JPH0625785A - 鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金 - Google Patents
鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金Info
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- JPH0625785A JPH0625785A JP20014192A JP20014192A JPH0625785A JP H0625785 A JPH0625785 A JP H0625785A JP 20014192 A JP20014192 A JP 20014192A JP 20014192 A JP20014192 A JP 20014192A JP H0625785 A JPH0625785 A JP H0625785A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気的または光学的用途に供される表面粗度
の頗る小さい鏡面加工用に適したAl-Mg 合金を提供す
る。 【構成】 Mgを３〜６wt％含有し、不純物としてFeが0.
０３５wt％未満、Siが0.０３５wt％未満で且つTi＋Ｖと
Ｂが図１に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇの範囲内で
あり、残部がAlおよび不可避的不純物である。
の頗る小さい鏡面加工用に適したAl-Mg 合金を提供す
る。 【構成】 Mgを３〜６wt％含有し、不純物としてFeが0.
０３５wt％未満、Siが0.０３５wt％未満で且つTi＋Ｖと
Ｂが図１に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇの範囲内で
あり、残部がAlおよび不可避的不純物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は鏡面加工用Al−Mg合金に
係り、磁気的または光学的用途に供される表面粗度の頗
る小さい鏡面加工用に適したAl−Mg合金を提供しようと
するものである。
係り、磁気的または光学的用途に供される表面粗度の頗
る小さい鏡面加工用に適したAl−Mg合金を提供しようと
するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク基盤、ポリゴンミラー、コ
ピードラムなどの用途に用いられるアルミニウム素材
は、その機能面を表面粗度がRa（中心線平均粗さ）で５
nm程度以下になるように鏡面加工し仕上げられることが
必要である。斯かる鏡面加工仕上げ方法としてはダイア
モンドバイトを用いた研削仕上げ法、微細な砥粒を用い
た研磨仕上げ法が一般的に用いられている。
ピードラムなどの用途に用いられるアルミニウム素材
は、その機能面を表面粗度がRa（中心線平均粗さ）で５
nm程度以下になるように鏡面加工し仕上げられることが
必要である。斯かる鏡面加工仕上げ方法としてはダイア
モンドバイトを用いた研削仕上げ法、微細な砥粒を用い
た研磨仕上げ法が一般的に用いられている。
【０００３】上記したような鏡面加工仕上げ法のうちダ
イアモンドバイトによる研削方法の場合には素材に異物
が存在するとスクラッチが発生し、不良の原因となって
いる。また砥粒研磨の場合にも素材中の異物が突起やピ
ットを生ぜしめ不良の原因となっている。
イアモンドバイトによる研削方法の場合には素材に異物
が存在するとスクラッチが発生し、不良の原因となって
いる。また砥粒研磨の場合にも素材中の異物が突起やピ
ットを生ぜしめ不良の原因となっている。
【０００４】そこで、このようなスクラッチ、突起、ピ
ットなどの不良原因を解消するため素材中に存在する晶
出物に注目し、晶出物を微細化して少くするように高純
度地金を使用することが特公昭５６−３９６９９などに
提案され、また凝固時の冷却速度を高めて晶出物を微細
化する方法が特公昭６０−１４０などに発表されてい
る。
ットなどの不良原因を解消するため素材中に存在する晶
出物に注目し、晶出物を微細化して少くするように高純
度地金を使用することが特公昭５６−３９６９９などに
提案され、また凝固時の冷却速度を高めて晶出物を微細
化する方法が特公昭６０−１４０などに発表されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの従来
提案されている方法によっても、実際の操業においてス
クラッチ、突起、ピット等の不良を完全になくするよう
なことはできないことは一般的に知られている如くであ
