JPH0627713B2 - 回路板の検査方法及び装置 - Google Patents

回路板の検査方法及び装置

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JPH0627713B2
JPH0627713B2 JP61316053A JP31605386A JPH0627713B2 JP H0627713 B2 JPH0627713 B2 JP H0627713B2 JP 61316053 A JP61316053 A JP 61316053A JP 31605386 A JP31605386 A JP 31605386A JP H0627713 B2 JPH0627713 B2 JP H0627713B2
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    • G—PHYSICS
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は基板上の所定領域の欠陥を検査する方法及び装
置に関する。
発明の背景 最近の電子機器には、いろいろな電子部品を塔載した回
路基板が一枚以上内蔵されている。これらの電子部品
は、リード線を二個以上有し、これらのリード線は回路
基板の開口を貫通挿入され金属被覆部に半田付けされて
いる。ところが電子部品の寸法を小さくして回路基板上
に塔載される部品数をますます増大する傾向にあるの
で、これに伴い、回路基板の金属被覆部に接続されるリ
ード線の数もますます多くなつてきている。例えば、典
型的な回路基板では、電子部品が50〜100も塔載さ
れ、回路基板の開口を貫通挿入されるリード線の数は5
000にも達することがある。
従来は、各リード線が対応する開口に貫通挿入され金属
被覆部に接続されたかどうかを調べる回路基板検査作業
は、作業員の目視によつて行われていた。しかしなが
ら、回路基板に塔載される電子部品が増加するにつれ
て、作業員の目視による回路基板の検査が非常に困難に
なつてきている。時には、熟練作業者でさえもリード線
が開口から抜け出たり間違つて挿入されるといつた欠陥
を検査できないこともある。更に回路基板の検査を製造
時のスピードで行えることのできる作業者はほとんどい
ない。
このように回路基板の目視検査はいろいろな困難を伴う
ので、このような作業を機械化する映像装置に開発が精
力的に行われている。現在使用されている回路基板検査
用映像装置は、テレビカメラとこれに接続された映像処
理装置とから構成されている。このテレビカメラは、回
路基板の像をビデオ信号に変換し、映像処理装置がこの
ビデオ信号を処理して電子部品リード線の抜け出しや接
続不良のような欠陥を検出する。
ところがテレビカメラを用いた映像装置は、解像力が制
限されてしまうという欠点を持つ。典型的には、解像力
を電子部品リード線を充分に検出できる程度に保つとす
ると、テレビカメラによって観察できる回路基板の最大
範囲は約2インチ×2インチとなる。従つて回路基板の
表面が2インチ×2インチ以上である場合、この全範囲
を撮像するためには、テレビカメラを回路基板の表面上
を移動即ち歩進させなければならない。この為、回路基
板の大きさによつては、テレビカメラを移動するのに、
1〜2分もの時間を要してしまう。この結果、このよう
な回路基板検査装置のスループツトは、制限を受けてし
まう。
回路の検査は、テレビカメラの代りに線走査カメラを内
蔵した映像装置を用いても、行うことができる。テレビ
カメラは大きな二次元像を解像できる一つの光撮像素子
を使用するものであつたが、線走査カメラは非常に小さ
な二次元像を解像できる複数の電荷結合素子を使用する
ものである。典型的には、線走査カメラは、レンズの像
面に一次元アレイ状に配列された2048個の電荷結合
素子を有する。各電荷結合素子の視野は、そのレンズの
光学特性に依存するが、典型的には非常に小さく0.004
インチ×0.004インチに達するものもある。
線走査カメラの各電荷結合素子はその視野内の像に応じ
て強度が変化するアナログ信号を発生する。こうして線
走査カメラの電荷結合素子リニア・アレイは、全体とし
て回路基板表面を横切る細長部(例えば、幅が0.004イ
ンチ)の像を撮像する。回路基板上を線走査カメラを移
動(走査)することによつて、回路基板表面上の複数の
連続する細長部の各々が撮像される。回路基板の寸法に
よつては、線走査カメラを回路基板上を一つの軸に沿つ
て一度移動するだけで、全範囲を撮像することができ
る。
線走査カメラの各電荷結合素子はアナログ信号を一以上
のラインに順次出力する。各アナログ信号は、その後の
処理を容易にする為にデジタル信号に変換される。回路
素子表面の各細長部が線走査カメラの視野内にある場合
にはデジタル信号の数は2048個になる。従つて線走
査カメラが回路基板を走査すると、多量のデジタル信号
が発生することになる。
線走査カメラによる回路基板の走査中に生ずる多数のデ
ジタル信号を処理する方法としては、一般に二つの方法
がある。その第一の方法ではデジタル信号の発生後直ち
にそれらのデジタル信号を処理し(即ち「オン・ザ・フ
ライで(移動中に)」デジタル信号を処理し)、それか
ら回路基板表面上の一以上の細長部の像に関する非常に
多数のデジタル信号を記憶する。その後、これらの信号
は、部品リード線の抜けなどの特定の欠陥を検査できる
特別のアルゴリズムを有する高速プロセツサによつて処
理される。しかしこの方法は、線走査カメラから入力デ
ータの処理が特定の欠陥の検査に限られるので、適用範
囲が極めて制限されてしまう。また別種の欠陥を検査す
るには、通常アルゴリズム全体を変えなければならず、
この為には映像処理装置を大幅にプログラムし直す必要
が生ずることがある。
線走査カメラによる回路基板の走査中に生ずるデジタル
信号を処理するもう一つの方法は、全データをメモリに
記憶即ち格納してからその後の処理を行うものである。
回路基板上の0.004インチ×0.004インチの領域の像を記
憶するのに1バイト(8ビット)のメモリが必要である
ので、8インチ×8インチの回路基板上の像を示すデジ
タル信号を記憶するには4メガビットのメモリが必要と
なる。この方法の利点は、映像データがメモリに格納さ
れるので、入力データの処理方法を必ずしも変えること
なく、データの解析によつて種々の欠陥を検出できるこ
とである。しかしながら、最近メモリ素子の価格が低下
していると言つても、線走査カメラによる回路基板の走
査中に生ずるデジタル信号のすべてを記憶することは、
一般的には「オン・ザ・フライ」で信号を処理する場合
に比べて望ましくない。また処理前に線走査カメラの出
力データを記憶すると、検査に多くの時間を要してしま
う。
そこで、線走査カメラを用いて、回路基板のような基板
表面の欠陥を迅速かつ効率的に検査する方法が望まれて
いた。
発明の要約 基板表面を検査してそこの欠陥を検出する公知の方法に
ついての上述の問題は、本発明の方法によつて解決され
る。即ち表面を横切る細長部から反射された光の強度
は、上記表面から離間配置された光検知手段で検知され
る。この光検知手段と基板とを相対移動させ、これによ
り光検知手段は、表面上の複数の連続する細長部の各々
からの反射光の強度を検知しこの強度に応じて変化する
出力信号を発生する。この出力信号を処理して連続する
細長部の各々を表わす映像データを求め、各細長部内の
所定領域を表わす映像データのみを保持する。こうして
保持されたデータを解析して基板表面上の連続する細長
部の各々内の所定領域内の欠陥を検査する。
本発明の詳細な説明 第1図は、基板10の一部を示した斜視図であり、この
基板10は、実施例では回路基板を有し、この回路基板
は夫々上部表面12と下部表面14とを有する。これら
の表面12と14との間には回路基板10を貫通する複
数個の開口16〜16が穿孔されており、これらの開口
16〜16は、メツキ処理されている。その直径は夫々
典型的には0.036インチである。各表面12、14に
は、複数の金属被覆リング17〜17が設けられ、これ
らの各リング17〜17は対応する一つの開口16〜1
6を取囲むと共に、開口内のメツキ部と電気的に接続さ
れている。導電性金属薄片(不図示)が表面12と14
の両方又は一方に設けられ、リング17〜17同士を選
択的に接続している。
開口16〜16の配列パターンは、複数の電子部品20
〜20の夫々のリード線18〜18のパターンに対応し
ている。実際には、これらの部品20〜20のリード線
18〜18は、部品20〜20が表面12に支持される
ように、開口16〜16内に自動的に挿入される。典型
的には、リード線18〜18の長さは、リード線の先端
部22が開口16〜16への挿入後に回路基板10の下
面14からわずかに突出するように定められている。リ
ード線18〜18が開口16〜16から離脱する(抜け
出る)ことを防止するために、各部品20の一以上のリ
ード線の先端部22が下面14に接触するように折り曲
げられる。
リード線18〜18を開口16〜16に挿入する際に、
誤りが生ずることがある。例えば、リード線18〜18
のうちの一本が位置的にずれてしまうと、それは対応す
る開口16内に挿入されなくなつてしまう。たとえたつ
た一本のリード線が正しく挿入されないだけでも、回路
基板10に欠陥が生ずる可能性が高い。回路基板10の
組立工程において修理すると、この場合の修理コスト
は、回路基板をその使用現場で修理する場合に比べて大
幅に低減される。
第2図は、上述の部品用リード線18〜18の不整合即
ち挿入不良のような回路基板10の欠陥を検査する本発
明による装置24を示したブロツク図である。装置24
はステージ26を有し、回路基板10はその下面14が
上を向くようにこのステージ26に載置されている。ス
テージ26は、ステージ制御器30に従い、双方向矢印
28に示す軸に沿つて直線方向に回路基板10を移動さ
せる。好適の実施例では、ステージ26とステージ制御
器30は、それぞれニユーヨーク州のハプグ(Happgu
e)のアノラツド(Anorad)社製の7−20型ステージ
とIA−1型ステージ制御器から構成される。
ランプ32(例えば石英ハロゲン管)が回路基板10の
表面14から離間配置され、このランプ32は複数の平
行光線34〜34を第1の傾斜方向に沿つて表面14の
方に指向させる。光線34〜34は、各リード線18の
突出先端部22と、開口16〜16を囲む表面14の金
属リング17〜17とを照明する。開口16から突出し
たリード線18の各々はリング17に入射する光線34
〜34の一部を遮断して、リング17上に影を作る。
線走査カメラ36は、ランプ32と同様に表面14上で
離隔している。リード線18−18の先端部22−22
及び金属リング17−17から第2の傾斜方向に沿って
反射された光線を検出するため、線走査カメラ36は、
ランプ32から横方向に離隔している。この線走査カメ
ラ36は、好適実施例では、カルフオルニア州のパロア
ルト(Palo Alto)のフエアチヤイルド(Fairchild)社
製のCCD1500R型カメラから構成される。このカメラ36
には、複数の電荷結合素子38〜38(一個のみ図示)
が内蔵されている。
各電荷結合素子38は、シリコンの露光領域(不図示)
を持つ半導体から構成され、このシリコン露光領域に光
が入射すると自由電子・正孔の対が発生する。これらの
電子・正孔対は入射光の強度に応じて変化する。これら
の自由電子・正孔対(電荷パケツトと称される。)は各
条体、すなわち各細長部40の像の小部分即ち画素(絵
素:pixel)を表わしている。この電荷パケツトは、電
荷結合によつて、電荷結合素子38の長いゲート電極
(不図示)を介して出力ゲートに転送される。増幅器
(不図示)は、電荷結合素子38の出力ゲートに存する
電荷をアナログ電圧に変換し、電荷結合素子38〜38
からの各アナログ信号は、カメラ36から順次出力され
る。
この線走査カメラ36は、2048個の電荷結合素子3
8〜38を有し、これらの電荷結合素子は線走査カメラ
36のレンズ(不図示)の像面に水平方向に直線状に配
列されている。このレンズの光学特性は、各電荷結合素
子38の視野が約0.04インチ×0.004インチとなり、こ
れにより各電荷結合素子が表面14上の同寸法の領域、
即ち絵素を撮像するように、選定されている。カメラ3
6内の電荷結合素子38の線状列は、軸28に垂直な表
面14の領域の細長部(例えば幅が0.004インチ)40
を同時に撮像することができる。
カメラ36の各電荷結合素子38〜38の出力信号は、
映像処理装置42に送られ、この映像処理装置42は、
入力された信号を処理して表面14上の欠陥、例えばリ
ード線18〜18が開口16から突出していない状態を
検出する。映像処理装置42は、電荷結合素子38〜3
8からのアナログ信号をデジタル信号に変換するインタ
ーフエース44を有し、このインターフエース44は、
自走クロツク48によつて制御されるアナログ・デジタ
ル(A/D)コンバータ46を有する。この自走クロツク
48は11ビツトの出力信号を発生し、この信号のうち
の9個の最上位は0から511まで単調増加カウントを
発生する。クロツク48の11ビツトの出力信号が変化
する毎に、A/Dコンバータ46はカメラ36の各電荷結
合素子38〜38の出力を順次7ビツトのデジタル信号
に変換する。クロツク48の11ビツトの出力信号は、
電荷結合素子38〜38により撮像された表面14上の
各細長部40内の2048個の絵素(0.004インチ×0.0
04インチ)の個々を表わしているので、形容詞として
「絵素」を用いて、クロツク48を記述する。
クロツク48の9個の最上位ビツトの出力カウントと、
A/Dコンバータ46の7ビツトの出力信号とは、強度調
整器50に送られる。回路基板10の表面14の照度む
らは、映像に悪影響を及ぼす恐れがあるので、強度調整
器50が、A/Dコンバータ46の各7ビツト・デジタル
出力信号の値を調整して表面14の照度むらを補償す
る。好適実施例では、この強度調整器50は、16本の
アドレス・ライン51〜51(一本のみ図示)と8本の
データ・ライン52〜52(一本のみ図示)と一本のコ
ントロール・ライン53とを有する64K×8ビツトの
メモリから構成されている。強度調整器50内には、5
12ページ分のデータが記憶され、各ページは128個
のデータ・ブロツク56〜56を含んでいる。各ページ
54内の各データ・ブロツク56は8ビツト・ワード
(語)から成り、これは、A/Dコンバータ46によつて
発生される4個の7ビツトデジタル信号から成るブロツ
クの夫々に対する補償された値を表わしている。
強度調整器50による補償を正しくする為に、強度調整
器50の16本のアドレス・ライン51〜51のうちの
最下位の7ビツトにA/Dコンバータ46の7ビツト出力
信号が供給される。強度調整器50の9個の最上位アド
レスライン51〜51には、絵素クロツク48の出力信
号のうちの9個の最上位ビツトが供給される。この絵素
クロツク48からの9ビツト信号は、強度調整器50内
のページ54〜54の関連するページを指定する。A/D
コンバータ48の7ビツト出力信号は、4個の電荷結合
素子38〜38から成るブロツク内の各電荷結合素子3
8〜38に対する正しく補償された強度値を内蔵する上
記指定ページ54内のブロツク56〜56の関連する一
つのブロツクを指定する。このブロツクの4個の電荷結
合素子38〜38は絵素クロツク48からの出力信号の
9個の最上位ビツトによつて同定される。
強度調整器50のデータ・ライン52〜52とコントロ
ール・ライン53は、夫々データ・バス57とコントロ
ール・バス58とを介してメモリ61の一組のデータ・
ライン59〜59(一本のみ図示)とコントロール・ラ
イン60とに接続されている。こうして強度調整器50
からのデータはデータ・バス57を通つてメモリ61に
転送され、そこに格納される。このメモリ61は、アド
レス・バス64に接続された一組のアドレス・ライン6
2〜62(一本のみ図示)を有する。このアドレス・バ
ス64は、アドレス・情報をメモリ61のアドレス・ラ
イン62〜62に送り、メモリ内のデータの格納位置又
は検索位置を特定する。
メモリ61に格納された情報は、典型的にはマイクロコ
ンピユータから成る中央処理ユニツト66によつて処理
され、表面14の欠陥を検出する。中央処理ユニツト6
6はアドレス・バス64に接続された一組のアドレス・
ライン67〜67(一本のみ図示)を有し、これにより
メモリ61内の情報が中央処理ユニツト66に連送さ
れ、そこで処理される。アドレス情報は、メモリ61に
格納された処理すべきデータの位置を表わすもので、中
央処理ユニツト66からアドレス・バス64を介してメ
モリ61に送られる。
中央処理ユニツト66はデータ・バス57に接続された
一組のデータ・ライン68〜68(一本のみ図示)を有
し、これらのデータ・ライン68〜68は、メモリ61
に送られたアドレス情報によつて特定された位置に格納
されていたメモリ61からのデータを中央処理ユニツト
66に転送する。中央処理ユニツト66のコントロール
・ライン69はコントロール・バス58に接続され、こ
れにより中央処理ユニツトはコントロール・信号をバス
58に出力して、メモリ61が現在アクセス中であるこ
とを示す。中央処理ユニツト66用のプログラム命令は
端末機70を介して中央処理ユニツトに入力される。
中央処理ユニツト66は、メモリ61に格納されたデー
タの処理の外にステージ26の移動を制御する。ステー
ジ26の移動を表わすコマンド信号は、中央処理ユニツ
ト66から入出力カード71を介してステージ制御ユニ
ツト30に送られる。ステージ制御ユニツト30からの
信号は、軸28に沿つたステージ26の位置、即ち線走
査カメラ36の視野内に位置している表面14上の細長
部40〜40を表わしており、この信号入出力カード7
1を介して中央処理ユニツト66に送られる。映像処理
装置42内にはダイレクト・メモリ・アドレス(DM
A)コントロール回路72が設けられ、このDMAコン
トロール回路72は強度調整器50からメモリ61への
データ転送を制御する。DMAコントロール回路72の
一組のアドレス・ライン73〜73はアドレス・バス6
4に接続され、これによつて、メモリ61内のデータ格
納位置を示すDMAコントロール回路内のアドレス・情
報がメモリに送られる。DMAコントロール回路72の
コントロール・ライン74はコントロール・バス58に
接続されており、これによつてDMAコントロール回路
72は、中央処理ユニツト66とメモリ61との間での
データ転送の実行を示すコントロール信号が中央処理ユ
ニツト66からコントロール・バスに送られているか否
かを検知する。中央処理ユニツト66からのコントロー
ル信号がコントロール・バス58に存在する時には、メ
モリ61にアクセスしないようにする。
通常、DMAコントロール回路72は、強度調整器50
からのデジタル信号を弁別せずに、それらのデジタル信
号のすべてをデータ・バス57を介してメモリ61に転
送して、そこに格納させることになるであろう。もしそ
うであると、線走査カメラ36が走査する回路基板10
の大きさに応じて、強度調整器50からの映像データは
4メガバイトにも達するので、メモリ61は強度調整器
50からの全データを格納するために、規模を極めて大
きくしなければならない。
しかしながら、各細長部40での対象の所定領域75〜
75(想像線で示した)の各々内の絵素を表わす映像デ
ータだけを保持するのでよいならば、メモリ61の記憶
規模を減少することができる。例えば、回路基板10の
リード線18〜18の不整合即ち抜けを検査するのであ
れば、各細長部40内の対象領域は開口16〜16とそ
こを囲むリング17〜17とを含む領域のみとなる。リ
ード線18〜18が存在するのは、開口16〜16の中
のみであるから、領域75〜75のうち開口又はリング
17〜17以外の部分に関する映像データを保持する必
要はない。実際には、領域75〜75は各々細長部40
(例えば、開口16〜16やその周囲のリング17〜1
7の一部)と同一幅である。
DMAコントロール回路72が、メモリ61内に格納す
べき映像データとそうでない映像データとを弁別するた
めに、映像処理装置42はDMAコントロール回路72
に接続されたメモリ・コントローラ76を有する。この
メモリ・コントローラ76の詳細を第3図に明示する。
この第3図において、メモリ・コントローラ76はセグ
メンテーシヨン・メモリ78(例えば、64K×16ビ
ツト)を有し、このメモリ78は16本のデータ・ライ
ン79〜79(一本のみ図示)と16本のアドレス・ラ
イン80〜80(一本のみ図示)とを有している。この
セグメンテーシヨン・メモリ78には65,536個の
16ビツト・データ・ワード81〜81が格納され、こ
れらのワードの各々は細長部40〜40(第2図参照)
内の領域75〜75(第2図参照)の一つ一つを表わす
情報を含んでいる。
表1はメモリ78に格納された各データ・ワード81内
の情報の配置を図式的に示したものである。
各データ・ワード81内の最高次数ビツトは「オン/オ
フ」ビツトとして指定されている。このオン/オフビツ
トの状態(これは二進数の「1」か「0」のいずれかで
ある。)は、或る領域75の映像を表わす強度調整器5
0(第2図参照)からのデータがメモリ61(第2図参
照)に格納されるべきか否かを決定する。もしこの領域
75が開口16〜16及びその周囲のリング17の一方
の一部を含んでいる場合には、オン/オフビツトは二進
数「1」となり、強度調整器50からのデータが第2図
のメモリ61に格納されるべきであることを示す。そう
でない場合には、オン/オフビツトは、「二進数0」に
なり、このときのデータは格納されずスキツプされる。
各データ・ワード81の2番目の最高次数ビツトは、
「リンク・ビツト(link bit)」として指定されてい
る。このリンク・ビツトの状態は、データ・ワード81
によつて表わされる領域75が細長部40(第2図参
照)の両端の一方に位置しているか否かを示している。
もしリンク・ビツトが二進数の「1」である場合には、
領域75は細長部40の端ではなく、逆に、リンク・ビ
ツトが二進数の「0」である場合には、上述の反対であ
る。
リンク・ビツトの次の10ビツトはオン/オフカウント
として指定される。このオン/オフカウントの値は、4
絵素から成るブロツクを単位として測つたときの各領域
75の長さを表わしている。一絵素は第2図の電荷結合
素子38〜38の一つによつて撮像された0.004インチ
×0.004インチの映像であるので、オン/オフカウント
は、オン/オフビツトの状態に従い、信号がスキツプ又
は格納される電荷結合素子の数の1/4を表わしている。
例えばオン/オフビツトが二進数「1」である場合、
「1」(二進数)の計数によつて、4個の隣接電荷結合
素子38〜38が撮像した映像が格納される。
各データ・ワード81のうちの4つの最下位ビツトは、
「繰返カウント」として指定される。この繰返カウント
は領域75〜75の同一パターンを有する細長部40〜
40の個数を表わしている。換言すると、一個の細長部
40の領域75〜75は夫々長さがその後続の細長部の
対応する領域と同一であり、しばしば、表面14上の一
個の細長部のパターン即ち領域75〜75はその後のい
くつかの細長部で繰り返される。この為、領域75〜7
5のパターンがいくつかの細長部40〜40で同一であ
るとき、これらの細長部内の領域は、同一の組のデータ
・ワード81〜81によつて記することができる。
いくつかの同一細長部40〜40の第1番目の細長部に
関連した一組のデータ・ワード81〜81は、その後の
同一細長部40〜40の各々の領域75〜75を記述す
る為に、「繰返しカウント」回数だけ、繰返され得る。
繰返しカウントを使用して、細長部40内の領域75〜
75のパターンが何回繰り返されるかを特定すれば、デ
ータ・ワード81〜81の格納に必要なメモリの量を大
幅に低減することができる。以上から分るように、リン
クビツトは、細長部40の領域75〜75の繰返パター
ンの終りを確認するものである。繰返カウントは常に零
よりも大きくなる。
第3図において、セグメンテーシヨン・メモリ78のア
ドレス・ライン80〜80はアドレス・カウンタ82に
接続されている。アドレス・カウンタ82がそのカウン
トをセグメンテーシヨン・メモリ78のアドレス・ライ
ン80〜80に出力すると、セグメンテーシヨン・メモ
リはカウンタ82のカウントに対応したアドレスに格納
されていたデータ・ワード81をデータ・ライン79〜
79に出力する。典型的には、セグメンテーシヨン・メ
モリ78内の第1番目の記述データ・ワード81が第1
番目のアドレス(零)に格納される。アドレス・カウン
タ82の出力カウントはラツチ84にラツチされる。尚
このラツチ64の出力はカウンタ82の入力に接続され
ている。
セグメンテーシヨン・メモリ78のデータ・ライン79
〜79のうち最上位(最高次数)のものは、第2図のD
MAコントロール回路72に接続されている。セグメン
テーシヨン・メモリ78の最高次数データ・ラインは、
アドレス・ライン80〜80に出力されたアドレスの所
に格納されたデータ・ワード81のオン/オフビツトを
送出する。第3図のDMAコントロール回路72に供給
されたオン/オフビツトが二進数「1」である時、DM
Aコントロール回路72は第3図の強度調整器50に作
用し、これにより調整器50からのデータが第2図のデ
ータ・バス57を介して第2図のメモリ61に転送され
る。
第3図のセグメンテーシヨン・メモリ78の最下位の1
4データ・ライン79〜79のうちの最上位の10デー
タ・ラインは、アドレスされたワード81のオン/オフ
カウントをカウンタ86(オン/オフカウンタと称す
る。)に送出する。第2図の絵素クロツク48の最上位
の9ビツトが表わすカウントが変化する毎に、オン/オ
フカウンタ86は自身に格納されていたオン/オフカウ
ントの値を1だけ減ずる。セグメンテーシヨン・メモリ
78の最下位の4データ・ライン79〜79は、アドレ
スされたワード81の繰返カウントをカウンタ88
(「繰返カウント」カウンタと称する。)に送出する。
アドレスカウンタ82とオン/オフカウンタ86と繰返
カウント・カウンタ88とアドレス・ラツチ84とセグ
メンテーシヨン・メモリ78は夫々論理ユニツト90に
接続されている。この論理ユニツト90は、アドレスカ
ウンタ82とオン/オフカウンタ86と繰返カウント・
カウンタ88とアドレス・ラツチ84とを、アドレスさ
れたデータ・ワード81のうちのリンク・ビツトと繰返
カウントとオン/オフカウンタのオン/オフ・カウント
と繰返カウント・カウンタの繰返カウントとの間の規定
された関係に従い所定の順序で作動させる。好適実施例
では、論理ユニツト90は第4図に示したステツプを実
行するようにプログラムされたプログラマブル・アレイ
・論理ゲートから構成される。第4図において、論理ゲ
ート90(第3図)は、アドレス・カウンタ82のカウ
ントを零に初期設定することによつてプログラムの実行
を開始する(ステツプ92)。その後、アドレス・カウ
ンタ82のカウントが第3図のアドレス・ラツチ84に
格納、即ちラツチされる(ステツプ94)。
次いで、セグメンテーシヨン・メモリ78が読み出さ
れ、この読み出されたデータ・ワード81の繰返カウン
トとオン/オフカウントとが夫々繰返カウント・カウン
タ88とオン/オフカウンタ86にロードされる(ステ
ツプ96)。このステツプ96の後に、データ・ワード
81の繰返カウントがテストされ、その値が零より大き
いかどうかが調べられる(ステツプ98)。実際には、
第3図のセグメンテーシヨン・メモリ78から読み出す
べきデータ・ワードがもはや存在しないことを示す為
に、表面14の最終細長部40内の最後の領域75を表
わすデータ・ワード81の繰返カウントが零に設定され
る。こうして、データ・ワード81の繰返カウントが零
になつたことを論理ゲート90が確認すると、第2図の
強度調整器50から第2図のメモリ61への像データ、
すなわち映像データの転送が完了しているのでプログラ
ム実行が終了する(ステツプ100)。
ステツプ98で調べたときに繰返カウントが零でないこ
とが分つた場合には、オン/オフ・カウンタ86のカウ
ントを調べる(ステツプ102)。オン/オフ・ビツト
の状態に応じて、格納すべき又はスキツプすべき映像デ
ータを発生する細長部40〜40(第2図参照)のうち
の特定の一つの領域75〜75(第2図参照)のうちの
特定の一つの内の4個の絵素からなるブロツクの個数
は、オン/オフ・カウンタ86のオン/オフ・カウント
によつて表わされる。オン/オフ・カウントが零でない
ことは、その領域75に関連する映像データの一部また
は全部が格納又はスキツプの為に残存していることを示
している。従つて、カウントがステツプ102において
零でないことが分つたとき、論理ゲート90はオン/オ
フ・カウンタ86を作動し、これによりそのオン/オフ
・カウントが第2図の絵素クロツク48の9ビツトカウ
ンタに応じて減少される(ステツプ104)。このよう
に、第2図の線走査カメラ36内の各ブロツクの4個の
電荷結合素子38〜38が生ずる映像データは格納又は
スキツプされる。
ステツプ104の後には、プログラムはステツプ102
に戻る。ステツプ102において再チエツクしたときに
オン/オフ・カウンタ88のオン/オフ・カウントが零
になつた場合には、論理ゲート90は、第3図のセグメ
ンテーシヨン・メモリ78のデータ・ライン79〜79
(第3図参照)に現在存在するデータ・ワード81のリ
ンク・ビツトの状態を調べる(ステツプ106)。
リンクビツトが零でない(これは、第2図の細長部40
内でまだ調べていない領域75〜75について未だ格納
又はスキツプされていない映像データが存在することを
示す。)ことが分つた場合には、アドレスカウンタ82
が作動される(ステツプ108)。カウンタ82は、作
動されると、そのカウントを1だけ増加する。次いでセ
グメンテーシヨン・メモリ78が読み出され、かつアド
レス・カウンタ82の増加されたカウントに対応するア
ドレスのデータ・ワード81のオン/オフ・カウントが
オン/オフ・カウンタ86にロードされる(ステツプ1
10)。その後、プログラムはステツプ102に戻つて
実行される。
リンク・ビツトの値がステツプ106の間に零になつた
(これは、特定細長部40内の領域75〜75のすべて
の映像データが格納又はスキツプされたことを示してい
る。)場合には、繰返カウント・カウンタ88が作動さ
れ、その繰返カウントを1だけ減少する。(ステツプ1
12)。次いで繰返カウント・カウンタ78の繰返カウ
ントの現在の値が調べられる(ステツプ114)。もし
この繰返カウントが零である場合には、これは或る細長
部の領域75〜75のパターンが所望の回数(データ・
ワード81の繰返カウントに等しい)だけ既に繰返され
たことを示しており、アドレス・カウンタ82が作動さ
れ、これによりそのカウントが1だけ増加されることに
なる(ステツプ116)。その後に、プログラムはステ
ツプ94に進む。
他方、繰返カウント・カウンタ88の繰返カウントが零
でないときには、アドレス・カウンタ82に、アドレス
・ラツチ84に格納されたアドレスがロードされる(ス
テツプ118)。これにより、領域75〜75と同一パ
ターンを有する一組の細長部の最初の領域75〜75に
関する映像データが繰返される。アドレス・ラツチ84
は、繰返すべき領域75〜75の第1番目のものを表わ
す最初のデータ・ワードの最初のアドレスを含んでい
る。ステツプ118の後にはプログラムはステツプ11
0に戻る。
第5図は、第2図の中央処理ユニツト66が実行するプ
ログラムのフローチヤートを示したもので、このプログ
ラムにより第2図のメモリ61に格納された映像データ
を解析して、欠陥が第2図の表面14上の所定領域75
〜75に存在するかどうかを調べる。第5図のプログラ
ムの実行は以下のように開始される。即ち第2図の回路
基板10の表面14上の各細長部40〜40内に存する
領域75〜75(第2図参照)を表わす情報を含む一組
のデータ・ワード81〜81で第3図のセグメンテーシ
ヨン・メモリ78をロードする(ステツプ120)。典
型的には、各データ・ワード81〜81に関するオン/
オフ・ビツト、リンク・ビツト、オン/オフ・カウント
及び繰返カウントは、コンピユータ支援設計(CAD)デ
ータ・ベース(不図示)内のデータから決定される。
尚、このデータ・ベースには第1図及び第2図の回路基
板10の表面14上の開口16〜16とその周囲のリン
グ17〜17との位置を表わす情報が含まれている。
ステツプ120の後に、第2図の中央処理ユニツト66
は第2図の軸28に沿つて第2図のステージ26を移動
させる命令を出す(ステツプ122)。こうして、第2
図の回路基板10が第2図の線走査カメラ36によつて
走査される。ステージ26が第2図の軸28に沿つて移
動するにつれて、第2図の各電荷結合素子38〜38の
出力信号は、デジタル化され、次いで補償され、その後
前述した方法により第2図のメモリ61に格納され又は
スキツプされる。ステージ26の軸28に沿つた移動速
度は、中央処理ユニツト66によつて以下のように制御
される。即ち、線走査カメラ36の電荷結合素子38〜
38からの出力信号がデジタル化され補償されて格納さ
れた後に、次の細長部が線走査カメラの視野に入るよう
に制御される。
回路基板10の表面14の映像データが捕捉されている
ときに、第2図の中央処理ユニツト66は、同時にこの
捕捉データを解析して所定の領域75〜75内の欠陥を
検出する。中央処理ユニツト66は、連続変数Mを1に
初期化することによつてデータ解析を開始する(ステツ
プ124)。変数Mは第2図のリング17と開口16〜
16の特定の一つの像を同定する。各リング17の直径
(例えば、0.030インチ)は典型的には各細長部40の
幅よりも大きいので、リング17と開口16の像は第2
図の表面14上のいくつかの連続細長部の像から構成さ
れる。
ステツプ124の後に、中央処理ユニツト66は、M番
目の開口16とこれの周囲のリング17とを表わす映像
データのすべてが捕捉されたかどうかを調べる(ステツ
プ126)。中央処理ユニツト66は、上記映像データ
の捕捉と同時に第2図の表面14の映像データを解析す
るので、M番目の開口16とそれのリング17に関する
映像データのすべてをこれから捕捉しなければならない
かもしれない。中央処理ユニツト66がM番目の開口1
6とその周囲のリング17の像を解析する前に、その映
像データのすべてが使用可能になつていなければならな
い。
必要な映像データが使用可能かどうかを中央処理ユニツ
ト66が決定できるようにする為に、中央処理ユニツト
66は、プログラムの実行の最初に、M番目の開口16
〜16とそれぞれを囲むリング17〜17の各々の映像
データを含むはずになつているメモリ61内の位置のア
ドレスが与えられる。もしステツプ126の間にM番目
の開口16とその周囲のリング17との映像データのす
べてがメモリ61内の対応位置に格納されねばならない
ものでもないことが第2図の中央処理ユニツト66によ
