JPH06232106A - 水切り洗浄剤と洗浄方法 - Google Patents

水切り洗浄剤と洗浄方法

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JPH06232106A
JPH06232106A JP3757993A JP3757993A JPH06232106A JP H06232106 A JPH06232106 A JP H06232106A JP 3757993 A JP3757993 A JP 3757993A JP 3757993 A JP3757993 A JP 3757993A JP H06232106 A JPH06232106 A JP H06232106A
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JP
Japan
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water
cleaning
isopropyl alcohol
methylene chloride
solvent
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Pending
Application number
JP3757993A
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English (en)
Inventor
Noriaki Otani
徳明 大谷
Takuji Ikeda
拓児 池田
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Nippon Steel and Sumikin Electronics Devices Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal Ceramics Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 洗浄性と水置換性の両性質を保有し、セラミ
ックの加工物の洗浄をした際、該加工物表面に付着する
水の分離(水切り)スピードを速くし、『水シミ』の発
生のおそれを回避できる水切り洗浄剤と洗浄方法を提供
する。 【構成】 メチレンクロライドと、イソプロピルアルコ
ールを含有した混合溶剤で、該メチレンクロライドとイ
ソプロピルアルコールを、95:5〜65:35の割合
(重量比)で混合してなる構成よりなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水切り洗浄剤と洗浄方
法に係り、より詳細には、洗浄性と水置換性の両性質を
保有し、電子部品用セラミックの加工物の水洗浄をした
際、該加工物表面に付着する水の分離(水切り)スピー
ドを速くし、『水シミ』の発生のおそれを回避できる水
切り洗浄剤と洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】セラミックの加工物は、機械的加工をし
た際に小塵埃や切り屑等が付着する。そして、これらの
小塵埃や切り屑等の付着物を放置した状態で、該加工物
に配線、ICチップその他を実装した場合、該実装品が
正常に作動しなかったりして、品質の低下を招くことに
なる。
【0003】そこで、該加工物は、水による粗洗浄を行
った後、該水中に含まれる極小塵埃を除去すると共に、
該水による『シミ』の発生を防止するために、該塩素系
溶剤やアルコール系溶剤で、水置換・洗浄(水切り洗
浄)し、該洗浄後、蒸気あるいは温風乾燥を行い、上記
付着物を除去するようにされている。ところで、該水切
り洗浄には、水置換性が良い、蒸発し易い、不燃
性である、との3つの観点より、塩素系溶剤であるフロ
ン溶剤に表面活性剤を添加した溶剤が用いられている。
【0004】ところで、上述したフロン溶剤を主剤とし
た水切り洗浄剤は、環境汚染規制により、その使用の規
制が厳しくなっている。そこで、近年、該フロン溶剤に
変わる水切り洗浄剤として、アルコール系溶剤のイソプ
ロピルアルコールを主剤とした溶剤や、塩素系溶剤のメ
