信号を逆位
相とすることができる。従って、従来必要であった遅延
線を通さずに、第１及び第２の静磁波フィルタの出力信
号同士を逆相合成することによって、低レベルの雑音等
の不要信号を抑制してＳ／Ｎの改善を図ることができ
る。また、構成要素を少なくできることから、装置の小
型化を実現することができ、製造上も有利である。
第１の静磁波フィルタの入出力トランスジューサは互い
に同一方向に高周波信号が伝搬するように、かつ第２の
静磁波フィルタの入出力トランスジューサは互いに逆方
向に高周波信号が伝搬するようにマイクロストリップ線
路パターンを構成したことで、第１の静磁波フィルタの
出力信号に対し第２の静磁波フィルタの出力信号を逆位
相とすることができる。従って、従来必要であった遅延
線を通さずに、第１及び第２の静磁波フィルタの出力信
号同士を逆相合成することによって、低レベルの雑音等
の不要信号を抑制してＳ／Ｎの改善を図ることができ
る。また、構成要素を少なくできることから、装置の小
型化を実現することができ、製造上も有利である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明に係る静磁波Ｓ／Ｎエンハンサ
の実施例を図面に従って説明する。
の実施例を図面に従って説明する。
【００１４】図１において、裏面に全面導体を設けたア
ルミナ等の誘電体基板１の主面上にマイクロストリップ
線路パターン２が薄膜技術等で形成され、該マイクロス
トリップ線路パターン２上にＹＩＧのフェリ磁性膜を形
成したＧＧＧ板３Ａ，３Ｂを当該フェリ磁性膜がマイク
ロストリップ線路パターン２に接するように配置するこ
とで同一入出力特性の２個のマイクロ波帯静磁波フィル
タ４Ａ，４Ｂが構成されている。すなわち、静磁波フィ
ルタ４Ａは前記マイクロストリップ線路パターン２のう
ちの入力側マイクロストリップ線路２Ａ及び出力側マイ
クロストリップ線路２Ｂを含む基板上の領域にＧＧＧ板
３Ａに形成されたＹＩＧのフェリ磁性膜を設けたもの
で、マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｂのフェリ磁性膜
に接する相互に平行な部分は静磁波を励受振するマイク
ロストリップトランスジューサとして機能する。同様
に、静磁波フィルタ４Ｂは前記マイクロストリップ線路
パターン２のうちの入力側マイクロストリップ線路２Ｃ
及び出力側マイクロストリップ線路２Ｄを含む基板上の
領域にＧＧＧ板３Ｂに形成されたＹＩＧのフェリ磁性膜
を設けたもので、マイクロストリップ線路２Ｃ，２Ｄの
フェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は静磁波を励受
振するマイクロストリップトランスジューサとして機能
する。ここで、外部印加磁界Ｈexは、ＹＩＧのフェリ磁
性膜と同一平面内で各静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの静磁
波の伝搬方向に直角な向きである。また、グランド電極
部５Ａ，５Ｂ，５Ｃはそれぞれスルーホールで誘電体基
板１の裏面の全面導体に接続されており、グランド電極
部５Ａにマイクロストリップ線路２Ａ，２Ｃの一端（入
力端の反対側）が接続され、グランド電極部５Ｂに出力
側マイクロストリップ線路２Ｂの一端（出力端の反対
側）が接続され、グランド電極部５Ｃに出力側マイクロ
ストリップ線路２Ｄが接続されている。この結果、静磁
波フィルタ４Ａにおいてはその入出力トランスジューサ
は互いに同一方向（矢印ａと矢印ｂ）に高周波信号が伝
搬するのに反し、静磁波フィルタ４Ｂにおいてはその入
出力トランスジューサは互いに逆方向（矢印ｃと矢印
ｄ）に高周波信号が伝搬することになり、静磁波フィル
タ４Ａの出力信号に対して静磁波フィルタ４Ｂの出力信
号の位相は反転したものとなる。
ルミナ等の誘電体基板１の主面上にマイクロストリップ
線路パターン２が薄膜技術等で形成され、該マイクロス
トリップ線路パターン２上にＹＩＧのフェリ磁性膜を形
成したＧＧＧ板３Ａ，３Ｂを当該フェリ磁性膜がマイク
ロストリップ線路パターン２に接するように配置するこ
とで同一入出力特性の２個のマイクロ波帯静磁波フィル
タ４Ａ，４Ｂが構成されている。すなわち、静磁波フィ
ルタ４Ａは前記マイクロストリップ線路パターン２のう
ちの入力側マイクロストリップ線路２Ａ及び出力側マイ
クロストリップ線路２Ｂを含む基板上の領域にＧＧＧ板
３Ａに形成されたＹＩＧのフェリ磁性膜を設けたもの
で、マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｂのフェリ磁性膜
に接する相互に平行な部分は静磁波を励受振するマイク
ロストリップトランスジューサとして機能する。同様
に、静磁波フィルタ４Ｂは前記マイクロストリップ線路
パターン２のうちの入力側マイクロストリップ線路２Ｃ
及び出力側マイクロストリップ線路２Ｄを含む基板上の
領域にＧＧＧ板３Ｂに形成されたＹＩＧのフェリ磁性膜
を設けたもので、マイクロストリップ線路２Ｃ，２Ｄの
フェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は静磁波を励受
