JPH0628656A - 磁気ディスク媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0628656A JPH0628656A JP18276692A JP18276692A JPH0628656A JP H0628656 A JPH0628656 A JP H0628656A JP 18276692 A JP18276692 A JP 18276692A JP 18276692 A JP18276692 A JP 18276692A JP H0628656 A JPH0628656 A JP H0628656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic disk
- disk medium
- layer
- magnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラスを有する磁気ディスク媒体の電磁気特性
の向上のため、スパッタ法による磁性層形成時のバイア
ス電圧の印加を可能にする。 【構成】アルカリイオン含有率が高い導電性を有するガ
ラス基板１の上面にスパッタ法により磁性層２，保護膜
層３を形成し、更にその上面に潤滑膜層４を形成した構
造よりなる。また、磁性層２の下層であるガラス基板１
が導電性を有していることにより、スパッタ法による磁
性層形成時のバイアス電圧の印加が可能となる。
の向上のため、スパッタ法による磁性層形成時のバイア
ス電圧の印加を可能にする。 【構成】アルカリイオン含有率が高い導電性を有するガ
ラス基板１の上面にスパッタ法により磁性層２，保護膜
層３を形成し、更にその上面に潤滑膜層４を形成した構
造よりなる。また、磁性層２の下層であるガラス基板１
が導電性を有していることにより、スパッタ法による磁
性層形成時のバイアス電圧の印加が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの外部記
憶装置である磁気ディスク装置におけるディスク媒体お
よびその製造方法に関する。
憶装置である磁気ディスク装置におけるディスク媒体お
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置における記憶媒体とし
ての磁気ディスク媒体には、円形のＡｌ合金からなるも
のが一般には使用されている。しかしながら、このＡｌ
合金では、近年めざましい記憶容量の高密度化に際し
て、ヘッドの低浮上量化が要求する水準を満足するには
厳しい状況にある。
ての磁気ディスク媒体には、円形のＡｌ合金からなるも
のが一般には使用されている。しかしながら、このＡｌ
合金では、近年めざましい記憶容量の高密度化に際し
て、ヘッドの低浮上量化が要求する水準を満足するには
厳しい状況にある。
【０００３】こうした中にあって、近年、その優れた平
坦度及び表面平滑度からガラスがディスク基板材料とし
て注目を集めている。
坦度及び表面平滑度からガラスがディスク基板材料とし
て注目を集めている。
【０００４】このガラスよりなる磁気ディスク基盤（以
下ガラス基板と記す）は、表面結晶化法やイオン交換法
により強化されており、磁気ディクス装置に搭載される
のに十分な機械強度を持っている。
下ガラス基板と記す）は、表面結晶化法やイオン交換法
により強化されており、磁気ディクス装置に搭載される
のに十分な機械強度を持っている。
【０００５】ガラス基板上の磁性膜の形成には、スパッ
タ法によるものが現在の主流であり、また、下地膜とし
てはＣｒ膜形成後、磁性在を成膜して磁性層とするのが
一般的である。そして、磁性層の上にカーボン或はＺｒ
Ｏ2 等から成る保護膜を同様にスパッタ法により形成
し、更にパーフロロパリエーテル等からなる潤滑膜を形
成して磁気ディスク媒体となる。
タ法によるものが現在の主流であり、また、下地膜とし
てはＣｒ膜形成後、磁性在を成膜して磁性層とするのが
一般的である。そして、磁性層の上にカーボン或はＺｒ
Ｏ2 等から成る保護膜を同様にスパッタ法により形成
し、更にパーフロロパリエーテル等からなる潤滑膜を形
成して磁気ディスク媒体となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】スパッタ法により作成
する磁気ディスク媒体の電磁気特性向上に対して、スパ
ッタリング時のバイアス電圧の印加は効果的であり、保
持力の向上、ＳＮの改善等をはかることがバイアス電圧
をコントロールすることにより可能である。また、ガラ
ス基板は高平坦度，高表面平滑度を有しており、磁気ヘ
ッドの低浮上量化に対応できる実力を有している。
する磁気ディスク媒体の電磁気特性向上に対して、スパ
ッタリング時のバイアス電圧の印加は効果的であり、保
持力の向上、ＳＮの改善等をはかることがバイアス電圧
をコントロールすることにより可能である。また、ガラ
ス基板は高平坦度，高表面平滑度を有しており、磁気ヘ
ッドの低浮上量化に対応できる実力を有している。
【０００７】しかしながら、現在磁気ディスク基板とし
て検討、もしくは実用化されているガラス基板において
は導電性を有さないため、スパッタ法による磁性層，保
護膜形成時にバイアス電圧を印加することができない。
