JPH06231429A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06231429A JPH06231429A JP1637793A JP1637793A JPH06231429A JP H06231429 A JPH06231429 A JP H06231429A JP 1637793 A JP1637793 A JP 1637793A JP 1637793 A JP1637793 A JP 1637793A JP H06231429 A JPH06231429 A JP H06231429A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に
関し、主磁極面出し時間を従来に比して短縮可能にした
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を実現することを目的
とする。 【構成】 基板１４上にコイル１６及び主磁極１５が形
成され、さらにその上に保護膜１８が形成されて成る磁
気ヘッド素子１２が可撓性支持体１１に接着されてなる
接触型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護膜１８が膜厚
方向に対して主磁極１５の先端から保護膜表面に向って
傾斜して成るように構成する。
関し、主磁極面出し時間を従来に比して短縮可能にした
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を実現することを目的
とする。 【構成】 基板１４上にコイル１６及び主磁極１５が形
成され、さらにその上に保護膜１８が形成されて成る磁
気ヘッド素子１２が可撓性支持体１１に接着されてなる
接触型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護膜１８が膜厚
方向に対して主磁極１５の先端から保護膜表面に向って
傾斜して成るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。詳しくはコンピュータの外部記憶装
置として使用される磁気ディスク装置などの磁気記録再
生装置において、電磁変換を行うための構造を簡単にし
た薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
製造方法に関する。詳しくはコンピュータの外部記憶装
置として使用される磁気ディスク装置などの磁気記録再
生装置において、電磁変換を行うための構造を簡単にし
た薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気記録再生装置は、高速回転さ
せたディスクの上に磁気ヘッドを浮上させ、ヘッドのス
ライダ面をスキーのソリ状にして、その後端部にヘッド
素子を設けた双胴スライダにより、記録ディスクとヘッ
ド素子との微小間隙を安定に維持して記録再生を行うよ
うにしていた。この方式は高い浮上安定性と微小な浮上
量を確保することができる。ところが、この方式でさら
に記録密度を向上するため浮上量を微小化するとヘッド
とディスク間の接触確率が増大し、ヘッドクラッシュな
どの重大な障害が発生し易くなる。このため衝突エネル
ギーを下げるために磁気ヘッドを小型軽量化し低浮上を
指向した接触型の薄膜磁気ヘッドが開発されている。
せたディスクの上に磁気ヘッドを浮上させ、ヘッドのス
ライダ面をスキーのソリ状にして、その後端部にヘッド
素子を設けた双胴スライダにより、記録ディスクとヘッ
ド素子との微小間隙を安定に維持して記録再生を行うよ
うにしていた。この方式は高い浮上安定性と微小な浮上
量を確保することができる。ところが、この方式でさら
に記録密度を向上するため浮上量を微小化するとヘッド
とディスク間の接触確率が増大し、ヘッドクラッシュな
どの重大な障害が発生し易くなる。このため衝突エネル
ギーを下げるために磁気ヘッドを小型軽量化し低浮上を
指向した接触型の薄膜磁気ヘッドが開発されている。
【０００３】この接触型薄膜磁気ヘッドは、図５（ａ）
に示すように支持バネ１と該支持バネに接合されたヘッ
ド素子２とよりなり、ヘッド素子２は、図５（ｂ）に示
すようにガラス板３が埋め込まれたフェライト等よりな
る基板４の上に、Ｃｕからなるヘリカルタイプのコイル