振するマイクロストリップトランスジューサとして機能
する。ここで、外部印加磁界Ｈexは、ＹＩＧのフェリ磁
性膜と同一平面内で各静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの静磁
波の伝搬方向に直角な向きである。また、グランド電極
部５Ａ，５Ｂ，５Ｃはそれぞれスルーホールで誘電体基
板１の裏面の全面導体に接続されており、グランド電極
部５Ａにマイクロストリップ線路２Ａ，２Ｃの一端（入
力端の反対側）が接続され、グランド電極部５Ｂに出力
側マイクロストリップ線路２Ｂの一端（出力端の反対
側）が接続され、グランド電極部５Ｃに出力側マイクロ
ストリップ線路２Ｄが接続されている。この結果、静磁
波フィルタ４Ａにおいてはその入出力トランスジューサ
は互いに同一方向（矢印ａと矢印ｂ）に高周波信号が伝
搬するのに反し、静磁波フィルタ４Ｂにおいてはその入
出力トランスジューサは互いに逆方向（矢印ｃと矢印
ｄ）に高周波信号が伝搬することになり、静磁波フィル
タ４Ａの出力信号に対して静磁波フィルタ４Ｂの出力信
号の位相は反転したものとなる。
【００１５】前記マイクロストリップ線路パターン２
は、一端が入力端６となったマイクロストリップ線路７
及び一端が出力端８となったマイクロストリップ線路９
を有し、マイクロストリップ線路７が入力側マイクロス
トリップ線路２Ａ，２Ｃに分岐している（分配器を構成
している。）。また、出力側マイクロストリップ線路２
Ｂ，２Ｄはマイクロストリップ線路９に共通に接続され
ている（合成器を構成している。）。さらに、静磁波フ
ィルタ４Ｂの入力側マイクロストリップ線路２Ｃの途中
位置に減衰器パターンとしての抵抗膜パターン１１Ａ
が、静磁波フィルタ４Ａの出力側マイクロストリップ線
路２Ｂに減衰器パターンとしての抵抗膜パターン１１Ｂ
が前記誘電体基板１上に形成されている。
は、一端が入力端６となったマイクロストリップ線路７
及び一端が出力端８となったマイクロストリップ線路９
を有し、マイクロストリップ線路７が入力側マイクロス
トリップ線路２Ａ，２Ｃに分岐している（分配器を構成
している。）。また、出力側マイクロストリップ線路２
Ｂ，２Ｄはマイクロストリップ線路９に共通に接続され
ている（合成器を構成している。）。さらに、静磁波フ
ィルタ４Ｂの入力側マイクロストリップ線路２Ｃの途中
位置に減衰器パターンとしての抵抗膜パターン１１Ａ
が、静磁波フィルタ４Ａの出力側マイクロストリップ線
路２Ｂに減衰器パターンとしての抵抗膜パターン１１Ｂ
が前記誘電体基板１上に形成されている。
【００１６】なお、入力側マイクロストリップ線路２
Ａ，２Ｃの長さは、線路長に起因する位相のずれが発生
しないように実質的に等しく設定され、同様に出力側マ
イクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄの長さも、線路長に起
因する位相のずれが発生しないように実質的に等しく設
定される。
Ａ，２Ｃの長さは、線路長に起因する位相のずれが発生
しないように実質的に等しく設定され、同様に出力側マ
イクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄの長さも、線路長に起
因する位相のずれが発生しないように実質的に等しく設
定される。
【００１７】以上の実施例の構成において、入力端６よ
り入力されたマイクロ波は、入力側マイクロストリップ
線路２Ｃの途中に抵抗膜パターン１１Ａが挿入されてい
るので、入力側マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｃによ
り異なる電力比で分配され、それぞれ同一入出力特性の
静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂへと入力される。このとき静
磁波フィルタ４Ａではその入出力トランスジューサは互
いに同一方向（矢印ａと矢印ｂ）に高周波信号が伝搬す
るのに反し、静磁波フィルタ４Ｂはその入出力トランス
ジューサは互いに逆方向（矢印ｃと矢印ｄ）に高周波信
号が伝搬するので、静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの出力信
号は相互に逆位相となる（位相が１８０度ずれてい
る）。そして、抵抗膜パターン１１Ｂを通して振幅を調
整された静磁波フィルタ４Ａの出力信号と、静磁波フィ
ルタ４Ｂの出力信号は、相互に逆位相の状態で合成され
て出力端８に出力される。
り入力されたマイクロ波は、入力側マイクロストリップ
線路２Ｃの途中に抵抗膜パターン１１Ａが挿入されてい
るので、入力側マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｃによ
り異なる電力比で分配され、それぞれ同一入出力特性の
静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂへと入力される。このとき静
磁波フィルタ４Ａではその入出力トランスジューサは互
いに同一方向（矢印ａと矢印ｂ）に高周波信号が伝搬す