従って、この従来のガラス基板においては、スパッタ法
による成膜において、バイアス電圧がもたらす磁気ディ
スク媒体の性能向上への効果が得られないという欠点を
有していた。
て検討、もしくは実用化されているガラス基板において
は導電性を有さないため、スパッタ法による磁性層，保
護膜形成時にバイアス電圧を印加することができない。
従って、この従来のガラス基板においては、スパッタ法
による成膜において、バイアス電圧がもたらす磁気ディ
スク媒体の性能向上への効果が得られないという欠点を
有していた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク媒
体は、導電性ガラスの基板と、この基板上に順次積層す
る磁性層，保護膜層及び潤滑膜層とからなることを特徴
とする。また、前記基板が表面に導電性ガラス層を有す
るセラミック基板であってもよい。
体は、導電性ガラスの基板と、この基板上に順次積層す
る磁性層，保護膜層及び潤滑膜層とからなることを特徴
とする。また、前記基板が表面に導電性ガラス層を有す
るセラミック基板であってもよい。
【０００９】次に、この磁気ディスク媒体の製造方法
は、ＳｉＯ2 及びアルカリ酸化物を炉内で溶融した後凝
固させ、それに円板加工及び表面平坦加工を施し、その
表面にスパッタ法により磁性層及び保護膜層を順次積層
し、更に潤滑膜層を形成することを特徴とする。
は、ＳｉＯ2 及びアルカリ酸化物を炉内で溶融した後凝
固させ、それに円板加工及び表面平坦加工を施し、その
表面にスパッタ法により磁性層及び保護膜層を順次積層
し、更に潤滑膜層を形成することを特徴とする。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の一実施例による媒体の構成
を示す断面図である。本発明の磁気ディスク媒体は図１
に示すように、導電性を有するガラス基板１にスパッタ
法により磁性層２，保護膜層３を順次形成し、更にその
上に潤滑膜層４を形成する。この潤滑膜層４の形成に
は、スプレー法，ディッピング法，またはスピンコート
法等が用いられる。
を示す断面図である。本発明の磁気ディスク媒体は図１
に示すように、導電性を有するガラス基板１にスパッタ
法により磁性層２，保護膜層３を順次形成し、更にその
上に潤滑膜層４を形成する。この潤滑膜層４の形成に
は、スプレー法，ディッピング法，またはスピンコート
法等が用いられる。
【００１２】図２は本発明の他の実施例による媒体の構
成を示す断面図である。本発明の磁気ディスク媒体は、
図２に示すように、セラミック基板６に導電性を有する
ガラスからなるガラス層が形成され、その上面にスパッ
タリング法により磁性層，保護膜層を形成し、更にその
上に潤滑膜層が形成する。
成を示す断面図である。本発明の磁気ディスク媒体は、
図２に示すように、セラミック基板６に導電性を有する
ガラスからなるガラス層が形成され、その上面にスパッ
タリング法により磁性層，保護膜層を形成し、更にその
上に潤滑膜層が形成する。
【００１３】次に、本発明の磁気ディスク媒体の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００１４】まず、基板となるガラスは、Ｎａ2 Ｏ−Ｓ
ｉＯ2 系ガラスであってＳｉＯ2 とＮａ2 Ｏとを炉内容
溶融後、円板加工及び表面平坦加工を施したものであ
り、Ｎａ2 Ｏが全体の４５ｍｏｌ％程度である組成から
なる。このガラスの比抵抗値は、２００℃において１０
０Ω・ｃｍ2 程度であり、磁性層スパッタリング時の基
板温度が２００〜３００℃であることから、バイアス電
圧効果を期待できる十分な導電性を有する。また、この
ガラス基板は、Ｎａ+ イオンを同じアルカリイオンであ
るＫ+ イオンに置換するイオン交換法により、導電性を
損なわずに強化することが可能である。
ｉＯ2 系ガラスであってＳｉＯ2 とＮａ2 Ｏとを炉内容
溶融後、円板加工及び表面平坦加工を施したものであ
り、Ｎａ2 Ｏが全体の４５ｍｏｌ％程度である組成から
なる。このガラスの比抵抗値は、２００℃において１０
０Ω・ｃｍ2 程度であり、磁性層スパッタリング時の基
板温度が２００〜３００℃であることから、バイアス電
圧効果を期待できる十分な導電性を有する。また、この
ガラス基板は、Ｎａ+ イオンを同じアルカリイオンであ
るＫ+ イオンに置換するイオン交換法により、導電性を
損なわずに強化することが可能である。
【００１５】磁性層は、磁性材の下地膜としてＣｒが用
いられ、その上に磁性在がスパッタ法により形成されて
いる。本実施例では磁性材としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａを用
いているが、この他にもＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ等のＣｏ−Ｃｒ系合金や、更に、このＣｏ−Ｃｒ
系３元合金に第４元素としてＳｉ等を加えたものも用い
られる。また、磁性層自身が複数の下地材及び磁性材か
ら形成されている場合もある。
いられ、その上に磁性在がスパッタ法により形成されて
いる。本実施例では磁性材としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａを用
いているが、この他にもＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ等のＣｏ−Ｃｒ系合金や、更に、このＣｏ−Ｃｒ
系３元合金に第４元素としてＳｉ等を加えたものも用い
られる。また、磁性層自身が複数の下地材及び磁性材か
ら形成されている場合もある。
【００１６】磁性材のスパッタリングは、１〜３０ｍｍ
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気下で行われる。そして、この磁性
層形成時に５０〜６００Ｖのバイアス電圧を印加するこ
とにより、プラズマ化したＡｒ+ イオンが基板方向に対
しても加速され、基板に衝突することによりＣｒの偏析
及び磁性層中のＡｒ含有量の変化等の理由により、磁性
層における磁性材の結晶構造が影響を受け電磁気特性が
変化する。
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気下で行われる。そして、この磁性
層形成時に５０〜６００Ｖのバイアス電圧を印加するこ
とにより、プラズマ化したＡｒ+ イオンが基板方向に対
しても加速され、基板に衝突することによりＣｒの偏析
及び磁性層中のＡｒ含有量の変化等の理由により、磁性
層における磁性材の結晶構造が影響を受け電磁気特性が
変化する。
【００１７】次に、１０ｍｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気下に
おいて、下地膜としてＣｒを、また、磁性膜としてＣｏ
ＣｒＮａ／Ｃｒをスパッタ法によりそれぞれ成膜した場
合のバイアス印加が可能な本発明の磁気ディスク媒体の
一実施例と、バイアス電圧の印加ができない従来のガラ
ス基板による磁気ディスク媒体とを比較する。ここで、
Ｃｒ膜厚は５００オングストローム、磁性膜厚は６００
オングストロームである。
おいて、下地膜としてＣｒを、また、磁性膜としてＣｏ
ＣｒＮａ／Ｃｒをスパッタ法によりそれぞれ成膜した場
合のバイアス印加が可能な本発明の磁気ディスク媒体の
一実施例と、バイアス電圧の印加ができない従来のガラ
ス基板による磁気ディスク媒体とを比較する。ここで、
Ｃｒ膜厚は５００オングストローム、磁性膜厚は６００
オングストロームである。
【００１８】本発明の磁気ディスク媒体は、−４００Ｖ
バイアス電圧を印加したのであるが、バイアスを印加し
ない場合と比較して、保持力が１１５０Ｏｅから１５３
０Ｏｅと約２４％上昇した。また、ＳＮ比の値も８．５
から１１．２と約３２％向上した。
バイアス電圧を印加したのであるが、バイアスを印加し
ない場合と比較して、保持力が１１５０Ｏｅから１５３
０Ｏｅと約２４％上昇した。また、ＳＮ比の値も８．５
から１１．２と約３２％向上した。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、導電性を
有するガラス基板上にスパッタ法により磁性層，保護膜
層を形成したものであるため、ガラス基板の持つ優れた
特性を有しつつ、磁性膜，保護膜スパッタリング時のバ
イアス電圧の印加が可能のことによる磁性膜の保持力の
向上、ＳＮの改善などの電磁気特性上の効果を得ること
ができる。
有するガラス基板上にスパッタ法により磁性層，保護膜
層を形成したものであるため、ガラス基板の持つ優れた
特性を有しつつ、磁性膜，保護膜スパッタリング時のバ
イアス電圧の印加が可能のことによる磁性膜の保持力の
向上、ＳＮの改善などの電磁気特性上の効果を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す拡大断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施例の構成を示す拡大断面図で
ある。
ある。
１ ガラス基板 ２ 磁性層 ３ 保護膜層 ４ 潤滑膜層 ５ ガラス層 ６ セラミック基板
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性ガラスの基板と、この基板上に順
次積層する磁性層，保護膜層及び潤滑膜層とからなるこ
とを特徴とする磁気ディスク媒体。 - 【請求項２】 前記基板が表面に導電性ガラス層を有す
るセラミック基板であることを特徴とする請求項１記載
の磁気ディスク媒体。 - 【請求項３】 請求項２記載の磁気ディスク媒体の製造
方法であって、ＳｉＯ2 及びアルカリ酸化物を炉内で溶
融した後凝固させ、それに円板加工及び表面平坦加工を
施し、その表面にスパッタ法により磁性層及び保護膜層
を順次積層し、更に潤滑膜層を形成することを特徴とす
る磁気ディスク媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182766A JP3022680B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4182766A JP3022680B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628656A true JPH0628656A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3022680B2 JP3022680B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=16124054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4182766A Expired - Fee Related JP3022680B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022680B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246544B1 (en) | 1997-11-21 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Magnetic disk drive |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4182766A patent/JP3022680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246544B1 (en) | 1997-11-21 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Magnetic disk drive |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3022680B2 (ja) | 2000-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6120890A (en) | Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration | |
| US5413835A (en) | Magnetic recording medium having an underlayer of low melting point metal alloy in the form of spherically shaped structures | |
| JPH11328647A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 | |
| US3625849A (en) | Manufacture of magnetic medium | |
| JPS62128015A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0628656A (ja) | 磁気ディスク媒体およびその製造方法 | |
| US6699588B2 (en) | Medium with a NiNb sealing layer | |
| JP2547994B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2819839B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPS62117143A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61194635A (ja) | 薄膜永久磁石 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JP4077964B2 (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法および磁気記憶装置 | |
| JPH10198941A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS61216125A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0198124A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61144006A (ja) | 磁性薄膜及びその製造方法 | |
| JP3087265B2 (ja) | 磁性合金 | |
| JPH0833984B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS58224425A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP2547994C (ja) | ||
| JPH06282834A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS62164205A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62267946A (ja) | 光磁気デイスク用記録媒体の製造法 | |
| JPS61256707A (ja) | 永久磁石薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |