JPH06281641A - ケイ素中の非金属汚染物質の分析法 - Google Patents
ケイ素中の非金属汚染物質の分析法Info
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical class [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 54
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 abstract 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 13
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 3
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/20—Metals
- G01N33/202—Constituents thereof
- G01N33/2022—Non-metallic constituents
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ケイ素中の非金属汚染物質の分析法の提供。
【構成】 本法は、(A)ケイ素と合金に存在する非金
属汚染物質の分離を促進する金属からなる合金を生成
し、(B)該合金から非金属汚染物質を分離し、(C)
分離された非金属汚染物質の化学含量を分析することか
らなる。本発明は、カルシウム、アルミニウムおよびケ
イ素の酸化物および炭化物が存在するオルガノハロシラ
ンの直接製造法に使用する金属学的グレードのケイ素の
分析に特に有用である。
属汚染物質の分離を促進する金属からなる合金を生成
し、(B)該合金から非金属汚染物質を分離し、(C)
分離された非金属汚染物質の化学含量を分析することか
らなる。本発明は、カルシウム、アルミニウムおよびケ
イ素の酸化物および炭化物が存在するオルガノハロシラ
ンの直接製造法に使用する金属学的グレードのケイ素の
分析に特に有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ケイ素中の非金属汚染
物質の分析法である。本法は、(A)ケイ素と合金に存
在する非金属汚染物質の分離を促進する金属からなる合
金を生成し、(B)該合金から非金属汚染物質を分離
し、(C)分離された非金属汚染物質の化学含量を分析
することからなる。本発明は、特にオルガノハロシラン
の直接製造法に使用する金属学的グレードのケイ素中の
カルシウム、アルミニウムおよびケイ素の酸化物および
炭化物の分析に有用である。
物質の分析法である。本法は、(A)ケイ素と合金に存
在する非金属汚染物質の分離を促進する金属からなる合
金を生成し、(B)該合金から非金属汚染物質を分離
し、(C)分離された非金属汚染物質の化学含量を分析
することからなる。本発明は、特にオルガノハロシラン
の直接製造法に使用する金属学的グレードのケイ素中の
カルシウム、アルミニウムおよびケイ素の酸化物および
炭化物の分析に有用である。
【0002】
【従来の技術】オルガノシラン、特にジメチルジクロロ
シランはシリコーン産業において重要な中間体である。
オルガノハロシランは典型的に加水分解および縮合され
てポリオルガノシロキサンを生成する、そのポリオルガ
ノシロキサンは次に加工されて、例えば、シリコーンの
流体、エラストマーおよび樹脂を生成することができ
る。これらのオルガノハロシラン中間体を製造する主な
工業的方法は、Rochowによって米国特許第2,3
80,995号に始めて記載された「直接法」と呼ばれ
るものである。
シランはシリコーン産業において重要な中間体である。
オルガノハロシランは典型的に加水分解および縮合され
てポリオルガノシロキサンを生成する、そのポリオルガ
ノシロキサンは次に加工されて、例えば、シリコーンの
流体、エラストマーおよび樹脂を生成することができ
る。これらのオルガノハロシラン中間体を製造する主な
工業的方法は、Rochowによって米国特許第2,3
80,995号に始めて記載された「直接法」と呼ばれ
るものである。
【0003】シリコーン産業に使用されるオルガノハロ
シランの量は多いので、ケイ素のオルガノハロシラン、
特にジオルガノジハロシランへの最適転化にかなりの努
