JPH0627638A - マスク板の位置合わせマーク - Google Patents
マスク板の位置合わせマークInfo
- Publication number
- JPH0627638A JPH0627638A JP20185592A JP20185592A JPH0627638A JP H0627638 A JPH0627638 A JP H0627638A JP 20185592 A JP20185592 A JP 20185592A JP 20185592 A JP20185592 A JP 20185592A JP H0627638 A JPH0627638 A JP H0627638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- substrate
- mask plate
- mask
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に対する位置合わせ用として、マスク板
に設定される＃形のマスクマークＭの各マーク線を、幅
を細くせず、ノイズが発生せず、かつ反射光量が低下で
きる形状とする。 【構成】 マスク板１に対して、適当な辺長ｗの正方形
をなすクローム薄膜ｍを、１個ごとに交互に中心線Ｃの
両側に蒸着してマーク線Ｍ1,Ｍ2,Ｍ3 およびＭ4を形成
し、これらによりマスクマークＭの＃形を構成する。 【効果】 マスク板１に対する基板２の位置合わせが高
精度でなされる。
に設定される＃形のマスクマークＭの各マーク線を、幅
を細くせず、ノイズが発生せず、かつ反射光量が低下で
きる形状とする。 【構成】 マスク板１に対して、適当な辺長ｗの正方形
をなすクローム薄膜ｍを、１個ごとに交互に中心線Ｃの
両側に蒸着してマーク線Ｍ1,Ｍ2,Ｍ3 およびＭ4を形成
し、これらによりマスクマークＭの＃形を構成する。 【効果】 マスク板１に対する基板２の位置合わせが高
精度でなされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、露光装置において、
基板に対するマスク板の位置合わせマークに関する。
基板に対するマスク板の位置合わせマークに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの素材のシリコンウエハや、
液晶パネル用カラーフィルタの素材のガラス基板に対す
るマスク板の露光においては、それぞれに位置合わせマ
ークが設定され、これにより両者が位置合わせされた
後、露光がなされる。なお、シリコンウエハもガラス基
板も同一形状の位置合わせマークが使用されているの
で、本稿では両者を一括して基板とする。図２(a) にお
いて、マスク板１には適当な２箇所に対して、クローム
などの薄膜を蒸着して＃形のマスクマークＭが設定され
る。一方基板２には、各マスクマークＭに対応して、や
はりクローム薄膜の蒸着、または他の塗料のプリントな
どにより＋形の基板マークＢが設定される。位置合わせ
においては、(b) のように、マスク板１と基板２を微小
なギャップＧをなして重ね合わせ、位置合わせ光学系３
の光源31により各マークＭおよびＢを照明する。２箇所
の各マークＭ，Ｂの反射光を２個の受光器32a,32b のＣ
ＣＤセンサによりそれぞれ受光し、その検出パルスをも
ととして基板２を移動して位置合わせがなされる。
液晶パネル用カラーフィルタの素材のガラス基板に対す
るマスク板の露光においては、それぞれに位置合わせマ
ークが設定され、これにより両者が位置合わせされた
後、露光がなされる。なお、シリコンウエハもガラス基
板も同一形状の位置合わせマークが使用されているの
で、本稿では両者を一括して基板とする。図２(a) にお
いて、マスク板１には適当な２箇所に対して、クローム
などの薄膜を蒸着して＃形のマスクマークＭが設定され
る。一方基板２には、各マスクマークＭに対応して、や
はりクローム薄膜の蒸着、または他の塗料のプリントな
どにより＋形の基板マークＢが設定される。位置合わせ
においては、(b) のように、マスク板１と基板２を微小
なギャップＧをなして重ね合わせ、位置合わせ光学系３
の光源31により各マークＭおよびＢを照明する。２箇所
の各マークＭ，Ｂの反射光を２個の受光器32a,32b のＣ
ＣＤセンサによりそれぞれ受光し、その検出パルスをも
