JPH0628632A - 薄膜磁気ヘッド作製用基板及びそれを用いた薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッド作製用基板及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0628632A JPH0628632A JP20182292A JP20182292A JPH0628632A JP H0628632 A JPH0628632 A JP H0628632A JP 20182292 A JP20182292 A JP 20182292A JP 20182292 A JP20182292 A JP 20182292A JP H0628632 A JPH0628632 A JP H0628632A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 主成分がＡｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ2 Ｏ3
安定化ＺｒＯ2 からなり、該主成分にＥｒがＥｒ2 Ｏ3
換算で２〜１０重量％含有している薄膜磁気ヘッド作製
用基板であり、上記基板においては、主成分にＮｂ、Ｔ
ａ、Ｔｉ又はＳｉから選ばれた酸化物を金属原子数換算
で２〜１８モル％含有させることができ、この場合主成
分としてＡｌ2 Ｏ3 を用いた場合は、Ｅｒの一部又は全
部が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒなどの希土類、又はＳｃ、Ｙな
どの IIIａ族元素で置換されてもよいし、更に、上記基
板においては、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、Ｔｉ
Ｃ又はＴｉＮなどの非酸化物が４０重量％以下の範囲で
含まれてもよい。 【効果】 上記基板は、機械加工によるボイドやチッピ
ングが少なく、さらに、摺動したときの磁気ディスクの
カーボン保護膜の摩耗も小さい。このため、磁気ヘッド
の生産性が向上でき、また、磁気ディスクの摺動耐久性
が向上する効果がある。
安定化ＺｒＯ2 からなり、該主成分にＥｒがＥｒ2 Ｏ3
換算で２〜１０重量％含有している薄膜磁気ヘッド作製
用基板であり、上記基板においては、主成分にＮｂ、Ｔ
ａ、Ｔｉ又はＳｉから選ばれた酸化物を金属原子数換算
で２〜１８モル％含有させることができ、この場合主成
分としてＡｌ2 Ｏ3 を用いた場合は、Ｅｒの一部又は全
部が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒなどの希土類、又はＳｃ、Ｙな
どの IIIａ族元素で置換されてもよいし、更に、上記基
板においては、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、Ｔｉ
Ｃ又はＴｉＮなどの非酸化物が４０重量％以下の範囲で
含まれてもよい。 【効果】 上記基板は、機械加工によるボイドやチッピ
ングが少なく、さらに、摺動したときの磁気ディスクの
カーボン保護膜の摩耗も小さい。このため、磁気ヘッド
の生産性が向上でき、また、磁気ディスクの摺動耐久性
が向上する効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置の薄
膜磁気ヘッド作製用基板に係り、特に、ヘッド作製が高
精度、高能率に行えるとともに、薄膜磁気ヘッドとして
の使用において磁気ディスクの摩耗を少なくする薄膜磁
気ヘッド作製用基板に関する。
膜磁気ヘッド作製用基板に係り、特に、ヘッド作製が高
精度、高能率に行えるとともに、薄膜磁気ヘッドとして
の使用において磁気ディスクの摩耗を少なくする薄膜磁
気ヘッド作製用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録密度を大きくするために適した磁気
ディスクとして、スパッター型磁気ディスク又はメッキ
型磁気ディスクがある。これらの表面は保護膜で被覆さ
れている。磁気ヘッドは磁気ディスクとの間に極めて微
小な空隙を保って保持される。従来の一般的な機構とし
ては、磁気ヘッドは装置が停止中はバネにより磁気ディ
スクに押し付けられて静止しており、磁気ディスクが回
転を始めると磁気ヘッド・スライダが磁気ディスクと摺
動しつつ浮上揚力を増し、ついにはバネ荷重に打ち勝っ
て完全に浮上し、磁気ディスクとの間に微小な空隙を持
つ。磁気ディスクが回転を停止する時はこれと逆の過程
をたどる。このような機構をＣＳＳ方式と称し、従来一
般的に使用されてきた。この方式では磁気ヘッド・スラ
イダが磁気ディスクと過渡的に摺動することはさけられ
ない。さらに、一層の低浮上化によって、浮上状態とい
えども接触や摺動を完全に避けるのは難しくなってきて
おり、磁気ディスクの保護膜の摩耗損傷がますます問題
となっている。
ディスクとして、スパッター型磁気ディスク又はメッキ
型磁気ディスクがある。これらの表面は保護膜で被覆さ
れている。磁気ヘッドは磁気ディスクとの間に極めて微
小な空隙を保って保持される。従来の一般的な機構とし
