JPH04127955A - 物品表面の清浄化方法 - Google Patents

物品表面の清浄化方法

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JPH04127955A
JPH04127955A JP25268890A JP25268890A JPH04127955A JP H04127955 A JPH04127955 A JP H04127955A JP 25268890 A JP25268890 A JP 25268890A JP 25268890 A JP25268890 A JP 25268890A JP H04127955 A JPH04127955 A JP H04127955A
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JP
Japan
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cleaning
article
alcohol
rinsing
fluorine
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Pending
Application number
JP25268890A
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English (en)
Inventor
Yukio Omure
大牟礼 幸雄
Satoru Ide
井手 哲
Keisuke Kitano
圭祐 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern

Landscapes

  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、物品表面の清浄化方法に関し、さらに詳しく
は、プリント配線基板のはんだ付けに使用されるロジン
フラックスの洗浄に特に適した清浄化方法に関する。本
発明方法は、さらにまた、油類、ワックス類、グリース
類、油脂性研磨剤などの汚染物質の洗浄除去にも、有用
である。
従来技術とその問題点 プリント配線基板に対するIC部品およびその他の部品
類の装着は、ハンダ付けによって行なわれており、ハン
ダ付は性の改善のために、フラックスが使用されている
。
フラックスは、ロジン系フラックスと非ロジン系或いは
水溶性フラックスとに大別される。これらの中、ロジン
系フラックスは、電子工業分野でプリント配線基板に対
するIC部品およびその他の部品類の装着に広く使用さ
れている。ハンダ付は後にロジン系フラックスが残存し
ている場合には、配線基板の抵抗が低下して、回路破壊
の原因などとなるので、好ましくない。
従って、ロジンフラックスの洗浄除去は、1゜1.1−
)ジクロロエタン、トリクロロエチレン、ジクロロエタ
ンなどの塩化炭化水素、トリクロロトリフルオロエタン
(フロン113)、ジクロロテトラフルオロエタンなど
の塩化フッ化炭化水素、これらの混合物或いはこれらと
他の有機溶剤との共沸混合物などを使用して行なわれて
きた。
特に、フロン113は、不燃性且つ低毒性で、化学的安
定性にも優れており、金属、プラスチックス、エラスト
マーなどの部品を装着したプリント配線基板を浸食せず
、汚染物質のみを選択的に除去するという優れた性質を
有しているため、広く利用されてきた。
また、水溶性フラックスの洗浄除去には、一部で水も使
用されている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、近年、大気中に放出されたある種の塩化
フッ化炭化水素(フロン)、塩化炭化水素などが、成層
圏のオゾン層を破壊し、その結果、人類を含む地球上の
生態系に重大な悪影響を及ぼすことが指摘されており、
オゾン層破壊の可能性の高い塩化フッ化炭化水素、塩化
炭化水素など使用および生産が制限されるに至っている
。
一方、水による水溶性フラックスの洗浄除去においては
、水の表面張力が大きいために、微細な部分の洗浄が不
十分となったり、洗浄除去後に物品の表面に残留した水
を乾燥する際に“シミ”が残り、電気的なトラブルの原
因となることかしばしばある。また、洗浄除去に使用す
る水の精製処理或いは使用後の廃水処理などに高価な設
備を必要とするので、水によるフラックスの洗浄除去は
、あまり広くは行なわれていない。
テルペンアルコールは、ロジンフラックスの溶剤として
は公知である(特開昭58−66323号)が、ハンダ
付は後のフラックス洗浄剤としては使用されてはいない
。これは、粘度が高いこと、沸点が200℃以上である
ことなどから、フラックス洗浄後に、テルペンアルコー
ルが物品表面に残留して、その除去が極めて困難である
などの理由によるものである。例えば、テルペンアルコ
ールは、水に不溶性であるため、水ですすいでその除去
を行なうことは、できない。
課題を解決するための手段 本発明者は、上記の如き技術の現状に鑑みて研究を重ね
た結果、テルペンアルコールによる洗浄と含フッ素アル
コールによるすすぎとを併用する場合には、従来技術の
問題点が大幅に軽減乃至実質的に解消されることを見出
した。
すなわち、本発明は、下記の物品表面の清浄化方法を提
供するものである: ■汚染物質が付着した物品にテルペンアルコールを接触
させて汚染物質を溶解除去した後、物品を含フッ素、ア
ルコールによりすすぐことを特徴とする物品表面の清浄
化方法。
■含フッ素アルコールが、炭素数2〜5の一価の含フッ
素アルコールである上記項(1)に記載の物品表面の清
浄化方法。
本発明で使用するテルペンアルコールとしては、天然お
よび合成のものがあり、より具体的には、下記のものが
例示される。
(a)鎖状テルペンアルコール; *リナロール(C1oH180)、沸点=197〜19
9℃ *ゲラニオール(C+oH+gO) 、沸点=229〜
230°C *シトロネロール(C10H200) 、沸点=225
269C (b)単環式テルペンアルコール; *α−テルピネオール(C1oH180)、沸点=21
7〜218℃ *β−テルピネオール(C1oH180)、沸点=20
9〜210℃ *γ−テルピネオール(C1oH工SO)*メントール
(C1oH180)、沸点=216℃*シネオール(C
工。H工、0)、沸点=176℃これらのテルペンアル
コールは、単独で若しくは2種以上の混合物として使用
することができる。
また、テルペンアルコールには、その重量の10%を超
えない範囲で、テルペン炭化水素、有機溶媒、防腐剤、
安定化剤などを添加しても良い。テルペン炭化水素また
は有機溶媒を添加する場合には、粘度低下、凝固点降下
などの効果が達成される。
本発明方法でテルペンアルコールによる洗浄後にすすぎ
液として使用する含フッ素アルコールとしては、下記の
ものが例示される。
*ペンタフルオロフロパノール(CF3 CF2 CH
20H)沸点=81℃ *トリフルオロエタノール(CF3 CH20H) 、
沸点=77°C *テトラフルオロプロパツール (CIIF2CF2 CH20H) 、沸点=109℃
*へキサフルオロイソプロパツール [(CF3 ) 2 C)(OH)コ、沸点=59℃*
オクタフルオロペンタノール (C肛2 CF2 CF2 CF2 CH20H) 、
沸点−140℃これらの含フッ素アルコールは、単独で
若しくは2種以上の混合物として使用することができる
。
マタ、含フッ素アルコールには、その重量の10%を超
えない範囲で、水、有機溶媒、防腐剤、安定化剤などを
添加しても良い。添加物は、共沸混合物を形成するもの
が好ましい。水または有機溶媒を添加する場合には、す
すぎ性の向上などの効果が達成される。
本発明方法により、各種の汚染物質の洗浄除去を行なう
場合には、まず汚染物質が付着した物品にテルペンアル
コールを接触させる。物品とテルペンアルコールとの接
触は、特に制限されず、物品をテルペンアルコール中に
浸漬する方法、物品にテルペンアルコールをスプレー式
に吹き付ける方法などの任意の手段により、行なうこと
ができる。物品との接触時のテルペンアルコールの温度
は、室温から引火点未満の温度範囲内とすることができ
るが、汚染物質の除去促進のためには、50〜80℃程
度に加温することが好ましい。また、浸漬による処理に
際しては、汚染物質の溶解除去を促進するために、超音
波振動、攪拌、ブラッシングなどの機械力の付与などの
手段を併用してモ良い。物品とテルペンアルコールとの
接触は、汚染物質が所望の程度まで除去されるに必要な
時間とすれば良い。
次いで、テルペンアルコールとの接触による洗浄を終え
た物品を含フッ素アルコールと接触させて、すすぎを行
なう。物品と含フッ素アルコールとの接触方法も、特に
制限されず、物品を含フッ素アルコール中に浸漬する方
法、物品に含フッ素アルコールをスプレー式に吹き付け
る方法、物品を含フッ素アルコールの蒸気により洗浄す
る方法などにより、行なうことができる。また、すすぎ
効果を高めるためには、同一のすすぎ方法を繰り返し行
なったり、異なるすすぎ方法を組み合わせて行なっても
良い。特に、浸漬方法または吹き付は方法と蒸気洗浄と
を組み合わせる場合には、すすぎ効果を高め、乾燥を促
進するのみならず、すすぎ液の再生および再使用が行な
えるので、すすぎ液曾の大幅な削減および洗浄工程の著
しい簡素化が達成され、さらに安定した洗浄品質の物品
が得られる。すすぎ時の温度および時間は、汚染物質の
種類、汚染の程度、テルペンアルコールによる洗浄の程
度、すすぎ方法などにより異なるが、通常室温乃至80
℃で15秒乃至3分間程度である。
本発明による清浄化方法は、プリンート基板のはんだ付
けに使用されるロジンワックスの除去、接着テープの残
留物の除去などに特に優れた効果を発揮する。本発明の
洗浄剤組成物は、さらに油類、ワックス類、グリース類
、油脂性研磨剤などの各種の他の汚染物質の洗浄除去に
も、優れた効果を発揮する。
発明の効果 本発明方法によれば、下記のような効果か達成される。
(1)使用する洗浄液およびすすぎ液は、塩素原子を含
まないので、環境汚染或いはオゾン層の破壊などのいわ
ゆる環境問題を引起こすことなく、各種物品の洗浄を行
なうことができる。
(2)洗浄工程およびすすぎ工程のいずれにおいても、
水を使用しないので、工程および設備が簡素化される。