つて分つた場合には、ステツプ126が再実行される。
M番目の開口16とその周囲のリング17とを構成する
映像データが使用可能になると、このデータが処理され
(ステツプ128)、リード線18がM番目の開口を貫
通し表面14から突出しているかどうかを検出する。こ
うして、M番目の開口16が「検査」される。リード線
18が検出されるか否かに応じて「合格」又は「失敗」
が夫々記録される(ステツプ130)。
ステツプ130の後に、変数Mの値が1だけ増加される
(ステツプ132)。この後に、Mの値は、第2図の回
路基板表面14の開口16〜16とその周囲のリング1
7〜17の数に応じた参照値Mfと比較される(ステツプ
134)。この比較の結果、MがMfより小さい場合に
は、これは開口16〜16のすべてが検査されたわけで
はないことを示しているので、プログラムはステツプ1
26に戻る。他方、MがMfに等しいときには、予め記録
された結果が第2図の端末器70に出力され(ステツプ
136)、これにより回路基板10に適宜の修理が行わ
れる。ステツプ136の後に、次の回路基板10が第2
図のステージ26に載置される(ステツプ138)。そ
の後、プログラムはステツプ120に戻つて実行され
る。しかしながら、もし第2図のステージ26に載置さ
れた回路基板10が、前に検査された回路基板と同一で
ある(即ち、開口16〜16が同一位置にある)場合に
は、第2図のセグメンテーシヨン・メモリ78に前回と
同一のデータ・ワード81〜81を再ロードする代り
に、プログラムを破線で示したようにステツプ122に
戻す。
第6図は、第5図のステツプ128において中央処理ユ
ニツト66が実行するサブルーチンのフローチヤートを
示すもので、このサブルーチンによつてリード線18が
開口16を貫通し第1図及び第2図の表面から突出して
いるか否かを確かめる。最初に、第2図の中央処理ユニ
ツト66は、M番目の開口16の中心をその開口の縁を
探すことによつて見つけようとする(ステツプ14
0)。この後に、中央処理ユニツト66は、開口16の
中心が発見されたかどうかを調べる(ステツプ14
2)。M番目の開口16の中心が発見できない場合に
は、その原因は多分開口を貫通したリード線18が開口
の像を歪めているからである。従つて開口16の中心を
発見できないときには、プログラムはステツプ144に
移り、このステツプ144で合格がセツトされる。その
後、プログラムの実行は第5図のプログラムに戻る(ス
テツプ148)。
しかしながら、M番目の開口16の中心が発見できた場
合には、プログラムは第6図のステツプ150に移り、
このステツプにおいて、開口の中心の黒レベルが規格化
され、即ちその強度レベルが測定され、これに従つてス
レツシユホールド値(閾値)がセツトされる。このM番
目の開口16の像の規格化は、この開口の中心に最も近
い4個の絵素の強度の平均を求めることによつて行われ
る。開口16の像を規格化するのは、比較の為に使用さ
れるベース・ラインやカードや強度の値を求めるためで
ある。
ステツプ150の後に、開口16を取囲むリング17か
らの反射光の強度が測定され、そのリングの最も暗い部
分の強度が決定される(ステツプ152)。その後、こ
のリング17の最も暗い部分の強度が、影がない時のリ
ング17の反射光強度を表わす所定の参照値と比較され
る(ステツプ154)。尚、この参照値はステツプ15
0において定めたスレツシユホールド値に従つてセツト
される。上述の比較の結果、リング17の最も暗い部分
の強度が参照値よりも小さい場合には、開口16から突
出したリード線18がリングに影を作つているはずであ
るので、プログラムはステツプ144に移り、合格がセ
ツトされ、それからリターンする(ステツプ148)。
そうでない場合には、プログラムの実行はステツプ15
6に進んで失敗がセツトされる。ステツプ144又は1
56のいずれかの後、プログラムの実行は第5図のプロ
グラムにリターンする(ステツプ148)。以上では第
2図の装置は、回路基板10の特別な欠陥の検査、即ち
リード線18〜18の抜け・挿入不良の検査について説
明したが、本発明装置はその他の欠陥をも検査すること
ができる。第3図のセグメンテーシヨン・メモリ78に
格納されている一組のデータ・カードを用いて領域75
〜75内の別の欠陥を検査するのであれば、この場合に
は、単に第6図のプログラムを修正又は変更するだけで
よい。第2図の電荷結合素子38〜38からの映像デー
タの捕捉及び補償は、上述と全く同様の方法で行われ
る。
他方、セグメンテーシヨン・メモリ78に格納されてい
るデータ・ワード81〜81に関する領域以外の領域7
5〜75について検査を行いたい場合には、セグメンテ
ーシヨンメモリにその検査すべき領域に関する一組のデ
ータ・ワードを新たにロードすればよい。これにより、
装置24をプログラムや設計を大幅にし直すことなく、
回路基板10の表面14についていろいろな検査を行う
ことができる。
実施例においては、第7図に示すように各表面載置成分
20′は、別個の装置となり、コンデンサもしくは抵抗
器の形をとつている。第8図に最も良く示されているよ
うに、各成分20′は矩形断面を有する本体から成る。
各成分20′上のリード線18′〜18′は各々その端
部の別個の1つを取り囲む1対の金属バンドから成つて
いる。リード線18′〜18′は成分20′の側面に対
して直角となつている。
公知の成分が回路板10上の表面12に載置されている
かどうかを検出するため装置24を使用するためには、
そこから照射される光線34〜34がそれと鋭角(例え
ば10〜15°)を成すように表面12に配向されるよ
うにランプ32を調整しなければならない。回路板10
の表面にたいしてほぼ正常に反射される光線34〜34
が見えるように走査カメラ36の位置を調整しなければ
ならない。回路板10の表面12をより多く照射するに
は、第2のランプを使えばよく、その場合、そこから同
角度で回路板を照射する光線がランプ32からの光線3
2と反対の方向に向くようにする必要がある。
上述のようにランプ32とカメラ36とを調整する目的
は、金属領域158〜158によりカメラ内に反射され
る光線34〜34の強度を最小とすることである。この
金属領域158〜158は平面部分を除いて鏡面となつ
ている。このようにすると、金属領域158〜158を
鋭角で照射する光線34は、そこから鋭角で反射され、
走査線カメラ36によつては見えない。
リード線18′〜18′もまた、通常半田で被覆されて
いるので鏡面となつている。しかしながら、リード線1
8′−18′を照射する光線34〜34は、回路板10
の表面12にたいしてほぼ正常な方向に反射され、走査
線カメラ36には見えない。実際、リード線18′〜1
8′間に配置される各成分20′の頂部表面もまた鏡面
である。したがつて、走査線カメラ36からは各成分2
0′の頂部表面の全領域が見渡せるが、リード線18′
〜18′のみが見えない。
ランプ32と走査線カメラ36とを調整することに加え
て、第5図のプログラムも変更しなければならない。第
1に、第5図のステツプ120の間、第3図のメモリ7
8は、成分20′の1つを載置する金属領域の各対を囲
む領域内に配置される各ストリツプ40内に該当(inte
rest)領域を書き込む1組のデータ・ワード81〜81
(第3図参照)と共に負荷されなければならない。更
に、第5図プログラムのステツプ126の間、金属領域
158〜158のm番目の対の像が第2図の番目の開口
16の像よりも先に得られたかどうかを、中央処理ユニ
ツト66は検査しなければならない。
ステツプ128において、m番目の像を処理して、適正
な成分20′が金属領域158〜158のm番目の対上
に配置されたかどうかを決定すをために、第5図のプロ
グラムは更に修正されなければならない。これを達成す
るためには、第6図のプログラムを、第11図に示す様
に結合して、第9及10図のフローチヤートに示すプロ
グラムと置き換えなければならない。中央処理ユニツト
66が、スタートステツプ(ステツプ160)を実行す
ると、プログラムが実行される。ステツプ160の間、
全てのプログラム変数は初期化される。また、第7図の
回路板10の表面12上の金属158〜158の配置を
示すデータと、その上に載置される成分20′とは、メ
モリ61内に負荷される(第2図参照)。実際上は、こ
のようなデータは回路板10を設計する際に出来るCA
Dデータベース(不図示)から供給される。
ステツプ160が完全に実行される前に、中央処理ユニ
ツト66は、第7図の金属領域158〜158上に配置
された成分20′の各々の予想される幅と長さとを確立
する。実施例においては、回路板10は、それぞれの長
さと幅が、下記の表IIに示された4つの異なる形式の成
分20′(形式1206、1210、1812及182