ては、磁気ヘッドは装置が停止中はバネにより磁気ディ
スクに押し付けられて静止しており、磁気ディスクが回
転を始めると磁気ヘッド・スライダが磁気ディスクと摺
動しつつ浮上揚力を増し、ついにはバネ荷重に打ち勝っ
て完全に浮上し、磁気ディスクとの間に微小な空隙を持
つ。磁気ディスクが回転を停止する時はこれと逆の過程
をたどる。このような機構をＣＳＳ方式と称し、従来一
般的に使用されてきた。この方式では磁気ヘッド・スラ
イダが磁気ディスクと過渡的に摺動することはさけられ
ない。さらに、一層の低浮上化によって、浮上状態とい
えども接触や摺動を完全に避けるのは難しくなってきて
おり、磁気ディスクの保護膜の摩耗損傷がますます問題
となっている。
【０００３】保護膜の材質には多くの提案があるが、ダ
イヤモンド状カーボン（特開平１−２５８２２３号公
報）やアモルファス状カーボン（特開平１−２５８２１
８号公報）が一般的である。カーボン保護膜に組み合わ
せる磁気ヘッド・スライダの材質としては、Ａｌ2Ｏ3
−ＴｉＣ複合材を用いた報告や、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2
複合材やＡｌ2 Ｏ3−ＺｒＯ2 複合材を用いた報告など
が見られる。また、特開平１−２５８２１９号公報には
ＺｒＯ2 −カーバイドやＺｒＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 複合材を
用いた例が見られる。いずれも酸化物が主材である。こ
れらの磁気ヘッド・スライダは、基板から機械加工によ
って切り出されて作製される。この際、スライダの寸法
や表面状態は極めて高精度に管理される。加工性をよく
するために、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ複合材にＹ2 Ｏ3 やＬ
ａ2 Ｏ3 を添加したり（特開昭６４−５２２１３号公
報）、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 複合材にＹ2 Ｏ3 を添加し
たり（特開昭６１−２１５２５２号公報）する工夫がな
されている。
イヤモンド状カーボン（特開平１−２５８２２３号公
報）やアモルファス状カーボン（特開平１−２５８２１
８号公報）が一般的である。カーボン保護膜に組み合わ
せる磁気ヘッド・スライダの材質としては、Ａｌ2Ｏ3
−ＴｉＣ複合材を用いた報告や、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2
複合材やＡｌ2 Ｏ3−ＺｒＯ2 複合材を用いた報告など
が見られる。また、特開平１−２５８２１９号公報には
ＺｒＯ2 −カーバイドやＺｒＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 複合材を
用いた例が見られる。いずれも酸化物が主材である。こ
れらの磁気ヘッド・スライダは、基板から機械加工によ
って切り出されて作製される。この際、スライダの寸法
や表面状態は極めて高精度に管理される。加工性をよく
するために、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ複合材にＹ2 Ｏ3 やＬ
ａ2 Ｏ3 を添加したり（特開昭６４−５２２１３号公
報）、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 複合材にＹ2 Ｏ3 を添加し
たり（特開昭６１−２１５２５２号公報）する工夫がな
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の酸化物基板で
は、機械加工性が必ずしも十分ではなかった。また、磁
気ヘッド・スライダとして使用したときの磁気ディスク
の保護膜の摩耗も十分に小さくできなかった。本発明の
目的は、機械加工が高精度、高能率に行え、また磁気ヘ
ッド・スライダとして使用したときの磁気ディスクの保
護膜の摩耗を抑制することのできる薄膜磁気ヘッド作製
用基板とそれを用いた薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
は、機械加工性が必ずしも十分ではなかった。また、磁
気ヘッド・スライダとして使用したときの磁気ディスク
の保護膜の摩耗も十分に小さくできなかった。本発明の
目的は、機械加工が高精度、高能率に行え、また磁気ヘ
ッド・スライダとして使用したときの磁気ディスクの保
護膜の摩耗を抑制することのできる薄膜磁気ヘッド作製
用基板とそれを用いた薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、主成分がＡｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 からなり、該主成分にＥｒがＥｒ
2 Ｏ3 換算で２〜１０重量％含有している薄膜磁気ヘッ
ド作製用基板としたものである。上記基板においては、
主成分にＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉから選ばれた酸化物