り、なおこれらの不良をなくするために酸化物（特にア
ルミナ）を減少せしめるようなことも考えられるが、こ
のような方法によってもヘッドのクラッシュや記録エラ
ーなどを完全に防止することができない。
提案されている方法によっても、実際の操業においてス
クラッチ、突起、ピット等の不良を完全になくするよう
なことはできないことは一般的に知られている如くであ
り、なおこれらの不良をなくするために酸化物（特にア
ルミナ）を減少せしめるようなことも考えられるが、こ
のような方法によってもヘッドのクラッシュや記録エラ
ーなどを完全に防止することができない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記したような
従来のものにおける技術的課題を解消することについて
検討を重ねた結果、TiおよびＶの何れか一方または双方
と、Ｂの含有量を特定の状態に制御することにより前述
したような不良を完全状態に解消することに成功したも
のであって、以下の如くである。
従来のものにおける技術的課題を解消することについて
検討を重ねた結果、TiおよびＶの何れか一方または双方
と、Ｂの含有量を特定の状態に制御することにより前述
したような不良を完全状態に解消することに成功したも
のであって、以下の如くである。
【０００７】（１） Mgを３〜６wt％含有し、不純物と
してFeが0.０３５wt％未満、Siが0.０３５wt％未満で且
つTi＋ＶとＢが図１に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ
の範囲内であり、残部がAlおよび不可避的不純物である
ことを特徴とした鏡面加工用Al−Mg合金。
してFeが0.０３５wt％未満、Siが0.０３５wt％未満で且
つTi＋ＶとＢが図１に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ
の範囲内であり、残部がAlおよび不可避的不純物である
ことを特徴とした鏡面加工用Al−Mg合金。
【０００８】（２） Ｂが５ ppm未満であることを特徴
とした前記（１）項に記載の鏡面加工用Al−Mg合金。
とした前記（１）項に記載の鏡面加工用Al−Mg合金。
【０００９】（３） 更にCuを0.０２〜0.１wt％、Znを
0.０２〜0.５wt％、Crを0.０２〜0.１５wt％の何れか１
種または２種以上を含有する前記（１）項または（２）
項に記載の鏡面加工用Al−Mg合金。
0.０２〜0.５wt％、Crを0.０２〜0.１５wt％の何れか１
種または２種以上を含有する前記（１）項または（２）
項に記載の鏡面加工用Al−Mg合金。
【００１０】
【作用】Mg：３〜６wt％。Mgは、前記したような磁気デ
ィスク基盤などの素材に必要な強度を附与するために不
可欠の元素であって、３wt％未満ではこのような作用を
適切に得ることができない。しかし、このMgが多すぎる
と溶解鋳造過程においてMgの酸化が著しくなり、MgO や
スピネルの介在物が生成して非金属介在物による欠陥の
発生が多くなり、また熱間圧延性が好ましくなくなるこ
とからその上限を６wt％に止めるべきである。
ィスク基盤などの素材に必要な強度を附与するために不
可欠の元素であって、３wt％未満ではこのような作用を
適切に得ることができない。しかし、このMgが多すぎる
と溶解鋳造過程においてMgの酸化が著しくなり、MgO や
スピネルの介在物が生成して非金属介在物による欠陥の
発生が多くなり、また熱間圧延性が好ましくなくなるこ
とからその上限を６wt％に止めるべきである。
【００１１】Fe：0.０３５wt％未満。Feは、Alへの固溶
量が小さく、５０ ppmが限度とされ、これを超えるとFe
は、Al−Fe系晶出物（Siを含有する場合はAl−Fe−Si系
晶出物）を生成し、その量の増大とともに晶出物の形状
が大きくなる。即ち0.０３５wt％以上となるとこの晶出
物に起因する欠陥が発生することとなるので0.０３５wt
％未満とすべきである。
量が小さく、５０ ppmが限度とされ、これを超えるとFe
は、Al−Fe系晶出物（Siを含有する場合はAl−Fe−Si系
晶出物）を生成し、その量の増大とともに晶出物の形状
が大きくなる。即ち0.０３５wt％以上となるとこの晶出
物に起因する欠陥が発生することとなるので0.０３５wt
％未満とすべきである。
【００１２】Si：0.０３５wt％未満。Siは、Feが共存す
ることによりAl−Fe−Si系の晶出物を生成し、該晶出物
に起因した欠陥が発生する。またこのSi量増大によりMg
−Si系晶出物も生成し易くなりピット欠陥を発生する。
これらの欠陥を避けるためには0.０３５wt％未満とする
ことが必要である。