5)を含み、メモリ66内に含まれる(第2図参照)。
金属領域158〜158の特別な対に載置されるべき成
分20′の形式についてCADデータベースから得られ
る情報に基づいて、中央処理ユニツト66は、表IIに含
まれるデータからその成分に対する幅と長さとを決定す
る。製造公差のため、第7図の各成分20′の実際の幅
と長さとは10%ほど変化する。
ステツプ160に続いて、中央処理ユニツト66は、第
2図(ステツプ160)の電荷結合素子38の各々によ
り捕らえられた各絵素の強度に対して二元、すなわちス
レツシユホールド値を確立する。各絵素の実際の強度、
即ちグレイスケール強度は依然としてメモリ61内に保
存されている。中央処理ユニツト66は、実際の絵素の
強度が所定の最大値以下であるとき、各絵素にたいして
ゼロにおける二元強度値を設定する。このような条件に
おいて、各絵素の二元強度値を設定する目的は、低い光
レベルにおける電気的ノイズを取り除くためである。更
に、実際の絵素の強度が所定の最大値より大きい場合、
二元絵素強度値はゼロに設定される。そのようにする理
由は、隣接する電荷結合素子上のカメラ内の電荷結合素
子の1つから電荷が逃げるために起る線走査カメラ36
のブルーミングの問題を減少させるためである。隣接す
る電荷結合素子に電荷が逃げるので逃げ込まれた素子は
好ましくない非常に高い強度を偶発することになる。
ステツプ162に続いて、中央処理ユニツト66は、成
分20′が第7図の金属領域158〜158のm番目の
対上に載置されているかどうかをチエツクする。中央処
理ユニツト66がどのようにしてこの仕事をするかを理
解するため、一列、すなわちグリツドのボツクスを示す
第12図を参照されたい。第10図の各ボツクスは、絵
素の1つを示し、絵素は、第7図の回路板10の表面1
2(第7図参照)上の小さな領域の像から成り、金属領
域158〜158のm番目の対上に載置された成分2
0′を取り囲んでいる。成分20′のほとんど外側に位
置する第12図の列のボツクスにより示される絵素は、
通常、ゼロ二元強度値を有しているが、これは、成分の
外側にある回路板10の表面12上の領域が、普通第2
図の線走査カメラ36内に光が入る場合、ほとんど反射
しないためである。成分20′に占められた領域内で部
分的に、または全体的に配置されるアレイ内のボツクス
に関するそれらの絵素は、非ゼロ二元強度値を有する。
これは、リード線18′〜18′、普通は、リード線間
に配置される成分20′の頂部表面上の領域は光を反射
するものであり、線走査カメラ36では見えないためで
ある。
第7図の金属領域158〜158に成分20′が載置さ
れているかどうかを確かめるには、中央処理ユニツト6
6(第2図参照)は、第12図のボツクスのグリツドで
示される絵素アレイの各水平列内の絵素の二元強度値を
合算する。成分20′が存するときは、所定距離よりも
離隔され、その強度の合計が所定値よりも大きい少なく
とも2列の絵素があることになる。成分20′が存在す
るかどうかを決定するには、中央処理ユニツト66は、
この条件が合うかどうかを決めるため各水平方向の列内
の絵素の総数を検査する。この状態がない場合は、中央
処理ユニツト66は、プログラム(ステツプ168)を
指令しかつ第5図のプログラムに帰るまえに、成分2
0′の不存在を示す「失敗」状態(ステツプ166)を
表示する。第9図によれば成分20′が検知された場
合、プログラムの実行はステツプ170に移行する。ス
テツプ170の間、中央処理ユニツト66は近接する成
分の像があるかないかを見るため成分20′の像を検査
する。もしあれば、そのとき成分20′の像は隣接する
成分の像から隔離される。中央処理ユニツト66は第1
2図のグリツドにより示されるアレイの絵素の2つの垂
直な列非ゼロ絵素強度総数となり且つ各々がその絵素強
度総数がゼロになる列の内側に配置されるように成分2
0′の像を隔離する。これらの条件を満たす絵素の2つ
の列の各々は成分20′の両端部の別々の1つに夫々対
応している。一度成分20′の端部が隔離されてしまう
と、成分20′の各端部の外側に現われる明るい像は無
視されることになる。
ステツプ170に続いて、観察される成分20′の幅と
長さが測定される(ステツプ172)成分20′の長さ
を測定するために、中央処理ユニツト66はステツプ1
70の間に隔離されていた成分の端部間の距離を決定す
る。成分20′の幅は絵素の2つの行が非ゼロ強度総数
となり且つ各々が絵素のゼロ強度総数を有する列の内側
に配置されるようにして測定される。これらの列の間の
距離は成分の幅に対応している。
ステツプ172の後に測定された成分20′の幅と長さ
は第7図(ステツプ174)の金属領域158〜158
のm番目の対の上に載置された成分の幅と長さとに夫々
比較される。もし測定された幅と長さは成分20′の既
に解つている幅と長さとが違う場合、特に所定の公差よ
り小さい場合は、「適合」(match)がおこる。適合と
は適切な成分20′が金属領域158〜158のm番目
の対の上に載置されていることを意味する。適合状態と
なつた場合は、「合格」(pass)条体が表示される(ス
テツプ176)、通過とは正しい大きさの成分20′が
金属領域158〜158のm番目の対の上に載置された
ことを意味する。その後プログラムの実行はステツプ1
68に移行する。適合がなされなかつた場合、プログラ
ムの実行はステツプ178へ移行する。
ステツプ178においては、既に金属領域158〜15
8のm番目の対上に載置されていることがわかつている
成分20′が形式1206成分であるかどうかが決定さ
れる。もし成分20′が形式1206でなければ、或い
は金属領域158〜158のm番目の対により小さな成
分が載置されなければならない場合は、プログラムの実
行はステツプ180へ移行する。ステツプ180におい
ては、第7図の成分20′の像は処理されてそこに現わ
れる全ての接着剤の粒(blob)(第12図においては示
されていない)の像を除かれる。実際上は、成分20′
〜20′の各々はその下面に接着剤を塗布されてリード
線18〜18を金属領域158〜158をはんだ結合す
る前に第7図の回路板10に対して接着される。時々成
分20′の下面に塗布された接着剤はその両側からはみ
だしてその近くに接着剤の粒を形成することがある。こ
のような接着剤の粒は概ね半球状の形状をしておりしば
しば非常につるつるの表面を持つている。その為、第7
図の線走査カメラ36内に光を反射することになる。
この接着剤の粒はいろいろな大きさを有しているが、典
型的には直径で50ミル以下である。このように成分2
0′の両側の近くに接着剤の粒が存在すると、成分が非
常に小さい場合その長さと幅を測定するに際して悪影響
を及ぼすことがある。成分20′は形式1206よりも
小さいか或いはそれと略同じ大きさの時は、その像を処
理してそこに現われる接着剤の粒を取り除くことが好ま
しい。
成分20′の像を処理してそこに現われる接着剤の粒を
取り除く為に、リード線18〜18の間に配置される
(第12図に破線で示されている)成分の中央部分の像
は自動的に黒くなつて現われる。成分20′の像の中央
部分を黒く現わすために、中央処理ユニツト66は横方
向の短距離(通常20ミル)離隔された絵素の一対の垂
直列を成分の両端部の各々の内側に配置する。成分2
0′の像の部分は絵素のこれら2つの列の各々の間に配
置されており、これら2つの列の内側にある絵素に0二
進数強度を与えることで黒くなる。
次に成分20′に幅と長さが再び測定される(ステツプ
182)この場合ステツプ172に関して説明されたも
のと同様な方法で行なう。長さの測定についてはステツ
プ180以前に述べられたものと同様にする。然し乍ら
ステツプ182の間で行なわれる幅の測定は影響をうけ
る。これは成分20′の両端部の各々の内側において少
なくとも20ミルの長さにわたつて配置される光反射領
域の像はこの時黒く現われるからである。このようにし
て、接着剤の粒は存在することだけによりステツプ18
2以前には非ゼロ絵素強度総数を有していた第10図の
グリツドによつて示されているアレイ内の絵素の水平方
向の行はゼロ絵素強度総数を有することになる。ステツ
プ182の間に決定された長さと幅はその後既にわかつ
ている成分20′の幅と長さ(ステツプ184)に比較
され適合が生じているかどうかを決定される。もし適合
が生じていればプログラムの実行はステツプ176に移
行する。
万が一成分20′の測定された長さと幅が既に知られた
幅と長さに適合しない場合或いは成分が形式1206で
はなくもしくはそれより小さいものである場合は、プロ
グラムの実行はステツプ186へ移行する。ステツプ1
86においては、成分20′の像からなる各絵素の実際
の即ちグレイスケール強度先ずメモリ61から回収され
