JPH0545659B2 - - Google Patents
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- JPH0545659B2 JPH0545659B2 JP63246726A JP24672688A JPH0545659B2 JP H0545659 B2 JPH0545659 B2 JP H0545659B2 JP 63246726 A JP63246726 A JP 63246726A JP 24672688 A JP24672688 A JP 24672688A JP H0545659 B2 JPH0545659 B2 JP H0545659B2
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Description
に関し、時に下地処理メツキにおける無電解メツ
キの密着性とメツキ上り表面の平滑性等を向上す
るメツキ性に優れたアルミニウム合金に関するも
のである。 〔従来の技術〕 電子計算機の記録装置に用いられる磁気デイス
クには、一般にアルミニウム合金からなる基板の
表面に磁性体を被覆したものが用いられている。
このような磁気デイスクは基板を所定の厚さに加
工した後、表面を鏡面研磨してから磁性体粉末と
樹脂粉末の混合物を塗布し、しかる後加熱処理し
て磁性体膜を形成することにより作られている。
近年磁気デイスクは大容量化、高密度化が要請さ
れるようになり、磁気デイスクの1ビツト当りの
磁気領域は益々微小化されつつあると共に、磁気
ヘツドと磁気デイスクとの間隙も減少させること
が必要となり、磁性体膜にも薄膜化と耐摩耗性の
改善が望まれるようになつた。このため基板を所
定の厚さに加工した後、表面を鏡面加工してから
磁性体被覆のための下地処理として硬質非磁性金
属、例えばNi−Pを無電解メツキし、しかる後
スパツタリング又はメツキにより磁性体、例えば
Co−Ni−P合金を被覆した磁気デイスクが提案
されている。 このような磁気デイスクの基板には次のような
特性が要求されている。 (1) 非熱処理型で種々の加工および使用時の高速
回転に耐える十分な強度を有すること。 (2) 軽量で研磨により良好な鏡面が得られ、ピツ
ト等の表面欠陥が現われないこと。 (3) 下地処理である無電解メツキの密着性および
表面平滑性が優れ、メツキ後もピツト等の欠陥
が現われないこと。 このような特性を満たす磁気デイスク用基板と
して、JISA5086合金(Mg3.5〜4.5wt%、Fe≦
0.50wt%、Si≦0.40wt%、Mn0.20〜0.7wt%、
Cr0.05〜0.25wt%、Cu≦0.10wt%、Ti≦0.15wt
%、Zn≦0.25wt%、Al残部)又はJISA5086合金
の不純物であるFeやSi等を規制してマトリツク
ス中に生成する金属化合物を小さくした合金が用
いられている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら上記JISA5086合金からなる基板
は、磁性体被覆の下地処理である無電解メツキの
密着性が劣るため、磁性体の被覆工程または使用
中無電解メツキ被覆が剥離することが有るという
問題があつた。また無電解メツキ後の表面平滑性
も充分とはいえなかつた。即ち金属間化合物はジ
ンケート処理時に脱落してピツチを生成する。こ
のピツトは無電解メツキ厚さが20μm程度の膜厚
であれば、その後ポリシング研磨を施すことによ
り消えることが多いが、昨今メツキ厚さが薄膜化
の傾向にあり(例えば17μm程度)、メツキ後の
ポリシング研磨後もピツトが残存する場合が生じ
てきた。またアルミニウム合金板を所定の寸法に
打ち抜き、その後切削もしくは研削研磨を施す
が、その際金属化合物が脱落し、ピツト欠陥とな
る場合もある。このように磁気デイスクのメツキ
性の向上には主としてその基板用アルミニウム合
金の金属間化合物数を減らし、大きさも小さくす
ることが強く望まれ、種々の対策が講じられてき
たが、必ずしも充分な成果が得られていなかつ
た。 また、磁気デイスク基板の耐食性を重要な特性
の一つであるが、従来、十分とはいえなかつた。
本発明者等は種々の検討の結果、この耐食性を低
下させている原因としてAL基板の耐食性と共に
メツキ皮膜中の微小欠陥も大きく影響することが
明らかとなつた。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は前述の課題に鑑み種々検討の結果、無
電解Ni−P合金メツキの密着性やメツキ表面の
平滑性は前処理のジンケート皮膜を薄くかつ均一
で緻密に付着させることが必要でありさらに、
Ni−P合金メツキ皮膜の密着性はジンケート皮
膜の付着状況だけでなく、素材の結晶粒径および
マトリツクス中の微量添加元素にも影響され、即
ち結晶粒は微細であれば密着性は向上し、また微
量添加元素の種類、量をコントロールすることに
よつても密着性およびメツキ皮膜中の微小欠陥が
改善されることを知見し、さらに検討の結果、こ
れらの結果を必要に応じて組み合せることにより
その相互作用が得られ、その結果として下地処理
メツキにおける無電解メツキの密着性が優れ、し
かもメツキ上り表面が平滑でかつ表面欠陥もなく
メツキ基板の耐食性にも優れる磁気デイスク基板
用アルミニウム合金を開発したものである。 即ち本発明合金の一つは、Cu0.010wt%以上
0.03wt%未満、Mg2wt%以上6wt%以下、
Zn0.05wt%2.0wt%以下を含有し、さらに
Mn0.01wt%を越え0.05wt%未満、Cr0.01wt%を
越え0.05wt%未満のうち1種以上を含有し、不純
物元素としてSi0.1wt%以下、Fe0.1wt%以下、
Ti0.02wt%以下、その他の不可避的元素を個々
で0.02wt%以下にそれぞれ規制することを特徴と
するメツキ性に優れた磁気デイスク基板用アルミ
ニウム合金である。 〔作用〕 次に本発明合金における添加元素の意義と合金
組成の限定理由を説明する(以下合金組成のwt
%を単に%と略記する)。 Mgは主として強度を得るためのもので、その
含有量を2%以上6%以下と限定したものは、2
%未満では十分な強度が得られず、6%を越える
とAl−Mg金属間化合物を生成すると共に溶解鋳
造時の高温酸化によりMgOなどの非金属介在物
の生成が著しくなりピツト不良を発生させる原因
となるためである。 Znはジンケート処理を可能にするもので、そ
の含有量を0.05%以上2.0%以下と限定したのは、
0.05%未満でジンケート処理による効果が不十分
となり、2.0%を越えると圧延加工性および耐食
性を低下し、特にメツキ処理工程においても材料
の耐食性が劣るため、ジンケート処理が不均一と
なり、メツキ密着性や表面の平滑性を低下するた
めである。なおZn含有量を上記範囲内とするこ
とにより、ジンケート処理時のAl溶解量を減少
し、その後の無電解メツキにおける平滑性を高め
ることができる。 Cuの添加はジンケート処理時のAl溶解量を減
少し、さらにジンケート皮膜を薄く、均一かつ緻
密に付着させその後の無電解メツキの表面平滑性
を高めるとともにメツキ皮膜中の微小欠陥を減少
させ、健全な皮膜を生成することによりメツキ基
板の重要特性であるメツキ基板の耐食性を十分満
足させるためで、Cu含有量を0.010%以上0.03%
未満と限定したのは、0.010%未満ではメツキ基
板の耐食性の向上効果が薄く、0.03%以上になる
と材料自身の耐食性を大きく低下し、特にメツキ
処理工程において材料自身の耐食性が劣るため、
ジンケート処理が不均一となり、メツキの密着性
や表面の平滑性が劣るようになるためである。 MnおよびCrは鋳塊の均質化処理時および/ま
たは熱間圧延、焼純時に微細な化合物として析出
し、その一部はマトリツクス中に固溶しその強度
を向上させると同時に再結晶粒を微細にするため
無電解メツキの密着性を向上させる作用があり、
それらの相互作用によりアルミニウム合金基板の
研削・研磨性の向上およびNi−Pメツキ皮膜の
密着性向上が寄与するものである。それぞれ前記
範囲に限定したのは下限未満ではこの効果が不十
分であり下限を越えると鋳造時のフイルターによ
る溶湯処理において過剰の元素が除去されて無駄
となるばかりか粗大な金属間化合物が生成し、ア
ルカリエツチングおよびジンケート処理だけでな
く、切削、研磨加工を施す際にも脱落してピツト
欠陥となるためである。 これらの中でもMn、Crは単独で添加してもそ
の効果が得られるが、複合して添加することによ
り、さらに大きな効果が得られる。 Fe、Siをそれぞれ0.1%以下に限定したのはFe
やSiはアルミニウム中にほとんど固溶せず金属間
化合物として析出するが、その量が大い場合に
は、Al−Fe系、Al−Fe−Si系等の粗大な金属間
化合物が多数存在し、基板の切削・研磨およびジ
ンケート処理時に脱落してピツト欠陥となり易い
ためである。さらにTiも、その量が0.02%を越え
ると、Al−Ti系の粗大な金属間化合物が形成さ
れるので、アルカリエツチングおよびジンケート
処理だけでなく、切削、研磨加工を施す際にも脱
落してピツト欠陥となるためである。 また他の不可避的不純物元素(例えばNi、V、
B等)はそれぞれ0.02%以下であれば本発明合金
の特性には影響しない。 なお本発明合金はその組織中に含まれる金属間
化合物については、その最大径を15μm以下とす
ることが望ましい。金属間化合物はアルカリエツ
チングおよびジンケート処理時だけでなくアルミ
ニウム合金基板の切削研磨加工時にも脱落してピ
ツト欠陥がとなるが、その後の無電解Niメツキ
にてかなりカバーされ、さらにメツキ基板の研磨
加工後では実際の金属間化合物の大きさよりもピ
ツト欠陥はかなり小さくなる。現在、高密度・大
容量化の動きの中でデイスク基板に対する要求特
性も上がつており例えば3.5″デイスク基板におい
ては、メツキ→研磨上がりにて面内に5μm径を
越えるピツトは許されない状況である。本発明者
らは種々検討の結果、メツキ→研磨上りにて、面
内のピツト最大径を5μm以下にするにはアルミ
ニウム合金中の金属間化合物の最大径を15μm以
下にしなければならないことを知見した。また、
メツキ→研磨上がりの膜厚によつてもピツト径は
異なるが、少なくともメツキ→研磨上がりでメツ
キ膜厚が10μm以上の場合、合金中の金属間化合
物の最大径が15μm以下であるならば、メツキ→
研磨上がりのピツト最大径は5μm以下とするこ
とができる。 なお、本発明合金はメツキ下地処理基板に限ら
ず従来の塗布型用基板にも十分使用できる。 〔実施例〕 市販の純度99.5%以上のAl地金を溶解し、これ
に合金元素を添加して第1表に示す成分組成の合
金溶湯に調製し、脱ガス、沈静処理した後、フイ
ルターで濾過してから水冷鋳造し、厚さ350mm、
幅1000mm、長さ2000mmの鋳塊を得た。 この鋳塊の両面を10mmずつ面削してから480±
30℃の温度で約6時間均熱処理した後、常法に従
つて熱間圧延と冷間圧延により厚さ1.5mmの板材
とした。 この板材から直径95mmの円板を打抜き、350℃
で2時間焼純した後、荒研磨と仕上げ研磨を施し
て鏡面に仕上げた。これ等について市販の溶剤に
より脱脂し、40℃の5%NaOH水溶液で30秒間
エツチングしてから室温の30%HNO3水溶液で30
秒間スマツト除去し、しかる後金属間化合物の最
大径を測定し、続いてジンケート処理してから無
電解Ni−P合金メツキを行い、さらに仕上げ研
磨を行つてからメツキ皮膜の密着性、表面の平滑
性およびピツト欠陥を調べ、これ等の結果を従来
のJISA5086合金(Mg4%、Mn0.5%、Cr0.2%、
Fe0.3%、Si0.05%、Ti0.01%、Zn0.01%、残Al)
と比較して第1表に併記した。
スク基板として用いた場合、下地処理である無電
解メツキの密着性が優れ、しかもメツキ上がり表
面が平滑で欠陥がなく、またメツキ後の基板の耐
食性にも優れているため磁気デイスクの大容量
化、高密度化を可能にする等、工業上顕著な効果
を奏するものである。
Claims (1)
- 1 Cu0.010wt%以上0.03wt%未満、Mg2wt%以
上6wt%以下、Zn0.05wt%以上2.0wt%以下を含
有し、さらにMn0.01wt%を越え0.05wt%未満、
Cr0.01wt%を越え、0.05wt%未満のうち1種以
上を含有し、不純物元素としてSi0.1wt%以下、
Fe0.1wt%以下、Ti0.02wt%以下、その他の不可
避的元素を個々で0.02wt%以下にそれぞれ規制す
ることを特徴とするメツキ性に優れた磁気デイス
ク基板用アルミニウム合金。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP63246726A JPH0297639A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | メツキ性に優れた磁気デイスク基板用アルミニウム合金 |
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