ととして基板２を移動して位置合わせがなされる。
【０００３】図２(c) により上記の各マークＭ，Ｂと、
これによる位置合わせ方法とをやや詳細に説明する。マ
スクマークＭの＃形は、平行する２本のマーク線Ｍ1,Ｍ
2 とこれらに直交するマーク線Ｍ3,Ｍ4 よりなり、各マ
ーク線Ｍ1 〜Ｍ4 は線幅を、例えば１０μｍとして蒸着
される。基板マークＢも互いに直交するマーク線Ｂ1,Ｂ
2 よりなり、その線幅は、例えば１０〜５０μｍであ
る。便宜上、マーク線Ｍ1,Ｂ1 の方向をＹとし、Ｍ3,Ｂ
2 の方向をＸとする。上記の各受光器32a,32b のそれぞ
れに、ＸおよびＹ方向の２個のＣＣＤセンサ、ＣＣＤX
とＣＣＤY とを設ける。ＣＣＤX は＃形のマーク線Ｍ1,
Ｍ2 と＋形のマーク線Ｂ1 の反射光を受光して、それぞ
れの位置に対応したパルスｐM1，ｐM2およびｐB1が検出
される。パルスｐB1がｐM1とｐM2の中心位置となるよう
に、基板２を移動してＸ方向が位置合わせされる。同様
に、ＣＣＤY の検出パルスｐM3，ｐM4の中心位置にｐB2
を移動してＹ方向が位置合わせされる。以上のＸおよび
Ｙ方向の位置合わせにより、＋形の中心が＃形の中心に
位置合わせされる。
これによる位置合わせ方法とをやや詳細に説明する。マ
スクマークＭの＃形は、平行する２本のマーク線Ｍ1,Ｍ
2 とこれらに直交するマーク線Ｍ3,Ｍ4 よりなり、各マ
ーク線Ｍ1 〜Ｍ4 は線幅を、例えば１０μｍとして蒸着
される。基板マークＢも互いに直交するマーク線Ｂ1,Ｂ
2 よりなり、その線幅は、例えば１０〜５０μｍであ
る。便宜上、マーク線Ｍ1,Ｂ1 の方向をＹとし、Ｍ3,Ｂ
2 の方向をＸとする。上記の各受光器32a,32b のそれぞ
れに、ＸおよびＹ方向の２個のＣＣＤセンサ、ＣＣＤX
とＣＣＤY とを設ける。ＣＣＤX は＃形のマーク線Ｍ1,
Ｍ2 と＋形のマーク線Ｂ1 の反射光を受光して、それぞ
れの位置に対応したパルスｐM1，ｐM2およびｐB1が検出
される。パルスｐB1がｐM1とｐM2の中心位置となるよう
に、基板２を移動してＸ方向が位置合わせされる。同様
に、ＣＣＤY の検出パルスｐM3，ｐM4の中心位置にｐB2
を移動してＹ方向が位置合わせされる。以上のＸおよび
Ｙ方向の位置合わせにより、＋形の中心が＃形の中心に
位置合わせされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて、上記の位置合わ
せにおいては、ガラス基板２は下側にあるため、上側に
設けた光源31よりの照明光は、マスク板１に直接照明さ
れる。マスクマークＭの各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 は、クロ
ーム薄膜によるのでその反射光は強度が大きい。しか
し、基板マークＢに対しては、照明稿はマスク板１によ
り減衰し、また反射光もマスク板１により減衰するの
で、その反射光のＣＣＤセンサの受光量はマスクマーク
Ｍのそれに比較して小さい。また、基板マークＢが塗料
のプリントの場合はさらに低下する。図３は強度が低下
したパルスｐB の一例を示し、このパルスｐB は良好に
検出できない。これに対して、照明光の光量を増してパ
ルスｐBの強度を増加することが考えられるが、光量を
増すとパルスｐM が飽和するなどにより、位置合わせの
精度上好ましくない。一方、各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 の線
幅を細くするか、あるいは点線として反射光量を低減す
る方法も考えられるが、線幅には限度があってより細く
できず、点線とすると、ＣＣＤX がマーク線Ｍ3 または
Ｍ4 の位置に重なったとき、点線がＣＣＤX に受光され
てノイズとなり、各パルスｐM,ｐB のＳ／Ｎ比が悪くな
ってやはり精度上好ましくない。以上に対して、線幅を
細くすることなく、またノイズとならない、なんらかの
形状のマーク線Ｍ1 〜Ｍ4 によりマスクマークＭを構成
することが必要である。この発明はこのようなマスクマ
ークＭを提供することを目的とする。
せにおいては、ガラス基板２は下側にあるため、上側に
設けた光源31よりの照明光は、マスク板１に直接照明さ
れる。マスクマークＭの各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 は、クロ