力が費されてきた。シリコーン産業においては、ロット
の異なる金属学的グレードのケイ素は直接法では異なる
反応をするということが知られている。
シランの量は多いので、ケイ素のオルガノハロシラン、
特にジオルガノジハロシランへの最適転化にかなりの努
力が費されてきた。シリコーン産業においては、ロット
の異なる金属学的グレードのケイ素は直接法では異なる
反応をするということが知られている。
【0004】直接法における金属学的グレードのケイ素
の反応性のロット毎の変動を防ぐために、オルガノハロ
シランの製造業者は、ケイ素に存在する汚染物質の許容
される種類およびレベルについて厳密な制御をした。ク
ラーク(Clarke,J.,Organic Che
mistry,376;165〜222(1989))
は、メチルクロロシランを合成する直接法および該直接
法に及ぼす汚染物の影響について再検討を行っている。
の反応性のロット毎の変動を防ぐために、オルガノハロ
シランの製造業者は、ケイ素に存在する汚染物質の許容
される種類およびレベルについて厳密な制御をした。ク
ラーク(Clarke,J.,Organic Che
mistry,376;165〜222(1989))
は、メチルクロロシランを合成する直接法および該直接
法に及ぼす汚染物の影響について再検討を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、直接法
における金属学的グレードのケイ素の反応性がロット毎
に異なる主な原因はカルシウム、アルミニウムおよびケ
イ素の酸化物および炭化物のようなケイ素中の非金属汚
染物質の存在にあると考えている。これらの酸化物およ
び炭化物は直接法に有害であると考えられているが、こ
れらの金属を含む低レベルの金属物質のあるものは直接
法に有益であると考えられる。
における金属学的グレードのケイ素の反応性がロット毎
に異なる主な原因はカルシウム、アルミニウムおよびケ
イ素の酸化物および炭化物のようなケイ素中の非金属汚
染物質の存在にあると考えている。これらの酸化物およ
び炭化物は直接法に有害であると考えられているが、こ
れらの金属を含む低レベルの金属物質のあるものは直接
法に有益であると考えられる。
【0006】金属学的グレードのケイ素の汚染物質を分
析する標準の方法は、ケイ素の大部分の元素分析であっ
て、カルシウムおよびアルミニウムのような元素を分析
する。従って、これらの分析法は、金属物質として金属
学的グレードのケイ素に存在するカルシウムおよびアル
ミニウムと、有害な非金属の形態でケイ素に存在するカ
ルシウムおよびアルミニウムとを区別しない。
析する標準の方法は、ケイ素の大部分の元素分析であっ
て、カルシウムおよびアルミニウムのような元素を分析
する。従って、これらの分析法は、金属物質として金属
学的グレードのケイ素に存在するカルシウムおよびアル
ミニウムと、有害な非金属の形態でケイ素に存在するカ
ルシウムおよびアルミニウムとを区別しない。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、カルシウム、
アルミニウムおよびケイ素のような非金属の形の元素
と、ケイ素中の別の形(金属物質)とを区別することが
できる方法を提供する。本発明者らは、合金に存在する
非金属汚染物質の分離を促進する金属でケイ素を合金化
させることによって、非金属汚染物質を合金から分離し
て標準の方法でそれらの元素含量を分析することができ
る方法を提供できることを見出した。
アルミニウムおよびケイ素のような非金属の形の元素
と、ケイ素中の別の形(金属物質)とを区別することが
できる方法を提供する。本発明者らは、合金に存在する
非金属汚染物質の分離を促進する金属でケイ素を合金化
させることによって、非金属汚染物質を合金から分離し
て標準の方法でそれらの元素含量を分析することができ
る方法を提供できることを見出した。
【0008】本法において、非金属汚染物質はケイ素か
ら分離される。本法に使用する望ましいケイ素は金属学
的グレードのケイ素である。用語「金属学的グレードの
ケイ素」とは、98重量%から100重量%以下のケイ
素からなるケイ素を意味する。精製した金属学的グレー
ドのケイ素が望ましいが、その金属学的グレードのケイ
素は酸化法によって精製したものがさらに望ましい。例
えば、溶融ケイ素は酸素、空気又は二酸化ケイ素のよう