その後この情報は成分20′の両側部の強度を励起(例
えば増加する)ために波される。同じくステツプ18
6においては、第12図のアレイ内の列のグレイスケー
ル絵素強度総数のヒストグラム即ちプロフイルは中央処
理ユニツト66によつて確立される。ここで形容詞「垂
直」はこれ以降、ステツプ186において確立された強
度プロフイルに関して使用されることとなる。中央処理
ユニツト66により確立された垂直強度プロフイルの図
は第13図に示されている。
ここで第13図を参照すると、理想的には垂直強度プロ
フイルは2つの非常に鋭いピークを有しておりこれらの
ピークは夫々成分20′の端部の別個の1つに対応して
いる。各ピーク間の距離は成分20′の端部間の距離に
対応している。このように第13図の垂直強度プロフイ
ルにおけるピーク間の距離を決定することで、成分20
の長さが測定できる。続けて行なわれるステツプ186
においては、ステツプ182において測定された成分2
0′の長さ及びステツプ182又は186のいずれかに
おいて測定された成分の幅とがステツプ188において
測定された成分の長さに適合するかどうかを確かめられ
る。
もしステツプ182において測定された成分20′の長
さが既に知られたその長さに適合し、且つステツプ18
2及び186のいずれかにおいて測定された幅が既に知
られた幅に適合するならばプログラムの実行はステツプ
176へ移行する。もしそうでなければ、プログラムの
実行はステツプ190へ移行する。そしてその間中央処
理ユニツト66は第12図のグリツドにより示される絵
素のアレイの各水平方向行における絵素のグレイスケー
ル強度を合算する。更に又ステツプ190においては、
中央処理ユニツト66は各水平方向行の調度計算された
ばかりのグレイスケール絵素強度合計のプロフイルを確
立する。ここで形容詞「水平方向(Horizontal)」はこ
れ以降ステツプ190において確立された強度プロフイ
ルについて使用されるものとする。理想的にはステツプ
190において、中央処理ユニツト66により確立され
た水平方向の強度プロフイルは2つの互いに離隔した鋭
いピークを有するが、これはグレイスケール絵素強度デ
ータが成分20′の側部を励起するために事前に波さ
れた為である。成分20′の側部を波することで即ち
その像を他の部分と比較することで、側部に対応する第
11図のアレイ内における絵素の2つの各行はより大き
な絵素強度総数(sum)を有することとなる。
水平方向の強度プロフイル(不図示)は第3図に示す垂
直強度プロフイルの図と非常によく似ている。唯一の違
いは水平方向の強度プロフイルの各ピーク間の距離がよ
り小さいということだけである。これは水平方向の強度
プロフイルにおけるピーク間の距離が成分端部間の距離
よりも小さい成分側部間の距離に対応しているからであ
る。成分20′の幅は水平方向強度プロフイルにおける
ピーク間の距離を計ることによつて得られる。
ステツプ190の後に、ステツプ182及び186のい
ずれか一方において測定された成分20′の幅が既に知
られた成分の幅(ステツプ192)に適合するかが調べ
られる。更にステツプ192においては、ステツプ18
2及び190のいずれかにおいて測定された長さが成分
20′の既に知られた長さに適合するかどうかが調べら
れる。成分20′の長さと幅は夫々既に知られた長さと
幅に適合していればプログラムの実行はステツプ176
へと移行する。
万が一適合ができなかつた場合はプログラムの実行はス
テツプ194へ移行する。ステツプ194においては、
中央処理ユニツト66は成分20′の各端部に対応する
垂直強度プロフイルのその部分の勾配を計算する。勾配
を計算する為に、中央処理ユニツト66は成分20′の
各端部周辺の領域における第12図のグリツドにより示
される絵素のアレイ内の垂直列の絵素強度総数間の差を
計算する。中央処理ユニツト66により計算された勾配
は成分20′の長さに等しい距離だけ互いに離隔した非
常にはつきりした2つの最大値を有する。このように中
央処理ユニツト66が一度勾配を計算してしまうと成分
20′の長さはそれから決定できる。
次のステツプ194の後にはステツプ182、186及
び194のいずれかにおいて測定された成分20′の幅
が既にわかつている幅と適合するかどうか又ステツプ1
82及び190において測定された長さが既にわかつて
いる長さ(ステツプ196)に適合するかどうか調べら
れる。もし適合していれば、プログラムの実行はステツ
プ176へ移行する。万が一既にわかつている成分2
0′の幅と長さに測定された幅と長さが適合しない場合
は、プログラムの実行はステツプ198へ移行する。
ステツプ198においては、中央処理ユニツト66は成
分20′の側部に対応する各2つの領域内における水平
方向の強度プロフイルの勾配を計算する。水平方向の強
度プロフイルの勾配はステツプ194において垂直強度
プロフイルの勾配が計算された方法と同様にして計算さ
れる。水平方向の強度プロフイルの勾配は成分20′の
幅に対応する距離だけ互いに離隔した非常に鋭い2つの
ピークを有している。この為、中央処理ユニツト66が
水平方向の強度プロフイルの勾配を一度計算すればその
結果から容易に幅が計算できる。
ステツプ198の後には、ステツプ182、186及び
194において測定された幅の内のいずれかとステツプ
182、190及び196において測定された長さのう
ちいずれかとが夫々成分20′の既にわかつている幅と
長さに適合するかどうかを調べられる(ステツプ20
0)。もし適合していれば、プログラムの実行はステツ
プ176に移行する。又適合していなければプログラム
の実行はステツプ166に移行し、ステツプ168にお
けるプログラムを実行する前に失敗状態が表示される。
上述のプログラムによれば金属領域158〜158のm
番目の対の上に適合な成分20′があるか又は配置され
ているかを有効に検査することができる。測定された幅
と長さは成分20′の幅と長さに夫々適合している時は
何時でも、第5図のプログラムに戻ることができる。こ
のようにすれば、金属158〜158のm番目の対の上
に適切な成分20′が配置されているかどうかを充分調
べる為に第9図のプログラムを完全に行なう必要がなく
なる。測定された幅と長さが既に知られている幅と長さ
の値と比較してみて適合していない場合のみ、第9図の
プログラムが続けられ異なる方法によつて成分の長さと
幅を測定する為にプログラムが実行される。
ここに説明した各実施例は、本発明の原理を単に例示し
たものであることはおわかり頂けよう。本発明の思想範
囲を逸脱することなく各種の修正及び変更が可能なこと
は言うまでもないことであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は部品を塔載した回路基板を示す斜視図であり、 第2図は、第1図の回路基板表面の所定領域に欠陥が存
在するかどうかを調べる為に回路基板を検査する装置の
ブロツク図であり、 第3図は、第2図の装置の一部を構成するメモリ制御器
のブロツク図であり、 第4図は、第3図のメモリ制御器ユニツトが実行するプ
ログラムのフローチヤート図であり、 第5図は、第1図の回路基板表面上の欠陥を検出する為
に、第2図の装置内のプロセツサが実行するプロセツサ
のフローチヤート図であり、 第6図は、第5図のプロセツサ中に実行されるサブルー
チンのフローチヤート図であり、 第7図は、その上に表面載置形成分と貫通孔形の成分と
を有する回路板の斜視図であり、 第8図は、第7図の回路板に載置される形式の表面載置
形成分の斜視図であり、 第9及び10図は、第6図のプロセツサの代わりに、第
2図のプロセツサにより実行されるプログラムのフロー
チヤート図であり、 第11図は、第9及び10図が、それによつて示される
プログラムのステツプ順序を理解するために示された状
態を示す図であり、 第12図は、第8図の成分の像から成る絵素を示すアレ
イまたはグリツドを示す図であり、 第13図は、処理後の第12図の像の強度を示すプロフ
イルである。 〔主要部分の符号の説明〕 10……回路基板、 12……表面、 14……表面、 16……開口、 17……リング、 18……リード線、 20……電子部品、 26……ステージ、 32……ランプ、 34……光ビーム、 36……線走査カメラ、 38……電荷結合素子、 40……細長部、 42……映像処理装置、 75……領域、
フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム シー.バルチュナス アメリカ合衆国 07945 ニュージャーシ イ,メンダム,プロスペクト ストリート 9 (56)参考文献 特開 昭55−30659(JP,A) 特開 昭57−132043(JP,A)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に少なくとも1つの電子部品を載置
