JPH0629272A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH0629272A JPH0629272A JP18336392A JP18336392A JPH0629272A JP H0629272 A JPH0629272 A JP H0629272A JP 18336392 A JP18336392 A JP 18336392A JP 18336392 A JP18336392 A JP 18336392A JP H0629272 A JPH0629272 A JP H0629272A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の洗浄液中の不純物濃度を低減
し、清浄度の高い半導体基板を得る。 【構成】 薬液注入部７から硫酸と過酸化水素水を石英
バス１に供給した後、薬液注入部７からシリカのコロイ
ド溶液を注入する。この後、フィルター６により硫酸と
過酸化水素からなる洗浄液２をろ過した後に、半導体基
板４を洗浄液２に浸して洗浄する。これにより、洗浄液
中の不純物、特に金属イオンはシリカに吸着されるため
に洗浄液の純度は向上し、清浄度の高い半導体基板表面
を得ることができる。
し、清浄度の高い半導体基板を得る。 【構成】 薬液注入部７から硫酸と過酸化水素水を石英
バス１に供給した後、薬液注入部７からシリカのコロイ
ド溶液を注入する。この後、フィルター６により硫酸と
過酸化水素からなる洗浄液２をろ過した後に、半導体基
板４を洗浄液２に浸して洗浄する。これにより、洗浄液
中の不純物、特に金属イオンはシリカに吸着されるため
に洗浄液の純度は向上し、清浄度の高い半導体基板表面
を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄液中の不純物イオ
ンの濃度を低減し、清浄度の高い半導体基板を製造する
のに好適な洗浄方法に関するものである。
ンの濃度を低減し、清浄度の高い半導体基板を製造する
のに好適な洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の洗浄方法は、硫酸／
過酸化水素水の混合液による方法が最も一般的に用いら
れている。以下に、図２を用いて従来技術について説明
する。図２において、石英バス１は、洗浄液２を貯める
ためのものである。３は石英カセット、４は半導体基板
である。また、この装置において５は薬液供給システム
である。薬液供給システム５は、硫酸と過酸化水素水を
適量混合し供給するためのものである。さらに、６はフ
ィルターである。
過酸化水素水の混合液による方法が最も一般的に用いら
れている。以下に、図２を用いて従来技術について説明
する。図２において、石英バス１は、洗浄液２を貯める
ためのものである。３は石英カセット、４は半導体基板
である。また、この装置において５は薬液供給システム
である。薬液供給システム５は、硫酸と過酸化水素水を
適量混合し供給するためのものである。さらに、６はフ
ィルターである。
【０００３】このような洗浄装置を用いた半導体基板の
洗浄方法としては、まず薬液供給システム５から硫酸と
過酸化水素水を３：１の体積比で石英バス１に供給す
る。その後、フィルター６を用いて、硫酸と過酸化水素
水からなる洗浄液２を循環ろ過しながら、外部ヒーター
で洗浄液２の温度を加熱保持する。その後、半導体基板
４を保持した石英カセット３を洗浄液２に浸漬する。こ
れによって半導体基板表面の付着物、例えば、ドライエ
ッチング時の堆積物やレジスト残り等を除去するもので
ある。
洗浄方法としては、まず薬液供給システム５から硫酸と
過酸化水素水を３：１の体積比で石英バス１に供給す
る。その後、フィルター６を用いて、硫酸と過酸化水素
水からなる洗浄液２を循環ろ過しながら、外部ヒーター
で洗浄液２の温度を加熱保持する。その後、半導体基板
４を保持した石英カセット３を洗浄液２に浸漬する。こ
れによって半導体基板表面の付着物、例えば、ドライエ
ッチング時の堆積物やレジスト残り等を除去するもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体基板の洗浄方法は、薬液の中に含まれる不純物が多い
と洗浄する半導体基板４表面に不純物が付着し、半導体
製造工程中の熱処理によって半導体基板４中に拡散す
る。このため、半導体基板４中に結晶欠陥が発生し、そ
こに形成されたデバイスのデバイス特性を劣化させる。
例えば、半導体基板４中に形成した、ＰＮ接合のリーク
電流を増大させる等の悪影響を及ぼすことになる。
体基板の洗浄方法は、薬液の中に含まれる不純物が多い
と洗浄する半導体基板４表面に不純物が付着し、半導体
製造工程中の熱処理によって半導体基板４中に拡散す
る。このため、半導体基板４中に結晶欠陥が発生し、そ
こに形成されたデバイスのデバイス特性を劣化させる。
例えば、半導体基板４中に形成した、ＰＮ接合のリーク
電流を増大させる等の悪影響を及ぼすことになる。
【０００５】本発明の目的は、洗浄液中の不純物の濃度
を低下させ、半導体基板の不純物による汚染を低減する
ことができる半導体基板の洗浄方法を提供することにあ
る。
を低下させ、半導体基板の不純物による汚染を低減する
ことができる半導体基板の洗浄方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体基板の洗浄方法は、半導体基板の洗
浄液中にシリカのコロイド溶液を添加する工程と、フィ
ルターで前記洗浄液をろ過する工程と、前記半導体基板
を前記洗浄液に浸す工程とを有する。
に、本発明の半導体基板の洗浄方法は、半導体基板の洗
浄液中にシリカのコロイド溶液を添加する工程と、フィ
ルターで前記洗浄液をろ過する工程と、前記半導体基板
を前記洗浄液に浸す工程とを有する。
【０００７】
【作用】本発明は上記した構成により、不純物イオンを
シリカに吸着させ、洗浄液中の不純物イオンの濃度を低
減することができる。したがって、薬液を石英バスに導
入した後に、フィルターでろ過し、薬液の純度を向上さ
せてから半導体基板を洗浄することにより、不純物の半
導体基板への付着を抑制できる。この結果、半導体基板
上に形成されるデバイスの性能を向上させることができ
るほか、薬液純度を向上することができるので、コスト
面でもメリットがある。
シリカに吸着させ、洗浄液中の不純物イオンの濃度を低
減することができる。したがって、薬液を石英バスに導
入した後に、フィルターでろ過し、薬液の純度を向上さ
せてから半導体基板を洗浄することにより、不純物の半
導体基板への付着を抑制できる。この結果、半導体基板
上に形成されるデバイスの性能を向上させることができ
るほか、薬液純度を向上することができるので、コスト
面でもメリットがある。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例を図１を用いて説明す
る。
る。
【０００９】図１において、１は石英バスで、洗浄液２
を貯めるためのものであり、３は石英カセット、４は半
導体基板である。また、この装置において、５は薬液供
給システムであり、硫酸と過酸化水素水を適量混合し、
供給するためのものである。さらに、６はフィルターで
あり、通常０.２μｍ径の穴を有する。
を貯めるためのものであり、３は石英カセット、４は半
導体基板である。また、この装置において、５は薬液供
給システムであり、硫酸と過酸化水素水を適量混合し、
供給するためのものである。さらに、６はフィルターで
あり、通常０.２μｍ径の穴を有する。
【００１０】７はシリカを含む溶液を注入するための薬
液注入部である。このような洗浄装置を用いた半導体基
板の洗浄方法としては、まず薬液供給システム５から８
９％の濃度の硫酸と３１％の濃度の過酸化水素水を３：
１の体積比で石英バス１に供給する。その後、シリカの
コロイド溶液（ＳｉＯ2の濃度＝１０〜３０％）を洗浄
液の体積の約１０％薬液注入部から注入し、フィルター
６を用いて硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液２を循環
ろ過する。また、外部ヒーターで洗浄液２の温度を約７
０℃に加熱保持する。約３０分ろ過した後、半導体基板
４を保持した石英カセット３を洗浄液２に約３０分間浸
漬する。
液注入部である。このような洗浄装置を用いた半導体基
板の洗浄方法としては、まず薬液供給システム５から８
９％の濃度の硫酸と３１％の濃度の過酸化水素水を３：
１の体積比で石英バス１に供給する。その後、シリカの
コロイド溶液（ＳｉＯ2の濃度＝１０〜３０％）を洗浄
液の体積の約１０％薬液注入部から注入し、フィルター
６を用いて硫酸と過酸化水素水からなる洗浄液２を循環
ろ過する。また、外部ヒーターで洗浄液２の温度を約７
０℃に加熱保持する。約３０分ろ過した後、半導体基板
４を保持した石英カセット３を洗浄液２に約３０分間浸
漬する。
【００１１】金属イオンの濃度を分析した結果によれ
ば、３０分のろ過によって、ナトリウム（Ｎａ）イオン
は０.２ｐｐｂから０.１２ｐｐｂに、カルシュウム（Ｃ
ａ）イオンは０.６ｐｐｂから０.２９ｐｐｂと約半減し
た。その他の金属、例えば，ニッケル（Ｎｉ）、クロム
（Ｃｒ）、鉛（Ｐｂ）等でも同様の効果がある。
ば、３０分のろ過によって、ナトリウム（Ｎａ）イオン
は０.２ｐｐｂから０.１２ｐｐｂに、カルシュウム（Ｃ
ａ）イオンは０.６ｐｐｂから０.２９ｐｐｂと約半減し
た。その他の金属、例えば，ニッケル（Ｎｉ）、クロム
（Ｃｒ）、鉛（Ｐｂ）等でも同様の効果がある。
【００１２】従来の方法でも、薬液中のパーティクルに
不純物イオンが吸着されて同様の効果があるが、しかし
このような効果を従来の方法で得ようとすると、５時間
程度の時間がかかるため、実用的・効率的ではない。こ
れによって半導体基板表面の付着物、例えば、ドライエ
ッチング時の堆積物やレジスト残り等を除去でき、さら
に不純物イオンの半導体基板への吸着を抑制できるもの
である。
不純物イオンが吸着されて同様の効果があるが、しかし
このような効果を従来の方法で得ようとすると、５時間
程度の時間がかかるため、実用的・効率的ではない。こ
れによって半導体基板表面の付着物、例えば、ドライエ
ッチング時の堆積物やレジスト残り等を除去でき、さら
に不純物イオンの半導体基板への吸着を抑制できるもの
である。
【００１３】この方法は、硫酸／過酸化水素以外にも例
えば、塩酸／過酸化水素、アンモニア／過酸化水素等の
薬品にも適用できる。
えば、塩酸／過酸化水素、アンモニア／過酸化水素等の
薬品にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明によればより高い不純物除去効果が得られるので、不
純物汚染による結晶欠陥等のデバイス特性の劣化を抑制
できるので製品の歩留まりを向上できる効果がある。
明によればより高い不純物除去効果が得られるので、不
純物汚染による結晶欠陥等のデバイス特性の劣化を抑制
できるので製品の歩留まりを向上できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の半導体基板の洗浄方法を示
す装置構成図
す装置構成図
【図２】従来の一実施例の半導体基板の洗浄方法を示す
装置構成図
装置構成図
１ 石英バス ２ 洗浄液 ３ 石英カセット ４ 半導体基板 ５ 薬液供給システム ６ フィルター ７ 薬液注入部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の洗浄液中にシリカのコロイド
溶液を添加する工程と、フィルターで前記洗浄液をろ過
する工程と、その後、前記半導体基板を前記洗浄液に浸
す工程とを有することを特徴とする半導体基板の洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18336392A JPH0629272A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18336392A JPH0629272A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629272A true JPH0629272A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16134457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18336392A Pending JPH0629272A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629272A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008535276A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体表面から粒子を除去する方法 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18336392A patent/JPH0629272A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008535276A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト | 半導体表面から粒子を除去する方法 |
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