な酸化化合物と接触させることによって精製することが
できる。好適な精製法での溶融ケイ素は1種以上のスラ
ッグ成分の存在下で酸素または空気と接触させる。
ら分離される。本法に使用する望ましいケイ素は金属学
的グレードのケイ素である。用語「金属学的グレードの
ケイ素」とは、98重量%から100重量%以下のケイ
素からなるケイ素を意味する。精製した金属学的グレー
ドのケイ素が望ましいが、その金属学的グレードのケイ
素は酸化法によって精製したものがさらに望ましい。例
えば、溶融ケイ素は酸素、空気又は二酸化ケイ素のよう
な酸化化合物と接触させることによって精製することが
できる。好適な精製法での溶融ケイ素は1種以上のスラ
ッグ成分の存在下で酸素または空気と接触させる。
【0009】そのケイ素は、合金に存在する非金属汚染
物質の分離を促進する金属と合金を作る。合金化は普通
の金属合金法によって行うことができる。例えば、ケイ
素と合金用金属との混合物を生成し、該混合物を誘導炉
内で所定の温度に加熱して、ケイ素と合金用金属の融成
物を生成する。銅が合金用金属の場合の合金化に望まし
い温度は1100℃〜1500℃の範囲内であるが、1
300℃〜1450℃がさらに望ましい。
物質の分離を促進する金属と合金を作る。合金化は普通
の金属合金法によって行うことができる。例えば、ケイ
素と合金用金属との混合物を生成し、該混合物を誘導炉
内で所定の温度に加熱して、ケイ素と合金用金属の融成
物を生成する。銅が合金用金属の場合の合金化に望まし
い温度は1100℃〜1500℃の範囲内であるが、1
300℃〜1450℃がさらに望ましい。
【0010】合金化は不活性雰囲気中、例えば、アルゴ
ン・ブランケット下で行うことが望ましい。これは、合
金化工程中に非金属化合物が生成する可能性を少なくし
て、合金用試料をとる本体ケイ素に存在する非金属汚染
物質の測定をより精確にさせることができる。合金に存
在する非金属汚染物質の分離を促進する金属(以後、合
金金属と呼ぶ)は、次の一般的な特性:低温融点、溶融
状態においてケイ素と混和性、溶融合金温度において低
蒸気圧をもった金属にすることができる、溶融合金の比
重を合金中の非金属汚染物質の比重から異ならせる、そ
して低融点の合金を生成する。用語「低温」の合金金属
および合金は、一般にケイ素の融点より低い融点をもっ
た合金金属および合金を意味する。合金金属は、例え
ば、アルミニウム、銅、鉄、インジウム、マグネシウ
ム、マンガン、スズ又はこれら金属の2つ以上の組合せ
からなる群から選ぶことができる。好適な合金金属は銅
である。 合金金属は、合金から非金属汚染物質の分離
を促進する重量%でケイ素と合金にされる。使用する合
金金属の重量%は、使用する特定の合金金属および依存
度は低くなるが、合金から分離される特定の非金属汚染
物質に依存する。合金金属の重量%は合金の10〜90
重量%の範囲内が有効である。さらに低い重量%の合金
金属も使用可能であるが、非金属汚染物質の合金からの
分離が少なくなる。さらに多い重量%の合金金属も使用
できるが、その利点が認められない。合金金属は合金の
20〜80重量%が望ましい。
ン・ブランケット下で行うことが望ましい。これは、合
金化工程中に非金属化合物が生成する可能性を少なくし
て、合金用試料をとる本体ケイ素に存在する非金属汚染
物質の測定をより精確にさせることができる。合金に存
在する非金属汚染物質の分離を促進する金属(以後、合
金金属と呼ぶ)は、次の一般的な特性:低温融点、溶融
状態においてケイ素と混和性、溶融合金温度において低
蒸気圧をもった金属にすることができる、溶融合金の比
重を合金中の非金属汚染物質の比重から異ならせる、そ
して低融点の合金を生成する。用語「低温」の合金金属
および合金は、一般にケイ素の融点より低い融点をもっ
た合金金属および合金を意味する。合金金属は、例え
ば、アルミニウム、銅、鉄、インジウム、マグネシウ
ム、マンガン、スズ又はこれら金属の2つ以上の組合せ
からなる群から選ぶことができる。好適な合金金属は銅
である。 合金金属は、合金から非金属汚染物質の分離
を促進する重量%でケイ素と合金にされる。使用する合
金金属の重量%は、使用する特定の合金金属および依存
度は低くなるが、合金から分離される特定の非金属汚染
物質に依存する。合金金属の重量%は合金の10〜90
重量%の範囲内が有効である。さらに低い重量%の合金
