JPH0629129B2 - ホスゲンの製造方法 - Google Patents
ホスゲンの製造方法Info
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- JPH0629129B2 JPH0629129B2 JP63156040A JP15604088A JPH0629129B2 JP H0629129 B2 JPH0629129 B2 JP H0629129B2 JP 63156040 A JP63156040 A JP 63156040A JP 15604088 A JP15604088 A JP 15604088A JP H0629129 B2 JPH0629129 B2 JP H0629129B2
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホスゲンの製造方法に関し、詳しくは特定の触
媒を使用することによって、一酸化炭素と塩素とから高
純度のホスゲンを効率よく製造する方法に関する。
媒を使用することによって、一酸化炭素と塩素とから高
純度のホスゲンを効率よく製造する方法に関する。
従来から、一酸化炭素と塩素とを反応させてホスゲンを
製造するにあたって、活性炭を触媒として用いることが
知られている。しかし、活性炭をそのまま触媒として用
いた場合には、得られるホスゲンは多量の不純物、特に
四塩化炭素を含有するものとなる。このように多量の四
塩化炭素を含有するホスゲンを原料として、ポリカーボ
ネートを製造すると、その四塩化炭素の影響で得られる
ポリカーボネートの品質が低下するという問題がある。
したがって、ホスゲン中に含まれる四塩化炭素等の不純
物をできるだけ少なくすることが、高品質のポリカーボ
ネートを製造する上で望まれている。
製造するにあたって、活性炭を触媒として用いることが
知られている。しかし、活性炭をそのまま触媒として用
いた場合には、得られるホスゲンは多量の不純物、特に
四塩化炭素を含有するものとなる。このように多量の四
塩化炭素を含有するホスゲンを原料として、ポリカーボ
ネートを製造すると、その四塩化炭素の影響で得られる
ポリカーボネートの品質が低下するという問題がある。
したがって、ホスゲン中に含まれる四塩化炭素等の不純
物をできるだけ少なくすることが、高品質のポリカーボ
ネートを製造する上で望まれている。
ところで、一般に触媒を用いる反応では、それが発熱反
応であれば、その熱により触媒層の中央部が特に加熱さ
れることが知られている。このことはホスゲンの製造に
関しても同様であり、一酸化炭素と塩素との反応により
触媒層の中央部が加熱され、外部冷却により触媒層出口
温度を７０〜９０℃程度に下げても、触媒層の一部は４
５０℃以上もの高温になる。そのため、ホスゲンの製造
時に副生成物である四塩化炭素が多量に生成するという
問題がある（Kirk-Othmer,“Encyclopedia of Chemical
Technology”，第２版，第５巻）。しかも、加熱され
た触媒層の部分を、外部冷却や反応ガスの希釈等によっ
て所定温度以下に冷却することは極めて困難である。
応であれば、その熱により触媒層の中央部が特に加熱さ
れることが知られている。このことはホスゲンの製造に
関しても同様であり、一酸化炭素と塩素との反応により
触媒層の中央部が加熱され、外部冷却により触媒層出口
温度を７０〜９０℃程度に下げても、触媒層の一部は４
５０℃以上もの高温になる。そのため、ホスゲンの製造
時に副生成物である四塩化炭素が多量に生成するという
問題がある（Kirk-Othmer,“Encyclopedia of Chemical
Technology”，第２版，第５巻）。しかも、加熱され
た触媒層の部分を、外部冷却や反応ガスの希釈等によっ
て所定温度以下に冷却することは極めて困難である。
このような副生物の生成を抑制する方法として、反応原
料ガスを触媒層を通過させることなく、触媒充填層面に
接触させ、該触媒充填層の表層部で反応させる装置を用
いてホスゲンを製造する方法が開発されている（特公昭
５５−１４０４４号公報）。しかしながら、この方法に
よっても、四塩化炭素の副生を充分に低減することはで
きない。
料ガスを触媒層を通過させることなく、触媒充填層面に
接触させ、該触媒充填層の表層部で反応させる装置を用
いてホスゲンを製造する方法が開発されている（特公昭
５５−１４０４４号公報）。しかしながら、この方法に
よっても、四塩化炭素の副生を充分に低減することはで
きない。
そこで、本発明者らは上記従来技術の課題を解決し、副
生物の少ない高純度のホスゲンを効率よく製造する方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
生物の少ない高純度のホスゲンを効率よく製造する方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、触媒として用いる活性炭中の金属分含量を酸
洗浄により1.5重量％以下に低減することにより、上記
課題を解決できることを見出した。本発明はかかる知見
に基いて完成したものである。
洗浄により1.5重量％以下に低減することにより、上記