すなわち、水の精製処理および使用後の廃水処理を必要
としないので、これらに必要とされる多くの設備および
その用地、運転費などが不要である。
また、水を使用する場合に必要な熱風乾燥、高周波加熱
などの付着水の乾燥処理工程も不必要となる。
(3)すすぎ処理に使用する含フッ素アルコールは、沸
点が比較的低いので、蒸留による汚染物質の分離除去が
容易であり、再生による繰り返し使用か可能である。し
たかって、すすぎ液の使用量か、大幅に削減される。
(4)従来塩化フッ化炭化水素、塩化炭化水素などを使
用していた洗浄設備では、設備の大きな改造を行なうこ
となく、洗浄液をテルペンアルコールに代え、すすぎ液
を含フッ素アルコールに代えるだけで良い。
(5)特に、すすぎ液として不燃性の2. 2. 3゜
3.3−ペンタフルオロプロパツールを使用する場合に
は、洗浄工程がテルペンアルコールの引火点未満て行な
われることと併せて、清浄化処理全体を引火・爆発の危
険性なく、行なうことかできる。
(6)テルペンアルコールおよび含フッ素アルコールは
、ともに生体への毒性が少なく、安全である。
(7)テルペンアルコールおよび含フッ素アルコールは
、ともに化学的安定性に優れ、またテルペンアルコール
は、金属、プラスチックス、エラストマーなどの各種材
料への影響が少ないので、これらの材料を複合して含む
被洗浄物をそのまま洗浄することができる。
実施例 以下に実施例および比較例を示し、本発明の特徴とする
ところをより一層明確にする。
実施例1〜2および比較例1〜2 10cmX10cmのプリント基板にロジン系フラック
ス(商標“AGF−200J″、アサヒ化学研究所(製
))を自動はんだ付装置ではんだ付け(260℃)を行
ない、試験片とした。
次いで、下記第1表に示す条件下に洗浄剤およびすすぎ
液を使用して、試験片の洗浄およびすすぎを行ない、ロ
ジン系フラックスに対する除去効果を判定した。
床 1表 実施例 比較例 洗浄 (浸漬) α−テルピネオール 60°C130秒 α−テルピネオール 超音波印加 60℃、30秒 a−テルピネオール 60.30秒 α−テルピネオール 60℃、30秒 すすき (浸漬) FP 50℃、30秒 FP 50°C130秒 α−テルピネオール 60°0130秒 水 60°0130秒 蒸気すすぎ FP 30秒 FP 50°C130秒 なし なし 洗浄およびすすぎ処理後の試験片の外観およびイオン性
残渣の量を第2表に示す。
外 観 未 2表 イオン性残渣 (μg−NaC1/cJ) 実施例 1   表面清浄     0.4以下2   表面清
浄     0.4以下比較例 1   未乾燥      1.8 2   白色残渣     2.5 第2表に示す結果から、本発明方法の優れたロジン系フ
ラックスの除去効果が明らかである。
実施例3〜4 5cmX5cmの100メツシユ金網にプレス工作油(
商標“PG−3080”、日本工作油製)を塗布し、試
験片とした。
次いで、前記第1表に示す条件下に洗浄剤およびすすぎ
液を使用して、試験片の洗浄およびすすぎをそれぞれ行
ない、工作油に対する除去効果を判定した。
洗浄およびすすぎ処理後の試験片の外観および残留油分
の量を第3表に示す。残留油分量は、洗浄前後の試験片
の重量測定により洗浄率を算出した。
第3表 外 観     洗浄率 (%) 実施例 比較例 表面清浄 表面清浄 未乾燥 未乾燥 99゜ 99゜ 50゜ 80゜ (以 上)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)汚染物質が付着した物品にテルペンアルコールを
    接触させて汚染物質を溶解除去した後、物品を含フッ素
    アルコールによりすすぐことを特徴とする物品表面の清
    浄化方法。(2)含フッ素アルコールが、炭素数2〜5
    の一価の含フッ素アルコールである請求項(1)に記載
    の物品表面の清浄化方法。
JP25268890A 1990-09-20 1990-09-20 物品表面の清浄化方法 Pending JPH04127955A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06346096A (ja) * 1993-05-07 1994-12-20 Agency Of Ind Science & Technol フッ素化アルコール系洗浄剤
CN103014739A (zh) * 2012-12-08 2013-04-03 中国航天科技集团公司第六研究院第十一研究所 一种金属表面的研磨膏清洗方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06346096A (ja) * 1993-05-07 1994-12-20 Agency Of Ind Science & Technol フッ素化アルコール系洗浄剤
CN103014739A (zh) * 2012-12-08 2013-04-03 中国航天科技集团公司第六研究院第十一研究所 一种金属表面的研磨膏清洗方法

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