    する工程と、 該基板に該電子部品を載置する際に生じる欠陥を検査す
    るため該基板の少なくとも一表面を検査する工程とから
    成り、 該検査する工程は、 該基板に向かって光を照射することと、 少なくとも一領域から構成される該基板の該表面上を横
    切る表面領域の細い条体部から反射される光を光感知手
    段で感知することと、 該光感知手段が表面領域の連続する次の条体部から反射
    された光を感知し、それによって変化する出力信号を生
    じるよう該基板と該光感知手段との間で相対運動を生じ
    させることと、 表面領域の連続する次の該条体部のそれぞれの像からな
    る複数の画素のそれぞれの実際の強度を表す画像データ
    を得るため該光感知手段の該出力信号を処理すること
    と、 該各条体部に関連する各領域内に該画素に対応する画像
    データのみを保持することと、 該基板に該装置を載置する際に生じる欠陥を検出するた
    め該保持された画像データを分析することと、 から成り、前記保持工程は、 (a)同様の領域構成を有する少なくとも1つの条体部の
    次のグループの各々内に第1の条体部の記述をするこ
    と、前記記述は(1)前記各第1の条体部の該領域の長さ
    及び位置、(2)どの領域が関連しているか、及び(3)同様
    の領域構成を有する次の条体部の数を示しており、 (b)前記各第1の条体部の記述に対応する画像データを
    選択的に記憶することと、 から成ることを特徴とする検査方法。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項に記載の検査方法に
    おいて、前記処理工程は以下の副工程、即ち (a)前記光感知手段の前記出力信号をそれぞれ表面領域
    の各条体部内の各画素の実際の強度を示す一群のデジタ
    ル信号に変換することと、 (b)該一群のデジタル信号から、表面領域の各条体部内
    の関係する所定の領域内の画素を示すデジタル信号を選
    択することと、 (c)前記選択されたデジタル信号を記憶することと、 から成ることを特徴とする検査方法。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第2項に記載の検査方法に
    おいて、前記選択工程の前に、前記一群のデジタル信号
    内の各デジタル信号の値を補正し、前記基板の前記表面
    の非均一な照明を補償することを特徴とする検査方法。
  4. 【請求項4】基板の表面上に関連する所定領域を示すデ
    ータを得るための検査装置であって、 該基板の該表面に向かって光を照射する手段と、 該基板から離隔され、該基板の該表面上を横切る表面領
    域の細い条体部から反射される光の強度を感知し、それ
    によって変化する出力信号を発生する手段と、 該強度感知手段の該出力信号が、表面領域の少なくとも
    一領域から構成される連続する次の条体部各々から反射
    された光の強度に応じて変化するように該基板の該表面
    と該強度感知手段との間に相対運動を生じさせる手段
    と、 表面領域の連続する次の該条体部のそれぞれの画像内の
    複数の画素のそれぞれの実際の強度を表す画像データを
    得るため該強度感知手段の該出力信号を処理すると共
    に、該各条体部に関連する各所定領域内に該画素に対応
    する画像データを保持する手段と、 から成り、前記処理手段は、 (a)同様の領域構成を有する少なくとも1つの条体部の
    次のグループの各々内に第1の条体部の記述をする手段
    であって、前記記述が(1)前記各第1の条体部の該領域
    の長さ及び位置、(2)どの領域が関連しているか、及び
    (3)同様の領域構成を有する次の条体部の数を示す記述
    手段と、 (b)前記各第1の条体部の記述に対応する画像データを
    選択的に記憶する手段と、 を有することを特徴とする検査装置。
  5. 【請求項5】特許請求の範囲第4項に記載の検査装置に
    おいて、前記検査装置は関連する所定領域内において、
    前記基板上に欠陥を検出するため該保持された画像デー
    タを分析する手段を有することを特徴とする検査装置。
  6. 【請求項6】特許請求の範囲第4項に記載の検査装置に
    おいて、前記強度感知手段は、線走査カメラであること
    を特徴とする検査装置。
  7. 【請求項7】特許請求の範囲第6項に記載の検査装置に
    おいて、前記処理手段は、 前記線走査カメラの前記出力信号をそれぞれ表面領域の
    各条体部内の各画素の実際の強度を示す一群のデジタル
    信号に変換するインターフェースと、 前記インターフェースにより発生した該一群のデジタル
    信号から、表面領域の各条体部内の関係する所定の領域
    内の画素を示すデジタル信号を選択するために前記イン
    ターフェースに結合された制御手段と、 前記制御手段により選択されたデジタル信号を記憶する
    記憶手段と、 から成ることを特徴とする検査装置。
  8. 【請求項8】特許請求の範囲第7項に記載の検査装置に
    おいて、前記検査装置は、前記基板の照明の非均一性を
    補償するため前記インターフェースにより発生した一群
    のデジタル信号内の各デジタル信号の値を補正する手段
    を含むことを特徴とする検査装置。
  9. 【請求項9】特許請求の範囲第7項に記載の検査装置に
    おいて、前記インターフェースは、 前記線走査カメラの前記出力信号に応じて変化する一群
    のデジタル信号を発生するA/Dコンバータと、 前記A/Dコンバータにより発生された一群の信号内の
    各デジタル信号を同定する単調に増加するカウントを発
    生する自走クロックと、 から成ることを特徴とする検査装置。
  10. 【請求項10】基板の表面上に関連する所定領域を示す
    データを得るための検査装置であって、 該基板の該表面に向かって光を照射する手段と、 該基板から離隔され、該基板の該表面上を横切る表面領
    域の細い条体部から反射される光の強度を感知し、それ
    によって変化する出力信号を発生する線走査カメラと、 該線走査カメラの該出力信号が、表面領域の少なくとも
    一領域から構成される連続する次の条体部各々から反射
    された光の強度に応じて変化するように該基板の該表面
    と該線走査カメラとの間に相対運動を生じさせる手段
    と、 表面領域の連続する次の該条体部のそれぞれの画像内の
    複数の画素のそれぞれの実際の強度を表す画像データを
    得るため該線走査カメラの該出力信号を処理すると共
    に、該各条体部に関連する各所定領域内に該画素に対応
    する画像データを保持する手段と、 から成り、前記処理手段は、 前記線走査カメラの前記出力信号をそれぞれ表面領域の
    各条体部内の各画素の実際の強度を示す一群のデジタル
    信号に変換するインターフェースと、 前記インターフェースにより発生した該一群のデジタル
    信号から、表面領域の各条体部内の関係する所定の領域
    内の画素を示すデジタル信号を選択するために前記イン
    ターフェースに結合された制御手段と、から成り、前記
    制御手段は、 (a)前記制御手段により選択されたデジタル信号を記憶
    する第1メモリと、 (b)複数のデータワードを記憶する第2メモリと、 (c)該第2メモリに接続されこの記憶されたデータワー
    ドの内の選択された一つのデータワードをアドレスする
    アドレスカウンタと、 (d)アドレスされたばかりの前記データワードのカウン
    トを減ずるカウンタと、 (e)該アドレスカウンタに接続されこのアドレスカウン
    タがあらかじめアドレスされたデータワードのカウント
    に零に減じた時に、アドレスカウンタに前記第2メモリ
    内の別のデータワードをアドレスさせる論理ゲートと、 を含み、前記複数のデータワードの各々は、条体部内の
    各領域が何個の画素で構成されているかを示すカウント
    と、対応する領域を示す画像データが前記第1メモリ内
    に記憶されるべきものであるかどうかを決定するコント
    ロールビットとを含むことを特徴とする検査装置。
JP61316053A 1985-12-27 1986-12-27 回路板の検査方法及び装置 Expired - Lifetime JPH0627713B2 (ja)

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