ることによりAl−Fe−Si系の晶出物を生成し、該晶出物
に起因した欠陥が発生する。またこのSi量増大によりMg
−Si系晶出物も生成し易くなりピット欠陥を発生する。
これらの欠陥を避けるためには0.０３５wt％未満とする
ことが必要である。
【００１３】（Ti＋Ｖ）、Ｂ：図１の（Ａ）〜（Ｆ）の
範囲。前記したようなスクラッチやピットの原因物質と
して、AlB2、TiB2、TiVB2 、VB2 のようなＢ系金属間化
合物が認められ、これらのＢ系金属間化合物は素地に比
し硬いためにスクラッチやピットを発生することが確認
された。
範囲。前記したようなスクラッチやピットの原因物質と
して、AlB2、TiB2、TiVB2 、VB2 のようなＢ系金属間化
合物が認められ、これらのＢ系金属間化合物は素地に比
し硬いためにスクラッチやピットを発生することが確認
された。
【００１４】そこで、このようなＢ系金属間化合物の生
成に関与する（Ti＋Ｖ）とＢとの相対的な関係につい
て、Mgが３〜６％で、Feが0.０３５wt％未満、Siも0.０
３５wt％未満のMg系アルミニウム合金に関し多くの試料
を調整し、スクラッチやピット発生の有無を検討した結
果を要約して示すと、図１の如くである。
成に関与する（Ti＋Ｖ）とＢとの相対的な関係につい
て、Mgが３〜６％で、Feが0.０３５wt％未満、Siも0.０
３５wt％未満のMg系アルミニウム合金に関し多くの試料
を調整し、スクラッチやピット発生の有無を検討した結
果を要約して示すと、図１の如くである。
【００１５】即ち一般的には（Ti＋Ｖ）量およびＢ量が
多いこと、特にＢ量が大となることによって上述したよ
うな金属間化合物が発生するものと言えるが、具体的に
は（Ti＋Ｖ）が２ ppm以下、特に１ ppm以下の場合にお
いてはＢ量が相当に高くなっても該金属間化合物が発生
しないものであり、またＢが２ ppm以下、特に0.７ ppm
以下のような低い値の場合には（Ti＋Ｖ）の濃度が相当
に高くても前記金属間化合物の発生が殆んど認められな
い状態を形成する。
多いこと、特にＢ量が大となることによって上述したよ
うな金属間化合物が発生するものと言えるが、具体的に
は（Ti＋Ｖ）が２ ppm以下、特に１ ppm以下の場合にお
いてはＢ量が相当に高くなっても該金属間化合物が発生
しないものであり、またＢが２ ppm以下、特に0.７ ppm
以下のような低い値の場合には（Ti＋Ｖ）の濃度が相当
に高くても前記金属間化合物の発生が殆んど認められな
い状態を形成する。
【００１６】特にＢが0.７ ppm以下のように低い条件の
場合においては（Ti＋Ｖ）が１０ ppmを超え、５０ ppm
以上であっても前記金属間化合物が皆無状態であって、
（Ti＋Ｖ）が２０００ ppmに近いような非常に高い条件
においてもスクラッチ、ピットなどの発生しない鏡面加
工用アルミニウム合金を得ることが可能であって、斯う
した結果を要約しＢ系金属間化合物の発生が認められる
領域と認められない領域とを区分して示すならば前記図
１における線（Ａ）−（Ｂ）−（Ｃ）−（Ｄ）−（Ｅ）
−（Ｆ）のような境界線を求めることができた。
場合においては（Ti＋Ｖ）が１０ ppmを超え、５０ ppm
以上であっても前記金属間化合物が皆無状態であって、
（Ti＋Ｖ）が２０００ ppmに近いような非常に高い条件
においてもスクラッチ、ピットなどの発生しない鏡面加
工用アルミニウム合金を得ることが可能であって、斯う
した結果を要約しＢ系金属間化合物の発生が認められる
領域と認められない領域とを区分して示すならば前記図
１における線（Ａ）−（Ｂ）−（Ｃ）−（Ｄ）−（Ｅ）
−（Ｆ）のような境界線を求めることができた。
【００１７】即ち図１のように（Ti＋Ｖ）が２ ppm以上
の場合においてはＢは２ ppm以下で前記のような金属間
化合物の生成を有効に防止でき、Ｂ含有量が図１のＣ−
Ｄ線を超えると、大きなTi(V)B2 の生成が始まり、スク
ラッチやピンホールの原因となる。
の場合においてはＢは２ ppm以下で前記のような金属間
化合物の生成を有効に防止でき、Ｂ含有量が図１のＣ−
Ｄ線を超えると、大きなTi(V)B2 の生成が始まり、スク
ラッチやピンホールの原因となる。
【００１８】また、（Ti＋Ｖ）が１ ppm以下の低い値で
あっても、Ｂが１０ ppmを超えるならば、AlB2の生成が
始まり、AlB2によるスクラッチの原因となるので、（Ti
＋Ｖ）が１ ppm以下のような条件下においてもＢについ
ては１０ ppmを超えないようにすることが必要である。
特にＢを５ ppm以下とすることにより好ましい製品が得
られる。
あっても、Ｂが１０ ppmを超えるならば、AlB2の生成が
始まり、AlB2によるスクラッチの原因となるので、（Ti
＋Ｖ）が１ ppm以下のような条件下においてもＢについ
ては１０ ppmを超えないようにすることが必要である。
特にＢを５ ppm以下とすることにより好ましい製品が得
られる。
【００１９】更に（Ti＋Ｖ）は２ ppm以下とすることに
よりＢの添加量をそれなりに高めることができ、特に１
ppm以下とするならばＢの添加量を５〜１０ ppmのよう
に高め得る。
よりＢの添加量をそれなりに高めることができ、特に１
ppm以下とするならばＢの添加量を５〜１０ ppmのよう
に高め得る。
【００２０】何れにしても図１において点（Ａ）−
（Ｆ）を超えた図表上部の領域は大きな（Ti、V)B2の生
成が認められる部分であって、それによってスクラッチ
の発生原因となる。Ｂが１０ ppmを超えるような条件下
の場合にはAlB2が生成してやはりスクラッチの発生を避
け得ないこととなる。
（Ｆ）を超えた図表上部の領域は大きな（Ti、V)B2の生
成が認められる部分であって、それによってスクラッチ
の発生原因となる。Ｂが１０ ppmを超えるような条件下
の場合にはAlB2が生成してやはりスクラッチの発生を避
け得ないこととなる。
【００２１】Cu：0.０２〜0.１wt％、Zn：0.０２〜0.５
wt％、Cr：0.０２〜0.１５wt％。Cu、Zn、Crは、鏡面加
工後にNiP メッキする場合、特に前処理のZnメッキ層の
密着性を向上させ平滑に仕上がるる作用を有し、下限値
未満ではその効果が乏しく、一方上限値を超えるとCuで
はAl−Mg−Cu系の析出物が結晶粒界に多数析出し、メッ
キ前処理時の表面粗度が大きく、不均一となり、Znでは
メッキ前処理時による表面粗度が大きく、また不均一と
なり、CrではAl−Cr系の非常に硬い巨大な金属間化合物
が晶出し、スクラッチの原因となる。
wt％、Cr：0.０２〜0.１５wt％。Cu、Zn、Crは、鏡面加
工後にNiP メッキする場合、特に前処理のZnメッキ層の
密着性を向上させ平滑に仕上がるる作用を有し、下限値
未満ではその効果が乏しく、一方上限値を超えるとCuで
はAl−Mg−Cu系の析出物が結晶粒界に多数析出し、メッ
キ前処理時の表面粗度が大きく、不均一となり、Znでは
メッキ前処理時による表面粗度が大きく、また不均一と
なり、CrではAl−Cr系の非常に硬い巨大な金属間化合物
が晶出し、スクラッチの原因となる。
【００２２】
【実施例】上記したような本発明の実施態様について先
ず説明すると、本発明は前述したようにＢ系金属間化合
物が素地に比し硬いためスクラッチやピットを発生して
いたことを知見し、斯かるＢ系金属間化合物の発生を制
御するもので、このＢ系金属間化合物の生成原因として
は以下の如くである。 Al地金中に元々含まれてる、 溶解炉、樋、溶湯濾過装置、溶湯脱ガス装置の構成
物質中の硼化物がAl溶湯と接触して還元反応し溶湯中に
溶出して溶湯中にTi、Ｖが無い場合にはAlB2として金属
間化合物を生成し、Ti、Ｖが存在する場合にはTiとＶの
存在割合に応じてTiB2、（Ti・V)B2、VB2 を生成する。
ず説明すると、本発明は前述したようにＢ系金属間化合
物が素地に比し硬いためスクラッチやピットを発生して
いたことを知見し、斯かるＢ系金属間化合物の発生を制
御するもので、このＢ系金属間化合物の生成原因として
は以下の如くである。 Al地金中に元々含まれてる、 溶解炉、樋、溶湯濾過装置、溶湯脱ガス装置の構成
物質中の硼化物がAl溶湯と接触して還元反応し溶湯中に
溶出して溶湯中にTi、Ｖが無い場合にはAlB2として金属
間化合物を生成し、Ti、Ｖが存在する場合にはTiとＶの
存在割合に応じてTiB2、（Ti・V)B2、VB2 を生成する。
【００２３】そこで、このＢ系の金属間化合物のない鏡
面加工仕上げ用のAl基合金を製造するため、本発明では
一般的に溶解炉の耐火材と目地材ならびに溶湯輸送経路
の耐火材と目地材と離型材ならびに溶湯濾過装置と回転
ノズル式連続溶湯脱ガス装置のような構成材の材料成分
については硼化物の組成が0.１％以下とした材料からな
っている溶解鋳造装置を用いてＢ系金属間化合物の生成
を防止するとともに溶湯濾過装置で元地金中に存在して
いたＢ系金属間化合物を捕捉する。
面加工仕上げ用のAl基合金を製造するため、本発明では
一般的に溶解炉の耐火材と目地材ならびに溶湯輸送経路
の耐火材と目地材と離型材ならびに溶湯濾過装置と回転
ノズル式連続溶湯脱ガス装置のような構成材の材料成分
については硼化物の組成が0.１％以下とした材料からな
っている溶解鋳造装置を用いてＢ系金属間化合物の生成
を防止するとともに溶湯濾過装置で元地金中に存在して
いたＢ系金属間化合物を捕捉する。
【００２４】即ち溶解炉や樋の耐火材、目地材、および
連続脱ガス装置や溶湯濾過装置の耐火材、鏡板、フィル
ター材等には不純物として、また、バインダーとして硼
素酸化物を主体とした硼化物が含まれる。これらの硼化
物がAlと反応して溶出し、溶湯中でAlおよびTi、Ｖと結
合してAlB2、TiB2、（Ti・V)B2、VB2 を形成する。上記
の材料の硼化物濃度が高くなるとAlB2、TiB2、（Ti・V)
B2粒子の生成量が増すとともにサイズが大きくなって、
ＤＴ（ダイヤモンド研削）仕上げ時のスクラッチ欠陥、
研磨仕上げ時のピンホール、突起等の表面欠陥の原因に
なるので0.１％未満に抑えるものである。
連続脱ガス装置や溶湯濾過装置の耐火材、鏡板、フィル
ター材等には不純物として、また、バインダーとして硼
素酸化物を主体とした硼化物が含まれる。これらの硼化
物がAlと反応して溶出し、溶湯中でAlおよびTi、Ｖと結
合してAlB2、TiB2、（Ti・V)B2、VB2 を形成する。上記
の材料の硼化物濃度が高くなるとAlB2、TiB2、（Ti・V)
B2粒子の生成量が増すとともにサイズが大きくなって、
ＤＴ（ダイヤモンド研削）仕上げ時のスクラッチ欠陥、
研磨仕上げ時のピンホール、突起等の表面欠陥の原因に
なるので0.１％未満に抑えるものである。
【００２５】また、鋳造すべき溶湯中に酸化物介在物、
酸化皮膜、AlB2、TiB2、（Ti・V)B2粒子が含まれている
ため、ポーラスチューブフィルター、または、ベッドフ
ィルターでそれらの欠陥原因物質を濾過することが必要
である。このような濾過に用いられるポーラスチューブ
フィルターの場合、濾過層の厚みが２０mm程度と薄く濾
過が表面で行われるため濾過のフィルターの平均気孔径
よりも濾過の速度が重要となる。上記の欠陥原因物質を
欠陥の発生が起らないまで捕捉するためにはフィルター
の平均気孔径が３５０μm 以下であれば充分で、１５０
μm 以下とするとフィルターを濡らすことが困難となる
と同時にフィルターの寿命が短くなってコスト的に合わ
なくなる。溶湯の濾過速度は５ｇ／cm2 ／min 以上の条
件で濾過すると捕捉物質の流出が生ずるので５ｇ／cm2
／min 以下とする。
酸化皮膜、AlB2、TiB2、（Ti・V)B2粒子が含まれている
ため、ポーラスチューブフィルター、または、ベッドフ
ィルターでそれらの欠陥原因物質を濾過することが必要
である。このような濾過に用いられるポーラスチューブ
フィルターの場合、濾過層の厚みが２０mm程度と薄く濾
過が表面で行われるため濾過のフィルターの平均気孔径
よりも濾過の速度が重要となる。上記の欠陥原因物質を
欠陥の発生が起らないまで捕捉するためにはフィルター
の平均気孔径が３５０μm 以下であれば充分で、１５０
μm 以下とするとフィルターを濡らすことが困難となる
と同時にフィルターの寿命が短くなってコスト的に合わ
なくなる。溶湯の濾過速度は５ｇ／cm2 ／min 以上の条
件で濾過すると捕捉物質の流出が生ずるので５ｇ／cm2
／min 以下とする。
【００２６】さらに、セラミック粒子のベッドフィルタ
ーの場合、フィルターベッド層を２００mm以上に厚くで
きるためポーラスチューブフィルターに比べ濾過速度を
速くできる。ベッド層の構成はセラミック粒子の固定保
持、整流効果を得るためにサイズが異なる少なくとも３
層とする必要がある。そのうち最も細かなスクラッチ原
因物質を捕捉するための粒子層は粒子の保持のため中間
部に位置することが必要である。その粒子サイズは５mm
以下であれば充分で、２mm以下とすると粒子の固定保持
が不十分となって粒子が動いてしまい捕捉粒子の流出が
生ずるので２mmまでとする。その厚みは欠陥原因物質を
捕捉するために３０mmあれば充分で、１５０mm以上では
固定保持が不十分となって粒子が動いてしまい捕捉物質
が流出するので１５０mmまでとする。全体のベッド層の
厚みは２００mmあれば欠陥原因物質の捕捉には充分であ
り、４００mm以上とすると濾過装置が大きくなって経済
的に不利となる。溶湯の濾過速度は欠陥原因物質を捕捉
するために遅くする必要があるが２０ｇ／cm2 ／min 以
下であれば充分である。
ーの場合、フィルターベッド層を２００mm以上に厚くで
きるためポーラスチューブフィルターに比べ濾過速度を
速くできる。ベッド層の構成はセラミック粒子の固定保
持、整流効果を得るためにサイズが異なる少なくとも３
層とする必要がある。そのうち最も細かなスクラッチ原
因物質を捕捉するための粒子層は粒子の保持のため中間
部に位置することが必要である。その粒子サイズは５mm
以下であれば充分で、２mm以下とすると粒子の固定保持
が不十分となって粒子が動いてしまい捕捉粒子の流出が
生ずるので２mmまでとする。その厚みは欠陥原因物質を
捕捉するために３０mmあれば充分で、１５０mm以上では
固定保持が不十分となって粒子が動いてしまい捕捉物質
が流出するので１５０mmまでとする。全体のベッド層の
厚みは２００mmあれば欠陥原因物質の捕捉には充分であ
り、４００mm以上とすると濾過装置が大きくなって経済
的に不利となる。溶湯の濾過速度は欠陥原因物質を捕捉
するために遅くする必要があるが２０ｇ／cm2 ／min 以
下であれば充分である。
【００２７】本発明によるものの具体的な製造例および
その比較例について説明すると、次の表１の如くであ
る。
その比較例について説明すると、次の表１の如くであ
る。
【００２８】なお試料の調整は次の方法によった。即ち
水冷式半連続鋳造法で鋳塊（４０６×１１１０mm）を
得、得られた鋳塊は表面を面削した後、均質化加熱を行
い、熱間圧延と冷間圧延で２mm厚みの板にした。この板
を打ち抜いてブランクディスクを作製した。ブランクデ
ィスクはダイヤモンド研削で鏡面に加工仕上げしてスク
ラッチ欠陥の検査を行った。また表面欠陥検査は荒研削
の後、ポリッシュによる鏡面加工仕上げを行い、光干渉
式平面検査器で表面のピンホールや突起異物の検査を行
った。
水冷式半連続鋳造法で鋳塊（４０６×１１１０mm）を
得、得られた鋳塊は表面を面削した後、均質化加熱を行
い、熱間圧延と冷間圧延で２mm厚みの板にした。この板
を打ち抜いてブランクディスクを作製した。ブランクデ
ィスクはダイヤモンド研削で鏡面に加工仕上げしてスク
ラッチ欠陥の検査を行った。また表面欠陥検査は荒研削
の後、ポリッシュによる鏡面加工仕上げを行い、光干渉
式平面検査器で表面のピンホールや突起異物の検査を行
った。
【００２９】
【表１】
【００３０】なお前記した表１のものの濾過条件を要約
して示すと次の表２の如くである。
して示すと次の表２の如くである。
【００３１】
【表２】
【００３２】即ち本発明によるものは何れもスクラッチ
がなく、またポリッシュ仕上げして表面欠陥のないもの
として得られているのに対し、比較例によるものはスク
ラッチの発生が殆んどあり、またポリッシュ仕上げの表
面欠陥が認められ、スクラッチの発生がない比較例Ｊの
ものはポリッシュ仕上の表面欠陥は４３個／面と非常に
高いものであった。
がなく、またポリッシュ仕上げして表面欠陥のないもの
として得られているのに対し、比較例によるものはスク
ラッチの発生が殆んどあり、またポリッシュ仕上げの表
面欠陥が認められ、スクラッチの発生がない比較例Ｊの
ものはポリッシュ仕上の表面欠陥は４３個／面と非常に
高いものであった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したような本発明によるときは
鏡面仕上げしてスクラッチやピットまたは突起その他の
欠陥のない適切な製品を確実に得しめることができ、そ
れによって近時における高度化した磁気的、光学的部材
として好ましい特性をもった各種部体を的確に提供し
得、しかも、不純物又は有意元素としてTi、Ｖが含有さ
れ、（Ti＋Ｖ）濃度が高いような合金でも、上述のよう
に利用可能となることは技術的、経済的に有利であるか
ら工業的にその効果の大きい発明である。
鏡面仕上げしてスクラッチやピットまたは突起その他の
欠陥のない適切な製品を確実に得しめることができ、そ
れによって近時における高度化した磁気的、光学的部材
として好ましい特性をもった各種部体を的確に提供し
得、しかも、不純物又は有意元素としてTi、Ｖが含有さ
れ、（Ti＋Ｖ）濃度が高いような合金でも、上述のよう
に利用可能となることは技術的、経済的に有利であるか
ら工業的にその効果の大きい発明である。
【図１】本発明によるAl−Mg合金についての（Ti＋Ｖ）
濃度とＢ濃度との関係でスクラッチなしの範囲を要約し
て示した図表である。
濃度とＢ濃度との関係でスクラッチなしの範囲を要約し
て示した図表である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 安夫 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 株式会社日軽技研内 (72)発明者 江上 泰 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 株式会社日軽技研内 (72)発明者 望月 省吾 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 株式会社日軽技研内 (72)発明者 佐藤 京司 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 株式会社日軽技研内 (72)発明者 橋本 義介 静岡県庵原郡蒲原町蒲原161番地 日本軽 金属株式会社蒲原製造所内
Claims (3)
- 【請求項１】 Mgを３〜６wt％含有し、不純物としてFe
が0.０３５wt％未満、Siが0.０３５wt％未満で且つTi＋
ＶとＢが図１に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇの範囲
内であり、残部がAlおよび不可避的不純物であることを
特徴とした鏡面加工用Al−Mg合金。 - 【請求項２】 Ｂが５ ppm未満であることを特徴とした
請求項１に記載の鏡面加工用Al−Mg合金。 - 【請求項３】 更にCuを0.０２〜0.１wt％、Znを0.０２
〜0.５wt％、Crを0.０２〜0.１５wt％の何れか１種また
は２種以上を含有する請求項１または２に記載の鏡面加
工用Al−Mg合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20014192A JPH0625785A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20014192A JPH0625785A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625785A true JPH0625785A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16419474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20014192A Pending JPH0625785A (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 鏡面加工用Ａｌ−Ｍｇ合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047138A1 (ja) * | 2014-09-27 | 2016-03-31 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法、ならびに、磁気ディスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033333A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-20 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
| JPS61246340A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Sky Alum Co Ltd | 磁気デイスク用アルミニウム合金 |
| JPS62133038A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-16 | Showa Alum Corp | 鏡面切削性に優れたアルミニウム合金 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP20014192A patent/JPH0625785A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033333A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-20 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Ａｌ合金 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047138A1 (ja) * | 2014-09-27 | 2016-03-31 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板用アルミニウム合金板及びその製造方法、ならびに、磁気ディスクの製造方法 |
| US9613648B2 (en) | 2014-09-27 | 2017-04-04 | Uacj Corporation | Aluminum alloy plate for magnetic disc substrate, method for manufacturing same, and method for manufacturing magnetic disc |
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