５、磁性材からなる主磁極６、Al2O3 等からなる保護膜
７等が薄膜技術により積層形成されたものである。
に示すように支持バネ１と該支持バネに接合されたヘッ
ド素子２とよりなり、ヘッド素子２は、図５（ｂ）に示
すようにガラス板３が埋め込まれたフェライト等よりな
る基板４の上に、Ｃｕからなるヘリカルタイプのコイル
５、磁性材からなる主磁極６、Al2O3 等からなる保護膜
７等が薄膜技術により積層形成されたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のヘッド素子５
は、図６（ａ）に示す例えば Al2O3TiC からなるウェハ
８の上に多数個並べて形成され、その後、ヘッド素子の
形状にするため、ダイシングソーを用いて（ｂ）図の如
くブロック９を切り出し、その後各ヘッド素子２に切り
離される。この切り離されたヘッド素子２のスライダ面
（主磁極面）は平坦であるが、磁気ディスク装置に組み
込む時、磁気ヘッドは所定の取りつけ角度があるため、
ヘッド素子を支持バネに接着した後、磁気ディスクに主
磁極を近づけるために主磁極面出しを行わなければなら
ない。
は、図６（ａ）に示す例えば Al2O3TiC からなるウェハ
８の上に多数個並べて形成され、その後、ヘッド素子の
形状にするため、ダイシングソーを用いて（ｂ）図の如
くブロック９を切り出し、その後各ヘッド素子２に切り
離される。この切り離されたヘッド素子２のスライダ面
（主磁極面）は平坦であるが、磁気ディスク装置に組み
込む時、磁気ヘッドは所定の取りつけ角度があるため、
ヘッド素子を支持バネに接着した後、磁気ディスクに主
磁極を近づけるために主磁極面出しを行わなければなら
ない。
【０００５】この磁気ヘッドの主磁極面出しは、図７
（ａ）に示すように、磁気ディスク装置と同様の取り付
け角に設置し、＃４０００のラッピングシート１０を用
いてラッピングし、同図（ｂ）の如く保護膜７を主磁極
先端に向って傾斜させている。ところがこの主磁極面出
しには約１０分程度のラッピング時間が必要であり、且
つ個々のヘッド素子について行なわなければならないた
め、生産効率が悪いという問題があった。
（ａ）に示すように、磁気ディスク装置と同様の取り付
け角に設置し、＃４０００のラッピングシート１０を用
いてラッピングし、同図（ｂ）の如く保護膜７を主磁極
先端に向って傾斜させている。ところがこの主磁極面出
しには約１０分程度のラッピング時間が必要であり、且
つ個々のヘッド素子について行なわなければならないた
め、生産効率が悪いという問題があった。
【０００６】本発明は、主磁極面出し時間を従来に比し
て短縮可能にした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を実
現しようとする。
て短縮可能にした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を実
現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
に於いては、基板１４上にコイル１６及び主磁極１５が
形成され、さらにその上に保護膜１８が形成されて成る
磁気ヘッド素子１２が可撓性支持体１１に接着されてな
る接触型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護膜１８が膜
厚方向に対して主磁極１５の先端から保護膜表面に向っ
て傾斜していることを特徴とする。
に於いては、基板１４上にコイル１６及び主磁極１５が
形成され、さらにその上に保護膜１８が形成されて成る
磁気ヘッド素子１２が可撓性支持体１１に接着されてな
る接触型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記保護膜１８が膜
厚方向に対して主磁極１５の先端から保護膜表面に向っ
て傾斜していることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するための
基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成し、その上に保護膜１８を成膜
する工程と、（ｂ）前記保護膜１８の上にレジスト２０
を塗布し、保護膜１８を主磁極１５の幅方向にエッチン
グできるようにパターニングする工程と、（ｃ）前記レ