課題を解決できることを見出した。本発明はかかる知見
に基いて完成したものである。
すなわち、本発明は活性炭を触媒とし、一酸化炭素と塩
素とを反応させてホスゲンを製造する方法において、活
性炭を酸洗浄して得られる、遷移金属、ホウ素、アルミ
ニウム又は珪素からなる金属成分の合計が1.5重量％以
下の活性炭を使用することを特徴とするホスゲンの製造
方法を提供するものである。
素とを反応させてホスゲンを製造する方法において、活
性炭を酸洗浄して得られる、遷移金属、ホウ素、アルミ
ニウム又は珪素からなる金属成分の合計が1.5重量％以
下の活性炭を使用することを特徴とするホスゲンの製造
方法を提供するものである。
本発明の方法における一酸化炭素と塩素との反応は、 ＣＯ＋Ｃｌ２→ＣＯＣｌ２ なる反応式にしたがって進行するものである。この反応
は公知の反応であり、原料である一酸化炭素，塩素の割
合や反応条件（温度，圧力等）は、特に制限はなく公知
の方法に準ずればよい。
は公知の反応であり、原料である一酸化炭素，塩素の割
合や反応条件（温度，圧力等）は、特に制限はなく公知
の方法に準ずればよい。
本発明の方法では、上記の反応を活性炭触媒の存在下で
進行させるが、この活性炭中の特定の金属分含量を酸洗
浄により1.5重量％以下、好ましくは1.0重量％以下に調
節する。ここで特定の金属分含量が1.5重量％を超える
ものでは、副生成物である四塩化炭素の生成量を抑制す
ることができない。なお、含量を制御すべき特定の金属
の種類は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の遷移金属，Ｂ，Ａｌ及びＳｉであ
る。Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ等のアルカリ金属やアルカリ
土類金属は副生成物の生成に影響がほとんどないので、
これらの金属については、前記金属分含量の計算から除
外することができる。つまり、このアルカリ金属やアル
カリ土類金属の含有量は、少なければ問題はないが、た
とえ1.5重量％を超える場合（アルカリ金属やアルカリ
土類金属の量として、あるいはアルカリ金属やアルカリ
土類金属と前記遷移金属等の合計量として）であって
も、副生成物の生成を抑制することは可能であり、本発
明の目的を達成する上で支障となることはない。
進行させるが、この活性炭中の特定の金属分含量を酸洗
浄により1.5重量％以下、好ましくは1.0重量％以下に調
節する。ここで特定の金属分含量が1.5重量％を超える
ものでは、副生成物である四塩化炭素の生成量を抑制す
ることができない。なお、含量を制御すべき特定の金属
の種類は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の遷移金属，Ｂ，Ａｌ及びＳｉであ
る。Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ等のアルカリ金属やアルカリ
土類金属は副生成物の生成に影響がほとんどないので、
これらの金属については、前記金属分含量の計算から除
外することができる。つまり、このアルカリ金属やアル
カリ土類金属の含有量は、少なければ問題はないが、た
とえ1.5重量％を超える場合（アルカリ金属やアルカリ
土類金属の量として、あるいはアルカリ金属やアルカリ
土類金属と前記遷移金属等の合計量として）であって
も、副生成物の生成を抑制することは可能であり、本発
明の目的を達成する上で支障となることはない。
また、ここで用いる活性炭としては、粉末活性炭，造粒
活性炭など様々であり、特に制限はない。さらに原料の
種類も、木材，ノコギリクズ，ヤシの実の殻，リグニ
ン，亜炭，褐炭，泥炭，石炭など各種のものが使用可能
であり、その調製法についても水蒸気賦活法，薬品賦活
法，その他の各種方法によればよい。
活性炭など様々であり、特に制限はない。さらに原料の
種類も、木材，ノコギリクズ，ヤシの実の殻，リグニ
ン，亜炭，褐炭，泥炭，石炭など各種のものが使用可能
であり、その調製法についても水蒸気賦活法，薬品賦活
法，その他の各種方法によればよい。
本発明の金属分含量1.5重量％以下の活性炭を得るにあ
たっては、上述の活性炭（これは通常２重量％以上の金
属分を含有している。）を、各種方法により酸洗浄しな
ければならない。有効な具体的洗浄方法としては、塩
酸，硫酸，硝酸等の酸で酸洗浄することにより金属分を
除去し、次いで洗浄水にて水相が中性になるまで充分に
洗浄し、しかる後に乾燥する方法があげられる。
たっては、上述の活性炭（これは通常２重量％以上の金
属分を含有している。）を、各種方法により酸洗浄しな
ければならない。有効な具体的洗浄方法としては、塩
酸，硫酸，硝酸等の酸で酸洗浄することにより金属分を
除去し、次いで洗浄水にて水相が中性になるまで充分に
洗浄し、しかる後に乾燥する方法があげられる。
このようにして得られる金属分含量の少ない活性炭を触
媒として用い、以下常法にしたがって一酸化炭素と塩素
とを反応させれば、四塩化炭素等の副生成物の極めて少
ない高純度のホスゲンを製造することができる。
媒として用い、以下常法にしたがって一酸化炭素と塩素
とを反応させれば、四塩化炭素等の副生成物の極めて少