金属も使用可能であるが、非金属汚染物質の合金からの
分離が少なくなる。さらに多い重量%の合金金属も使用
できるが、その利点が認められない。合金金属は合金の
20〜80重量%が望ましい。
【0011】非金属汚染物質は合金から分離される。そ
の非金属汚染物質は、合金が溶融状態にある間に合金か
ら分離する、または合金を凝固させて非金属汚染物質を
分離する。合金が溶融状態にあるときの非金属汚染物質
は、溶融金属から特定の混在物を分離する標準法によっ
て合金から分離することができる。それらの非金属汚染
物質は、溶融合金空、例えば、濾過、遠心分離、タンデ
ィッシュの使用、レーキングまたはスキミングによって
分離することができる。
の非金属汚染物質は、合金が溶融状態にある間に合金か
ら分離する、または合金を凝固させて非金属汚染物質を
分離する。合金が溶融状態にあるときの非金属汚染物質
は、溶融金属から特定の混在物を分離する標準法によっ
て合金から分離することができる。それらの非金属汚染
物質は、溶融合金空、例えば、濾過、遠心分離、タンデ
ィッシュの使用、レーキングまたはスキミングによって
分離することができる。
【0012】凝固した合金から混在物を分離する方法
は、本発明には重要ではなく、回収される非金属混在物
の汚染が著しくなく合金から非金属混在物を分離する方
法にすることができる。フラックスを使用して合金から
の非金属混在物の分離を促進する。非金属混在物は、例
えば、合金を水のような液体媒質に入れて、得られた混
合物を、例えば、音波を発生させることにより物理的に
かくはんすることによって凝固した合金から分離するこ
とができる。水に入れることによって凝固合金から非金
属混在物を分離するときに、合金化工程中に水溶性フラ
ックスを添加することが望ましい。その水溶性フラック
スは、例えば、塩化バリウムまたは合金化温度において
低揮発性である他の水溶性である他の水溶性物質にする
ことができる。フラックスとして塩化バリウムを使用す
る場合には、塩化バリウムは合金の2〜5重量%の範囲
内の濃度であることが望ましい。
は、本発明には重要ではなく、回収される非金属混在物
の汚染が著しくなく合金から非金属混在物を分離する方
法にすることができる。フラックスを使用して合金から
の非金属混在物の分離を促進する。非金属混在物は、例
えば、合金を水のような液体媒質に入れて、得られた混
合物を、例えば、音波を発生させることにより物理的に
かくはんすることによって凝固した合金から分離するこ
とができる。水に入れることによって凝固合金から非金
属混在物を分離するときに、合金化工程中に水溶性フラ
ックスを添加することが望ましい。その水溶性フラック
スは、例えば、塩化バリウムまたは合金化温度において
低揮発性である他の水溶性である他の水溶性物質にする
ことができる。フラックスとして塩化バリウムを使用す
る場合には、塩化バリウムは合金の2〜5重量%の範囲
内の濃度であることが望ましい。
【0013】分離された非金属汚染物質はその化学含量
分析をする。非金属汚染物質は、粒子の物理的および元
素分析を行う普通の方法によって分析する。物理的方法
は、例えば、光学顕微鏡、走査電子顕微鏡および映像分
析を含む。元素分析は、例えば、プラズマ放射、X線蛍
光および原子吸光を含む
分析をする。非金属汚染物質は、粒子の物理的および元
素分析を行う普通の方法によって分析する。物理的方法
は、例えば、光学顕微鏡、走査電子顕微鏡および映像分
析を含む。元素分析は、例えば、プラズマ放射、X線蛍
光および原子吸光を含む
【0014】
【実施例】実施例1 合金に存在する非金属汚染物質の分離を促進する合金金
属として銅を使用して非金属汚染物質のレベルを測定し
て異なるロットのケイ素試料を評価した。Cu−Si合
金からの非金属汚染物質の分離を促進する水溶性フラッ
クスとして塩化バリウムを使用した。
属として銅を使用して非金属汚染物質のレベルを測定し
て異なるロットのケイ素試料を評価した。Cu−Si合
金からの非金属汚染物質の分離を促進する水溶性フラッ
クスとして塩化バリウムを使用した。
【0015】ケイ素の各試料は、ケイ素100g、銅4
00gおよびBaCl2 20gからなる混合物を250
mLのアルミナ内に生成することによって試験した。ケ
イ素試料No.1は化学蒸着法によって製造した電子グ
レードのケイ素であつた。ケイ素試料No.2〜No.