るのに反し、静磁波フィルタ４Ｂはその入出力トランス
ジューサは互いに逆方向（矢印ｃと矢印ｄ）に高周波信
号が伝搬するので、静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの出力信
号は相互に逆位相となる（位相が１８０度ずれてい
る）。そして、抵抗膜パターン１１Ｂを通して振幅を調
整された静磁波フィルタ４Ａの出力信号と、静磁波フィ
ルタ４Ｂの出力信号は、相互に逆位相の状態で合成され
て出力端８に出力される。
【００１８】今、低いレベルの信号（すなわち雑音）が
実施例の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに入力された場合を考
えると、２つの静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂは共に線形動
作をするので、抵抗膜パターン１１Ａ，１１Ｂの減衰量
をあらかじめ適切な値に設定しておくことで（２つの静
磁波フィルタが同一入出力特性であれば、原理上抵抗膜
パターン１１Ａ，１１Ｂの減衰量は同一でよい筈であ
る。）、出力側マイクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄの出
力合成時に２つ静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂからの出力信
号は相殺されてしまい、出力端８には極めて小さな信号
しか現れない。
実施例の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに入力された場合を考
えると、２つの静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂは共に線形動
作をするので、抵抗膜パターン１１Ａ，１１Ｂの減衰量
をあらかじめ適切な値に設定しておくことで（２つの静
磁波フィルタが同一入出力特性であれば、原理上抵抗膜
パターン１１Ａ，１１Ｂの減衰量は同一でよい筈であ
る。）、出力側マイクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄの出
力合成時に２つ静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂからの出力信
号は相殺されてしまい、出力端８には極めて小さな信号
しか現れない。
【００１９】しかしながら、高いレベルの信号（希望信
号）が入力されると、入力側マイクロストリップ線路２
Ａ，２Ｃに異なる電力比で電力が配分されていることか
ら、一方の静磁波フィルタ４Ａが飽和領域に達してしま
い、出力側マイクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄに現れる
静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの出力信号は相殺されなくな
り、出力端８に比較的大きなレベルの信号が現れる。従
って、低いレベルの信号を阻止し、高いレベルの信号は
通過させ得るＳ／Ｎエンハンサとしての機能を、遅延線
や方向性結合器をもたない簡単な構成で小型に実現でき
る。
号）が入力されると、入力側マイクロストリップ線路２
Ａ，２Ｃに異なる電力比で電力が配分されていることか
ら、一方の静磁波フィルタ４Ａが飽和領域に達してしま
い、出力側マイクロストリップ線路２Ｂ，２Ｄに現れる
静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂの出力信号は相殺されなくな
り、出力端８に比較的大きなレベルの信号が現れる。従
って、低いレベルの信号を阻止し、高いレベルの信号は
通過させ得るＳ／Ｎエンハンサとしての機能を、遅延線
や方向性結合器をもたない簡単な構成で小型に実現でき
る。
【００２０】以上本発明の実施例について説明してきた
が、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の
範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者
には自明であろう。
が、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の
範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者
には自明であろう。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の静磁波Ｓ
／Ｎエンハンサによれば、静磁波フィルタを同一誘電体
基板上に２個構成しかつ位相反転合成ができるようなマ
イクロストリップ線路構造とすることで、従来例で必要
であった遅延線を無くして構成要素の削減を図るととも
に大幅な小型化を図ることが可能である。
／Ｎエンハンサによれば、静磁波フィルタを同一誘電体
基板上に２個構成しかつ位相反転合成ができるようなマ
イクロストリップ線路構造とすることで、従来例で必要
であった遅延線を無くして構成要素の削減を図るととも
に大幅な小型化を図ることが可能である。