ーム薄膜によるのでその反射光は強度が大きい。しか
し、基板マークＢに対しては、照明稿はマスク板１によ
り減衰し、また反射光もマスク板１により減衰するの
で、その反射光のＣＣＤセンサの受光量はマスクマーク
Ｍのそれに比較して小さい。また、基板マークＢが塗料
のプリントの場合はさらに低下する。図３は強度が低下
したパルスｐB の一例を示し、このパルスｐB は良好に
検出できない。これに対して、照明光の光量を増してパ
ルスｐBの強度を増加することが考えられるが、光量を
増すとパルスｐM が飽和するなどにより、位置合わせの
精度上好ましくない。一方、各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 の線
幅を細くするか、あるいは点線として反射光量を低減す
る方法も考えられるが、線幅には限度があってより細く
できず、点線とすると、ＣＣＤX がマーク線Ｍ3 または
Ｍ4 の位置に重なったとき、点線がＣＣＤX に受光され
てノイズとなり、各パルスｐM,ｐB のＳ／Ｎ比が悪くな
ってやはり精度上好ましくない。以上に対して、線幅を
細くすることなく、またノイズとならない、なんらかの
形状のマーク線Ｍ1 〜Ｍ4 によりマスクマークＭを構成
することが必要である。この発明はこのようなマスクマ
ークＭを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明はマスク板の位
置合わせマークであって、マスク板に対して、適当な辺
長を有する正方形をなすクローム薄膜を、１個ごとに交
互に中心線の両側に蒸着してマーク線を形成し、このマ
ーク線によりマスクマークの＃形を構成したものであ
る。
置合わせマークであって、マスク板に対して、適当な辺
長を有する正方形をなすクローム薄膜を、１個ごとに交
互に中心線の両側に蒸着してマーク線を形成し、このマ
ーク線によりマスクマークの＃形を構成したものであ
る。
【０００６】
【作用】上記のマスクマークにおける各マーク線は、適
当な辺長の正方形のクローム薄膜を、マスク板に対し
て、中心線の両側に１個ごとに交互に蒸着して形成さ
れ、適当な辺長を従来のマーク線の線幅の２分の１とす
れば、各正方形の反射光量のトータルは、従来の直線的
なマーク線の２分の１に低下し、基板マークの反射光量
との強度差が縮まって照明光の光量を増すことか可能と
なる。照明光の光量を増することにより、基板マークの
各マーク線の反射強度が増加してＳ／Ｎ比が改善されて
良好に検出される。
当な辺長の正方形のクローム薄膜を、マスク板に対し
て、中心線の両側に１個ごとに交互に蒸着して形成さ
れ、適当な辺長を従来のマーク線の線幅の２分の１とす
れば、各正方形の反射光量のトータルは、従来の直線的
なマーク線の２分の１に低下し、基板マークの反射光量
との強度差が縮まって照明光の光量を増すことか可能と
なる。照明光の光量を増することにより、基板マークの
各マーク線の反射強度が増加してＳ／Ｎ比が改善されて
良好に検出される。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示し、(a) は＃
形の各マーク線の形状寸法を、(b) はＣＣＤの検出パル
スをそれぞれ示す。
形の各マーク線の形状寸法を、(b) はＣＣＤの検出パル
スをそれぞれ示す。
【０００８】図１(a) において、マスク板１の所定の位
置に、１辺の長さｗが、例えば５μｍの正方形のクロー
ムの薄膜ｍを、中心線Ｃの両側に交互に蒸着してマーク
線Ｍ1 〜Ｍ4 （図では便宜上Ｍ1 とＭ3 のみを示す）を
形成し、これらにより＃形のマスクマークＭを構成す
る。この各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 の線幅は２ｗ＝１０μｍ
で、従来の直線的のものと同一であるが、反射光量はト
ータルとして２分の１である。これに対して、基板マー
クＢは従来通りとし、マーク線Ｍ1,Ｍ2,Ｂ1 に対するＣ
ＣＤX とマーク線Ｍ3,Ｍ4,Ｂ2 に対するＣＣＤY が従来
通り設けられる。いま、ＣＣＤX が点線のようにマーク
線Ｍ3 に重なってその反射光を受光した場合は、正方形
の薄膜ｍはＣＣＤX の各素子より小さいため、各薄膜ｍ
の反射光は総合されて一定の光量として素子に受光され
るので、ノイズとならず、従ってＳ／Ｎ比は低下しな
い。図１(b) の(イ) は、上記により強度が従来の２分の
１に低下したマスクマークＭの検出パルスｐM を示し、
基板マークＢの検出パルスｐB の強度との差または比が
従来より縮小されている。これに対して、パルスｐM が
飽和しない範囲で照明光量を増すと、各パルスは(ロ) の
ように強度が増加してＣＣＤX またはＣＣＤY の検出信
号はＳ／Ｎ比が良好となり、各パルスの位置が精度よく
検出され、マスク板１に対して基板２が高精度で位置合
わせされる。なお、各パルスの位置の高精度の検出には
微分法が有効であり、これによることができる。
置に、１辺の長さｗが、例えば５μｍの正方形のクロー
ムの薄膜ｍを、中心線Ｃの両側に交互に蒸着してマーク
線Ｍ1 〜Ｍ4 （図では便宜上Ｍ1 とＭ3 のみを示す）を
形成し、これらにより＃形のマスクマークＭを構成す
る。この各マーク線Ｍ1 〜Ｍ4 の線幅は２ｗ＝１０μｍ
で、従来の直線的のものと同一であるが、反射光量はト
ータルとして２分の１である。これに対して、基板マー
クＢは従来通りとし、マーク線Ｍ1,Ｍ2,Ｂ1 に対するＣ
ＣＤX とマーク線Ｍ3,Ｍ4,Ｂ2 に対するＣＣＤY が従来
通り設けられる。いま、ＣＣＤX が点線のようにマーク
線Ｍ3 に重なってその反射光を受光した場合は、正方形
の薄膜ｍはＣＣＤX の各素子より小さいため、各薄膜ｍ
の反射光は総合されて一定の光量として素子に受光され
るので、ノイズとならず、従ってＳ／Ｎ比は低下しな
い。図１(b) の(イ) は、上記により強度が従来の２分の
１に低下したマスクマークＭの検出パルスｐM を示し、
基板マークＢの検出パルスｐB の強度との差または比が
従来より縮小されている。これに対して、パルスｐM が
飽和しない範囲で照明光量を増すと、各パルスは(ロ) の
ように強度が増加してＣＣＤX またはＣＣＤY の検出信
号はＳ／Ｎ比が良好となり、各パルスの位置が精度よく
検出され、マスク板１に対して基板２が高精度で位置合
わせされる。なお、各パルスの位置の高精度の検出には
微分法が有効であり、これによることができる。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるマ
スク板の位置合わせマークの形状においては、＃形の各
マーク線を形成する各正方形の反射光量は、トータル
で、従来の直線的なマーク線の２分の１に低下し、基板
マークの反射光との強度差が縮まるので、照明光の光量
を増すことが可能となり、これにより基板マークの検出
パルスの強度を増加して良好に検出できるもので、ＣＣ
Ｄに対するノイズの防止が考慮されており、マスク板に
対して基板が高精度に位置合わせされる結果、露光品質
が向上する効果には大きいものがある。
スク板の位置合わせマークの形状においては、＃形の各
マーク線を形成する各正方形の反射光量は、トータル
で、従来の直線的なマーク線の２分の１に低下し、基板
マークの反射光との強度差が縮まるので、照明光の光量
を増すことが可能となり、これにより基板マークの検出
パルスの強度を増加して良好に検出できるもので、ＣＣ
Ｄに対するノイズの防止が考慮されており、マスク板に
対して基板が高精度に位置合わせされる結果、露光品質
が向上する効果には大きいものがある。
【図１】 この発明の一実施例を示し、(a) は＃形の各
マーク線の形状寸法を、(b) はＣＣＤの検出パルスをそ
れぞれ示す。
マーク線の形状寸法を、(b) はＣＣＤの検出パルスをそ
れぞれ示す。
【図２】 (a) はマスク板と基板とに、それぞれ設定さ
れた＃形のマスクマークＭと＋形の基板マークＢの説明
図、(b) は両マークＭ，Ｂによる位置合わせ方法の説明
図、(c) は両マークＭ，Ｂと、両者の位置合わせ方法の
詳細説明図である。
れた＃形のマスクマークＭと＋形の基板マークＢの説明
図、(b) は両マークＭ，Ｂによる位置合わせ方法の説明
図、(c) は両マークＭ，Ｂと、両者の位置合わせ方法の
詳細説明図である。
【図３】 基板マークＢの検出パルスｐB の強度の低下
による問題点の説明図である。
による問題点の説明図である。
１…マスク板、２…基板、３…位置合わせ検査光学系、
31…光源、32a,32b …受光器、Ｍ…マスクマーク、Ｍ1,
Ｍ2,Ｍ3,Ｍ4 …マーク線、Ｂ…基板マーク、Ｂ1,Ｂ2 …
マーク線、Ｇ…ギャップ、ＣＣＤX …Ｘ方向のＣＣＤセ
ンサ、ＣＣＤY …Ｙ方向のＣＣＤセンサ、ｐM …マスク
マークＭの検出パルス、ｐB …基板マークＢの検出パル
ス、ｍ…正方形のクローム薄膜。
31…光源、32a,32b …受光器、Ｍ…マスクマーク、Ｍ1,
Ｍ2,Ｍ3,Ｍ4 …マーク線、Ｂ…基板マーク、Ｂ1,Ｂ2 …
マーク線、Ｇ…ギャップ、ＣＣＤX …Ｘ方向のＣＣＤセ
ンサ、ＣＣＤY …Ｙ方向のＣＣＤセンサ、ｐM …マスク
マークＭの検出パルス、ｐB …基板マークＢの検出パル
ス、ｍ…正方形のクローム薄膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 マスク板と被露光の基板とに、それぞれ
＃形のマスクマークと＋形の基板マークとを設け、該各
マークの各マーク線の反射光をＣＣＤセンサにより受光
し、該基板を移動して前記＋形の中心を＃形の中心に一
致させる位置合わせする露光装置において、マスク板に
対して、適当な辺長を有する正方形をなすクローム薄膜
を、１個ごとに交互に中心線の両側に蒸着してマーク線
を形成し、該マーク線により前記マスクマークの＃形を
構成したことを特徴とする、マスク板の位置合わせマー
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20185592A JPH0627638A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | マスク板の位置合わせマーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20185592A JPH0627638A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | マスク板の位置合わせマーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627638A true JPH0627638A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16448008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20185592A Pending JPH0627638A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | マスク板の位置合わせマーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304321A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及び露光方法 |
| WO2015034237A1 (ko) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 대동공업 주식회사 | 캐빈형 작업차의 방진 마운트 |
| US9528566B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-12-27 | Audi Ag | Hydraulically damping bush bearing |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP20185592A patent/JPH0627638A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007304321A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及び露光方法 |
| US9528566B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-12-27 | Audi Ag | Hydraulically damping bush bearing |
| WO2015034237A1 (ko) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | 대동공업 주식회사 | 캐빈형 작업차의 방진 마운트 |
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