ジスト２０のパターニングにより形成された窓２０′か
らドライエッチングにより保護膜１８を主磁極面から微
小距離はなれ、且つ側面が傾斜するようにエッチングす
る工程と、（ｄ）ダイシングソーを用いて基板１４を個
々のヘッド素子１２に切り離す工程とより成ることを特
徴とする。
に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するための
基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成し、その上に保護膜１８を成膜
する工程と、（ｂ）前記保護膜１８の上にレジスト２０
を塗布し、保護膜１８を主磁極１５の幅方向にエッチン
グできるようにパターニングする工程と、（ｃ）前記レ
ジスト２０のパターニングにより形成された窓２０′か
らドライエッチングにより保護膜１８を主磁極面から微
小距離はなれ、且つ側面が傾斜するようにエッチングす
る工程と、（ｄ）ダイシングソーを用いて基板１４を個
々のヘッド素子１２に切り離す工程とより成ることを特
徴とする。
【０００９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するための
基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成し、その上に保護膜１８を成膜
する工程と、（ｂ）前記保護膜１８の表面にＳｉ膜２２
を（１００）に結晶配向させて成膜する工程と、（ｃ）
前記Ｓｉ膜２２の上にレジスト２０を塗布し、前記Ｓｉ
膜２２を主磁極幅方向にエッチングできるようにパター
ニングする工程と、（ｄ）前記レジスト２０のパターニ
ングにより形成された窓２０′からアルカリ系水溶液を
用いてＳｉ膜２２を異方性エッチングし、連続して保護
膜１８を主磁極間から所定の微小距離はなれ、且つ側面
が傾斜するようにエッチングする工程と、（ｅ）ダイシ
ングソーを用いて基板１４を個々のヘッド素子に切り離
す工程とより成ることを特徴とする。
に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するための
基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成し、その上に保護膜１８を成膜
する工程と、（ｂ）前記保護膜１８の表面にＳｉ膜２２
を（１００）に結晶配向させて成膜する工程と、（ｃ）
前記Ｓｉ膜２２の上にレジスト２０を塗布し、前記Ｓｉ
膜２２を主磁極幅方向にエッチングできるようにパター
ニングする工程と、（ｄ）前記レジスト２０のパターニ
ングにより形成された窓２０′からアルカリ系水溶液を
用いてＳｉ膜２２を異方性エッチングし、連続して保護
膜１８を主磁極間から所定の微小距離はなれ、且つ側面
が傾斜するようにエッチングする工程と、（ｅ）ダイシ
ングソーを用いて基板１４を個々のヘッド素子に切り離
す工程とより成ることを特徴とする。
【００１０】さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するため
の基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成する工程と、（ｂ）その上にレ
ジスト２３を塗布し、最適露光条件より長い露光時間で
露光して主磁極先端部上のレジスト２３の側面をテーパ
ー状に形成し、その後ベークする工程と、（ｃ）その上
に保護膜２４を成膜する工程と、（ｄ）ダイシングソー
を用いて基板１４を個々のヘッド素子に切り離す工程と
より成ることを特徴とする。
法に於いては、（ａ）複数のヘッド素子を形成するため
の基板１４上に、各ヘッド素子の主磁極１５、コイル１
６、及びその端子を形成する工程と、（ｂ）その上にレ
ジスト２３を塗布し、最適露光条件より長い露光時間で
露光して主磁極先端部上のレジスト２３の側面をテーパ
ー状に形成し、その後ベークする工程と、（ｃ）その上
に保護膜２４を成膜する工程と、（ｄ）ダイシングソー
を用いて基板１４を個々のヘッド素子に切り離す工程と
より成ることを特徴とする。
【００１１】この構成を採ることにより、主磁極面出し
時間を従来に比して短縮可能にした薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法が得られる。