を金属原子数換算で２〜１８モル％含有させることがで
き、この場合主成分としてＡｌ2 Ｏ3 を用いた場合は、
Ｅｒの一部又は全部が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒなどの希土
類、又はＳｃ、Ｙなどの IIIａ族元素で置換されてもよ
い。また、上記基板においては、更にＳｉＣ、ＺｒＣ、
ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ又はＴｉＮなどの非酸化物が４
０重量％以下の範囲で含まれてもよい。そして、これら
の薄膜磁気ヘッド作製用基板を用いることによって、機
械加工がよく、磁気ディスク保護膜の摩耗損傷が少ない
薄膜磁気ヘッドを作製することができる。
に、本発明では、主成分がＡｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ
2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 からなり、該主成分にＥｒがＥｒ
2 Ｏ3 換算で２〜１０重量％含有している薄膜磁気ヘッ
ド作製用基板としたものである。上記基板においては、
主成分にＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉから選ばれた酸化物
を金属原子数換算で２〜１８モル％含有させることがで
き、この場合主成分としてＡｌ2 Ｏ3 を用いた場合は、
Ｅｒの一部又は全部が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒなどの希土
類、又はＳｃ、Ｙなどの IIIａ族元素で置換されてもよ
い。また、上記基板においては、更にＳｉＣ、ＺｒＣ、
ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ又はＴｉＮなどの非酸化物が４
０重量％以下の範囲で含まれてもよい。そして、これら
の薄膜磁気ヘッド作製用基板を用いることによって、機
械加工がよく、磁気ディスク保護膜の摩耗損傷が少ない
薄膜磁気ヘッドを作製することができる。
【０００６】
【作用】以下に本発明の内容を説明する。本発明者ら
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2
を主成分とする材料を機械加工したときのチッピング
や、表面研磨したときのボイドを小さくするために、種
々の添加材を探索した結果、Ｅｒ2 Ｏ3 添加が良好なこ
とを見出した。この理由は明確になっていない。効果を
得るためには２重量％以上を添加しなければならない
が、１０重量％を超えては強度が低下する傾向が見られ
るため好ましくない。さらに、カーボン保護膜で被覆さ
れた磁気ディスクとのなじみのよい薄膜磁気ヘッド用基
板材を探索した結果、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ
2 Ｏ3 に対して金属原子数換算で２モル％以上１８モル
％以下の割合のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物より
成る複合材が適していることを見出した。
は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2
を主成分とする材料を機械加工したときのチッピング
や、表面研磨したときのボイドを小さくするために、種
々の添加材を探索した結果、Ｅｒ2 Ｏ3 添加が良好なこ
とを見出した。この理由は明確になっていない。効果を
得るためには２重量％以上を添加しなければならない
が、１０重量％を超えては強度が低下する傾向が見られ
るため好ましくない。さらに、カーボン保護膜で被覆さ
れた磁気ディスクとのなじみのよい薄膜磁気ヘッド用基
板材を探索した結果、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ
2 Ｏ3 に対して金属原子数換算で２モル％以上１８モル
％以下の割合のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物より
成る複合材が適していることを見出した。
【０００７】この材料は、カーボンの酸化に対する触媒
性が小さい。通常の酸化物は比較的大きい触媒性をもつ
ために、磁気ディスクと摺動すると、摩擦熱との複合作
用によりカーボン保護膜の燃焼を促進し、保護膜を消耗
する。これに対し、上記材料は触媒性が小さいため、カ
ーボン保護膜の消耗が小さい。この効果を得るために
は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物は、金属原子数
換算で２モル％以上１８モル％以下の範囲になければな
らず、この範囲をはずれては触媒性が大きくなる。この
材料の場合には、加工性改善材料として、Ｅｒ2 Ｏ3 の
代わりにＬａ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 などの希
土類、またはＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 などのIIIａ族元素
の酸化物の添加でもよいことがわかった。なお、以上に
説明した材料のいずれも、４０重量％以下の範囲であれ
ば、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣまたはＴ
ｉＮなどの非酸化物が含まれてもよい。
性が小さい。通常の酸化物は比較的大きい触媒性をもつ
ために、磁気ディスクと摺動すると、摩擦熱との複合作
用によりカーボン保護膜の燃焼を促進し、保護膜を消耗
する。これに対し、上記材料は触媒性が小さいため、カ
ーボン保護膜の消耗が小さい。この効果を得るために
は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物は、金属原子数
換算で２モル％以上１８モル％以下の範囲になければな
らず、この範囲をはずれては触媒性が大きくなる。この
材料の場合には、加工性改善材料として、Ｅｒ2 Ｏ3 の
代わりにＬａ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 などの希
土類、またはＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 などのIIIａ族元素
の酸化物の添加でもよいことがわかった。なお、以上に
説明した材料のいずれも、４０重量％以下の範囲であれ
ば、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣまたはＴ
ｉＮなどの非酸化物が含まれてもよい。
【０００８】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 実施例１ 表１に示した各組成の材料で、図１に示すような直径５
インチ、厚さ３ｍｍの基板を作製した。これらの材料
は、純度９９％以上の原料粉を真空雰囲気中でホットプ
レス焼結して作製した。焼結は、Ｎｏ．１〜４、１９、
２０のＡｌ2 Ｏ3 系では１６５０℃で１時間、Ｎｏ．５
のＴｉＯ2 系では１２００℃で１時間、その他では１４
５０℃で１時間行った。基板の表面は、いずれも最終的
に鏡面状態にラップしたが、その前に、＃４００の砥石
で、ついで＃８００の砥石で研削した。この段階で表面
のボイドが多いと、最終的なラップの労力がより多くか
かるだけでなく、場合によっては鏡面状態にできない。
そこで、＃８００の砥石で研削後の表面ボイドの様子を
顕微鏡で調べた。単位面積当たりのボイドの数を数え、
Ｎｏ．１９の従来例の結果を１として、規格化して表し
た。これらを表１に示す。Ｅｒ2 Ｏ3を５重量％添加し
た本発明Ｎｏ．１〜１０、１５、１７、およびＥｒ2 Ｏ
3 にかえて希土類又は IIIａ族元素の酸化物を添加した
本発明Ｎｏ．１１−１４、１６、１８では、従来例Ｎ
ｏ．１９、２０よりもボイドの数が２０〜３０％少ない
ことがわかる。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。 実施例１ 表１に示した各組成の材料で、図１に示すような直径５
インチ、厚さ３ｍｍの基板を作製した。これらの材料
は、純度９９％以上の原料粉を真空雰囲気中でホットプ
レス焼結して作製した。焼結は、Ｎｏ．１〜４、１９、
２０のＡｌ2 Ｏ3 系では１６５０℃で１時間、Ｎｏ．５
のＴｉＯ2 系では１２００℃で１時間、その他では１４
５０℃で１時間行った。基板の表面は、いずれも最終的
に鏡面状態にラップしたが、その前に、＃４００の砥石
で、ついで＃８００の砥石で研削した。この段階で表面
のボイドが多いと、最終的なラップの労力がより多くか
かるだけでなく、場合によっては鏡面状態にできない。
そこで、＃８００の砥石で研削後の表面ボイドの様子を
顕微鏡で調べた。単位面積当たりのボイドの数を数え、
Ｎｏ．１９の従来例の結果を１として、規格化して表し
た。これらを表１に示す。Ｅｒ2 Ｏ3を５重量％添加し
た本発明Ｎｏ．１〜１０、１５、１７、およびＥｒ2 Ｏ
3 にかえて希土類又は IIIａ族元素の酸化物を添加した
本発明Ｎｏ．１１−１４、１６、１８では、従来例Ｎ
ｏ．１９、２０よりもボイドの数が２０〜３０％少ない
ことがわかる。
【０００９】次に、図１の基板から図２の薄膜磁気ヘッ
ドを作製した。この磁気ヘッドスライダを切り出す際に
＃１５００の砥石を用いて切断したが、このときに切断
エッジ部に大きなチッピングが生じると精度上問題とな
る。そこで、チッピングの大きさを調べ、Ｎｏ．１９の
従来例の結果を１として、規格化して表した。これらを
表１に示す。ボイドの数と同様に、Ｅｒ2 Ｏ3 を５重量
％添加した本発明Ｎｏ．１〜１０、１５、１７、及びＥ
ｒ2 Ｏ3 にかえて希土類又は IIIａ族元素の酸化物を添
加した本発明Ｎｏ．１１−１４、１６、１８では、従来
例Ｎｏ．１９、２０よりもチッピング寸法が小さいこと
がわかる。
ドを作製した。この磁気ヘッドスライダを切り出す際に
＃１５００の砥石を用いて切断したが、このときに切断
エッジ部に大きなチッピングが生じると精度上問題とな
る。そこで、チッピングの大きさを調べ、Ｎｏ．１９の
従来例の結果を１として、規格化して表した。これらを
表１に示す。ボイドの数と同様に、Ｅｒ2 Ｏ3 を５重量
％添加した本発明Ｎｏ．１〜１０、１５、１７、及びＥ
ｒ2 Ｏ3 にかえて希土類又は IIIａ族元素の酸化物を添
加した本発明Ｎｏ．１１−１４、１６、１８では、従来
例Ｎｏ．１９、２０よりもチッピング寸法が小さいこと
がわかる。
【００１０】次に、作製した磁気ヘッドの摺動による磁
気ディスクの摩耗を調べた。カーボン保護膜の摩耗を定
量的に調べるため、カーボン膜の厚さは５０ｎｍとし、
かつ、表面にはあらかじめ深さ３０ｎｍの規則的な溝を
全面に設けた。このようにして、摺動後の溝の深さを測
定することにより、保護膜の摩耗を定量的に調べること
が可能である。スライダを磁気ディスクに押し付けた状
態で、磁気ディスクを、スライダの位置での周速が２０
ｍ／ｓとなるように回転させ、連続的に摺動させた。摺
動は磁気ディスクの同一円周上で３００００回転行っ
た。試験結果は、Ｎｏ．１９の従来例の結果を１とし
て、規格化して表した。これらを表１に示す。本発明の
中でも、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ2 Ｏ3 に対し
て金属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の割合
のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物が含まれるＮｏ．
８〜１８では、とくに磁気ディスクの摩耗が小さいこと
がわかる。
気ディスクの摩耗を調べた。カーボン保護膜の摩耗を定
量的に調べるため、カーボン膜の厚さは５０ｎｍとし、
かつ、表面にはあらかじめ深さ３０ｎｍの規則的な溝を
全面に設けた。このようにして、摺動後の溝の深さを測
定することにより、保護膜の摩耗を定量的に調べること
が可能である。スライダを磁気ディスクに押し付けた状
態で、磁気ディスクを、スライダの位置での周速が２０
ｍ／ｓとなるように回転させ、連続的に摺動させた。摺
動は磁気ディスクの同一円周上で３００００回転行っ
た。試験結果は、Ｎｏ．１９の従来例の結果を１とし
て、規格化して表した。これらを表１に示す。本発明の
中でも、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ2 Ｏ3 に対し
て金属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の割合
のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物が含まれるＮｏ．
８〜１８では、とくに磁気ディスクの摩耗が小さいこと
がわかる。
【００１１】
【表１】
【００１２】本実施例から、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又は
Ｙ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を主成分としてＥｒ2 Ｏ3 が添
加された基板は、加工チッピングやボイドが少ないこと
がわかる。さらに、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ2
Ｏ3 に対して金属原子数換算で２モル％以上１８モル％
以下の割合のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物が含ま
れる基板は、磁気ディスクの摩耗も小さいことがわか
る。なお、Ｎｏ．１〜７、１５〜１８では、ＳｉＣ、Ｚ
ｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ又はＴｉＮなどの非酸化
物が４０重量％以下の範囲で含まれているが、いずれも
加工性や摺動性の点で問題ない。
Ｙ2 Ｏ3 安定化ＺｒＯ2 を主成分としてＥｒ2 Ｏ3 が添
加された基板は、加工チッピングやボイドが少ないこと
がわかる。さらに、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 と、Ａｌ2
Ｏ3 に対して金属原子数換算で２モル％以上１８モル％
以下の割合のＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉの酸化物が含ま
れる基板は、磁気ディスクの摩耗も小さいことがわか
る。なお、Ｎｏ．１〜７、１５〜１８では、ＳｉＣ、Ｚ
ｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ又はＴｉＮなどの非酸化
物が４０重量％以下の範囲で含まれているが、いずれも
加工性や摺動性の点で問題ない。
【００１３】実施例２ 次にＥｒ2 Ｏ3 の添加量の影響について調べた。このた
めに、表２に示すように、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 −３
０重量％ＴｉＣ及び〔（Ａｌ2 Ｏ3 −１０モル％ＳｉＯ
2 ）−５重量％ＮｂＣ〕を選び、Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量を
変えた材料を作製した。実施例１と同様に加工性試験を
行った結果を表２に示す。Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量が２重量
％以上のＮｏ．２３〜２５、２８〜３０で、加工チッピ
ングやボイドが少なくなっていることがわかる。つい
で、断面寸法が３ｍｍ×４ｍｍの抗折試験用試験片を作
製し、抗折強度を調べた。この結果も、Ｎｏ．２１の従
来例の結果を１として、規格化して表した。これらを表
２に示す。Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量が１０重量％を超えたＮ
ｏ．２５、３０では抗折強度が大きく低下していること
がわかる。
めに、表２に示すように、主成分としてＡｌ2 Ｏ3 −３
０重量％ＴｉＣ及び〔（Ａｌ2 Ｏ3 −１０モル％ＳｉＯ
2 ）−５重量％ＮｂＣ〕を選び、Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量を
変えた材料を作製した。実施例１と同様に加工性試験を
行った結果を表２に示す。Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量が２重量
％以上のＮｏ．２３〜２５、２８〜３０で、加工チッピ
ングやボイドが少なくなっていることがわかる。つい
で、断面寸法が３ｍｍ×４ｍｍの抗折試験用試験片を作
製し、抗折強度を調べた。この結果も、Ｎｏ．２１の従
来例の結果を１として、規格化して表した。これらを表
２に示す。Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量が１０重量％を超えたＮ
ｏ．２５、３０では抗折強度が大きく低下していること
がわかる。
【００１４】
【表２】 本実施例から、Ｅｒ2 Ｏ3 の添加量は、加工性改善効果
を得るためには２重量％以上が必要であるが、１０重量
％を超えては強度が低下して好ましくないことがわか
る。
を得るためには２重量％以上が必要であるが、１０重量
％を超えては強度が低下して好ましくないことがわか
る。
【００１５】実施例３ 次に主成分のＡｌ2 Ｏ3 に対するＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又は
Ｓｉの酸化物の添加量の影響について調べた。このた
め、表３に示すように、Ｎｂ2 Ｏ5 やＳｉＯ2 の添加量
を変えた材料を作製した。実施例１と同様に加工性試験
と摺動性試験を行った結果を表３に示す。Ｎｂ2Ｏ5 や
ＳｉＯ2 の添加量が異なるいずれの場合も、加工性には
大きな違いがないことがわかる。しかし摺動性について
は、添加量が金属原子数換算で２モル％以上１８モル％
以下の範囲のＮｏ．３２〜３３、３６〜３７で摩耗が少
なくなることがわかる。このことは、Ｔａ2 Ｏ5 やＴｉ
Ｏ2 の添加でも同様であった。
Ｓｉの酸化物の添加量の影響について調べた。このた
め、表３に示すように、Ｎｂ2 Ｏ5 やＳｉＯ2 の添加量
を変えた材料を作製した。実施例１と同様に加工性試験
と摺動性試験を行った結果を表３に示す。Ｎｂ2Ｏ5 や
ＳｉＯ2 の添加量が異なるいずれの場合も、加工性には
大きな違いがないことがわかる。しかし摺動性について
は、添加量が金属原子数換算で２モル％以上１８モル％
以下の範囲のＮｏ．３２〜３３、３６〜３７で摩耗が少
なくなることがわかる。このことは、Ｔａ2 Ｏ5 やＴｉ
Ｏ2 の添加でも同様であった。
【００１６】
【表３】 本実施例から、母材のＡｌ2 Ｏ3 に対するＮｂ、Ｔａ、
Ｔｉ又はＳｉの酸化物の添加量は、摺動性の点から、金
属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の範囲が良
好であることがわかる。
Ｔｉ又はＳｉの酸化物の添加量は、摺動性の点から、金
属原子数換算で２モル％以上１８モル％以下の範囲が良
好であることがわかる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、基板の加工性が増すの
で、高精度、高能率に磁気ヘッドを作製できる。さら
に、磁気ディスクのカーボン保護膜の摩耗を抑制できる
ので、磁気ディスクの摩耗耐久性の高い磁気ディスク装
置を得ることができる。このことからさらに、磁気ヘッ
ドと磁気ディスクの距離を接近させ、記録密度の大きい
磁気ディスク装置を作製することができる。
で、高精度、高能率に磁気ヘッドを作製できる。さら
に、磁気ディスクのカーボン保護膜の摩耗を抑制できる
ので、磁気ディスクの摩耗耐久性の高い磁気ディスク装
置を得ることができる。このことからさらに、磁気ヘッ
ドと磁気ディスクの距離を接近させ、記録密度の大きい
磁気ディスク装置を作製することができる。
【図１】薄膜磁気ヘッド作製用基板の外観図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドの外観図である。
１…スライダ、２…薄膜磁気ヘッド素子
Claims (6)
- 【請求項１】 主成分がＡｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 又はＹ2
Ｏ3 安定化ＺｒＯ2からなり、該主成分にＥｒがＥｒ2
Ｏ3 換算で２〜１０重量％含有していることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド作製用基板。 - 【請求項２】 主成分がＴｉＯ2 又はＹ2 Ｏ3 安定化Ｚ
ｒＯ2 からなり、該主成分にＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉ
から選ばれた酸化物を金属原子数換算で２〜１８モル
％、及びＥｒをＥｒ2 Ｏ3 換算で２〜１０重量％含有し
ていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド作製用基板。 - 【請求項３】 主成分がＡｌ2 Ｏ3 からなり、該主成分
にＮｂ、Ｔａ、Ｔｉ又はＳｉから選ばれた酸化物を金属
原子数換算で２〜１８モル％、及びＥｒをＥｒ2 Ｏ3 換
算で２〜１０重量％含有していることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド作製用基板。 - 【請求項４】 請求項３記載において、Ｅｒの一部又は
全部が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｃ又はＹから選ばれた金
属の一種以上で置換されていることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド作製用基板。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項記載におい
て、更に、ＳｉＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ又
はＴｉＮから選ばれたいずれか１種以上を４０重量％以
下の範囲で含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド作製用
基板。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項記載の薄膜
磁気ヘッド作製用基板を用いて作製された薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20182292A JPH0628632A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜磁気ヘッド作製用基板及びそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20182292A JPH0628632A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜磁気ヘッド作製用基板及びそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628632A true JPH0628632A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16447478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20182292A Pending JPH0628632A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜磁気ヘッド作製用基板及びそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414002B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-08-19 | Kyocera Corporation | Aluminum oxide-titanium nitride sintered body, manufacturing method thereof, and magnetic head substrate, ultrasonic motor and dynamic pressure bearing using the same |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP20182292A patent/JPH0628632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7414002B2 (en) | 2004-11-29 | 2008-08-19 | Kyocera Corporation | Aluminum oxide-titanium nitride sintered body, manufacturing method thereof, and magnetic head substrate, ultrasonic motor and dynamic pressure bearing using the same |
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