JPH06265822A - 光アイソレータ - Google Patents

光アイソレータ

Info

Publication number
JPH06265822A
JPH06265822A JP5051702A JP5170293A JPH06265822A JP H06265822 A JPH06265822 A JP H06265822A JP 5051702 A JP5051702 A JP 5051702A JP 5170293 A JP5170293 A JP 5170293A JP H06265822 A JPH06265822 A JP H06265822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical isolator
semiconductor laser
faraday rotator
isolator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5051702A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Watanabe
聡明 渡辺
Toshihiko Riyuuou
俊彦 流王
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP5051702A priority Critical patent/JPH06265822A/ja
Publication of JPH06265822A publication Critical patent/JPH06265822A/ja
Priority to US08/947,840 priority patent/US5917643A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
    • G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
    • G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S372/00—Coherent light generators
    • Y10S372/703—Optical isolater

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】信号量Ｓと雑音量Ｎとの比Ｓ／Ｎ値が高く、し
かもレーザモジュールに容易に組み込める小型化の容易
な光アイソレータを提供する。 【構成】 本発明の光アイソレータは、直線偏波面を持
つ半導体レーザ１１に連結される光アイソレータ１であ
って、その入射側にファラデー回転子５とその周囲に磁
場を印加するための磁性材４、出射側に偏光光学材料６
が組み込まれている。特に、直線偏波面を持つ半導体レ
ーザ１１に偏波方向ガイド３を合わせて連結される光ア
イソレータ１であって、入射側にファラデー回転子５が
光路に対して入出射面を傾斜して設けられてそれを磁性
材４が環状に囲み、出射側でも偏光光学材料６が入出射
面を光路に対して傾斜して組み込まれているとよく、該
偏光光学材料６は金属分散ガラス製であるともっとよ
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ノイズの発生防止を図
った光アイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の高速・大容量通信には光通信が使
われ、光源には半導体レーザが用いられている。光通信
では半導体レーザを発した伝送光が中継のレンズを介し
てファイバ端面に投影されてその中を伝送していく。そ
の場合、伝送光の一部はレンズやファイバの端面で反射
し、戻り光になって光源まで戻ってくることがある。こ
の戻り光は偏光方向が伝送光と同じであると半導体レー
ザの発振を乱すことからノイズを作り出す。
【０００３】ノイズの発生を防止するため、光通信機器
では一般に光源部に光アイソレータを直結させる。従
来、光アイソレータは両端開口の筒状磁石内にファラデ
ー回転子が設けられ、その両側に偏光子と検光子とが設
けられて形成されている。これらのファラデー回転子、
偏光子、検光子にはいずれも反射防止膜が施され、ファ
ラデー回転子は磁石の磁場により透過する光の偏光方向
を４５度回転する。しかもこの回転角度に合わせ、偏光
子と検光子の透過偏光方向も相対角度４５度でねじって
ある。光源を発した伝送光は偏光子で偏光され、ファラ
デー回転子でその偏光方向を４５度回転し、偏光子の偏
光方向に対し相対的に４５度の傾斜で検光子を通過す
る。戻り光は検光子を通過するが、ファラデー回転子で
再び偏光方向が４５度回転する。往復路で戻り光は偏光
方向が９０度回転するために偏光子の透過偏光方向とは
直交し、偏光子ではそれ以上の戻り光の直進が阻止され
る。
【０００４】実公平１−４３８７３号公報には、直線偏
光を発する半導体レーザ管に直接ガーネットをファラデ
ー回転子として取り付け、その先方に平行光束化レンズ
や集光レンズを配した半導体レーザ装置が開示されてい
る。また、特開昭６３−８４１８５号公報で紹介されて
いる技術では、半導体レーザの窓材にファラデー回転子
を用い、光はレンズを透過してから検光子を透過するよ
うにしてある。特開平３−１７４７８９号公報で紹介さ
れている技術では、ファラデー回転子と検光子とからな
るキャップを半導体レーザに取りつけている。しかし前
記構成では組み立てにあたり半導体レーザとキャップと
を一体化した後でも角度調整が必要であったり、キャッ
プの接続方法によっては完全に反射光遮断能力を発揮す
ることはできない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光アイソレータには小
型化やコスト減などの要請が強い。そのため偏光子、検
光子は非常に微小に形成される。上記の半導体レーザ装
置で用いられている平行光束化レンズも同様である。従
来の光アイソレータの場合、偏光子と検光子との透過偏
光方向を相対的にしかも正確にセットしなければならな
い。微小な素材を直接に位置調整することは難しい。し
かも偏光子の大きさ自体は微小でも決して安価ではな
く、しかもそれを内蔵しなければならないとすれば光ア
イソレータはそれだけでも大型化する。
【０００６】実公平１−４３８７３号公報記載の半導体
レーザ装置は直線偏波面を持つ半導体レーザ部と光アイ
ソレータ部とが明確に区分されることなく連続的構成で
形成されている。平行光束化レンズを光の偏光方向に対
して直接角度調整することは難しい。そのため工業的な
大量生産には不向きである。
【０００７】特開昭６３−８４１８５号公報記載の技術
の場合、磁気光学素子には拡散していく光が入射され
る。そのため磁気光学素子は大きな径が必要となり、材
料費もコスト高となり、形成されたアイソレータユニッ
トも必然的に高価になる。しかも同公報の添付図のよう
な形にすると検光子の角度調整が難しくなる。一般に光
アイソレータの機能を達成するには、偏光光学系中に反
射光を入射させながらその角度を調整するが、ファラデ
ー回転子が半導体レーザについた状態でやるとその調整
ができなくなる。特開平３−１７４７８９号公報記載の
技術では、大きな径の磁気光学素子が必要であり、材料
が高価なのでアイソレータユニット自体必然的に高価に
なってしまう。また取り付け調整も難しい。
【０００８】本発明は前記の課題を解決するため、信号
量Ｓと雑音量Ｎとの比Ｓ／Ｎ値が高く、コストが安く、
しかもレーザモジュールに容易に組み込める小型化の容
易な光アイソレータを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めになされた本発明の光アイソレータを、実施例に対応
する図１に従って説明する。
【００１０】本発明の光アイソレータは、直線偏波面を
持つ半導体レーザ１１に連結される光アイソレータ１で
あって、その入射側にファラデー回転子５とその周囲に
磁場を印加するための磁性材４、出射側に偏光光学材料
６が組み込まれている。特に、直線偏波面を持つ半導体
レーザ１１に偏波方向ガイド３を合わせて連結される光
アイソレータ１であって、入射側にファラデー回転子５
が光路に対して入出射面を傾斜して設けられてそれを磁
性材４が環状に囲み、出射側でも偏光光学材料６が入出
射面を光路に対して傾斜して組み込まれているとよく、
該偏光光学材料６は金属分散ガラス製であるともっとよ
い。
【００１１】
【作用】本発明の光アイソレータ１は半導体レーザ１１
に連結される。偏光光学材料６を内部に含んでおり、微
小な偏光光学材料６より形状は大きい。半導体レーザ11
に連結するにあたり、微小な素材に直接接触してその設
定方向を調整しなければならない工程はなく、半導体レ
ーザ１１に連結する場合には光アイソレータ１そのもの
の傾きだけを考えればよく、設定操作は容易である。
【００１２】光アイソレータ１内には偏光子が無くその
分でも光路長を短縮化できる。偏波方向ガイド３が設け
られると設定方向の調整はさらに容易になる。ファラデ
ー回転子５の光の入出面を光路に対して傾斜させれば、
ファラデー回転子５の光の入出面で一部の伝送光が反射
してもその反射方向は光路からはずれ、半導体レーザ１
１に達する戻り光はさらに減少する。偏光光学材料は、
例えば銀含有ガラスを応力下で伸長し、応力の方向に銀
粒子を配列させ偏光能力を持たせたような金属分散ガラ
ス製であるとさらに光路長を短縮化できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明を適用する光アイソレータ１と、それが連結し直線
偏波面を持つ半導体レーザ１１の断面図である。光アイ
ソレータ１が連結した半導体レーザ１１は出射側に集光
用レンズ１２が設けられ、その端面上下にガイド突起１
３が突設し、外周部にはつば１４が環状に設けられてい
る。この半導体レーザ１１は接合環状キャップ１５が外
装し、つば１４に出射方向に向かって係止している。
【００１４】光アイソレータ１はアイソレータ管２に設
けられている。アイソレータ管２の内部には光路が形成
され、その入射側外周は接合環状キャップ１５とＹＡＧ
レーザ溶接されている。図２にアイソレータ管２の入射
側斜視図を示す。入射側端面には偏波方向ガイド穴３が
上下に２箇所形成され、各偏波方向ガイド穴３に上記の
ガイド突起１３がそれぞれ嵌入している。
【００１５】光アイソレータ１内で入射側寄りには筒状
磁石４が内装されて内部に磁場が形成され、その中にフ
ァラデー回転子５が納められている。ファラデー回転子
５は表面に反射防止膜が施され、偏光面回転角度は４５
度にセットされている。ファラデー回転子５の出射側に
は銀含有ガラスを応力下で伸長し、応力の方向に銀粒子
を配列させ偏光能力を持たせたような金属分散ガラス製
の偏光光学材料６が反射防止膜を施されて設けられてい
る。偏光光学材料６の透過偏光方向は、半導体レーザ１
１を発した直線偏光の偏光方向に対し相対的に４５度の
傾きにセットされている。
【００１６】半導体レーザ１１と光アイソレータ１との
結合にあたっては、光アイソレータ１の偏波方向ガイド
穴３に半導体レーザ１１のガイド突起１３を挿入し、接
合環状キャップ１５の上部からＹＡＧレーザ光を照射
し、光アイソレータ１の外周に接合固定する。光アイソ
レータ１の出射側に光学系を連結して半導体レーザ１１
から直線偏光の伝送光を発振する。伝送光はファラデー
回転子５で回転して偏光光学材料６を通過する。光学系
から伝送光の一部が戻ってきても半導体レーザ１１が発
する光の偏光方向とは傾きが９０度ずれているためノイ
ズを発生させることはほとんどない。
【００１７】本実施例では偏波方向ガイド穴３が設けら
れているため結合のねらいが決めやすい。偏波方向ガイ
ド穴３は大きめに形成されていると嵌入作業はさらに容
易になる。
【００１８】図３はアイソレータの別の実施例を示す。
ファラデー回転子５、偏光光学材料６はその入出射面を
いずれも光路に対して傾斜している。入出射面を傾斜さ
せると戻り光の反射方向は直線偏光の光路からはずれ、
ノイズの発生はさらに減少する。
【００１９】ファラデー回転子５、偏光光学材料６を傾
斜させた光アイソレータ１の出射側に光ファイバーを連
結し、半導体レーザ１１から直線偏光の伝送光を発振さ
せた。半導体レーザ１１に対して光アイソレータ１を回
転させてみてその際に戻り光の挿入損失を受光径Φ５ｍ
ｍのゲルマニウムフォトダイオードで測定した。信号量
Ｓと雑音量Ｎとの比Ｓ／Ｎ値が十分高いと言えるように
するには、戻り光の挿入損失を２０ｄＢ以上とする必要
がある。直線偏光の偏光方向と偏光光学材料６の透過偏
光方向との間の相対ずれ角度を横軸、戻り光の挿入損失
を縦軸に両者の関係を求めた。結果を図４に示す。相対
ずれ角度が５．７度以内であれば戻り光挿入損失を２０
ｄＢ以上にできることが分かった。このことから前後
５．７度以内であれば偏波方向ガイド穴３が大きく、そ
のために多少設定角度がずれても精度には影響しないこ
とが分かった。
【００２０】
【発明の効果】本発明の光アイソレータは直線偏波面を
持つ半導体レーザに連結される。半導体レーザに連結す
る場合、微小な素材を直接に方向調整しなければならな
い操作はなく、光アイソレータの傾きだけ考えればよ
く、操作は容易である。内部には偏光子がないため光路
長を短縮化できる。したがって、信号量Ｓと雑音量Ｎと
の比Ｓ／Ｎ値が十分高くコストが安くなり、小型化して
レーザモジュールに組み込むことも容易になる。
【００２１】半導体レーザに集光用レンズを設けていっ
たん平行光あるいは収束光にして光アイソレータに入射
するようにすれば、アイソレータ内のファラデー回転
子、検光子などの光学部品をより小さくし、低コスト化
を図ることができる。角度調整も容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用する光アイソレータの一実施例の
断面図である。
【図２】実施例のアイソレータ管の入射側斜視図であ
る。
【図３】本発明を適用する光アイソレータの別の実施例
の断面図である。
【図４】戻り光の挿入損失と相対角度との関係を示す図
である。
【符号の説明】
１は光アイソレータ、２はアイソレータ管、３は偏波方
向ガイド穴、４は筒状磁石、５はファラデー回転子、６
は偏光光学材料、１１は半導体レーザ、１２は集光用レ
ンズ、１３はガイド突起、１４はつば、１５は接合環状
キャップである。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 直線偏波面を持つ半導体レーザに連結さ
    れる光アイソレータであって、その入射側にファラデー
    回転子とその周囲に磁場を印加するための磁性材、出射
    側に偏光光学材料が組み込まれていることを特徴とする
    光アイソレータ。
  2. 【請求項２】 直線偏波面を持つ半導体レーザに偏波方
    向ガイドを合わせて連結される光アイソレータであっ
    て、入射側にファラデー回転子が光路に対して入出射面
    を傾斜して設けられてそれを磁性材が環状に囲み、出射
    側でも偏光光学材料が入出射面を光路に対して傾斜して
    組み込まれていることを特徴とする光アイソレータ。
  3. 【請求項３】 請求項１または２で、該偏光光学材料が
    金属分散ガラス製である光アイソレータ。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかで、直線偏波面
    を持つ半導体レーザに連結固定された光アイソレータ。
JP5051702A 1993-03-12 1993-03-12 光アイソレータ Pending JPH06265822A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5051702A JPH06265822A (ja) 1993-03-12 1993-03-12 光アイソレータ
US08/947,840 US5917643A (en) 1993-03-12 1997-10-09 Optical isolator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5051702A JPH06265822A (ja) 1993-03-12 1993-03-12 光アイソレータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06265822A true JPH06265822A (ja) 1994-09-22

Family

ID=12894234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5051702A Pending JPH06265822A (ja) 1993-03-12 1993-03-12 光アイソレータ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5917643A (ja)
JP (1) JPH06265822A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999315A (en) * 1996-04-26 1999-12-07 Kyocera Corporation Polarizer and a production method thereof and an optical isolator
JP2021028680A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社エンプラス 光アイソレーター部材および光アイソレーター

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6449091B1 (en) * 1996-12-03 2002-09-10 Jds Fitel Inc. Optical isolator
US6218641B1 (en) * 1998-04-22 2001-04-17 Lucent Technologies, Inc. Method for compensating stress induced in an optical component
JP2001125047A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Minebea Co Ltd 光アイソレータ
US6445499B1 (en) * 1999-12-31 2002-09-03 Jds Uniphase Corporation Optical circulators
RU2207609C1 (ru) * 2002-01-28 2003-06-27 Военный инженерно-космический университет Оптический вентиль
US7346240B1 (en) * 2003-01-08 2008-03-18 Intelligent Fiber Optic Systems, Inc. Integrated fiber tap monitor with variable optical attenuator
US7474813B2 (en) * 2003-11-10 2009-01-06 Finisar Corporation Connector mountable asymmetric free space optical isolators
US7961391B2 (en) * 2008-03-13 2011-06-14 Finisar Corporation Free space isolator optical element fixture
DE202011107213U1 (de) 2011-10-27 2011-12-16 Rudi Danz Optische Isolatoren mit spektraler Lichtwandlung und Erzeugung von Laserstrahlung
JP2015125375A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 信越化学工業株式会社 光アイソレータ
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
JP7476686B2 (ja) * 2020-06-15 2024-05-01 日本電気硝子株式会社 磁気回路、ファラデー回転子、及び磁気光学デバイス

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272158A (en) * 1979-03-02 1981-06-09 Coherent, Inc. Broadband optical diode for a ring laser
US4549795A (en) * 1980-12-19 1985-10-29 Simms Robert A Polarized glass
JPS62242915A (ja) * 1986-04-16 1987-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光アイソレ−タ及びその製造方法
JPS62298195A (ja) * 1986-06-18 1987-12-25 Mitsubishi Electric Corp レ−ザダイオ−ド
JPS6317426A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 Nec Corp 光アイソレ−タ
JPS6474524A (en) * 1987-09-16 1989-03-20 Fujitsu Ltd Semiconductor laser module incorporating optical isolator
US4804256A (en) * 1988-01-11 1989-02-14 Wilson Donald K Faraday rotators using a movable optical element
WO1989008278A1 (fr) * 1988-02-26 1989-09-08 Fujitsu Limited Dispositif isolant polarisant et isolateur optique l'utilisant
US5074682A (en) * 1988-03-02 1991-12-24 Fujitsu Limited Semiconductor laser module and positioning method thereof
JPH01302319A (ja) * 1988-05-31 1989-12-06 Tokin Corp 光アイソレータ
JP2881441B2 (ja) * 1988-10-25 1999-04-12 ティーディーケイ株式会社 光アイソレータ
JPH02123321A (ja) * 1988-11-02 1990-05-10 Shojiro Kawakami 光アイソレータの製造方法および同製造方法に用いられる偏光素子アレイ並びに同製造方法で得られた光アイソレータを一体化した光学モジュール
JPH03137616A (ja) * 1989-10-23 1991-06-12 Nec Corp 光アイソレータおよび光アイソレータ内蔵半導体レーザモジュール
JPH0830791B2 (ja) * 1989-11-06 1996-03-27 富士電気化学株式会社 光アイソレータ
US5127072A (en) * 1990-03-08 1992-06-30 Ortel Corporation Laser module with compliant optical fiber coupling
JP2628774B2 (ja) * 1990-04-20 1997-07-09 株式会社日立製作所 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール
JPH04338916A (ja) * 1990-08-06 1992-11-26 Kyocera Corp 光アイソレータ用素子及び該光アイソレータ用素子を用いた光アイソレータ，半導体レーザモジュール
JPH04235524A (ja) * 1991-01-11 1992-08-24 Nec Corp 半導体レーザモジュール用光アイソレータ
US5122907A (en) * 1991-07-03 1992-06-16 Polatomic, Inc. Light polarizer and method of manufacture

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999315A (en) * 1996-04-26 1999-12-07 Kyocera Corporation Polarizer and a production method thereof and an optical isolator
JP2021028680A (ja) * 2019-08-09 2021-02-25 株式会社エンプラス 光アイソレーター部材および光アイソレーター

Also Published As

Publication number Publication date
US5917643A (en) 1999-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06265822A (ja) 光アイソレータ
US5848211A (en) Photonics module having its components mounted on a single mounting member
US5299056A (en) Optical passive component assembly
EP1061388A2 (en) Optical coupling of optical fibres with a lens
JP2628774B2 (ja) 光アイソレータ内蔵形半導体レーザモジュール
US5566264A (en) Laser module including grooved silicon substrate, isolator and optical fiber
US5686990A (en) Optical source isolator with polarization maintaining optical fiber and aspheric collimating and focusing lens
US20030044156A1 (en) Varible optical attenuator
JPH02136819A (ja) 光アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールにおける光アイソレータの回転方向位置調整方法
JP2000028865A (ja) 半導体レーザモジュール
JP2006047951A (ja) 光アイソレータ
JP3809724B2 (ja) 光アイソレータモジュールと光アイソレータ部品
JPH11295559A (ja) 半導体レーザモジュール
JPH10290050A (ja) 光モジュール
JPH085959A (ja) 光アイソレータ
JP2989979B2 (ja) 光アイソレータ
JPH0667118A (ja) 光結合装置
JPS6365419A (ja) 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置
JP2001228372A (ja) 半導体レーザモジュール
JPH09211239A (ja) 偏波保存ファイバおよび偏波保存ファイバ半導体レーザモジュール
JP2001311851A (ja) ファイバスタブ型光デバイス及びそれを用いた光モジュール
JP2004029335A (ja) 光アイソレータと光アイソレータモジュール
JP3154169B2 (ja) 光サーキュレータ
JPH0830791B2 (ja) 光アイソレータ
JPH058528U (ja) 光アイソレータ