5は工業用ケイ素製造業者から入手した金属学的グレ−
ドのケイ素であった。その混合物はアルゴン雰囲気下誘
導炉内で1300℃に加熱した。得られた融成物は13
00℃に10分間保持し、炉を停止し、融成物を凝固さ
せて塩化バリウムのフラックスを含むCu−Si合金イ
ンゴットを形成した。そのCu−Si合金インゴットを
400mLのビーカーに移して、インゴットを完全に浸
漬さすのに十分な水を添加した。そのビーカーおよび内
容物を超音波浴に30分間入れて、塩化バリウムのフラ
ックスを溶解させ、不溶性汚染物質をインゴットから分
離した。不溶性汚染物質は塩化バリウム溶液を遠心分離
およびデカンテーションさせることによって回収した。
その不溶性汚染物質は蒸留水で洗浄し、遠心分離によっ
て回収し、110℃の炉内で空気乾燥した。その不溶性
汚染物質についてプラズマ放射分析を行ってアルミニウ
ム含量を測定した。不溶性汚染物質についてX線回析分
析を行って炭化ケイ素含量を測定した。それらの結果を
表1に初ケイ素試料100gの重量%として示す。
00gおよびBaCl2 20gからなる混合物を250
mLのアルミナ内に生成することによって試験した。ケ
イ素試料No.1は化学蒸着法によって製造した電子グ
レードのケイ素であつた。ケイ素試料No.2〜No.
5は工業用ケイ素製造業者から入手した金属学的グレ−
ドのケイ素であった。その混合物はアルゴン雰囲気下誘
導炉内で1300℃に加熱した。得られた融成物は13
00℃に10分間保持し、炉を停止し、融成物を凝固さ
せて塩化バリウムのフラックスを含むCu−Si合金イ
ンゴットを形成した。そのCu−Si合金インゴットを
400mLのビーカーに移して、インゴットを完全に浸
漬さすのに十分な水を添加した。そのビーカーおよび内
容物を超音波浴に30分間入れて、塩化バリウムのフラ
ックスを溶解させ、不溶性汚染物質をインゴットから分
離した。不溶性汚染物質は塩化バリウム溶液を遠心分離
およびデカンテーションさせることによって回収した。
その不溶性汚染物質は蒸留水で洗浄し、遠心分離によっ
て回収し、110℃の炉内で空気乾燥した。その不溶性
汚染物質についてプラズマ放射分析を行ってアルミニウ
ム含量を測定した。不溶性汚染物質についてX線回析分
析を行って炭化ケイ素含量を測定した。それらの結果を
表1に初ケイ素試料100gの重量%として示す。
【0016】さらに、非金属汚染物質を試験したケイ素
の各試料をメチルクロロシランを製造する工業的直接法
で評価した。これらの結果を表1(Me2 SiCl2 の
収率%)に示して、ケイ素中の非金属汚染物質のレベル
と直接法におけるケイ素の性能との相関を示す。直接法
の収率の結果は、収率(%)=Me2 SiCl2 選択率
(重量%)×反応ケイ素の質量率として計算した。
の各試料をメチルクロロシランを製造する工業的直接法
で評価した。これらの結果を表1(Me2 SiCl2 の
収率%)に示して、ケイ素中の非金属汚染物質のレベル
と直接法におけるケイ素の性能との相関を示す。直接法
の収率の結果は、収率(%)=Me2 SiCl2 選択率
(重量%)×反応ケイ素の質量率として計算した。
【0017】
【表1】 実施例2 合金に存在する非金属汚染物質の分離を促進する合金金
属として銅を使用して非金属汚染物質のレベルを測定し
て金属学的グレードのケイ素試料を評価した。試験した
金属学的グレードのケイ素は、実施例1で説明したケイ
素試料No.5と同一ロットからのものであった。その
方法は、合金からの非金属汚染物質の分離を促進するた
めのフラックスを使用しなかったことを除いて、実施例
1で説明した方法と同じであった。本例においては、非
金属汚染物質を回収するために、HFおよびHNO3 の
希薄水性混合体で合金インゴットを処理した。その酸溶
液を蒸発により乾燥させて、インゴットから固体分を回
収した。回収した固体分は実施例1で説明した方法によ
り分析した、それらの結果を表2に示す。
属として銅を使用して非金属汚染物質のレベルを測定し
て金属学的グレードのケイ素試料を評価した。試験した
金属学的グレードのケイ素は、実施例1で説明したケイ
素試料No.5と同一ロットからのものであった。その
方法は、合金からの非金属汚染物質の分離を促進するた
めのフラックスを使用しなかったことを除いて、実施例
1で説明した方法と同じであった。本例においては、非
金属汚染物質を回収するために、HFおよびHNO3 の
希薄水性混合体で合金インゴットを処理した。その酸溶
液を蒸発により乾燥させて、インゴットから固体分を回
収した。回収した固体分は実施例1で説明した方法によ
り分析した、それらの結果を表2に示す。
【0018】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド・リー・ハルム アメリカ合衆国インディアナ州マディソ ン、ブレントウッド・ドライブ 507 (72)発明者 チャールス・スペンサー・クイビラ アメリカ合衆国ケンタッキー州クレストウ ッド、ハイポイント・ドライブ 5405
Claims (8)
- 【請求項1】(A)ケイ素と合金に存在する非金属汚染
物質の分離を促進する金属からなる合金を生成し、 (B)該合金から非金属汚染物質を分離し、 (C)分離された非金属汚染物質の化学含量を分析し
て、金属学的グレードのケイ素中に存在する非金属汚染
物質を定量することからなるケイ素中の非金属汚染物質
の分析法。 - 【請求項2】合金が液相である間に非金属汚染物質を分