時間を従来に比して短縮可能にした薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法が得られる。
【００１２】
【作用】本発明では、図２に示すように、基板１４上に
コイル１６、主磁極１５、保護膜１８等を形成し、その
保護膜１８をドライエッチングにより主磁極先端近傍か
ら保護膜表面に向って傾斜をつけてエッチングする方
法、又は図３の如く基板１４上にコイル１６、主磁極１
５、保護膜１８等を形成し、その上にＳｉ膜２２を（１
００）に結晶配向させて形成した後、アルカリ系水溶液
で異方性エッチングする方法、又は図４の如く、基板１
４上に主磁極１５及びコイル１６等を形成した後、レジ
スト２３を塗布し、該レジスト２３を最適条件より長い
露光時間で露光する方法を用いることによりそれぞれ主
磁極近傍の保護膜１８又は２４をテーパーに加工するこ
とができ、ヘッド素子と可撓性支持体との組み立て後の
主磁極の面出し時間が短縮可能になる。
コイル１６、主磁極１５、保護膜１８等を形成し、その
保護膜１８をドライエッチングにより主磁極先端近傍か
ら保護膜表面に向って傾斜をつけてエッチングする方
法、又は図３の如く基板１４上にコイル１６、主磁極１
５、保護膜１８等を形成し、その上にＳｉ膜２２を（１
００）に結晶配向させて形成した後、アルカリ系水溶液
で異方性エッチングする方法、又は図４の如く、基板１
４上に主磁極１５及びコイル１６等を形成した後、レジ
スト２３を塗布し、該レジスト２３を最適条件より長い
露光時間で露光する方法を用いることによりそれぞれ主
磁極近傍の保護膜１８又は２４をテーパーに加工するこ
とができ、ヘッド素子と可撓性支持体との組み立て後の
主磁極の面出し時間が短縮可能になる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドを示す図であ
り、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
本実施例では図１（ａ）の如く、可撓性支持体１１と、
該可撓性支持体１１に接着されたヘッド素子１２とより
なり、該ヘッド素子１２は図１（ｂ）の断面図に示す様
に、ガラス板１３を埋め込んだフェライトよりなる磁性
基板１４の上に主磁極１５と、コイル１６及び該コイル
の端子１７と、これらを保護する保護膜１８が設けられ
ている。そして該保護膜１８の端部は主磁極１５の先端
から該保護膜１８の表面に向って傾斜し、傾斜面１９を
形成している。なお基板１４は非磁性体でも良いが、そ
の場合は別にバックヨークを形成する必要がある。
り、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
本実施例では図１（ａ）の如く、可撓性支持体１１と、
該可撓性支持体１１に接着されたヘッド素子１２とより
なり、該ヘッド素子１２は図１（ｂ）の断面図に示す様
に、ガラス板１３を埋め込んだフェライトよりなる磁性
基板１４の上に主磁極１５と、コイル１６及び該コイル
の端子１７と、これらを保護する保護膜１８が設けられ
ている。そして該保護膜１８の端部は主磁極１５の先端
から該保護膜１８の表面に向って傾斜し、傾斜面１９を
形成している。なお基板１４は非磁性体でも良いが、そ
の場合は別にバックヨークを形成する必要がある。
【００１４】このように構成された本実施例は、磁気記
録再生装置に所定の角度で取り付けられたとき、予め保
護膜１８が主磁極先端から保護膜表面に向って傾斜して
形成されているため、主磁極面出しが極めて容易とな
り、従来に比してラッピング時間が大幅に節減可能とな
る。
録再生装置に所定の角度で取り付けられたとき、予め保
護膜１８が主磁極先端から保護膜表面に向って傾斜して
形成されているため、主磁極面出しが極めて容易とな
り、従来に比してラッピング時間が大幅に節減可能とな
る。
【００１５】次に本発明の薄膜磁気ヘッド製造方法の第
１の実施例を図２により説明する。本実施例は先ず図２
（ａ）に示すように、ヘッド成膜用の口６０μm のガラ
ス板１３を埋め込んだフェライト基板１４に主磁極１
５、コイル１６、及びその端子（図示省略）を薄膜技術
によりそれぞれ形成し、その上に保護膜（例えば Al2O3
等が用いられる）１８を高周波スパッタで１００μm の
厚さに成膜する。さらにこの上にポジ型レジスト２０を
６０μm の厚さに塗布し、保護膜１８を主磁極幅方向に
エッチング出来るようにパターニングする。
１の実施例を図２により説明する。本実施例は先ず図２
（ａ）に示すように、ヘッド成膜用の口６０μm のガラ
ス板１３を埋め込んだフェライト基板１４に主磁極１
５、コイル１６、及びその端子（図示省略）を薄膜技術
によりそれぞれ形成し、その上に保護膜（例えば Al2O3
等が用いられる）１８を高周波スパッタで１００μm の
厚さに成膜する。さらにこの上にポジ型レジスト２０を
６０μm の厚さに塗布し、保護膜１８を主磁極幅方向に
エッチング出来るようにパターニングする。
【００１６】次に図２（ｂ）に示すように、イオンミリ
ング装置を使用し、エッチング角度を４０°にして主磁
極面から５μm 離れた所まで保護膜１８をエッチングす
る。この場合、基板１４を傾斜して回転する回転台上に
取り付け、回転台を回転させながら上方からエッチャン
ト２１を照射することによりエッチング角度を所定の角
度とすることができる。これによりサイドエッチングが
進み主磁極近傍から保護膜表面までの保護膜がテーパー
形状になる。
ング装置を使用し、エッチング角度を４０°にして主磁
極面から５μm 離れた所まで保護膜１８をエッチングす
る。この場合、基板１４を傾斜して回転する回転台上に
取り付け、回転台を回転させながら上方からエッチャン
ト２１を照射することによりエッチング角度を所定の角
度とすることができる。これによりサイドエッチングが
進み主磁極近傍から保護膜表面までの保護膜がテーパー
形状になる。
【００１７】次に図２（ｃ）の如くダイシングソーを用
いて基板を切断し、個々のヘッド素子に切り離し、次い
でこのヘッド素子を支持バネに接合する。
いて基板を切断し、個々のヘッド素子に切り離し、次い
でこのヘッド素子を支持バネに接合する。
【００１８】このようにして形成された薄膜磁気ヘッド
は磁気ディスク装置に所定の角度で取り付けられ馴染み
のラッピングを装置内で行なわれる。このとき、ヘッド
素子の保護膜先端が既に傾斜面となっているため、その
ラッピング時間は従来に比して短縮される。
は磁気ディスク装置に所定の角度で取り付けられ馴染み
のラッピングを装置内で行なわれる。このとき、ヘッド
素子の保護膜先端が既に傾斜面となっているため、その
ラッピング時間は従来に比して短縮される。
【００１９】なお、保護膜のサイドエッチングにリアク
ティブイオンエッチングを使用すれば、Al2O3 とレジス
トの選択エッチングを行なうことができ、レジストの膜
厚を薄くすることが可能となり、露光時間の短縮、パタ
ーンの精度向上が図れる。また、保護膜の厚さ及びイオ
ンミリングのエッチング角度は、磁気ヘッドの取り付け
高さにより適宜変更しても良い。
ティブイオンエッチングを使用すれば、Al2O3 とレジス
トの選択エッチングを行なうことができ、レジストの膜
厚を薄くすることが可能となり、露光時間の短縮、パタ
ーンの精度向上が図れる。また、保護膜の厚さ及びイオ
ンミリングのエッチング角度は、磁気ヘッドの取り付け
高さにより適宜変更しても良い。
【００２０】次に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
第２の実施例を図３により説明する。本実施例は先ず図
３（ａ）に示すように、ヘッド成膜用の口６０μm のガ
ラス板１３を埋め込んだフェライト基板１４に主磁極１
５、コイル１６、及び端子、保護膜１８を形成すること
は前実施例と同様であり、本実施例はさらに保護膜１８
の表面にＳi をＣＶＤ装置により（１００）に結晶配向
させて成膜し、厚さ２０μm のＳi 膜２２を形成する。
さらにこの上にレジスト２０を塗布し、主磁極幅方向に
エッチングできるようにパターニングを行う。
第２の実施例を図３により説明する。本実施例は先ず図
３（ａ）に示すように、ヘッド成膜用の口６０μm のガ
ラス板１３を埋め込んだフェライト基板１４に主磁極１
５、コイル１６、及び端子、保護膜１８を形成すること
は前実施例と同様であり、本実施例はさらに保護膜１８
の表面にＳi をＣＶＤ装置により（１００）に結晶配向
させて成膜し、厚さ２０μm のＳi 膜２２を形成する。
さらにこの上にレジスト２０を塗布し、主磁極幅方向に
エッチングできるようにパターニングを行う。
【００２１】次いで図３（ｂ）に示すように、アルカリ
系水溶液（例えばＫＯＨ）を用いてケミカルエッチング
する。これによりＳｉ膜２２は膜厚方向に対して５４．
７°で異方性エッチングされる。またＳｉ膜２２の下の
保護膜１８の Al2O3もＫＯＨでエッチングされる為、Ｓ
ｉ膜２２の表面形状を継承して図の如くテーパーエッチ
ングされる。この後ダイシングソーを用いて個々のヘッ
ド素子に切り離し、このヘッド素子を支持バネに接合し
て完成する。
系水溶液（例えばＫＯＨ）を用いてケミカルエッチング
する。これによりＳｉ膜２２は膜厚方向に対して５４．
７°で異方性エッチングされる。またＳｉ膜２２の下の
保護膜１８の Al2O3もＫＯＨでエッチングされる為、Ｓ
ｉ膜２２の表面形状を継承して図の如くテーパーエッチ
ングされる。この後ダイシングソーを用いて個々のヘッ
ド素子に切り離し、このヘッド素子を支持バネに接合し
て完成する。
【００２２】このようにして形成された本実施例は、保
護膜先端が傾斜して形成されているため、前実施例と同
様な効果が得られる。なお前記Ｓｉ膜２２の膜厚及びレ
ジストの膜厚は、保護膜１８をテーパーに形成できる範
囲で適宜変更しても良い。
護膜先端が傾斜して形成されているため、前実施例と同
様な効果が得られる。なお前記Ｓｉ膜２２の膜厚及びレ
ジストの膜厚は、保護膜１８をテーパーに形成できる範
囲で適宜変更しても良い。
【００２３】次に本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
第３の実施例を図４により説明する。本実施例は、基板
上に主磁極１５、コイル１６、端子、保護膜１８（コイ
ル１６の内側の線まで）を形成した後、レジスト２３を
厚さ２０μm に塗布する。そして主磁極先端部近傍がテ
ーパー状になるように最適露光条件よりも長く露光して
テーパー状に形成した後２８０°でベークする。次いで
この上に保護膜（例えば Al2O3）２４を５０μm の厚さ
に成膜する。 Al2O3はレジストの形状をそのまま継承し
てテーパー状となる。その後は前実施例と同様の工程で
完成させる。
第３の実施例を図４により説明する。本実施例は、基板
上に主磁極１５、コイル１６、端子、保護膜１８（コイ
ル１６の内側の線まで）を形成した後、レジスト２３を
厚さ２０μm に塗布する。そして主磁極先端部近傍がテ
ーパー状になるように最適露光条件よりも長く露光して
テーパー状に形成した後２８０°でベークする。次いで
この上に保護膜（例えば Al2O3）２４を５０μm の厚さ
に成膜する。 Al2O3はレジストの形状をそのまま継承し
てテーパー状となる。その後は前実施例と同様の工程で
完成させる。
【００２４】このようにして形成された本実施例は前実
施例と同様な効果が得られる。なお前記の保護膜２４の
厚さ、レジスト２３の厚さは、主磁極近傍の保護膜がテ
ーパーになれば、ヘッドの仕様に応じて適宜変更しても
良い。
施例と同様な効果が得られる。なお前記の保護膜２４の
厚さ、レジスト２３の厚さは、主磁極近傍の保護膜がテ
ーパーになれば、ヘッドの仕様に応じて適宜変更しても
良い。
【００２５】
【発明の効果】本発明に依れば、ヘッド素子の保護膜が
表面から主磁極近傍までテーパー形状であることから、
主磁極面だしのラッピング時間が従来に比し短縮でき、
製造コストの低減に寄与することができる。
表面から主磁極近傍までテーパー形状であることから、
主磁極面だしのラッピング時間が従来に比し短縮でき、
製造コストの低減に寄与することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの実施例を示す図で、
（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１の実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２の実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３の実
施例を説明するための図である。
施例を説明するための図である。
【図５】従来の接触型薄膜磁気ヘッドを示す図で、
（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は要部断面図である。
【図６】ウェハよりヘッド素子を作成する図である。
【図７】主磁極面出し方法を説明するための図である。