ない高純度のホスゲンを製造することができる。
次に、本発明を実施例および比較例に基いてさらに詳し
く説明する。
く説明する。
実施例１ （１）触媒の調製 市販の粒状活性炭Ａ（直径1.2〜2.4mmに粉砕したヤシ殻
炭；Ｓｉ1.07wt％，Ａｌ0.9wt％，Ｆｅ0.36wt％，その
他0.012wt％（合計金属分含量2.33wt％））を、１５℃
で濃度１０％の塩酸に投入し、２時間攪拌洗浄後、水相
が中性になるまで充分に水洗し、真空乾燥して、活性炭
Ｃ（Ｓｉ0.46wt％，Ａｌ0.1wt％，Ｆｅ0.01wt％，その
他0.001wt％（合計金属分含量0.57wt％））を得た。
炭；Ｓｉ1.07wt％，Ａｌ0.9wt％，Ｆｅ0.36wt％，その
他0.012wt％（合計金属分含量2.33wt％））を、１５℃
で濃度１０％の塩酸に投入し、２時間攪拌洗浄後、水相
が中性になるまで充分に水洗し、真空乾燥して、活性炭
Ｃ（Ｓｉ0.46wt％，Ａｌ0.1wt％，Ｆｅ0.01wt％，その
他0.001wt％（合計金属分含量0.57wt％））を得た。
（２）ホスゲンの製造 スパイラル状にした内径６mm，長さ４ｍのガラス状の反
応管に、上記（１）で得られた活性炭Ｃを３５ｇ充填
し、ガス流入口より一酸化炭素と塩素を等モルの割合
で、かつ両者の混合ガスを１８０g/hr.の流量で導入し
て反応を行った。また、この反応管は、３５０℃に調整
された温度域中に設置した。この際の触媒層の出口温度
は３５２℃であった。
応管に、上記（１）で得られた活性炭Ｃを３５ｇ充填
し、ガス流入口より一酸化炭素と塩素を等モルの割合
で、かつ両者の混合ガスを１８０g/hr.の流量で導入し
て反応を行った。また、この反応管は、３５０℃に調整
された温度域中に設置した。この際の触媒層の出口温度
は３５２℃であった。
反応後のガスをガスクロマトグラフィーにて分析した結
果、ほぼ１００％の反応率でホスゲンが得られ、またホ
スゲン中の四塩化炭素量は１５０wtppmであった。
果、ほぼ１００％の反応率でホスゲンが得られ、またホ
スゲン中の四塩化炭素量は１５０wtppmであった。
比較例１ 上記市販の粒状活性炭Ａをそのまま用いたこと以外は、
実施例１（２）と同様の操作を行い、ホスゲンを製造し
た。反応率はほぼ１００％であったが、ホスゲン中の四
塩化炭素量は３８０wtppmと実施例１に比べて２倍以上
に増加していた。
実施例１（２）と同様の操作を行い、ホスゲンを製造し
た。反応率はほぼ１００％であったが、ホスゲン中の四
塩化炭素量は３８０wtppmと実施例１に比べて２倍以上
に増加していた。
実施例２ （１）触媒の調製 市販の粒状活性炭Ｂ（直径1.2〜2.4mmに粉砕したヤシ殻
炭；Ｓｉ1.3wt％，Ａｌ1.2wt％，Ｆｅ0.27wt％，その他
0.016wt％（合計金属分含量2.77wt％））を、１５℃で
濃度５％の塩酸に投入し、１時間攪拌洗浄後、水相が中
性になるまで充分に水洗し、真空乾燥して、活性炭Ｄ
（Ｓｉ0.56wt％，Ａｌ0.24wt％，Ｆｅ0.19wt％，その他
0.01wt％（合計金属分含量0.99wt％））を得た。
炭；Ｓｉ1.3wt％，Ａｌ1.2wt％，Ｆｅ0.27wt％，その他
0.016wt％（合計金属分含量2.77wt％））を、１５℃で
濃度５％の塩酸に投入し、１時間攪拌洗浄後、水相が中
性になるまで充分に水洗し、真空乾燥して、活性炭Ｄ
（Ｓｉ0.56wt％，Ａｌ0.24wt％，Ｆｅ0.19wt％，その他
0.01wt％（合計金属分含量0.99wt％））を得た。
（２）ホスゲンの製造 活性炭Ｃの代わりに、上記実施例２（１）で得られた活
性炭Ｄを用いたこと以外は、実施例１（２）と同様の操
作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ１００％
であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は２００wtppm
であった。
性炭Ｄを用いたこと以外は、実施例１（２）と同様の操
作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ１００％
であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は２００wtppm
であった。
実施例３ （１）触媒の調製 上記市販の粒状活性炭Ｂを、１５℃で濃度１０％の塩酸
に投入し、１時間攪拌洗浄後、水相が中性になるまで充
分に水洗し、真空乾燥して、活性炭Ｅ（Ｓｉ0.6wt％，
Ａｌ0.07wt％，Ｆｅ0.02wt％，その他0.004wt％（合計
金属分含量0.69wt％））を得た。
に投入し、１時間攪拌洗浄後、水相が中性になるまで充
分に水洗し、真空乾燥して、活性炭Ｅ（Ｓｉ0.6wt％，
Ａｌ0.07wt％，Ｆｅ0.02wt％，その他0.004wt％（合計
金属分含量0.69wt％））を得た。
（２）ホスゲンの製造 活性炭Ｃの代わりに、上記実施例３（１）で得られた活
性炭Ｅを用いたこと以外は、実施例１（２）と同様の操
作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ１００％
であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は１８０wtppm
であった。
性炭Ｅを用いたこと以外は、実施例１（２）と同様の操
作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ１００％
であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は１８０wtppm
であった。
比較例２ 上記市販の粒状活性炭Ｂをそのまま用いたこと以外は、
実施例１（２）と同様の操作を行い、ホスゲンを製造し
た。反応率はほぼ１００％であったが、ホスゲン中の四
塩化炭素量は４００wtppmと実施例２，３に比べて２倍
あるいはそれ以上に増加していた。
実施例１（２）と同様の操作を行い、ホスゲンを製造し
た。反応率はほぼ１００％であったが、ホスゲン中の四
塩化炭素量は４００wtppmと実施例２，３に比べて２倍
あるいはそれ以上に増加していた。
実施例４ 実施例１（２）において、反応管を３５０℃の代わりに
４００℃に調整された温度域中に設置して、触媒層の出
口温度を４０３℃としたこと以外は、実施例１（２）と
同様の操作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ
１００％であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は２３
０wtppmであった。
４００℃に調整された温度域中に設置して、触媒層の出
口温度を４０３℃としたこと以外は、実施例１（２）と
同様の操作を行い、ホスゲンを製造した。反応率はほぼ
１００％であり、またホスゲン中の四塩化炭素量は２３
０wtppmであった。
本発明の方法によれば、特定の金属成分を特定の含量以
下とすることにより四塩化炭素等の副生成物の少ない高
純度のホスゲンを効率よく製造することができる。ま
た、このようにして得られる高純度のホスゲンは、各種
化学品、特にポリカーボネートの製造原料として有効に
利用される。
下とすることにより四塩化炭素等の副生成物の少ない高
純度のホスゲンを効率よく製造することができる。ま
た、このようにして得られる高純度のホスゲンは、各種
化学品、特にポリカーボネートの製造原料として有効に
利用される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特公 昭55−14044（ＪＰ，Ｂ１) 北川外著“活性炭工業”重化学工業通信 社 昭50−６−30． ｐ．51−52 炭素材料科学会編、“活性炭−基礎と応 用”株式会社講談社 1978−９−１ ｐ. 109
Claims (1)
- 【請求項１】活性炭を触媒とし、一酸化炭素と塩素とを
反応させてホスゲンを製造する方法において、活性炭を
酸洗浄して得られる、遷移金属、ホウ素、アルミニウム
又は珪素からなる金属成分の合計が1.5重量％以下の活
性炭を使用することを特徴とするホスゲンの製造方法。
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| WO1996016898A1 (en) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing phosgene |
| WO1997030932A1 (en) * | 1996-02-21 | 1997-08-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Phosgene manufacturing process |
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-06-25 JP JP63156040A patent/JPH0629129B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 北川外著"活性炭工業"重化学工業通信社昭５０−６−３０．ｐ．５１−５２ |
| 炭素材料科学会編、"活性炭−基礎と応用"株式会社講談社１９７８−９−１ｐ．１０９ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996016898A1 (en) * | 1994-12-01 | 1996-06-06 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Process for producing phosgene |
| WO1997030932A1 (en) * | 1996-02-21 | 1997-08-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Phosgene manufacturing process |
| WO1998028227A1 (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Phosgene manufacturing process |
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