【図１】本発明に係る静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】従来の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサを示す構成図で
ある。
ある。
【図３】従来の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサで用いられる静
磁波フィルタを示す平面図である。
磁波フィルタを示す平面図である。
【図４】同正断面図である。
１ 誘電体基板 ２ マイクロストリップ線路パターン ２Ａ，２Ｃ 入力側マイクロストリップ線路 ２Ｂ，２Ｄ 出力側マイクロストリップ線路 ３Ａ，３Ｂ ＧＧＧ板 ４Ａ，４Ｂ 静磁波フィルタ ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ グランド電極部 ６ 入力端 ８ 出力端 １１Ａ，１１Ｂ 抵抗膜パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、周波数選択的
に非線形な振幅制限特性を有する静磁波フィルタを２個
用い、それらの２個の静磁波フィルタを同一誘電体基板
上に構成し、第１の静磁波フィルタの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ第２の静磁波フィルタの入出力トランスジュー
サは互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘
電体基板上の伝送線路を構成し、第１の静磁波フィルタ
の出力信号に対し第２の静磁波フィルタの出力信号を逆
位相としてそれら第１及び第２の静磁波フィルタの出力
信号同士を合成する。また、前記２個の静磁波フィルタ
のうち一方の静磁波フィルタの出力側伝送線路に第１の
減衰器を、他方の静磁波フィルタの入力側伝送線路に第
２の減衰器を前記誘電体基板上にそれぞれ形成するよう
にしてもよい。
に、本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサは、周波数選択的
に非線形な振幅制限特性を有する静磁波フィルタを２個
用い、それらの２個の静磁波フィルタを同一誘電体基板
上に構成し、第１の静磁波フィルタの入出力トランスジ
ューサは互いに同一方向に高周波信号が伝搬するよう
に、かつ第２の静磁波フィルタの入出力トランスジュー
サは互いに逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘
電体基板上の伝送線路を構成し、第１の静磁波フィルタ
の出力信号に対し第２の静磁波フィルタの出力信号を逆
位相としてそれら第１及び第２の静磁波フィルタの出力
信号同士を合成する。また、前記２個の静磁波フィルタ
のうち一方の静磁波フィルタの出力側伝送線路に第１の
減衰器を、他方の静磁波フィルタの入力側伝送線路に第
２の減衰器を前記誘電体基板上にそれぞれ形成するよう
にしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図１において、裏面に全面導体を設けたア
ルミナ等の誘電体基板１の主面上に伝送線路としてのマ
イクロストリップ線路パターン２が薄膜技術等で形成さ
れ、該マイクロストリップ線路パターン２上にＹＩＧの
フェリ磁性膜を形成したＧＧＧ板３Ａ，３Ｂを当該フェ
リ磁性膜がマイクロストリップ線路パターン２に接する
ように配置することで同一入出力特性の２個のマイクロ
波帯静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂが構成されている。すな
わち、静磁波フィルタ４Ａは前記マイクロストリップ線
路パターン２のうちの入力側マイクロストリップ線路２
Ａ及び出力側マイクロストリップ線路２Ｂを含む基板上
の領域にＧＧＧ板３Ａに形成されたＹＩＧのフェリ磁性
膜を設けたもので、マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｂ
のフェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は静磁波を励
受振するマイクロストリップトランスジューサとして機
能する。同様に、静磁波フィルタ４Ｂは前記マイクロス
トリップ線路パターン２のうちの入力側マイクロストリ
ップ線路２Ｃ及び出力側マイクロストリップ線路２Ｄを
含む基板上の領域にＧＧＧ板３Ｂに形成されたＹＩＧの
フェリ磁性膜を設けたもので、マイクロストリップ線路
２Ｃ，２Ｄのフェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は
静磁波を励受振するマイクロストリップトランスジュー
サとして機能する。ここで、外部印加磁界Ｈｅｘは、Ｙ
ＩＧのフェリ磁性膜と同一平面内で各静磁波フィルタ４
Ａ，４Ｂの静磁波の伝搬方向に直角な向きである。ま
た、グランド電極部５Ａ，５Ｂ，５Ｃはそれぞれスルー
ホールで誘電体基板１の裏面の全面導体に接続されてお
り、グランド電極部５Ａにマイクロストリップ線路２
Ａ，２Ｃの一端（入力端の反対側）が接続され、グラン