離する請求項1の方法。 - 【請求項3】合金の凝固後に非金属汚染物質を分離する
請求項1の方法。 - 【請求項4】さらに、合金が溶融している間にフラック
スを合金に添加することからなる請求項3の方法。 - 【請求項5】フラックスを合金の10〜90重量%の範
囲内の濃度で合金に添加する請求項4の方法。 - 【請求項6】合金を1300℃〜1450℃の範囲内の
温度で生成する請求項1の方法。 - 【請求項7】合金に存在する非金属汚染物質の分離を促
進する金属は、アルミニウム、銅、鉄、インジウム、マ
グネシウム、マンガン、スズからなる金属の群および該
群の金属の2種以上の組合せから選択する請求項1の方
法。 - 【請求項8】非金属汚染物質は、アルミニウムの酸化物
および炭化物、カルシウムの酸化物および炭化物、およ
びケイ素の酸化物および炭化物から選んだ酸化物または
炭化物から選ぶ請求項1の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US304193A | 1993-01-11 | 1993-01-11 | |
| US08/003041 | 1993-01-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281641A true JPH06281641A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3294419B2 JP3294419B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=21703827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00034594A Expired - Fee Related JP3294419B2 (ja) | 1993-01-11 | 1994-01-07 | ケイ素中の非金属汚染物質の分析法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5427952A (ja) |
| EP (1) | EP0606977B1 (ja) |
| JP (1) | JP3294419B2 (ja) |
| AU (1) | AU672840B2 (ja) |
| CA (1) | CA2112875C (ja) |
| DE (1) | DE69414613T2 (ja) |
| NO (1) | NO313568B1 (ja) |
| ZA (1) | ZA94126B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO180188C (no) * | 1994-03-30 | 1997-03-05 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for opparbeiding av residuer fra direkte syntese av organoklorsilaner og/eller klorsilaner |
| CN1112587C (zh) * | 1995-03-14 | 2003-06-25 | 新日本制铁株式会社 | 金属纯净度评价装置及其方法 |
| US6432718B1 (en) * | 1995-03-14 | 2002-08-13 | Nippon Steel Corporation | Evaluation apparatus for cleanliness of metal and method thereof |
| USD377847S (en) | 1995-12-27 | 1997-02-04 | Remington Products Company | Ladies wet/dry shaver |
| US5973177A (en) * | 1998-07-29 | 1999-10-26 | Dow Corning Corporation | Method for selecting silicon metalloid having improved performance in the direct process for making organohalosilanes |
| EP1737789A2 (en) | 2004-04-08 | 2007-01-03 | Dow Corning Corporation | Method of selecting silicon having improved performance |
| JP6040254B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-12-07 | ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation | ジオルガノジハロシランの調製方法 |
| CN104151343B (zh) * | 2014-07-21 | 2016-09-07 | 鲁西化工集团股份有限公司硅化工分公司 | 一种提高甲基氯硅烷合成中硅粉利用率的添加剂 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380995A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US2380996A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US3372993A (en) * | 1963-09-11 | 1968-03-12 | Interlake Steel Corp | Scrap sampling method |
| US4298423A (en) * | 1976-12-16 | 1981-11-03 | Semix Incorporated | Method of purifying silicon |
| DE2706175C3 (de) * | 1977-02-14 | 1980-05-29 | Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen | Verfahren zum Verschmelzen und Reinigen von Silicium |
| US4246249A (en) * | 1979-05-24 | 1981-01-20 | Aluminum Company Of America | Silicon purification process |
| US4256717A (en) * | 1979-05-24 | 1981-03-17 | Aluminum Company Of America | Silicon purification method |
| US4312846A (en) * | 1979-05-24 | 1982-01-26 | Aluminum Company Of America | Method of silicon purification |
| US4388286A (en) * | 1982-01-27 | 1983-06-14 | Atlantic Richfield Company | Silicon purification |
| US4822585A (en) * | 1982-05-05 | 1989-04-18 | Aluminum Company Of America | Silicon purification method using copper or copper-aluminum solvent metal |
| US4752327A (en) * | 1987-05-08 | 1988-06-21 | Elkem Metals Company | Dephosphorization process for manganese alloys |
| JPH05195100A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 金属中の介在物浮上分離方法 |
-
1993
- 1993-12-13 US US08/165,567 patent/US5427952A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-04 NO NO19940012A patent/NO313568B1/no unknown
- 1994-01-05 CA CA002112875A patent/CA2112875C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-06 EP EP94300056A patent/EP0606977B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-06 DE DE69414613T patent/DE69414613T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-07 JP JP00034594A patent/JP3294419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-10 ZA ZA94126A patent/ZA94126B/xx unknown
- 1994-01-10 AU AU53120/94A patent/AU672840B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU672840B2 (en) | 1996-10-17 |
| ZA94126B (en) | 1994-09-19 |
| NO940012L (no) | 1994-07-12 |
| JP3294419B2 (ja) | 2002-06-24 |
| CA2112875C (en) | 2003-09-09 |
| CA2112875A1 (en) | 1994-07-12 |
| EP0606977A3 (en) | 1995-07-19 |
| EP0606977A2 (en) | 1994-07-20 |
| NO940012D0 (no) | 1994-01-04 |
| AU5312094A (en) | 1994-07-14 |
| DE69414613T2 (de) | 1999-07-22 |
| NO313568B1 (no) | 2002-10-21 |
| US5427952A (en) | 1995-06-27 |
| EP0606977B1 (en) | 1998-11-18 |
| DE69414613D1 (de) | 1998-12-24 |
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