JPH06291364A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH06291364A JPH06291364A JP9665593A JP9665593A JPH06291364A JP H06291364 A JPH06291364 A JP H06291364A JP 9665593 A JP9665593 A JP 9665593A JP 9665593 A JP9665593 A JP 9665593A JP H06291364 A JPH06291364 A JP H06291364A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各発光素子の膜厚を厚くしたままで高密度化
した発光ダイオードアレイとその製造方法を提供する。 【構成】 ｎ型基板１上にｎ型バッファ層２、ｎ型クラ
ッド層３、ｐ型活性層４、ｐ型下部クラッド層５、ｎ型
電流狭窄層６が順次積層されており、このｎ型電流狭窄
層６は、アレイ方向に溝が形成されている。そして、そ
の上にｐ型上部クラッド層７が積層され、ｐ型コンタク
ト層８及び電極９が設けられている。また、各発光素子
は、ｐ型上部クラッド層７に設けられているエッチング
溝でアレイ方向と垂直方向に分割されており、この溝と
ｎ型電流狭窄層６によって、各発光素子が電気的に分離
されている。そして、ｎ型電流狭窄層６の溝の下部のｐ
型活性層４が発光部４ａとなっており、電極９は、この
発光部４ａの上部を避けて設けられているので、発光さ
れる光を遮らず、発光効率が高くなる。
した発光ダイオードアレイとその製造方法を提供する。 【構成】 ｎ型基板１上にｎ型バッファ層２、ｎ型クラ
ッド層３、ｐ型活性層４、ｐ型下部クラッド層５、ｎ型
電流狭窄層６が順次積層されており、このｎ型電流狭窄
層６は、アレイ方向に溝が形成されている。そして、そ
の上にｐ型上部クラッド層７が積層され、ｐ型コンタク
ト層８及び電極９が設けられている。また、各発光素子
は、ｐ型上部クラッド層７に設けられているエッチング
溝でアレイ方向と垂直方向に分割されており、この溝と
ｎ型電流狭窄層６によって、各発光素子が電気的に分離
されている。そして、ｎ型電流狭窄層６の溝の下部のｐ
型活性層４が発光部４ａとなっており、電極９は、この
発光部４ａの上部を避けて設けられているので、発光さ
れる光を遮らず、発光効率が高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面発光型のモノシリッ
ク発光ダイオードアレイなどの半導体発光装置及びその
製造方法に関するものである。
ク発光ダイオードアレイなどの半導体発光装置及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発光ダイオードアレイは、デ
ィスプレイ装置に用いられたり、光源としてＬＥＤプリ
ンタ装置に使用されるなど各種情報装置に使用されてい
る。そして、単結晶基板上にエピタキシャル成長させた
各層からなる化合物半導体の表面に複数の発光部分（発
光素子）を列状に形成したモノリシック発光ダイオード
アレイでは、それぞれの発光素子が、選択拡散法やメサ
型エッチング法などによって各々分離されている。
ィスプレイ装置に用いられたり、光源としてＬＥＤプリ
ンタ装置に使用されるなど各種情報装置に使用されてい
る。そして、単結晶基板上にエピタキシャル成長させた
各層からなる化合物半導体の表面に複数の発光部分（発
光素子）を列状に形成したモノリシック発光ダイオード
アレイでは、それぞれの発光素子が、選択拡散法やメサ
型エッチング法などによって各々分離されている。
【０００３】そして、例えば、ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓＰ層をエピタキシャル成長させた化合物半導体の発光
部分の分離を選択拡散法によって行う場合は、エピタキ
シャル成長されたＧａＡｓＰ層の各発光素子の境界部分
にＺｎ（亜鉛）を拡散するものであり、プレーナ型素子
を製造するのに好適な方法として多く用いられている。
また、高輝度が期待できるＡｌＧａＡｓ二重へテロ接合
を有する発光ダイオードアレイでは、フォトリソ加工に
よるメサエッチングで発光部分の分離を行っていた。
ｓＰ層をエピタキシャル成長させた化合物半導体の発光
部分の分離を選択拡散法によって行う場合は、エピタキ
シャル成長されたＧａＡｓＰ層の各発光素子の境界部分
にＺｎ（亜鉛）を拡散するものであり、プレーナ型素子
を製造するのに好適な方法として多く用いられている。
また、高輝度が期待できるＡｌＧａＡｓ二重へテロ接合
を有する発光ダイオードアレイでは、フォトリソ加工に
よるメサエッチングで発光部分の分離を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、発光ダイオード
アレイの高密度化が要求されており、そのためには、各
発光素子間の距離は２０μｍ以下にする必要がある。し
かしながら、選択拡散法によって、この距離以下で各発
光素子を分離するには、拡散深さを１０μｍ程度以下に
コントロ−ルしなければならないが、選択拡散法はばら
つきが大きいため、再現性良く製造するのは困難であっ
た。
アレイの高密度化が要求されており、そのためには、各
発光素子間の距離は２０μｍ以下にする必要がある。し
かしながら、選択拡散法によって、この距離以下で各発
光素子を分離するには、拡散深さを１０μｍ程度以下に
コントロ−ルしなければならないが、選択拡散法はばら
つきが大きいため、再現性良く製造するのは困難であっ
た。
【０００５】また、二重へテロ構造の発光ダイオードア
レイを製造する場合には、一般的にＡｌＧａＡｓを液相
成長法（ＬＰＥ）によって成長させているが、エッチン
グによって微細加工する場合には、膜厚を数μｍ以下に
する必要があり、液相成長法によって膜厚を薄く制御す
るのは困難であり、再現性が悪かった。そして、ＭＯＣ
ＶＤ法やＭＢＥ法によって積層する場合は、細かな制御
が可能なため、膜厚を薄くして微細加工可能にすること
もできるが、膜厚を薄くすると、各発光素子の発光出力
が低下して高輝度が得られないという課題があった。そ
こで本発明は、各発光素子の膜厚を厚くしたままで高密
度化した発光ダイオードアレイとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
レイを製造する場合には、一般的にＡｌＧａＡｓを液相
成長法（ＬＰＥ）によって成長させているが、エッチン
グによって微細加工する場合には、膜厚を数μｍ以下に
する必要があり、液相成長法によって膜厚を薄く制御す
るのは困難であり、再現性が悪かった。そして、ＭＯＣ
ＶＤ法やＭＢＥ法によって積層する場合は、細かな制御
が可能なため、膜厚を薄くして微細加工可能にすること
もできるが、膜厚を薄くすると、各発光素子の発光出力
が低下して高輝度が得られないという課題があった。そ
こで本発明は、各発光素子の膜厚を厚くしたままで高密
度化した発光ダイオードアレイとその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に
形成された複数の発光素子を有する半導体発光装置にお
いて、前記各発光素子は、前記列状方向と平行方向に設
けられた電流狭窄層と、前記列状方向と垂直方向に前記
電流狭窄層まで設けられたエッチング溝とによって電気
的に分離されていることを特徴とする半導体発光装置、
及び、ｐｎ接合を有する化合物半導体の表面に複数の発
光素子を列状に形成する半導体発光装置の製造方法であ
って、基板上にバッファ層、クラッド層、活性層、下部
クラッド層及び電流狭窄層を順次積層する工程と、この
電流狭窄層に前記列状方向と平行方向な溝を形成する工
程と、この電流狭窄層上に上部クラッド層を積層し、電
極を設ける工程と、前記上部クラッド層を前記電流狭窄
層を利用して、前記列状と垂直方向に選択エッチングし
て前記各発光素子に分離する工程とよりなることを特徴
とする半導体発光装置の製造方法を提供しようとするも
のである。
の手段として、ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に
形成された複数の発光素子を有する半導体発光装置にお
いて、前記各発光素子は、前記列状方向と平行方向に設
けられた電流狭窄層と、前記列状方向と垂直方向に前記
電流狭窄層まで設けられたエッチング溝とによって電気
的に分離されていることを特徴とする半導体発光装置、
及び、ｐｎ接合を有する化合物半導体の表面に複数の発
光素子を列状に形成する半導体発光装置の製造方法であ
って、基板上にバッファ層、クラッド層、活性層、下部
クラッド層及び電流狭窄層を順次積層する工程と、この
電流狭窄層に前記列状方向と平行方向な溝を形成する工
程と、この電流狭窄層上に上部クラッド層を積層し、電
極を設ける工程と、前記上部クラッド層を前記電流狭窄
層を利用して、前記列状と垂直方向に選択エッチングし
て前記各発光素子に分離する工程とよりなることを特徴
とする半導体発光装置の製造方法を提供しようとするも
のである。
【０００７】
【実施例】本発明の半導体発光装置の一実施例である発
光ダイオードアレイの斜視図を図１に示し、以下に説明
する。同図に示す発光ダイオードアレイは、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡ
ｓ）活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６が順次積層されており、このｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６は、アレイ方向に溝が形成され
ている。そして、その上にｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッ
ド層７が積層され、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８及び電
極９は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６の溝の上部を避けて
設けられている。また、各発光素子部分は、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ上部クラッド層７がエッチングされた溝により、
分割されている。
光ダイオードアレイの斜視図を図１に示し、以下に説明
する。同図に示す発光ダイオードアレイは、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡ
ｓ）活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６が順次積層されており、このｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６は、アレイ方向に溝が形成され
ている。そして、その上にｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッ
ド層７が積層され、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８及び電
極９は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６の溝の上部を避けて
設けられている。また、各発光素子部分は、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ上部クラッド層７がエッチングされた溝により、
分割されている。
【０００８】このような構造の発光ダイオードアレイ
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６の溝の下部のｐ型ＧａＡ
ｓ活性層４が発光部４ａとなり、その上部にあるｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ上部クラッド層７の表面から外部に出力され
る。このとき、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７にア
レイ方向と垂直方向に設けられた溝とｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層６によって、各発光素子が電気的に分離されてい
るので、各発光素子を独立して動作させることができ
る。また、電極９は、発光面となるｎ型ＧａＡｓ電流狭
窄層６の溝の上部（発光部４ａの上部）を避けて設けら
れているので、発光される光を遮ることがなく、発光効
率が高くなる。
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６の溝の下部のｐ型ＧａＡ
ｓ活性層４が発光部４ａとなり、その上部にあるｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ上部クラッド層７の表面から外部に出力され
る。このとき、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７にア
レイ方向と垂直方向に設けられた溝とｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層６によって、各発光素子が電気的に分離されてい
るので、各発光素子を独立して動作させることができ
る。また、電極９は、発光面となるｎ型ＧａＡｓ電流狭
窄層６の溝の上部（発光部４ａの上部）を避けて設けら
れているので、発光される光を遮ることがなく、発光効
率が高くなる。
【０００９】次に、この発光ダイオードアレイの製造方
法を図２（Ａ）〜（Ｅ）と共に説明する。同図（Ａ）に
示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡ
ｓ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層６をＭＯＣＶＤ法により、順次積層
する。
法を図２（Ａ）〜（Ｅ）と共に説明する。同図（Ａ）に
示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ｐ型ＧａＡ
ｓ活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層６をＭＯＣＶＤ法により、順次積層
する。
【００１０】そして、同図（Ｂ）に示すように、フォト
リソ工程によりエッチングマスクを設けて、アンモニア
／過酸化水素水系のエッチング液を使用してエッチング
を行い、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６にアレイ方向の溝を
形成する。このとき、このエッチング溶液は、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ下部クラッド層５をほとんどエッチングしない
ので、正確な選択エッチングが可能である。さらに、同
図（Ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ上部クラッド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８を積層する。
リソ工程によりエッチングマスクを設けて、アンモニア
／過酸化水素水系のエッチング液を使用してエッチング
を行い、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層６にアレイ方向の溝を
形成する。このとき、このエッチング溶液は、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ下部クラッド層５をほとんどエッチングしない
ので、正確な選択エッチングが可能である。さらに、同
図（Ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ上部クラッド層７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８を積層する。
【００１１】その後、同図（Ｄ）に示すように、電極９
となる金属を蒸着してフォトリソ工程後にエッチングま
たはリフトオフ法により、各発光素子の発光面となるｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６に設けられている溝の上方部分
を避けた所定位置に電極（及びボンディングパット部）
９を設ける。そして、電極９の下部以外のｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層８をアンモニア／過酸化水素水系のエッチ
ング液を使用して選択エッチング除去する。
となる金属を蒸着してフォトリソ工程後にエッチングま
たはリフトオフ法により、各発光素子の発光面となるｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層６に設けられている溝の上方部分
を避けた所定位置に電極（及びボンディングパット部）
９を設ける。そして、電極９の下部以外のｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層８をアンモニア／過酸化水素水系のエッチ
ング液を使用して選択エッチング除去する。
【００１２】最後に、フォトリソ工程によりエッチング
マスクを設けて、塩酸系のエッチング溶液を用いてｐ型
ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７をアレイ方向と垂直方向
にエッチングして、同図（Ｅ）に示すように各発光素子
に分離する。なお、同図（Ｅ）は、同図（Ｄ）において
Ｘ方向から見た図である。またこのとき、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層６をエッチングストッパー層として利用する
ことにより、精度の良いエッチングを可能としている。
そして、必要に応じて、ＳｉＮ等の表面無反射層を形成
し、ボンディング部に穴開け加工を行うようにしても良
い。
マスクを設けて、塩酸系のエッチング溶液を用いてｐ型
ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７をアレイ方向と垂直方向
にエッチングして、同図（Ｅ）に示すように各発光素子
に分離する。なお、同図（Ｅ）は、同図（Ｄ）において
Ｘ方向から見た図である。またこのとき、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層６をエッチングストッパー層として利用する
ことにより、精度の良いエッチングを可能としている。
そして、必要に応じて、ＳｉＮ等の表面無反射層を形成
し、ボンディング部に穴開け加工を行うようにしても良
い。
【００１３】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置は、列状方向と
平行方向に設けられた電流狭窄層と、列状方向と垂直方
向に電流狭窄層まで設けられたエッチング溝とによって
各発光素子を電気的に分離したので、製造時のエッチン
グ深さの制御が容易にでき、各発光素子を高密度化して
も各発光素子の分離を精度良く行うことができる。
平行方向に設けられた電流狭窄層と、列状方向と垂直方
向に電流狭窄層まで設けられたエッチング溝とによって
各発光素子を電気的に分離したので、製造時のエッチン
グ深さの制御が容易にでき、各発光素子を高密度化して
も各発光素子の分離を精度良く行うことができる。
【００１４】また、本発明の半導体発光装置の製造方法
は、電流狭窄層をエッチングストッパー層として利用し
ているので、上部クラッド層を薄くしなくても精度の良
いエッチング分離ができ、発光効率を高めることができ
る。
は、電流狭窄層をエッチングストッパー層として利用し
ているので、上部クラッド層を薄くしなくても精度の良
いエッチング分離ができ、発光効率を高めることができ
る。
【００１５】さらに、発光面となる電流狭窄層に形成さ
れる溝の上部を避けて電極を形成することにより、発光
される光が電極に遮られることがなく、さらに、発光効
率を高めることができるという効果がある。
れる溝の上部を避けて電極を形成することにより、発光
される光が電極に遮られることがなく、さらに、発光効
率を高めることができるという効果がある。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す構成
図である。
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の半導体発光装置の製
造方法を説明するための工程図である。
造方法を説明するための工程図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ ｐ型ＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓ）活性層 ４ａ 発光部 ５ ｐ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層 ６ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層 ７ ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層 ８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ９ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に形
成された複数の発光素子を有する半導体発光装置におい
て、 前記各発光素子は、前記列状方向と平行方向に設けられ
た電流狭窄層と、前記列状方向と垂直方向に前記電流狭
窄層まで設けられたエッチング溝とによって電気的に分
離されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】ｐｎ接合を有する化合物半導体の表面に複
数の発光素子を列状に形成する半導体発光装置の製造方
法であって、 基板上にバッファ層、クラッド層、活性層、下部クラッ
ド層及び電流狭窄層を順次積層する工程と、 この電流狭窄層に前記列状方向と平行方向な溝を形成す
る工程と、 この電流狭窄層上に上部クラッド層を積層し、電極を設
ける工程と、 前記上部クラッド層を前記電流狭窄層を利用して、前記
列状と垂直方向に選択エッチングして前記各発光素子に
分離する工程とよりなることを特徴とする半導体発光装
置の製造方法。 - 【請求項３】電極は、発光面となる電流狭窄層に形成さ
れる溝の上部を避けて形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665593A JPH06291364A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665593A JPH06291364A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291364A true JPH06291364A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14170853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9665593A Pending JPH06291364A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191438B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-02-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode array |
| US6236065B1 (en) | 1994-08-25 | 2001-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode array and method for fabricating the same |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP9665593A patent/JPH06291364A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236065B1 (en) | 1994-08-25 | 2001-05-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode array and method for fabricating the same |
| US6191438B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-02-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting diode array |
| KR100385108B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2003-08-14 | 샤프 가부시키가이샤 | 발광다이오드어레이 |
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