JPH0625106B2 - イソインドリン−1,3−ジオン誘導体およびその製造法 - Google Patents

イソインドリン−1,3−ジオン誘導体およびその製造法

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JPH0625106B2 JP16376285A JP16376285A JPH0625106B2 JP H0625106 B2 JPH0625106 B2 JP H0625106B2 JP 16376285 A JP16376285 A JP 16376285A JP 16376285 A JP16376285 A JP 16376285A JP H0625106 B2 JPH0625106 B2 JP H0625106B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 (I) (式中、RまたはS(O)nRを示し、RおよびRは低級ア
ルキル基を示す。Rは水素原子または低級アルキル基
を示し、Rは水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、低
級アルキル置換アミノ基、低級アルキル基またはアリー
ル基を示し、nは0,2または3を示す)で表わされる
化合物およびその製造法に関する。
上記一般式(I)で表わされる化合物は、いずれも文献未
記載の新規化合物であり、植物病害、例えばアブラナ科
野菜根こぶ病、イネモンガレ病に対して防除効果を有し
ており、また、合成中間体としても有用である。
前記一般式(I)において、低級アルキル基としてはメチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピルまたはsec−
ブチル基のような炭素数1ないし4個を有する直鎖状ま
たは分岐鎖状のアルキル基があげられる。
本発明の新規イソインドリン−1.3−ジオン誘導体とし
ては、例えば次のものがあげられる。
(1) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−スル
ホイソインドリン−1.3−ジオン (2) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−クロ
ロスルホニルイソインドリン−1.3−ジオン (3) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−メル
カプトイソインドリン−1.3−ジオン (4) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−アミ
ノスルホニルイソインドリン−1.3−ジオン (5) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−メチ
ルアミノスルホニルイソインドリン−1.3−ジオン (6) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−イソ
プロピルアミノスルホニルイソインドリン−1.3−ジオ
ン (7) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−メチ
ルチオイソインドリン−1.3−ジオン (8) 2−(2−エチル−6−secブチルフエニル)−5
−メチルチオイソインドリン−1.3−ジオン (9) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−フエ
ニルチオイソインドリン−1.3−ジオン (10) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−
(4−メチルフエニルチオ)イソインドリン−1.3−ジ
オン (11) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−
(4−クロロフエニルチオ)イソインドリン−1.3−ジ
オン (12) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−メ
チルスルホニルイソインドリン−1.3−ジオン (13) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−
(4−クロロフエエニルスルホニル)イソインドリン−
1.3−ジオン (14) 2−(2.6−ジエチルフエニル)−5−ジエトキ
シホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン (15) 2−(2−エチル−6−イソプロピルフエニル)
−5−ジエトキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジ
オン (16) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ジ
エトキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン (17) 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)
−5−ジエトキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジ
オン (18) 2−(2.6−ジエチルフエニル)−5−ジイソプ
ロポキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン (19) 2−(2−エチル−6−イソプロピルフエニル)
−5−ジイソプロポキシホスホリルイソインドリン−1.
3−ジオン (20) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ジ
イソプロポキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオ
ン (21) 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)
−5−ジイソプロポキシホスホリルイソインドリン−1.
3−ジオン (22) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−エ
トキシヒドロキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジ
オン (23) 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)
−5−ジヒドロキシホスホリルイソインドリン−1.3−
ジオン この発明による新規化合物(I)は次のいずれかの方法に
よつて製造することができる。
製造法A R基である本発明化合物、即ち式Ia,Ia′,Ia″を有する
化合物は次の反応式に示した方法により製造することが
できる。
(式中、Halは臭素、フツ素、塩素もしくは沃素原子の
ようなハロゲン原子を示し、R,RおよびRは前
記と同意義を示す。) 工程A1は4−ハロフタル酸もしくはその酸無水物
アニリンの誘導体である化合物を反応させる工程であ
り、溶媒の存在または不存在下に実施することができ
る。溶媒を用いる際には、反応に関与しないものであれ
ば特に限定はないが、好ましくはトルエン、キシレンの
ような芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドのような非プロトン性極性溶媒類、メ
チルエチルケトンのようなケトン類、ニトロベンゼンお
よび酢酸をあげることができる。反応は加熱することが
望ましいが、通常は反応中に水が副生するので、水と共
沸し、かつ不活性な溶媒を用いるのが好適である。
工程A2は、ハロゲン原子をホスホリル基に置換する工程
であり、工程A1により合成された化合物と式 を有する化合物とを適当な不活性溶媒中、パラジウム触
媒及び塩基の共存下に加熱することにより行なわれる。
パラジウム触媒としては、例えばPd〔P(C
などの零価のホスフイン錯体を用いることができ
る。また例えば、Pd(OOOCH,Pd(CH
COCHCOCH,〔(CH=CHCH
dcl〕,Pd〔(CCH=CH)CO〕
・CHclなどとトリフエニルホスフイン,1.3−ジ
フエニルホスフイノプロパンのごとき配位子化合物とを
反応系に導入し、その場で触媒活性を有する零価のパラ
ジユウム錯体を生成させてもよい。好ましいパラジユウ
ム触媒としては、Pd〔P(Cをあげる
ことができる。
パラジユウム触媒の使用量には特に制限はないが、化合
に対して約0.01〜1モル、好ましくは約0.01〜0.1
モルである。溶媒としては、好適にはジクロロエタンが
用いられる。反応温度は広い範囲で選択できるが、通常
は加熱還流下に反応を行うのが好ましい。塩基として
は、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン等が用
いられる。工程A3は化合物Iaを加水分解する工程であ
る。Ia′を製造するには、ハロゲン化水素酸、好ましく
は濃塩酸水溶液中、加熱還流下に行うのが良く、又Ia″
を製造するには濃臭化水素酸水溶液中で反応するのが好
ましい。
製造法B RがS(O)nR基で表わされる本発明化合物、即
ち式Ib,Ib′,Ib″,Ibを有する化合物は次の反応式
に示した方法により製造することができる。
(式中、RおよびRは前記と同意義を示す。R
アミノ基もしくは低級アルキルアミノ基を示す。) 工程B1は4−スルホ無水フタール酸とアニリンの誘導
体である化合物を反応させる工程で、溶媒の存在また
は不存在下に実施することができる。溶媒を用いる際に
は、反応に関与しないものであれば特に限定はないが、
好ましくはトルエン、キシレンのような芳香族炭化水素
類があげられる。工程B1により得られた化合物Ibは、極
性および水溶解性が高く反応生成物中からの単離は困難
であり、単離のためには、工程B3の方法で得るのが有利
である。
工程B2は工程B1により合成された粗化合物Ibのスルホ基
をクロルスルホニル基にする工程である。スルホ基のク
ロルスルホニル基への変換は、通常の方法、即ちスルホ
基をナトリウムもしくはピリジニユウム塩とした後、五
塩化リンもしくはチオニルクロライドなどのハロゲン化
剤を用いて加熱することにより行なわれる。
工程B3はIb′を加水分解する工程である。工程B2で得ら
れた化合物Ib′を少量の水を含むメタノール中加熱還流
することにより定量的にIbへ導くことができる。
工程B4はクロルスルホニル基を還元しメルカプト基にす
る工程である。還元剤は、通常クロロスルホニル基の還
元に用いられるものであればよく、例えば水素化リチウ
ムアルミニウムのような水素化錯金属類、あるいは金属
もしくは金属塩化物と酸などが用いられる。
好適な金属または金属塩化物は、亜鉛、鉄、スズまたは
塩化第一スズである。好適な酸は酢酸または塩酸であ
り、溶媒としてはジオキサン、テトラヒドロフランのよ
うな環状エーテル類が好適に用いられる。
工程B5はIb′びをアミン類と反応させる工程であり通常
の方法により適当な溶媒中、氷令下ないしは加温下に実
施することができる。場合によつては、脱酸剤を用いて
もよい。溶媒としては、反応に関与しないものであれば
特に限定はないが、好ましくはベンゼン、トルエンのよ
うな芳香族炭化水素類、クロロホルム、塩化メチレンの
ようなハロゲン化炭化水素類あるいは、テトラヒドロフ
ランなどがあげられる。脱酸剤としては、例えばトリエ
チルアミン、トリブチルアミン、ピリジンなどがあげら
れる。
製造法C RがS(O)nR基で表わされる本発明の化合物、
即ち式IC,IC′を有する化合物は次の反応式に示した方
法により製造することができる。
(式中、RおよびRは前記と同意義を示す。R
低級アルキル基もしくはアリール基を示す) 工程C1はニトロ基をアルキルチオ基またはアリールチオ
基に変換する工程でありJ.Org.Chem.43,250(1978)に記
載の方法に準じて実施される。反応は適当な溶媒中、チ
オール類のアルカリ金属塩と撹拌下室温にて行なわれ
る。溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に
限定はないが、好ましくはジメチルホルムアミド、テト
ラヒドロフランなどがあげられる。Rが低級アルキル
基で示される化合物は製造法B、工程B4で得られた化合
物Ib″とアルキルハライドまたはジアルキル硫酸エステ
ルとを適当な脱酸剤の存在下反応させることによつても
得ることができる。
工程C2はICを酸化する工程である。工程C1で得られたIC
を通常の方法により適当な溶媒中、酸化剤と室温にて反
応させることによりIC′を得ることができる。酸化剤と
しては、例えばm−クロロ過安息香酸または過安息香酸
があげられる。反応は溶媒中で行うのが好ましく、溶媒
は反応に関与しないものであれば特に限定はないが、好
ましくはクロロホルム、塩化メチレンのようなハロゲン
化炭化水素類があげられる。
本発明の新規なイソインドリン−1.3−ジオン誘導体の
製法を実施例を示して更に詳細に説明する。
実施例1 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル−5−クロロスル
ホニルイソインドリン−1.3−ジオン(化合物番号2) 4−スルホフタール酸無水物3.7gをトルエン3mlに溶
解させた後、2.6−ジイソプロピルアニリン2.9gを加
え、撹拌下に3時間加熱還流した。反応終了後、反応混
合物にヘキサンを加え撹拌し、生成した粗結晶を分取し
た。次いで粗結晶をメタノール60mlに溶解し、室温に
てナトリウムメトキサイドで中和した後、減圧下溶媒を
留去した。残渣をエーテルで充分洗浄した後、五塩化リ
ン6gを加え、110〜120℃にて2.5時間加熱撹拌した。
反応終了後、生成物を氷水中にあけ、酢酸エチルで抽出
した。抽出液を水で洗い、溶媒を減圧下留去した。残渣
をシリカゲルカラムクロストグラフイー(展開溶媒:ヘ
キサン−酢酸エチル=5:1)に付し精製すると融点17
9−180.5℃の目的化合物1.2gが得られた。
実施例2 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−スルホイ
ソインドリン−1.3−ジオン(化合物番号1) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−クロロス
スルホニルイソインドリン−1.3−ジオン0.2gをメタノ
ール5mlに加え、2時間加熱還流した。反応終了後、溶
媒を減圧下留去し、得られた粗結晶をヘキサンで洗浄す
ると融点138〜141℃の目的化合物0.15gが得られた。
実施例3 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−メルカプ
トイソインドリン−1.3−ジオン(化合物番号3) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−クロロス
ルホニルイソインドリン−1.3−ジオン0.3gをテトラヒ
ドロフラン1mlに溶解した後、塩化第一スズ0.66gおよ
び濃塩酸3mlからなる混合液を氷冷下撹拌しながら滴加
し、更に室温にて3時間撹拌した。反応終了後、生成物
を水に注ぎ、クロロホルムで抽出した。抽出液を水で洗
い、溶媒を減圧留去すると粗結晶が得られた。ヘキサン
より再結晶すると融点199〜200の目的化合物0.15gが得
られた。
実施例4 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−アミノス
ルホニルイソインドリン−1.3−ジオン(化合物番号
4) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−クロロス
ルホニルイソインドリン−1.3−ジオン0.5gを塩化メチ
レン10mlに溶解した後、氷冷下撹拌しながらアンモニ
アのクロロホルム溶液を滴加した。反応混合物のpHを7
とした後、更に室温で1時間撹拌した。反応混合物を水
中に注ぎ、酢酸エチルにて目的化合物を抽出、分取し、
水洗した。溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフイー(展開溶媒:ヘキサン−酢酸エチル
=3:1)に付し精製すると融点105〜108℃の目的化合
物0.3gが得られた。
実施例5 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−フエニル
チオイソインドリン−1.3−ジオン(化合物番号9) チオフエノール0.17gを水酸化ナトリウム80mgを含む
エタノール溶液5mlに加え、室温で10分間撹拌した
後、溶媒を留去した。次いで残渣にジメチルホルムアミ
ド7mlを加え、溶解した後2−(2.6−ジイソプロピル
フエニル)−5−ニトロイソインドリン−1.3−ジオン
0.15gを含むジメチルホルムアミド溶液2mlを加え、室
温で30分間撹拌した。反応終了後、反応混合物を水中
に注ぎ、エーテルにて生成物を抽出、分取、水洗した。
溶媒留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー(展開溶媒=ヘキサン−酢酸エチル=10:1)に付
し分画精製すると融点133〜4℃の目的化合物0.3gが得
られた。
実施例6 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−(4−ク
ロロフエニルスルホニル)イソインドリン−1.3−ジオ
ン(化合物番号13) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−(4−ク
ロロフエニルチオ)−イソインドリン−1.3−ジオン0.3
8gを塩化メチレン8mlに溶解した後、撹拌下m−クロ
ロ過安息香酸0.37gを含む塩化メチレン溶液4mlを室温
で滴加し、更に室温で30分間撹拌した。反応混合物に
塩化メチレンを追加し、反応混液を5%炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、次いで水で洗浄した。溶媒留去後、得られ
た残渣をカラムクロマトグラフイー(展開溶媒 ヘキサ
ン−酢酸エチル=10:1)に付し精製すると融点209
〜210℃の目的化合物0.32gが得られた。
上記実施例4,5,6の方法に準じて次の化合物が製造
された。
実施例7 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ジエトキ
シホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン(化合物番
号16) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ブロモイ
ソインドリン−1.3−ジオン0.6gをジクロロエタン2ml
に懸濁し、テトラキス(トリフエニルホスフイン)パラ
ジウム0.1g次いでトリエチルアミン0.16gを加え室温
で10分間撹拌した。次いで0.0−ジエチルホスフアイ
ト0.17gを加え、90℃で5時間撹拌した。反応終了
後、生成物を水中に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出
液を水で洗い、溶媒を減圧下留去した。残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフイー((展開溶媒:ヘキサン−酢酸エ
チル=1:1)に付し、分画精製すると融点137〜8℃
の目的化合物0.5gが得られた。
上記実施例4の方法に準じて次の化合物が製造された。
実施例8 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−エトキシ
ヒドロキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン
(化合物番号22) 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ジエトキ
シホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン0.6gを濃塩
酸5mlに加え5時間加熱還流した。反応終了後、反応生
成物を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗、乾燥した。
溶媒を減圧下留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー(展開溶媒:ヘキサン−酢酸エチル=
1:2)に付し分画精製すると融点118〜121℃の目的化
合物0.5gが得られた。
実施例9 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)−5−
ジヒドロキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン
(化合物番号23) 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)−5−
ジエトキシホスホリルイソインドリン−1.3−ジオン0.6
gを47%臭化水素酸水溶液2mlに加え、40時間加熱
還流した。反応終了後、溶媒を留去し、得られた粗結晶
をヘキサンで洗浄すると融点93〜98℃の目的化合物
0.48gが得られた。
参考例1 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ブロモイ
ソインドリン−1.3−ジオン 4−ブロモフタル酸2.45g、2.6−ジイソプロピルアニ
リン1.77gおよびニトロベンゼン5mlの混合物を160〜2
70℃で2.5時間撹拌した。
放冷後、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
イー(展開溶媒:ヘキサン次いでヘキサン−酢酸エチル
=2:1)に付し分画精製すると融点178〜179℃の目的
化合物2.34gが得られた。
上記参考例1の方法に準じて次の代合物が製造された。
2−(2.6−ジエチルフエニル)−5−ブロモイソイン
ドリン−1.3−ジオン 融点122〜123℃ 2−(2−エチル−6−イソプロピルフエニル)−5−
ブロモイソインドリン−1.3−ジオン 融点143〜144℃ 2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)−5−
ブロモイソインドリン−1.3−ジオン 融点144〜145℃ 参考例2 2−(2.6−ジイソプロピルフエニル)−5−ニトロイ
ソインドリン−1.3−ジオン 4−ニトロフタル酸無水物2.18gをメチルイソブチルケ
トン30mlに溶解させた後、2.6−ジイソプロピルアニ
リン2.0gを加え4時間加熱還流した。反応終了後、溶
媒を減圧下留去し得られた粗結晶をエタノールより再結
晶して、融点168〜169℃の目的化合物3gを得た。
上記参考例2の方法に準じて次の代合物が製造された。
2−(2−エチル−6−sec−ブチルフエニル)−5−
ニトロイソインドリン−1.3−ジオン 融点173〜174℃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 A01N 57/22 8517−4H (72)発明者 中西 逸郎 滋賀県野洲郡野洲町野洲1041 三共株式会 社内 (72)発明者 近藤 泰彦 滋賀県野洲郡野洲町野洲1041 三共株式会 社内 (72)発明者 小笹 誠 滋賀県野洲郡野洲町野洲1041 三共株式会 社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】式 (式中、RまたはS(O)nRを示し、RおよびRは低級ア
    ルキル基を示す。Rは水素原子または低級アルキル基
    を示し、Rは水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、低
    級アルキル置換アミノ基、低級アルキル基またはアリー
    ル基を示し、nは0,2または3を示す)で表わされる
    化合物。
JP16376285A 1985-07-24 1985-07-24 イソインドリン−1,3−ジオン誘導体およびその製造法 Expired - Lifetime JPH0625106B2 (ja)

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