JPH06267797A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH06267797A JPH06267797A JP5067493A JP5067493A JPH06267797A JP H06267797 A JPH06267797 A JP H06267797A JP 5067493 A JP5067493 A JP 5067493A JP 5067493 A JP5067493 A JP 5067493A JP H06267797 A JPH06267797 A JP H06267797A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電解コンデンサに
おいて、耐圧特性を改善する。 【構成】 固体電解コンデンサの電解質として、Ｎ，
Ｎ’−１，８−ｎ−オクチル・３，５−ルチジニウム2
・ＴＣＮＱ4 を採用する。
おいて、耐圧特性を改善する。 【構成】 固体電解コンデンサの電解質として、Ｎ，
Ｎ’−１，８−ｎ−オクチル・３，５−ルチジニウム2
・ＴＣＮＱ4 を採用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサに関
するものであり、さらに詳説すれば、電解質としてＴＣ
ＮＱ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデンサの高
耐圧化に関するものである。
するものであり、さらに詳説すれば、電解質としてＴＣ
ＮＱ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデンサの高
耐圧化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電解質としてＴＣＮＱ錯塩を使用する有
機半導体固体電解コンデンサの例は、特公平３−７６５
７３号に開示されている。ここで、ＴＣＮＱとは、７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタンの略称である。
機半導体固体電解コンデンサの例は、特公平３−７６５
７３号に開示されている。ここで、ＴＣＮＱとは、７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタンの略称である。
【０００３】前記特公平３−７６５７３号に開示され
た、Ｎ位をアルキル基で置換したイソキノリンとのＴＣ
ＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニウム・Ｔ
ＣＮＱ 2 （以下ＯＳ−ＢＱと略す）を用いた固体電解コ
ンデンサは、優れた寿命特性、温度特性に加え、特に優
れた高周波特性を有するため、スイッチング電源用等と
して広く活用されている。
た、Ｎ位をアルキル基で置換したイソキノリンとのＴＣ
ＮＱ錯塩、特にＮ−ｎ−ブチル・イソキノリニウム・Ｔ
ＣＮＱ 2 （以下ＯＳ−ＢＱと略す）を用いた固体電解コ
ンデンサは、優れた寿命特性、温度特性に加え、特に優
れた高周波特性を有するため、スイッチング電源用等と
して広く活用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
コンデンサは耐圧が低く、印加電圧を２５Ｖ以上、例え
ば３０Ｖ、あるいは３５Ｖにして高温負荷試験を行うと
ショート不良が頻発するという問題があった。
コンデンサは耐圧が低く、印加電圧を２５Ｖ以上、例え
ば３０Ｖ、あるいは３５Ｖにして高温負荷試験を行うと
ショート不良が頻発するという問題があった。
【０００５】本発明は、固体電解コンデンサの電解質を
改善することによって、前記耐圧の問題を解決しようと
するものである。
改善することによって、前記耐圧の問題を解決しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】固体電解コンデンサの電
解質として、本発明では、Ｎ位を１，８−ｎ−オクチル
にて置換して結合した２分子の３，５−ルチジンとのＴ
ＣＮＱ錯塩、すなわちＮ，Ｎ’−１，８−ｎ−オクチル
・３，５−ルチジニウム2 ・ＴＣＮＱ4 （以下ＯＳ−Ｏ
Ｌと略す）を採用することを特徴とする。
解質として、本発明では、Ｎ位を１，８−ｎ−オクチル
にて置換して結合した２分子の３，５−ルチジンとのＴ
ＣＮＱ錯塩、すなわちＮ，Ｎ’−１，８−ｎ−オクチル
・３，５−ルチジニウム2 ・ＴＣＮＱ4 （以下ＯＳ−Ｏ
Ｌと略す）を採用することを特徴とする。
【０００７】
【作用】一般にＴＣＮＱ錯塩型の固体電解コンデンサに
おいては、そのＴＣＮＱ錯塩が高融点になればなるほ
ど、電圧無印加時の高温放置での漏れ電流は安定化す
る。ＯＳ−ＢＱ、ＯＳ−ＯＬの融点は、それぞれ２１０
〜２１５℃、２２５〜２３０℃であるから、ＯＳ−ＢＱ
をＯＳ−ＯＬに変えることによって融点が上昇し、漏れ
電流特性が安定化して、耐圧も改善される。
おいては、そのＴＣＮＱ錯塩が高融点になればなるほ
ど、電圧無印加時の高温放置での漏れ電流は安定化す
る。ＯＳ−ＢＱ、ＯＳ−ＯＬの融点は、それぞれ２１０
〜２１５℃、２２５〜２３０℃であるから、ＯＳ−ＢＱ
をＯＳ−ＯＬに変えることによって融点が上昇し、漏れ
電流特性が安定化して、耐圧も改善される。
【０００８】一方、ＯＳ−ＯＬの融解固化後の電導度約
０．１０ｓ／ｃｍは、ＯＳ−ＢＱの約０．２９ｓ／ｃｍ
に比べてやや劣るが、この程度の違いであれば、ＴＣＮ
Ｑ型コンデンサの特徴である高周波特性が著しく損なわ
れることはない。
０．１０ｓ／ｃｍは、ＯＳ−ＢＱの約０．２９ｓ／ｃｍ
に比べてやや劣るが、この程度の違いであれば、ＴＣＮ
Ｑ型コンデンサの特徴である高周波特性が著しく損なわ
れることはない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を導き出すに至った実験の経緯
に従いながら、本発明の実施例について説明する。
に従いながら、本発明の実施例について説明する。
【００１０】まず、表１に示すようなＴＣＮＱ錯塩をア
ルミケースに適量充填し、約３００℃で融解液化させ
る。
ルミケースに適量充填し、約３００℃で融解液化させ
る。
【００１１】
【表１】
【００１２】そして、あらかじめ加熱しておいた捲回型
コンデンサ素子を前記融液に浸漬させ、直ちに冷却す
る。ここで、前記コンデンサ素子は、陽極用アルミニウ
ム箔の表面を化成処理して酸化被膜を形成させ、セパレ
ータ紙を炭化処理したものである。
コンデンサ素子を前記融液に浸漬させ、直ちに冷却す
る。ここで、前記コンデンサ素子は、陽極用アルミニウ
ム箔の表面を化成処理して酸化被膜を形成させ、セパレ
ータ紙を炭化処理したものである。
【００１３】その後、前記アルミケースの開口部をエポ
キシ樹脂にて封止し、約１２０℃で１時間、定格電圧を
印加してエイジングを行い、固体電解コンデンサを得
る。
キシ樹脂にて封止し、約１２０℃で１時間、定格電圧を
印加してエイジングを行い、固体電解コンデンサを得
る。
【００１４】なお、表１に示されているように、直径４
ｍｍのアルミケースに封入された実施例１及び比較例１
のコンデンサの定格は３０Ｖ、１μＦであり、直径５ｍ
ｍのアルミケースに封入された実施例２及び比較例２の
コンデンサの定格は３０Ｖ、１μＦである。
ｍｍのアルミケースに封入された実施例１及び比較例１
のコンデンサの定格は３０Ｖ、１μＦであり、直径５ｍ
ｍのアルミケースに封入された実施例２及び比較例２の
コンデンサの定格は３０Ｖ、１μＦである。
【００１５】このようにして得られた固体電解コンデン
サの試料について、初期特性を測定した後、高温負荷試
験を行ってショート不良の発生状況を調べた。その結果
を表２に示す。
サの試料について、初期特性を測定した後、高温負荷試
験を行ってショート不良の発生状況を調べた。その結果
を表２に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】ここで、高温負荷試験とは、１０５℃に昇
温して、定格電圧（実施例１及び比較例１に対しては３
０Ｖ、実施例２及び比較例２に対しては３５Ｖ）を印加
しながら１０００時間放置するというものである。
温して、定格電圧（実施例１及び比較例１に対しては３
０Ｖ、実施例２及び比較例２に対しては３５Ｖ）を印加
しながら１０００時間放置するというものである。
【００１８】表２において、Ｃ（容量）、及びｔａｎδ
は１２０Ｈｚで測定したものであり、ＥＳＲ（等価直流
抵抗）は１００ｋＨｚで測定したものであり、ＬＣ（漏
れ電流）は定格電圧を印加した後、３０秒後に測定した
ものである。また、各測定値は、特に示したもの以外、
試料数３０個についての平均値である。なお、ＬＣの良
否に関しては１μＡ以下を良品とし、ＬＣ良品の試料に
ついてのみ高温負荷試験を行った。
は１２０Ｈｚで測定したものであり、ＥＳＲ（等価直流
抵抗）は１００ｋＨｚで測定したものであり、ＬＣ（漏
れ電流）は定格電圧を印加した後、３０秒後に測定した
ものである。また、各測定値は、特に示したもの以外、
試料数３０個についての平均値である。なお、ＬＣの良
否に関しては１μＡ以下を良品とし、ＬＣ良品の試料に
ついてのみ高温負荷試験を行った。
【００１９】表２からわかるように、ＯＳ−ＯＬを用い
た実施例１、実施例２においては、ＯＳ−ＢＱを用いた
比較例１、比較例２に比べて、初期の漏れ電流不良率が
低く、高温負荷試験によるショート不良発生率も著しく
低い。また、Ｃやｔａｎδに関しては、実施例と比較例
でほとんど差がなく、高周波特性に影響するＥＳＲに関
しては、実施例の方がやや劣っているものの、この程度
の違いであれば、高周波特性が著しく損なわれるような
ことはない。
た実施例１、実施例２においては、ＯＳ−ＢＱを用いた
比較例１、比較例２に比べて、初期の漏れ電流不良率が
低く、高温負荷試験によるショート不良発生率も著しく
低い。また、Ｃやｔａｎδに関しては、実施例と比較例
でほとんど差がなく、高周波特性に影響するＥＳＲに関
しては、実施例の方がやや劣っているものの、この程度
の違いであれば、高周波特性が著しく損なわれるような
ことはない。
【００２０】このようにして、固体電解コンデンサの電
解質としてＯＳ−ＯＬを採用すれば、従来のＯＳ−ＢＱ
使用の場合に比べて漏れ電流の問題や耐圧の問題がが改
善され、高周波特性等が著しく劣化するようなこともな
いという本発明の主題が導き出された。
解質としてＯＳ−ＯＬを採用すれば、従来のＯＳ−ＢＱ
使用の場合に比べて漏れ電流の問題や耐圧の問題がが改
善され、高周波特性等が著しく劣化するようなこともな
いという本発明の主題が導き出された。
【００２１】なお、前記実施例ではコンデンサ素子の陽
極としてアルミニウム箔を化成したものを用いたが、箔
の代わりにアルミニウム板、アルミニウム粉末しょうけ
つたいなどであってもよく、また他の被膜修復性金属と
して、タンタルやチタンでもよい。
極としてアルミニウム箔を化成したものを用いたが、箔
の代わりにアルミニウム板、アルミニウム粉末しょうけ
つたいなどであってもよく、また他の被膜修復性金属と
して、タンタルやチタンでもよい。
【００２２】また、ＯＳ−ＯＬの結晶組成について、
３，５−ルチジンとＴＣＮＱの比率は基本的には２：４
であるが、その比率は合成条件等によっては若干変動す
るものであり、そのような変動は本発明の内容を本質的
に変えるものではない。
３，５−ルチジンとＴＣＮＱの比率は基本的には２：４
であるが、その比率は合成条件等によっては若干変動す
るものであり、そのような変動は本発明の内容を本質的
に変えるものではない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、高周波特性や漏れ電流
特性に優れ、高温負荷試験においてショート不良が発生
するようなことのない、耐圧の高い固体電解コンデンサ
が得られる。
特性に優れ、高温負荷試験においてショート不良が発生
するようなことのない、耐圧の高い固体電解コンデンサ
が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
コンデンサは耐圧が低く、印加電圧を２５Ｖよりも高く
して、例えば３０Ｖ、あるいは３５Ｖにして高温負荷試
験を行うとショート不良が頻発するという問題があっ
た。
コンデンサは耐圧が低く、印加電圧を２５Ｖよりも高く
して、例えば３０Ｖ、あるいは３５Ｖにして高温負荷試
験を行うとショート不良が頻発するという問題があっ
た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】まず、表１に示すようなＴＣＮＱ錯塩をア
ルミケースに適量充填し、約３００℃の熱盤上で加熱し
て融解液化させる。
ルミケースに適量充填し、約３００℃の熱盤上で加熱し
て融解液化させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】表２において、Ｃ（静電容量）及びｔａｎ
δ（損失角の正接）は１２０Ｈｚで測定したものであ
り、ＥＳＲ（等価直列抵抗）は１００ｋＨｚで測定した
ものであり、ＬＣ（漏れ電流）は定格電圧を印加した
後、３０秒後に測定したものである。また、各測定値
は、特に示したもの以外、試料数３０個についての平均
値である。なお、ＬＣの良否に関しては１μＡ以下を良
品とし、ＬＣ良品の試料についてのみ高温負荷試験を行
った。
δ（損失角の正接）は１２０Ｈｚで測定したものであ
り、ＥＳＲ（等価直列抵抗）は１００ｋＨｚで測定した
ものであり、ＬＣ（漏れ電流）は定格電圧を印加した
後、３０秒後に測定したものである。また、各測定値
は、特に示したもの以外、試料数３０個についての平均
値である。なお、ＬＣの良否に関しては１μＡ以下を良
品とし、ＬＣ良品の試料についてのみ高温負荷試験を行
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 武史 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎ位を１，８−ｎ−オクチルにて置換し
て結合した２分子の３，５−ルチジンとのＴＣＮＱ錯塩
を加熱融解したものをコンデンサ素子の電解質として含
浸させた後、冷却固化してなる固体電解コンデンサであ
って、２５Ｖを超える定格電圧を有することを特徴とす
る固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067493A JPH06267797A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067493A JPH06267797A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267797A true JPH06267797A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12865493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067493A Pending JPH06267797A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267797A (ja) |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP5067493A patent/JPH06267797A/ja active Pending
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