チレンクロライドを主剤とした溶剤が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、イソプロピル
アルコールを主剤とした溶剤の場合には、 イソプロピルアルコールが可燃性であるので、防爆
設備を必要とし、その設備が大掛かりになると共に、該
設備費が高価になる。 フロン溶剤等の塩素系溶剤に比べて、その洗浄力が
劣る。 等の課題があり、またメチレンククロライドを主剤とし
た溶剤の場合は、 水置換性が劣る。 水置換(水切り)スピードが遅いため、水に含まれ
る微小塵埃の凝集である『水シミ』が加工物表面に残存
し易い。 等の課題がある。
【0006】そこで、本発明者は、加工物の表面に付着
する水中の微小塵埃を洗浄すると共に、水置換をする洗
浄剤としては、洗浄性、水置換性の両性質を保有
し、かつ防爆設備等の付属設備を必要としない溶剤であ
ることが条件という観点に立脚し、種々の溶剤につい
て、試験を行った処、表1に示すような結果を得た。
【0007】
【表1】
【0008】そして、この結果より、塩素系溶剤として
のメチレンクロライドとアルコール系溶剤としてのイソ
プロピルアルコールとの混合溶剤とした場合、その相乗
的作用でもって、その洗浄力を良好にすることができる
と共に、水置換性を良好にし、その混合割合によって、
防爆設備等の問題が解消できることが究明できた。
【0009】本発明は、以上のような課題に対処して創
作したものであって、その目的とする処は、洗浄性と水
置換性の両性質を保有し、セラミックの加工物の洗浄を
した際、該加工物表面に付着する水の分離(水切り)ス
ピードを速くし、『水シミ』の発生のおそれを回避でき
る水切り洗浄剤と洗浄方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】そして、上記目的を達成
するための手段としての本発明の水切り洗浄剤は、メチ
レンクロライドと、イソプロピルアルコールを含有した
混合溶剤で、該メチレンクロライドとイソプロピルアル
コールを、95:5〜65:35の割合(重量比)で混
合した構成よりなる。
【0011】また、本発明の洗浄方法は、セラミック基
板の加工物の洗浄方法において、該加工物をメチレンク
ロライドとイソプロピルアルコールを、95:5〜6
5:35の割合(重量比)で混合した混合溶剤で水切り
洗浄した後、該加工物を塩素系溶剤で洗浄する構成より
なる。
【0012】
【作用】本発明の水切り洗浄剤は、洗浄性に優れている
塩素系溶剤であるメチレンクロライドと、水置換性に優
れているアルコール系溶剤であるイソプロピルアルコー
ルを混合した溶剤であるため、両溶剤が相乗的に作用
し、加工物の表面に付着する水の置換と、該水に含まれ
る微小塵埃の洗浄を効率的に行える。また、メチレンク
ロライドとイソプロピルアルコールとの配合比率を、9
5:5〜65:35としているので、該イソプロピルア
ルコールによる引火のおそれがなく、またメチレンクロ
ライドの洗浄力を保持させた状態で、水切りスピードを
良好にすることができ、加工物表面への『水シミ』の発
生を防止できる。
【0013】また、本発明の洗浄方法は、予め水洗浄し
た加工物を、先に、メチレンクロライドとイソプロピル
アルコールを、95:5〜65:35の割合(重量比)
で混合した混合溶剤で洗浄し、該加工物表面の洗浄と水
切り(置換)を行った後、塩素系溶剤に接触して、上記
イソプロピルアルコールを該塩素系溶剤に置換すると共
に、洗浄するようにしているので、水切りスピードを良
好にすると共に、洗浄性能を良好にし、かつ蒸気乾燥や
温風乾燥による溶剤の除去を、安全に行うことができ
る。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図1は、本発明
の洗浄方法を示す洗浄工程図、図2は、本発明の水切り
洗浄剤と水切りスピードとの関係を説明するためのグラ
フである。
【0015】本実施例の水切り洗浄剤は、塩素系溶剤と
してのメチレンクロライドと、アルコール系溶剤として
のイソプロピルアルコールを含有した混合溶剤である。
ここで、該メチレンクロライドとイソプロピルアルコー
ルの混合割合は、重量比(重量%)で、95:5〜6
5:35としている。
【0016】そして、本実施例の水切り洗浄剤は、塩素
系溶剤のメチレンクロライドの欠点である水置換力の劣
る点を、アルコール系溶剤のイソプロピルアルコールを
添加することで、洗浄性と水置換性の両性能を保有させ
ている。
【0017】ところで、上記イソプロピルアルコール
は、可燃性のあるアルコール系溶剤であって、水置換性
を有することが知られている。そこで、上記メチレンク
ロライドにイソプロピルアルコールを添加し、該メチレ
ンクロライドの洗浄性を低下させることなく、かつ水置
換性を保持させている。しかし、該イソプロピルアルコ
ールは、可燃性溶剤であるため、引火しない領域とし
て、メチレンクロライドにイソプロピルアルコールを、
95:5〜65:35の割合(重量比)で混合してい
る。この混合割合は、イソプロピルアルコールの濃度
が40%(50℃)を越えた段階で引火点が存在するこ
と、水切りスピードが良好であること、に対処したも
のである。
【0018】ここで、メチレンクロライドにイソプロピ
ルアルコールを、95:5〜65:35の割合(重量
比)で混合したのは、メチレンクロライド中のイソプロ
ピルアルコール濃度が、35%〜5%の範囲内の場合
は、該混合溶剤に浸漬(接触)後、30秒〜120秒程
度で加工物の水切りができたのに対して、該濃度が、3
5%を越えても、水切りスピードが大きく向上しなく、
却って、防爆設備を考慮する必要が発生すること、また
該イソプロピルアルコール濃度が、5%未満の場合は、
水切りスピードが遅くなり、『水シミ』が残存するおそ
れがあることに対処したものである。
【0019】次に、本実施例の加工物の洗浄方法は、上
述した水切り洗浄剤を用いたセラミック基板の洗浄方法
であって、概略すると、水洗浄工程、水切り洗浄
(水置換)工程、洗浄工程、溶剤除去(乾燥)工
程、の4つの工程を経て洗浄を行う構成よりなる。
【0020】−水洗浄工程− 本工程は、セラミック基板を温水タンク(水タンク)に
浸漬、もしくは該セラミック基板に温水(水)をスプレ
ーでもって吹きつけ、該セラミック基板に付着する小塵
埃や切り屑等の付着物を洗浄・除去する工程である。な
お、本工程の予備工程として、必要に応じて、空気洗浄
を行うようにし、また水洗浄した後、放置して水切りを
行う。
【0021】−水切り洗浄(水置換)工程− 本工程は、水洗浄工程において、セラミック基板に付着
した洗浄水を水切り洗浄する工程である。すなわち、水
洗浄工程においては、洗浄水によって付着物が除去され
るものの、該洗浄水自体に、微小塵埃が含まれていて、
該微小塵埃がセラミック基板に残存した状態にあると、
その凝集によって『水シミ』の原因となる。そこで、上
述した水切り洗浄剤であるメチレンクロライドとイソプ
ロピルアルコールを、95:5〜65:35の割合(重
量比)で混合した混合溶剤で水切り洗浄を行っている。
【0022】水切り洗浄は、上記混合溶剤を入れたタン
クにセラミック基板を浸漬し、かつ超音波洗浄を行って
いる。ここで、該混合溶剤としては、通常、メチレンク
ロライド:90重量%、イソプロピルアルコール:10
重量%の割合の溶剤を用い、二以上のタンクで処理を行
っている。そして、本工程によって、セラミック基板に
付着している水粒子が離脱し、イソプロピルアルコール
に置換されると共に、メチレンクロライドとイソプロピ
ルアルコールによって洗浄される。
【0023】−洗浄工程− 本工程は、水切り洗浄工程で用いたメチレンクロライド
とイソプロピルアルコールの混合溶剤中のイソプロピル
アルコールをメチレンクロライド(塩素系溶剤)に置換
する工程である。本工程では、洗浄作用の優れたメチレ
ンクロライド:100%(必要に応じて、界面活性剤を
添加)を洗浄剤として用い、前工程で水置換(水切り)
されているセラミック基板の洗浄を行うと共に、次工程
の溶剤除去工程で熱処理をするため、可燃性のイソプロ
ピルアルコールの残存を回避するようにしている。
【0024】−溶剤除去(乾燥)工程− 本工程は、前工程で洗浄したセラミック基板の表面のメ
チレンクロライドを除去する工程で、通常、蒸気乾燥に
よって、メチレンクロライドの除去を行っている。そし
て、以上の各工程を経て、セラミック基板の洗浄と水置
換を行うことができる。
【0025】次に、上述した本実施例の水切り洗浄剤と
洗浄方法の効果を確認するために、メチレンクロライ
ド中のイソプロピルアルコール濃度と水切りスピードと
の関係、メチレンクロライドとイソプロピルアルコー
ルの混合溶剤による『水シミ残り』と『洗浄品位』、に
ついての試験を行った処、図2に示すような関係と、表
2に示すような結果を得た。
【0026】
【表2】
【0027】そして、図2に示すように、メチレンクロ
ライドにイソプロピルアルコールの混合溶剤が、95:
5〜65:35の割合(重量比)が好ましく、メチレン
クロライド中のイソプロピルアルコール濃度が、35%
を越えても、水切りスピードが大きく向上しなく、却っ
て、防爆設備を考慮する必要が発生し、また該イソプロ
ピルアルコール濃度が、5%未満の場合は、水切りスピ
ードが遅くなり、『水シミ』が残存するおそれがあるこ
とが確認できた。また、表2に示すように、洗浄作用が
優れているメチレンクロライド(必要に応じて、界面活
性剤添加)のみを用いたものにあっては、試験試料の半
分に、『水シミ』残りが認められたのに対し、本実施例
の混合溶剤を用いた場合は、全く『水シミ』残りを確認
できなかった。このことより、本実施例にあっては、イ
ソプロピルアルコールを混合し、水切り(水置換)が十
分に行われていることが確認できる。なお、洗浄品位に
ついては、両者ともに差異は認められなかった。
【0028】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、上述した実施例にお
いては、混合溶剤に、必要に応じて、他の塩素系溶剤、
アルコール系溶剤、界面活性剤を適宜、添加した配合と
してもよいことは当然である。
【0029】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の水切り洗浄剤によれば、洗浄性に優れている塩素系溶
剤であるメチレンクロライドと、水置換性に優れている
アルコール系溶剤であるイソプロピルアルコールを混合
した溶剤であるため、加工物の表面に付着する水の置換
と、該水に含まれる微小塵埃の洗浄を効率的に行え、フ
ロンにかわる水切り洗浄剤として使用できる。また、メ
チレンクロライドとイソプロピルアルコールとの配合比
率を、95:5〜65:35としているので、該イソプ
ロピルアルコールによる引火のおそれがなく、高価な防
爆設備を必要としない。またメチレンクロライドの洗浄
力を保持させた状態で、水切りスピードを良好にするこ
とができ、加工物表面への『水シミ』の発生を防止でき
るという効果を有する。
【0030】また、本発明の洗浄方法によれば、予め水
洗浄した加工物を、先に、メチレンクロライドとイソプ
ロピルアルコールを、95:5〜65:35の割合(重
量比)で混合した混合溶剤で洗浄し、該加工物表面の洗
浄と水切り(置換)を行った後、塩素系溶剤に接触し
て、上記イソプロピルアルコールを該塩素系溶剤に置換
すると共に、洗浄するようにしているので、水切りスピ
ードを良好にすると共に、洗浄性能を良好にし、かつ蒸
気乾燥や温風乾燥による溶剤の除去を、安全に行うこと
ができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の洗浄方法を示す工程図である。
【図2】 本発明の水切り洗浄剤と水切りスピードとの
関係を説明するためのグラフである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メチレンクロライドと、イソプロピルア
    ルコールを含有した混合溶剤で、該メチレンクロライド
    とイソプロピルアルコールを、95:5〜65:35の
    割合(重量比)で混合してなることを特徴とする水切り
    洗浄剤。
  2. 【請求項2】 セラミック基板の加工物の洗浄方法にお
    いて、該加工物をメチレンクロライドとイソプロピルア
    ルコールを、95:5〜65:35の割合(重量比)で
    混合した混合溶剤で水切り洗浄した後、該加工物を塩素
    系溶剤で洗浄することを特徴とする洗浄方法。
JP3757993A 1993-02-01 1993-02-01 水切り洗浄剤と洗浄方法 Pending JPH06232106A (ja)

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