ド電極部５Ｂに出力側マイクロストリップ線路２Ｂの一
端（出力端の反対側）が接続され、グランド電極部５Ｃ
に出力側マイクロストリップ線路２Ｄが接続されてい
る。この結果、静磁波フィルタ４Ａにおいてはその入出
力トランスジューサは互いに同一方向（矢印ａと矢印
ｂ）に高周波信号が伝搬するのに反し、静磁波フィルタ
４Ｂにおいてはその入出力トランスジューサは互いに逆
方向（矢印ｃと矢印ｄ）に高周波信号が伝搬することに
なり、静磁波フィルタ４Ａの出力信号に対して静磁波フ
ィルタ４Ｂの出力信号の位相は反転したものとなる。
ルミナ等の誘電体基板１の主面上に伝送線路としてのマ
イクロストリップ線路パターン２が薄膜技術等で形成さ
れ、該マイクロストリップ線路パターン２上にＹＩＧの
フェリ磁性膜を形成したＧＧＧ板３Ａ，３Ｂを当該フェ
リ磁性膜がマイクロストリップ線路パターン２に接する
ように配置することで同一入出力特性の２個のマイクロ
波帯静磁波フィルタ４Ａ，４Ｂが構成されている。すな
わち、静磁波フィルタ４Ａは前記マイクロストリップ線
路パターン２のうちの入力側マイクロストリップ線路２
Ａ及び出力側マイクロストリップ線路２Ｂを含む基板上
の領域にＧＧＧ板３Ａに形成されたＹＩＧのフェリ磁性
膜を設けたもので、マイクロストリップ線路２Ａ，２Ｂ
のフェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は静磁波を励
受振するマイクロストリップトランスジューサとして機
能する。同様に、静磁波フィルタ４Ｂは前記マイクロス
トリップ線路パターン２のうちの入力側マイクロストリ
ップ線路２Ｃ及び出力側マイクロストリップ線路２Ｄを
含む基板上の領域にＧＧＧ板３Ｂに形成されたＹＩＧの
フェリ磁性膜を設けたもので、マイクロストリップ線路
２Ｃ，２Ｄのフェリ磁性膜に接する相互に平行な部分は
静磁波を励受振するマイクロストリップトランスジュー
サとして機能する。ここで、外部印加磁界Ｈｅｘは、Ｙ
ＩＧのフェリ磁性膜と同一平面内で各静磁波フィルタ４
Ａ，４Ｂの静磁波の伝搬方向に直角な向きである。ま
た、グランド電極部５Ａ，５Ｂ，５Ｃはそれぞれスルー
ホールで誘電体基板１の裏面の全面導体に接続されてお
り、グランド電極部５Ａにマイクロストリップ線路２
Ａ，２Ｃの一端（入力端の反対側）が接続され、グラン
ド電極部５Ｂに出力側マイクロストリップ線路２Ｂの一
端（出力端の反対側）が接続され、グランド電極部５Ｃ
に出力側マイクロストリップ線路２Ｄが接続されてい
る。この結果、静磁波フィルタ４Ａにおいてはその入出
力トランスジューサは互いに同一方向（矢印ａと矢印
ｂ）に高周波信号が伝搬するのに反し、静磁波フィルタ
４Ｂにおいてはその入出力トランスジューサは互いに逆
方向（矢印ｃと矢印ｄ）に高周波信号が伝搬することに
なり、静磁波フィルタ４Ａの出力信号に対して静磁波フ
ィルタ４Ｂの出力信号の位相は反転したものとなる。
Claims (2)
- 【請求項１】 周波数選択的に非線形な振幅制限特性を
有する静磁波フィルタを２個用いた静磁波Ｓ／Ｎエンハ
ンサにおいて、 第１及び第２の静磁波フィルタを同一誘電体基板上に構
成し、第１の静磁波フィルタの入出力トランスジューサ
は互いに同一方向に高周波信号が伝搬するように、かつ
第２の静磁波フィルタの入出力トランスジューサは互い
に逆方向に高周波信号が伝搬するように前記誘電体基板
上のマイクロストリップ線路パターンを構成し、第１の
静磁波フィルタの出力信号に対し第２の静磁波フィルタ
の出力信号を逆位相としてそれら第１及び第２の静磁波
フィルタの出力信号同士を合成することを特徴とする静
磁波Ｓ／Ｎエンハンサ。 - 【請求項２】 前記第１の静磁波フィルタの出力側マイ
クロストリップ線路に第１の減衰器パターンが、前記第
２の静磁波フィルタの入力側マイクロストリップ線路に
第２の減衰器パターンが前記誘電体基板上にそれぞれ形
成されている請求項１記載の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3267693A JPH06224603A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3267693A JPH06224603A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224603A true JPH06224603A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12365486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3267693A Withdrawn JPH06224603A (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224603A (ja) |
-
1993
- 1993-01-28 JP JP3267693A patent/JPH06224603A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |