JPH06251320A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ギャップ膜のクラック発生を防止するととも
に、Ｃｒ膜の飛び出しによるスペーシングロスの発生を
抑制する。 【構成】 一対の磁気コア半体が非磁性酸化物膜１４と
非磁性金属膜１５を積層してなるギャップ膜１４，１５
を介して突き合わされ閉磁路を構成してなる磁気ヘッド
において、非磁性金属膜１５の膜厚が０．０１μｍ以
上，０．３μｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば業務用のビデオ
テープレコーダに搭載されるフライングイレーズヘッド
に適用して有用な磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気コア同士をガラス融着により
接合してなる磁気ヘッドにおいては、磁気ギャップを形
成するためにギャップ膜（ギャップスペーサ）としてＳ
ｉＯ₂膜が多く用いられている。ギャップ膜としてＳｉ
Ｏ₂ 膜を使用した場合、融着ガラスと反応したり気泡が
発生することから、当該ＳｉＯ₂ 膜上にＣｒ等の非磁性
金属膜を配した積層型のギャップ膜構造とすることが行
われている。

【０００３】このうち、Ｃｒの最適厚さは、従来明確に
は規定されておらず、経験的にギャップ長の数分の１と
されていた。数μｍのギャップ長においては、しばしば
１μｍを越す。一般に、金属膜はスパッター条件にもよ
るが、膜内応力が大きい。そして、膜内応力は、膜厚の
増加と共に増加する。また、膜厚の増加と共に膜の柱状
構造が発達する。このため、〜１μｍを越す厚みのＣｒ
膜を有する場合には、膜面に対し垂直にＣｒ膜からＳｉ
Ｏ₂ 膜にかけてクラックが発生しやすい。さらに、トラ
ック幅が広くなる程膜内応力が増加するため、ギャップ
膜中にクラックが発生しやすくなる。

【０００４】かかるクラックは、ヘッド製造工程である
ガラス溶着の際の熱処理により進行し、またクラック中
にガラスが侵入してギャップ異常を引き起こす。特に、
ギャップ近傍にセンダスト等の金属磁性膜が配されたメ
タル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドでは、クラック部
より侵入する融着ガラスによって金属磁性膜が侵食され
る等して電磁変換特性の劣化を来す。また、クラック部
に磁気記録媒体との摺接により発生する磁性粉等が入り
込んでノイズ等を発生させる他、Ｃｒ膜はセンダストや
ＳｉＯ₂ ，フェライトに比べて摩耗し難く、膜厚によっ
てはテープ走行中にＣｒ部分が突出し、テープに対する
当たり特性が劣化しスペーシングロスによりヘッドとし
ての特性が劣化する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、ギャップ
膜にクラックが発生すると、ヘッド製造上歩留りが低下
し、磁気ヘッドとしての信頼性が大幅に低下する。そこ
で本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもの
であり、ギャップ膜のクラック発生を防止し、Ｃｒ膜の
飛び出しによるスペーシングロスの発生を抑制して信頼
性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、一対の磁気コア半体が非磁性酸化物膜
と非磁性金属膜を積層してなるギャップ膜を介して突き
合わされ閉磁路を構成してなる磁気ヘッドにおいて、上
記非磁性金属膜の膜厚を０．０１μｍ以上，０．３μｍ
以下とし、非磁性酸化物膜をＴａＯ_x （１．０＜ｘ≦
２．５）によって構成する。

【０００７】

【作用】本発明においては、非磁性酸化物膜と非磁性金
属膜を積層してなるギャップ膜のうち、非磁性金属膜の
膜厚を０．０１μｍ以上，０．３μｍ以下と薄くしてい
るので、当該非磁性金属膜の膜内部応力が小さくなり、
しかも膜の柱状構造が発達しないことから、ギャップ膜
にクラックが発生しない。したがって、クラック部から
侵入する融着ガラスによる金属磁性膜の侵食や磁気記録
媒体との摺接による塵埃の侵入、摩耗によるスペーシン
グロスの発生が抑制される。

【０００８】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施
例は、業務用のビデオテープレコーダに搭載されるフラ
イングイレーズヘッドの例である。本実施例の磁気ヘッ
ドは、図１及び図２に示すように、一対の磁気コア半体
１，２が突き合わされ、その突合わせ面に消去用の磁気
ギャップｇを構成するようになっている。

【０００９】一方の磁気コア半体１は、例えばＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライトまたはＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の酸化
物磁性材料よりなる補助コア部３からなる。この補助コ
ア部３の突合わせ面には、コイルを巻装するための巻線
溝４が形成されている。かかる巻線溝４は、断面略コ字
状をなす溝としてコア厚方向に貫通して設けられ、その
傾斜面４ａによって磁気ギャップｇのデプスを規制する
ようになっている。

【００１０】また、この磁気コア半体１の突合わせ面に
は、これら磁気コア半体１，２の接合強度を確保するた
めのガラス溝５が形成されている。ガラス溝５は、巻線
溝４の下に断面略コ字状をなす溝としてやはりこの巻線
溝４と同様にコア厚方向に貫通して設けられている。な
お、上記巻線溝４と反対側の側面には、コイルの巻装状
態を良好なものとするための巻線補助溝６が形成されて
いる。

【００１１】一方、他方の磁気コア半体２は、やはりＭ
ｎ−Ｚｎ系フェライト又はＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の
酸化物磁性材料からなる補助コア部７と、この補助コア
部７の突合わせ面に被着形成される主コア部となる金属
磁性薄膜８とから構成されている。

【００１２】補助コア部７は、突合わせ面に磁気ギャッ
プｇのトラック幅Ｔｗを規制するためのトラック幅規制
溝９，１０を有している。このトラック幅規制溝９，１
０は、磁気ギャップｇの両端縁よりそれぞれ当該磁気ギ
ャップｇに対して所定の傾斜角度を持った傾斜面として
切り欠かれている。本実施例のヘッドでは、業務用の消
去ヘッドであることから、そのトラック幅Ｔｗが１００
μｍ以上とされている。また、この補助コア部７には、
上記トラック幅規制溝９，１０と反対側の側面であっ
て、上記巻線溝４と相対向する位置に断面略コ字状をな
す巻線補助溝１３が設けられている。

【００１３】上記金属磁性薄膜８は、上記補助コア部７
の突合わせ面に沿って磁気記録媒体と摺接する磁気記録
媒体摺動面１１からバック面１２に至るまで連続した膜
として被着形成されている。ここで使用される金属磁性
薄膜８には、高い飽和磁束密度を有し、かつ軟磁気特性
に優れた強磁性材料よりなる膜が使用される。かかる強
磁性材料としては従来から公知のものがいずれも使用で
き、結晶質、非結晶質を問わない。

【００１４】なお、本実施例では、金属磁性薄膜８とし
て膜厚５．０μｍのセンダストをスパッタリングしてな
る膜を用いた。

【００１５】そして、上記のようにして構成された一対
の磁気コア半体１，２は、他方の磁気コア半体２の金属
磁性薄膜８上に成膜されたギャップ膜１４，１５を突合
わせ、融着ガラス１６によって接合一体化されることに
より閉磁路を構成するようになっている。融着ガラス１
６は、巻線溝４及びガラス溝５内だけでなくトラック幅
規制溝９，１０内にも充填されている。トラック幅規制
溝９，１０内に充填される融着ガラス１６は、磁気記録
媒体に対する当たり特性を確保する役目をする。

【００１６】特に、本実施例では、消去用の磁気ヘッド
として使用されることから、磁気ギャップｇのギャップ
長（ギャップ膜１４，１５の総膜厚ｔ）が１μｍ以上と
され、しかもギャップ膜１４，１５が非磁性酸化物膜１
４と非磁性金属膜１５の積層膜構造とされている。非磁
性金属膜１５は、非磁性酸化物膜１４と融着ガラス１６
との反応防止又は気泡の発生を防止すべく、当該非磁性
酸化物膜１４と融着ガラス１６とが接触しないように配
されている。すなわち、金属磁性薄膜８の上に非磁性酸
化物膜１４と非磁性金属膜１５とがこの順に成膜され、
当該非磁性酸化物膜１４が上記非磁性金属膜１５によっ
て融着ガラス１６から保護されるようになっている。な
お、これら非磁性酸化物膜１４と非磁性金属膜１５と
は、いずれもスパッタリング等の真空薄膜形成技術によ
って成膜されている。

【００１７】上記非磁性酸化物膜１４と非磁性金属膜１
５には、ギャップ膜として機能することはもちろんのこ
と、トラック幅が大きくてもギャップ膜にクラックが発
生しないような膜が使用される。例えば、非磁性酸化物
膜１４にはＴａＯ_x （１．０＜ｘ≦２．５）よりなる膜
が使用され、非磁性金属膜１５にはＣｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，
Ｎｂ等よりなる膜が使用される。また、上記非磁性金属
膜１５としては、その膜厚が厚すぎると膜内部応力等の
影響で、膜面に対して垂直に非磁性金属膜１５から非磁
性酸化物膜１４にかけてクラックが発生するため、なる
べく薄い膜を使用する。例えば、その膜厚としては、
０．０１μｍ以上，０．３μｍ以下のものが好適であ
る。より好ましくは、その膜厚が０．０３μｍ以上，
０．１５μｍ以下である。

【００１８】なお、本実施例では、非磁性酸化物膜１４
として膜厚４．０μｍのＴａ₂ Ｏ₅よりなる膜を使用
し、非磁性金属膜１５として膜厚０．１μｍのＣｒより
なる膜を使用した。

【００１９】このように、ギャップ膜として膜厚の薄い
非磁性金属膜１５を用い、その下地としてＴａＯ_x より
なる非磁性酸化物膜１４を使用することにより、当該非
磁性金属膜１５の膜内部応力が低減し、且つ同膜の柱状
構造の発達が抑制されて、ギャップ膜にクラックが発生
するのが抑制される。したがって、クラック中に融着ガ
ラス１６が入り込むことによってギャップ異常をもたら
すことが回避でき、しかもクラック中から侵入した融着
ガラス１６によって金属磁性薄膜８が侵食される虞れも
無くなる。また、非磁性金属膜１５の膜厚が薄いことか
ら、磁気記録媒体摺動面１１の摩耗により該非磁性金属
膜１５が飛び抜けて突出することが無くなり、スペーシ
ングロスを抑えることができる。

【００２０】以上のように非磁性酸化物膜１４にＴａＯ
_x よりなる膜を使用するとともに、非磁性金属膜１５の
膜厚を規制することにより、ギャップ膜１４，１５のク
ラック発生を抑制することができることについては、以
下の実験結果に基づく。実験１ 非磁性酸化物膜１４にはＳｉＯ₂ とＴａＯ_x （１．０＜
ｘ≦２．５）よりなる膜を使用し、非磁性金属膜１５に
はＣｒよりなる膜を使用し、前述の如き図１及び図２の
磁気ヘッドを作製した。そして、Ｃｒ膜の厚みを変化さ
せたときのギャップ膜１４，１５中のクラック発生状況
を調べてみた。その結果を表１に示す。

【００２１】評価に際しては、ＳｉＯ₂ 膜とＴａＯ_x 膜
の膜厚を４．０μｍに固定し、金属磁性薄膜８には膜厚
５．０μｍのセンダストよりなる膜を使用した。サンプ
ル数は２０個とし、ギャップ膜１４，１５中に１本でも
クラックが入っていたヘッドチップの割合と、そのクラ
ックの度合いを評価した。Ｃｒ膜からクラックが入りＳ
ｉＯ₂ 膜内に達している場合を×、Ｃｒ膜内のみの場合
を△、ごくわずかの場合を○として評価した。また、そ
の評価に際しては、顕微鏡にて対物レンズ×１００，対
眼レンズ×１０にて観察した。なお、クラックは必ずＣ
ｒ膜から入ることが確認されており、クラック発生のな
い場合は○△×の評価は省略した。

【００２２】

【表１】

【００２３】表１の結果からわかるように、ＳｉＯ₂ 膜
及びＴａＯ_x 膜に拘わらず、Ｃｒ膜の膜厚を薄くする
と、ギャップ膜１４，１５中のクラック発生率が減少す
る。ＳｉＯ₂ 膜では、Ｃｒ膜の膜厚を０．０１μｍ以下
としなければクラックの発生を防止することができな
い。実際上、この程度に膜厚を薄くすることは、成膜す
る上で実用上困難である。一方、ＴａＯ_x 膜では、Ｓｉ
Ｏ₂ 膜に比べてクラックの発生する度合いが減少し、Ｃ
ｒ膜厚の許容幅が広がっていることがわかる。すなわ
ち、Ｃｒ膜とＴａＯ_x 膜との組合せの場合は、Ｃｒ膜と
ＳｉＯ₂ 膜との組合せに比べて、クラックの発生をより
広い範囲で防止することができる。この結果から、ギャ
ップ膜１４，１５のクラック発生を防止するためには、
Ｃｒ膜の膜厚を０．０１μｍ以上，０．３μｍ以下と
し、非磁性酸化物膜１４にはＴａＯ_x よりなる膜を使用
する必要がある。

【００２４】実験２ 実験２では、Ｃｒ膜の膜厚を０．２μｍに固定し、Ｓｉ
Ｏ₂ 膜の厚みを変化させたときのＣｒ膜のクラック発生
依存性を調べてみた。その結果を表２に示す。

【００２５】

【表２】

【００２６】表２の結果より、ＳｉＯ₂ 膜の膜厚を変え
てもギャップ膜１４，１５中のクラック発生状態は変わ
らず、クラック対策に有効なのはＣｒ膜の膜厚コントロ
ール及びＴａＯ_x 膜の使用であることが確認できる。

【００２７】実験３ 実験３では、ＴａＯ_x のｘの値を変化させ、そのときの
ギャップ膜１４，１５中のクラック発生状態を調べた。
その結果を表３に示す。評価に際しては、ＴａＯ_x 膜の
膜厚を４．０μｍ，Ｃｒ膜の膜厚を０．１μｍとなるよ
うにＡｒ１００％及びＡｒ＋Ｏ₂ の雰囲気中でスパッタ
リングし、磁気ヘッドを作製した。ｘの値は、表面分析
法の一つであるＥＳＣＡ法による状態分析によって推定
した。

【００２８】

【表３】

【００２９】表３からわかるように、クラックの発生に
ついては、ｘの依存性が無いことがわかる。つまり、Ｔ
ａＯ_x においては、シビアなスパッター条件コントロー
ルが不要で、実用上有利である。

【００３０】実験４ 実験４では、ＳｉＯ₂ 膜とＣｒ膜の組合せと、ＴａＯ_x
（１．０＜ｘ≦２．５）膜とＣｒ膜の組合せによって磁
気ヘッドを作製し、そのときのトラック幅Ｔｗを変化さ
せてギャップ膜１４，１５中のクラック発生を調べてみ
た。その結果を図３に示す。図３の縦軸にはギャップ膜
の総膜厚をｔ，Ｃｒ膜の膜厚をｍとしたときのこれらの
比ｋ＝ｍ／ｔを、横軸にはトラック幅Ｔｗをとった。

【００３１】図３からわかるように、非磁性酸化物膜１
４としてＳｉＯ₂ 膜を用いたものに比べＴａＯ_x 膜を使
用した場合には、クラック発生領域／発生なし領域の境
界線をより右上（図中矢印方向）に移動させることがで
きる。つまり、ＴａＯ_x 膜を使用することでクラック発
生なし領域をトラック幅Ｔｗがより大きい範囲にまで広
げる効果がある。特に、本実施例の消去ヘッドのよう
に、そのトラック幅Ｔｗが１００μｍ以上と大きなもの
に対しては、クラック発生防止の観点より非常に有利で
ある。

【００３２】このようにトラック幅Ｔｗが大きくなって
くると、クラック発生のないｋ＝ｍ／ｔの値は非常に小
さくなり、例えばトラック幅Ｔｗ＝１６５μｍのような
場合、ｋで表すことは適当でない。したがって、Ｃｒ膜
の膜厚の絶対値で表すのが適当であり、本実施例ではＣ
ｒ膜の膜厚を０．０１μｍ以上，０．３μｍ以下とし
た。

【００３３】また、本実施例では、非磁性金属膜１５の
膜厚の上限を０．３μｍと固定している。これは、クラ
ック発生の大きな要因である非磁性金属膜１５によって
生ずる応力に対し、膜厚よりもトラック幅Ｔｗの影響が
遥かに支配的であることを考慮したためである。これ
は、次のように説明できる。

【００３４】一般に、膜を付けたことにより生ずる応力
は、図４に示すように、一側面側に膜１７を被着形成し
てなる基板１８を支持部１９に片持ち梁状態に支持した
ときの該基板１８のそりδの大きさに比例する。これを
式で示すと（１）式となる。なお、（１）式中，σは膜
の歪み，Ｅｓは基板のヤング率，νは基板のポアソン
比，ｔ_f はＣｒ膜の膜厚，ｔ_s は基板の厚さ，ｌは基板
の長さ（トラック幅Ｔｗに相当）とする。

【００３５】

【数１】

【００３６】（１）式より、生じる応力∝δ∝ｌ² ・ｔ
_f 、ここでｌ（Ｔｗ）は２乗で効いており、その影響が
ｔ_f より支配的であることがわかる。

【００３７】実験５ 実験５では、磁気記録媒体摺動面が磁気記録媒体との摺
接により摩耗していったときのＣｒ膜の突出量について
調べた。その結果を表４に示す。評価に際しては、図５
に示すように、センダスト膜２０，２１が形成されたフ
ェライトコア２２，２３に、それぞれＣｒ膜２４，２５
とＳｉＯ₂ 膜２６，２７をギャップ膜として成膜してな
る一対の磁気コア半体同士を接合一体化してなる磁気ヘ
ッドを作製し、そのときのＣｒ膜の膜厚を変えた。な
お、センダスト膜２０，２１の膜厚を４．０μｍ，Ｓｉ
Ｏ₂ 膜２６，２７の膜厚を４．０μｍに固定した。そし
て、この磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面に磁気テープ
２８を摺接させ、Ｃｒ膜２４，２５の突出量ｄを測定し
た。なお、Ｃｒ膜２４，２５の突出量ｄは、図６に示す
ように、当該Ｃｒ膜２４，２５の先端とセンダスト膜２
０，２１の高低差とする。

【００３８】

【表４】

【００３９】表４からわかるように、Ｃｒ膜２４，２５
の膜厚を薄くするほど、Ｃｒ膜２４，２５の突出量ｄが
減少し、それにより特性不良（出力ダウン）も無くな
る。したがって、かかる結果より、Ｃｒ膜２４，２５の
膜厚を０．３μｍ以下とすることが望ましい。

【００４０】ところで、前述の図１及び図２に示す磁気
ヘッドを作製するには、以下の手順に従って作製する。
先ず、図７に示すように、平面矩形状をなす厚み１ｍｍ
のフェライト基板２９に磁気ギャップのトラック幅を規
制するためのトラック幅規制溝３０を、作製する磁気ヘ
ッドの数に応じて複数形成する。

【００４１】トラック幅規制溝３０は、図８に示すよう
に、断面略コ字状をなす溝として所定ピッチでフェライ
ト基板２９の一側面側からこれと対向する他側面側に亘
って連続した切削溝として平行に形成する。

【００４２】次に、トラック幅規制溝３０が形成された
主面に、図９に示すように、センダストをスパッタリン
グし金属磁性薄膜３１を形成する。次いで、この金属磁
性薄膜３１上にやはりスパッタリングによってＴａ₂ Ｏ
₅膜とＣｒ膜を順次成膜し、積層膜構造のギャップ膜３
２を形成する。そして、このフェライト基板２９を、図
１０に示すように、所定の大きさに切断し一方の磁気コ
ア半体ブロック３３を形成する。

【００４３】次に、図１１に示すように、この磁気コア
半体ブロック３３と接合一体化するためのフェライト単
体よりなる磁気コア半体ブロック３４を作製する。この
磁気コア半体ブロック３４には、コイルを巻装するため
の巻線溝３５とガラス溝３６を形成する。次に、これら
磁気コア半体ブロック３３，３４同士を、図１２に示す
ように突合わせ、巻線溝３５とガラス溝３６に低融点鉛
ガラス３７を配置して〜６００℃でガラスを溶融し接合
する。

【００４４】次に、接合一体化された磁気ヘッドに対し
て、磁気記録媒体摺動面となる部分を円筒研磨して円弧
状となした後、巻線補助を形成し、所定の大きさとなる
ようにチップ切断することによって、前述した図１及び
図２に示す磁気ヘッドが作製される。

【００４５】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例では、一方の磁気コア半体２のみに金属磁性薄膜８が
形成されたメタルインギャップ型の磁気ヘッドに本発明
を適用したが、両方の磁気コア半体１，２に金属磁性薄
膜８が形成された磁気ヘッド、または金属磁性薄膜８を
持たない酸化物磁性材料のみから構成される磁気ヘッド
にも適用でき、その作用効果は同様である。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、非磁性酸化物膜と非磁性金
属膜を積層してなるギャップ膜のうち、非磁性金属膜の
膜厚を規定するとともに、非磁性酸化物膜にＴａＯ_x を
用いているので、ギャップ膜のクラック発生を確実に防
止することができる。したがって、クラック部から侵入
する融着ガラスによる金属磁性膜の侵食や磁気記録媒体
との摺接による塵埃のクラック部への侵入等が防止でき
る。また、非磁性金属膜の膜厚を薄く規定していること
から、摺動面の偏摩耗によって生ずる非磁性金属膜の飛
び出し量が抑えられ、これによりスペーシングロスの低
減が図れると同時に、ヘッド寿命を大幅に延ばすことが
できる。

【００４７】また、本発明の磁気ヘッドによれば、非磁
性金属膜の下地膜としてＴａＯ_x 膜を使用しているの
で、トラック幅を大きくした場合でもギャップ膜にクラ
ックが発生することが大幅に抑制される。したがって、
消去ヘッドのようにトラック幅が大きい磁気ヘッドに対
してはその効果は絶大である。このように、本発明によ
れば、ヘッドの製造歩留りが向上するばかりか、クラッ
クの発生の無い信頼性に優れた磁気ヘッドを提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。

【図２】図１の磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面部分を
拡大して示す要部拡大平面図である。

【図３】ギャップ膜の総膜厚ｔと非磁性金属膜の膜厚ｍ
との比ｋ＝ｍ／ｔに対するギャップ膜中のクラック発生
率のトラック幅依存性を示す特性図である。

【図４】クラック発生の原因が非磁性金属膜の膜厚より
もトラック幅の影響が支配することを説明するための図
である。

【図５】磁気記録媒体摺動面に磁気記録媒体が摺接する
様子を示す要部拡大断面図である。

【図６】摩耗によって非磁性金属膜が突出した様子を示
す磁気記録媒体摺動面部分の要部拡大断面図である。

【図７】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図であ
る。

【図８】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、トラック幅規制溝形成工程を示す要部拡大正面
図である。

【図９】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示す
もので、金属磁性薄膜及びギャップ膜成膜工程を示す要
部拡大正面図である。

【図１０】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、磁気コア半体ブロック作製工程を示す斜視図
である。

【図１１】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、巻線溝及びガラス溝が形成された磁気コア半
体ブロック作製工程を示す斜視図である。

【図１２】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、磁気コア半体ブロックの接合工程を示す斜視
図である。

【図１３】本発明の磁気ヘッドを製造する工程を順次示
すもので、磁気コア半体ブロックに円筒研磨を施す工程
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１，２・・・磁気コア半体 ３，７・・・補助コア部 ４・・・巻線溝 ５・・・ガラス溝 ８・・・金属磁性薄膜 ９，１０・・・トラック幅規制溝 １１・・・磁気記録媒体摺動面 １４・・・非磁性酸化物膜 １５・・・非磁性金属膜 １６・・・融着ガラス

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の磁気コア半体が非磁性酸化物膜と
   非磁性金属膜を積層してなるギャップ膜を介して突き合
   わされ閉磁路を構成してなる磁気ヘッドにおいて、 上記非磁性金属膜の膜厚が０．０１μｍ以上，０．３μ
   ｍ以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 非磁性酸化物膜がＴａＯ_x （１．０＜ｘ
   ≦２．５）からなることを特徴とする請求項１記載の磁
   気ヘッド。