１１…可撓性支持体 １２…ヘッド素子 １３…ガラス板 １４…基板 １５…主磁極 １６…コイル １７…端子 １８，２４…保護膜 １９…傾斜面 ２０，２３…レジスト ２１…エッチャント ２２…Ｓｉ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板（１４）上にコイル（１６）及び主
磁極（１５）が形成され、さらにその上に保護膜（１
８）が形成されて成る磁気ヘッド素子（１２）が可撓性
支持体（１１）に接着されてなる接触型薄膜磁気ヘッド
において、 前記保護膜（１８）が膜厚方向に対して主磁極（１５）
の先端から保護膜表面に向って傾斜していることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 （ａ）複数のヘッド素子を形成するため
の基板（１４）上に、各ヘッド素子の主磁極（１５）、
コイル（１６）、及びその端子を形成し、その上に保護
膜（１８）を成膜する工程と、 （ｂ）前記保護膜（１８）の上にレジスト（２０）を塗
布し、保護膜（１８）を主磁極（１５）の幅方向にエッ
チングできるようにパターニングする工程と、 （ｃ）前記レジスト（２０）のパターニングにより形成
された窓（２０′）からドライエッチングにより保護膜
（１８）を主磁極面から微小距離はなれ、且つ側面が傾
斜するようにエッチングする工程と、 （ｄ）ダイシングソーを用いて基板（１４）を個々のヘ
ッド素子（１２）に切り離す工程とより成ることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 （ａ）複数のヘッド素子を形成するため
の基板（１４）上に、各ヘッド素子の主磁極（１５）、
コイル（１６）、及びその端子を形成し、その上に保護
膜（１８）を成膜する工程と、 （ｂ）前記保護膜（１８）の表面にＳｉ膜（２２）を
（１００）に結晶配向させて成膜する工程と、 （ｃ）前記Ｓｉ膜（２２）の上にレジスト（２０）を塗
布し、前記Ｓｉ膜（２２）を主磁極幅方向にエッチング
できるようにパターニングする工程と、 （ｄ）前記レジスト（２０）のパターニングにより形成
された窓（２０′）からアルカリ系水溶液を用いてＳｉ
膜（２２）を異方性エッチングし、連続して保護膜（１
８）を主磁極面から所定の微小距離はなれ、且つ側面が
傾斜するようにエッチングする工程と、 （ｅ）ダイシングソーを用いて基板（１４）を個々のヘ
ッド素子に切り離す工程とより成ることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 （ａ）複数のヘッド素子を形成するため
の基板（１４）上に、各ヘッド素子の主磁極（１５）、
コイル（１６）、及びその端子を形成する工程と、 （ｂ）その上にレジスト（２３）を塗布し、最適露光条
件より長い露光時間で露光して主磁極先端部上のレジス
ト（２３）の側面をテーパー状に形成し、その後ベーク
する工程と、 （ｃ）その上に保護膜（２４）を成膜する工程と、 （ｄ）ダイシングソーを用いて基板（１４）を個々のヘ
ッド素子に切り離す工程とより成ることを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1637793A JPH06231429A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1637793A JPH06231429A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06231429A true JPH06231429A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11914603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1637793A Withdrawn JPH06231429A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06231429A (ja) |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP1637793A patent/JPH06231429A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |