JPH06302016A - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
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- JPH06302016A JPH06302016A JP5093389A JP9338993A JPH06302016A JP H06302016 A JPH06302016 A JP H06302016A JP 5093389 A JP5093389 A JP 5093389A JP 9338993 A JP9338993 A JP 9338993A JP H06302016 A JPH06302016 A JP H06302016A
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- glass substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １枚のマスター基板から同一特性を持つスタ
ンパーを複数枚製造する。 【構成】 予め信号情報をレーザーカッティングにより
記録してなるガラス基板をマスター基板とし、このマス
ター基板から転写により光ディスクスタンパーを製造す
る光ディスク基板の製造方法において、上記マスター基
板を、レーザーカッティング・現像処理後、紫外線照射
及びベーキング処理する。
ンパーを複数枚製造する。 【構成】 予め信号情報をレーザーカッティングにより
記録してなるガラス基板をマスター基板とし、このマス
ター基板から転写により光ディスクスタンパーを製造す
る光ディスク基板の製造方法において、上記マスター基
板を、レーザーカッティング・現像処理後、紫外線照射
及びベーキング処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクスタンパー
を製造する光ディスク基板の製造方法に関する。
を製造する光ディスク基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、光ディスクや光磁気ディスク等
を２Ｐ法によって製造するに際して用いられる光ディス
クスタンパーを製造するには、以下の手順に従って行わ
れる。先ず、図４のフローチャートに示すように、ステ
ップＳＴ１０１で原盤となるガラス基板を精密洗浄す
る。
を２Ｐ法によって製造するに際して用いられる光ディス
クスタンパーを製造するには、以下の手順に従って行わ
れる。先ず、図４のフローチャートに示すように、ステ
ップＳＴ１０１で原盤となるガラス基板を精密洗浄す
る。
【０００３】次に、ステップＳＴ１０２でガラス基板を
ベークする。続いて、ステップＳＴ１０３でガラス基板
の一主面にレジストを塗布する。
ベークする。続いて、ステップＳＴ１０３でガラス基板
の一主面にレジストを塗布する。
【０００４】そして、かかるガラス基板をステップＳＴ
１０４でプリベークした後、ステップＳＴ１０５で信号
情報をレーザーカッティングする。次に、ステップＳＴ
１０６で現像する。この結果、プリフォーマットデータ
パターンに応じた部分のレジストが除去されることにな
る。
１０４でプリベークした後、ステップＳＴ１０５で信号
情報をレーザーカッティングする。次に、ステップＳＴ
１０６で現像する。この結果、プリフォーマットデータ
パターンに応じた部分のレジストが除去されることにな
る。
【０００５】次いで、ステップＳＴ１０７で１００℃，
６０分にてポストベークを行う。しかる後、ステップＳ
Ｔ１０８で無電解メッキを行い、続いてステップＳＴ１
０９で電解メッキを施す。次に、ステップＳＴ１１０で
ガラス基板の裏面を研磨した後、ガラス基板からスタン
パーを剥離する。
６０分にてポストベークを行う。しかる後、ステップＳ
Ｔ１０８で無電解メッキを行い、続いてステップＳＴ１
０９で電解メッキを施す。次に、ステップＳＴ１１０で
ガラス基板の裏面を研磨した後、ガラス基板からスタン
パーを剥離する。
【０００６】次に、ステップＳＴ１１１でスタンパーに
付着したレジストを除去する。この結果、ステップＳＴ
１１２でスタンパーが作製される。
付着したレジストを除去する。この結果、ステップＳＴ
１１２でスタンパーが作製される。
【０００７】なお、ステップＳＴ１１３でガラス基板を
再生するために、ステップＳＴ１１４でＮｉを除去す
る。そして、ステップＳＴ１１５でアルカリ処理した
後、ステップＳＴ１１６でポリッシングしてガラス基板
を再生する。再生したガラス基板は、ステップＳＴ１０
１に戻り、前述の工程を順次繰り返して再度スタンパー
の作製に供される。
再生するために、ステップＳＴ１１４でＮｉを除去す
る。そして、ステップＳＴ１１５でアルカリ処理した
後、ステップＳＴ１１６でポリッシングしてガラス基板
を再生する。再生したガラス基板は、ステップＳＴ１０
１に戻り、前述の工程を順次繰り返して再度スタンパー
の作製に供される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、現状の工程
では、ガラス基板とレジストとの密着力が不足している
ため、カッティング済のガラス基板（レジスト原盤）か
らスタンパーを剥離する際に、レジスト層が破壊され、
スタンパーに付着するという不都合がある。したがっ
て、剥離後にスタンパーに付着したレジストをアセトン
等で溶かす工程が必要となる。
では、ガラス基板とレジストとの密着力が不足している
ため、カッティング済のガラス基板（レジスト原盤）か
らスタンパーを剥離する際に、レジスト層が破壊され、
スタンパーに付着するという不都合がある。したがっ
て、剥離後にスタンパーに付着したレジストをアセトン
等で溶かす工程が必要となる。
【０００９】このように、上述の製造方法では、１枚の
ガラス基板から１枚のスタンパーしか製造することがで
きず、スタンパーを量産する上で極めて不利であり、ま
た精密洗浄から現像までの工程（ステップＳＴ１０１〜
ステップＳＴ１０６までの工程）の工数（３日間程度）
がかかる。
ガラス基板から１枚のスタンパーしか製造することがで
きず、スタンパーを量産する上で極めて不利であり、ま
た精密洗浄から現像までの工程（ステップＳＴ１０１〜
ステップＳＴ１０６までの工程）の工数（３日間程度）
がかかる。
【００１０】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、１枚のマスター基板から同一
特性のスタンパーを複数枚製造可能となす高品質且つ生
産性に優れた光ディスク基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
て提案されたものであり、１枚のマスター基板から同一
特性のスタンパーを複数枚製造可能となす高品質且つ生
産性に優れた光ディスク基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、予め信号情報をレーザーカッティング
により記録してなるガラス基板をマスター基板とし、こ
のマスター基板から転写により光ディスクスタンパーを
製造する光ディスク基板の製造方法において、上記マス
ター基板は、レーザーカッティング・現像処理後、紫外
線照射及びベーキング処理が施されていることを特徴と
するものである。
めに、本発明は、予め信号情報をレーザーカッティング
により記録してなるガラス基板をマスター基板とし、こ
のマスター基板から転写により光ディスクスタンパーを
製造する光ディスク基板の製造方法において、上記マス
ター基板は、レーザーカッティング・現像処理後、紫外
線照射及びベーキング処理が施されていることを特徴と
するものである。
【００１２】
【作用】本発明においては、レーザーカッティング・現
像処理が施されたマスター基板を、紫外線照射するとフ
ォトレジストが重合し、高分子化する。続いて、これを
ベーキング処理すると、ガラスとレジストとの密着力が
高まる。したがって、その後にマスター基板からスタン
パーを剥離しても、スタンパーにレジストが付着するよ
うなことがなく、何度でもマスター基板の再利用が図ら
れる。
像処理が施されたマスター基板を、紫外線照射するとフ
ォトレジストが重合し、高分子化する。続いて、これを
ベーキング処理すると、ガラスとレジストとの密着力が
高まる。したがって、その後にマスター基板からスタン
パーを剥離しても、スタンパーにレジストが付着するよ
うなことがなく、何度でもマスター基板の再利用が図ら
れる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例で
は、光ディスク基板の製造工程を図１に示すフローチャ
ートに沿って説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例で
は、光ディスク基板の製造工程を図１に示すフローチャ
ートに沿って説明する。
【００１４】光ディスクスタンパーとなる光ディスク基
板を製造するには、先ず、ステップＳＴ１で円盤状をな
すガラス基板（直径２２０ｍｍ）を精密洗浄する。具体
的には、シラン処理をした後に、ＩＰＡ乾燥を行う。次
に、ステップＳＴ２で１２０℃，１２０分の条件の下に
ガラスベークをする。
板を製造するには、先ず、ステップＳＴ１で円盤状をな
すガラス基板（直径２２０ｍｍ）を精密洗浄する。具体
的には、シラン処理をした後に、ＩＰＡ乾燥を行う。次
に、ステップＳＴ２で１２０℃，１２０分の条件の下に
ガラスベークをする。
【００１５】次いで、ステップＳＴ３でガラス基板の一
主面にレジストを塗布する。レジストを塗布するに際し
ては、後述の工程で行う紫外線照射後のベーキングが２
００℃とかなりハードなために、フォトレジストの膜べ
り量を計算に入れ、レジストは少し厚めに塗布する。こ
れまでの手法では、１０３±１ｎｍであるが、本実施例
では１０８±１ｎｍ程度にする。
主面にレジストを塗布する。レジストを塗布するに際し
ては、後述の工程で行う紫外線照射後のベーキングが２
００℃とかなりハードなために、フォトレジストの膜べ
り量を計算に入れ、レジストは少し厚めに塗布する。こ
れまでの手法では、１０３±１ｎｍであるが、本実施例
では１０８±１ｎｍ程度にする。
【００１６】次に、ステップＳＴ４でレジストが形成さ
れたガラス基板に対して６０℃，６０分の条件の下にプ
リベークを行う。しかる後、ステップＳＴ５で信号情報
をレーザーカッティングする。次に、ステップＳＴ６で
現像する。すると、プリフォーマットデータパターンに
応じた部分のレジストが除去されることになる。
れたガラス基板に対して６０℃，６０分の条件の下にプ
リベークを行う。しかる後、ステップＳＴ５で信号情報
をレーザーカッティングする。次に、ステップＳＴ６で
現像する。すると、プリフォーマットデータパターンに
応じた部分のレジストが除去されることになる。
【００１７】かかる現像が終了した後、ステップＳＴ７
で残存したレジストに対して紫外線（ＵＶ）をＮ2 中で
約３０秒間照射する。紫外線を照射するに際しては、図
２に示すように、矢印Ｘで示す左右方向に±２５ｍｍ移
動可能となされたステージ１（４００×４００ｍｍ）上
に、現像後のガラス基板２を載置し、このガラス基板２
と相対向して所定距離隔てて設けられる光源３から、紫
外線を当該ガラス基板２上のレジストに対して照射す
る。
で残存したレジストに対して紫外線（ＵＶ）をＮ2 中で
約３０秒間照射する。紫外線を照射するに際しては、図
２に示すように、矢印Ｘで示す左右方向に±２５ｍｍ移
動可能となされたステージ１（４００×４００ｍｍ）上
に、現像後のガラス基板２を載置し、このガラス基板２
と相対向して所定距離隔てて設けられる光源３から、紫
外線を当該ガラス基板２上のレジストに対して照射す
る。
【００１８】光源３には、１８５，２５４ｎｍの短波長
の１００Ｗの低圧直管型水銀灯が７つ用いられる。例え
ば、この装置において、ガラス基板２の厚みを１０ｍｍ
とし、そのガラス基板２のレジストが形成される上面と
光源３との対向距離を１５ｍｍとしたときの光強度は、
７〜８ｍＷ／ｃｍ2 となる。このときの紫外線の照射量
は、約３０秒の照射で２１０〜２４０ｍＪ／ｃｍ2 とな
る。
の１００Ｗの低圧直管型水銀灯が７つ用いられる。例え
ば、この装置において、ガラス基板２の厚みを１０ｍｍ
とし、そのガラス基板２のレジストが形成される上面と
光源３との対向距離を１５ｍｍとしたときの光強度は、
７〜８ｍＷ／ｃｍ2 となる。このときの紫外線の照射量
は、約３０秒の照射で２１０〜２４０ｍＪ／ｃｍ2 とな
る。
【００１９】Ｎ2 量は、例えば２０〜５０リットル／分
程度とされ、導入圧は約３ｋｇ／ｃｍ2 程度とされる。
なお、ステージ１には、温度上昇防止のため冷却水（５
リットル／分）が流される。
程度とされ、導入圧は約３ｋｇ／ｃｍ2 程度とされる。
なお、ステージ１には、温度上昇防止のため冷却水（５
リットル／分）が流される。
【００２０】レジストに紫外線が照射されると、フォト
レジストが重合し、高分子化する。この結果、次工程の
ポストベーク１でよりハードなベーキング条件が可能と
なる。
レジストが重合し、高分子化する。この結果、次工程の
ポストベーク１でよりハードなベーキング条件が可能と
なる。
【００２１】続いて、ガラスとレジストとの密着力を高
めるために、ステップＳＴ８で従来手法での温度（１０
０℃）の倍、つまり２００℃，３時間の条件の下にベー
キングを行う。ベーキングは、Ｎ2 流量２０リットル／
分，導入圧３〜５ｋｇ／ｃｍ2 の下に、紫外線照射した
ガラス基板２をガラスケースに入れ、フタをしたままベ
ーキングする。温度は、図３に示すように、約１時間か
けて２００℃まで上昇させ、そのまま３時間その温度に
保ち、その後は５〜６時間かけて常温まで窒素冷却し、
そのまま保存する。なお、図３中、Ａで示す破線は実際
の温度状態を示す。
めるために、ステップＳＴ８で従来手法での温度（１０
０℃）の倍、つまり２００℃，３時間の条件の下にベー
キングを行う。ベーキングは、Ｎ2 流量２０リットル／
分，導入圧３〜５ｋｇ／ｃｍ2 の下に、紫外線照射した
ガラス基板２をガラスケースに入れ、フタをしたままベ
ーキングする。温度は、図３に示すように、約１時間か
けて２００℃まで上昇させ、そのまま３時間その温度に
保ち、その後は５〜６時間かけて常温まで窒素冷却し、
そのまま保存する。なお、図３中、Ａで示す破線は実際
の温度状態を示す。
【００２２】かかる紫外線照射とベーキング処理を施す
ことにより、ガラスとレジストとの密着力が高まる。
ことにより、ガラスとレジストとの密着力が高まる。
【００２３】次に、化学メッキを行うわけであるが、ポ
ストベークを強化しているために、レジスト表面が疎水
性になっているので、ステップＳＴ９で化学メッキ前処
理として、約１Ｎ−ＨＣｌでレジスト面を親水性にす
る。続いて、親水性の触媒（キャタリスト９Ｆ）を付与
し、アクセレレーターで活性化する。
ストベークを強化しているために、レジスト表面が疎水
性になっているので、ステップＳＴ９で化学メッキ前処
理として、約１Ｎ−ＨＣｌでレジスト面を親水性にす
る。続いて、親水性の触媒（キャタリスト９Ｆ）を付与
し、アクセレレーターで活性化する。
【００２４】そして、ステップＳＴ１０で化学メッキを
行う。化学メッキは、次工程で電解メッキをする際に、
電極との通電を図るために行うものである。かかる無電
解メッキは、ガラス基板２の側面から裏面の一部に亘っ
て行うと共に、レジスト表面に１０００Åメッキする。
行う。化学メッキは、次工程で電解メッキをする際に、
電極との通電を図るために行うものである。かかる無電
解メッキは、ガラス基板２の側面から裏面の一部に亘っ
て行うと共に、レジスト表面に１０００Åメッキする。
【００２５】次に、ステップＳＴ１１でスタンパーを形
成するための無電解メッキを行う。本実施例では、無電
解メッキを３００ｍｍ厚となるようにした。
成するための無電解メッキを行う。本実施例では、無電
解メッキを３００ｍｍ厚となるようにした。
【００２６】次いで、ステップＳＴ１２でガラス基板２
の裏面を研磨（ラッピング）し、電極との通電のための
メッキを取り除く。そして、ステップＳＴ１３でガラス
基板２からスタンパーを剥離する。このとき、レジスト
はガラス基板２に対して強固に固定されているので、ス
タンパーをガラス基板２から剥離してもスタンパーにレ
ジストが残存しない。つまり、レジストはそのままガラ
ス基板２に設けられたままとなる。
の裏面を研磨（ラッピング）し、電極との通電のための
メッキを取り除く。そして、ステップＳＴ１３でガラス
基板２からスタンパーを剥離する。このとき、レジスト
はガラス基板２に対して強固に固定されているので、ス
タンパーをガラス基板２から剥離してもスタンパーにレ
ジストが残存しない。つまり、レジストはそのままガラ
ス基板２に設けられたままとなる。
【００２７】次に、作製されたスタンパーをステップＳ
Ｔ１４でレジスト洗浄する。レジスト洗浄は、アセトン
で行う。これで１枚目のスタンパーが完成する。なお、
スタンパーの乾燥方法については、アセトンからＩＰＡ
に置換し、高速（５００ｒｐｍ）で振り切り乾燥させ
る。
Ｔ１４でレジスト洗浄する。レジスト洗浄は、アセトン
で行う。これで１枚目のスタンパーが完成する。なお、
スタンパーの乾燥方法については、アセトンからＩＰＡ
に置換し、高速（５００ｒｐｍ）で振り切り乾燥させ
る。
【００２８】そして、ステップＳＴ１５で作製されたス
タンパーの厚みをチェックした後、ステップＳＴ１６で
スタンパー表面の凹凸をチェックするディフェクトチェ
ックを行う。次に、ステップＳＴ１７で２Ｐディスクと
し、その後ステップＳＴ１８で実際にドライブにかけて
信号をチェックするシグナルチェックを行う。
タンパーの厚みをチェックした後、ステップＳＴ１６で
スタンパー表面の凹凸をチェックするディフェクトチェ
ックを行う。次に、ステップＳＴ１７で２Ｐディスクと
し、その後ステップＳＴ１８で実際にドライブにかけて
信号をチェックするシグナルチェックを行う。
【００２９】次いで、ステップＳＴ１９でトリミングす
ることによりスタンパーが完成する。
ることによりスタンパーが完成する。
【００３０】一方、スタンパーを剥離したガラス基板２
を以下の手順に従って再生する。なお、本実施例では、
レーザーカッティング・現像後のガラス基板２を、ステ
ップＳＴ２０以降ガラスマスターと称する。ガラスマス
ターは、溶剤には不溶となっているので、ステップＳＴ
２１でアセトン洗浄を行い、ＩＰＡスピン乾燥させる。
を以下の手順に従って再生する。なお、本実施例では、
レーザーカッティング・現像後のガラス基板２を、ステ
ップＳＴ２０以降ガラスマスターと称する。ガラスマス
ターは、溶剤には不溶となっているので、ステップＳＴ
２１でアセトン洗浄を行い、ＩＰＡスピン乾燥させる。
【００３１】次に、ステップＳＴ２２で保護膜（クリー
ンコートＳ）をレジスト面に塗布する。これは、塩鉄に
よる影響（しみ等）を無くすためである。次に、ステッ
プＳＴ２３でＮｉを除去する。これは、ガラスマスター
の端，裏面のＮｉを除去するために塩化第二鉄溶液中に
約１〜２時間浸す。そして、ステップＳＴ２４で保護膜
を剥がし、かかる保護膜の残り等を洗浄するために、も
う一度ステップＳＴ２５でＩＰＡスピン乾燥を行う。
ンコートＳ）をレジスト面に塗布する。これは、塩鉄に
よる影響（しみ等）を無くすためである。次に、ステッ
プＳＴ２３でＮｉを除去する。これは、ガラスマスター
の端，裏面のＮｉを除去するために塩化第二鉄溶液中に
約１〜２時間浸す。そして、ステップＳＴ２４で保護膜
を剥がし、かかる保護膜の残り等を洗浄するために、も
う一度ステップＳＴ２５でＩＰＡスピン乾燥を行う。
【００３２】次に、ステップＳＴ２６でポストベーク２
を行う。ここでは、２００℃，３時間の条件の下にガラ
スマスターの再ベーキングを行う。そして最後に、ステ
ップＳＴ２７で化学メッキ前処理に入るが、ガラスマス
ターは端面を一度削ってあるので、シラン（０．１％程
度）をベンコットでしみこませ、手で端面，裏面を擦
る。
を行う。ここでは、２００℃，３時間の条件の下にガラ
スマスターの再ベーキングを行う。そして最後に、ステ
ップＳＴ２７で化学メッキ前処理に入るが、ガラスマス
ターは端面を一度削ってあるので、シラン（０．１％程
度）をベンコットでしみこませ、手で端面，裏面を擦
る。
【００３３】以後、塩酸をプラスした先のステップＳＴ
９の処理を行い、化学メッキに入る。さらに、ステップ
ＳＴ１１の電解メッキからステップＳＴ１３のスタンパ
ーの剥離までの工程を繰り返し、２枚目のスタンパーを
作製する。作製された２枚目のスタンパーは、１枚目の
スタンパーを製造した同一のガラスマスターから転写さ
れて得られるので、同じ特性を有するという利点があ
る。
９の処理を行い、化学メッキに入る。さらに、ステップ
ＳＴ１１の電解メッキからステップＳＴ１３のスタンパ
ーの剥離までの工程を繰り返し、２枚目のスタンパーを
作製する。作製された２枚目のスタンパーは、１枚目の
スタンパーを製造した同一のガラスマスターから転写さ
れて得られるので、同じ特性を有するという利点があ
る。
【００３４】以上のフローを繰り返すことにより、同一
特性を有した複数枚のスタンパーを効率良く製造するこ
とができる。つまり、ステップＳＴ１の精密洗浄からス
テップＳＴ６の現像までの工程のコスト、時間（３日間
程度かかる）等を減少させることができ、その結果スタ
ンパーのコストダウンが図れる。
特性を有した複数枚のスタンパーを効率良く製造するこ
とができる。つまり、ステップＳＴ１の精密洗浄からス
テップＳＴ６の現像までの工程のコスト、時間（３日間
程度かかる）等を減少させることができ、その結果スタ
ンパーのコストダウンが図れる。
【００３５】ここで実際に、直径を略６４ｍｍとなし、
楽音信号で略７４分の記録を可能となす光ディスク又は
光磁気ディスクを製造するに際して用いられるスタンパ
ーを、前述のフローに従って作製した。なお、比較例と
して従来の手法によって同様のスタンパーを作製し、こ
れらスタンパーの２Ｐ評価での信号特性を調べてみた。
その結果を表１に示す。なお、表１中、Ｐ−Ｐはグルー
ブ又はピットの幅、ＲＣはグルーブ又はピットの高さを
示す。
楽音信号で略７４分の記録を可能となす光ディスク又は
光磁気ディスクを製造するに際して用いられるスタンパ
ーを、前述のフローに従って作製した。なお、比較例と
して従来の手法によって同様のスタンパーを作製し、こ
れらスタンパーの２Ｐ評価での信号特性を調べてみた。
その結果を表１に示す。なお、表１中、Ｐ−Ｐはグルー
ブ又はピットの幅、ＲＣはグルーブ又はピットの高さを
示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】この結果からわかるように、レジストの厚
さとレーザーカッティングの条件を管理することによ
り、従来品のスタンパーと同等の信号特性が得られた。
また、本発明に係るガラスマスターにより作製されたス
タンパーの１枚目と２枚目の信号特性は、いずれも略同
じ結果であり、非常に再現性が良いことが判る。また、
グルーブ形状については、ＳＥＭ観察において、従来品
のものと比較しても数段に滑らかになっている。これ
は、ハードなベーキングの差と考えられる。
さとレーザーカッティングの条件を管理することによ
り、従来品のスタンパーと同等の信号特性が得られた。
また、本発明に係るガラスマスターにより作製されたス
タンパーの１枚目と２枚目の信号特性は、いずれも略同
じ結果であり、非常に再現性が良いことが判る。また、
グルーブ形状については、ＳＥＭ観察において、従来品
のものと比較しても数段に滑らかになっている。これ
は、ハードなベーキングの差と考えられる。
【００３８】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、本発明の方
法は、５．２５インチの光磁気ディスク、３．５インチ
の光磁気ディスク、追記型光ディスク等のあらゆる光デ
ィスクを製造するに際して用いられるスタンパーの製造
に適用することができる。
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、本発明の方
法は、５．２５インチの光磁気ディスク、３．５インチ
の光磁気ディスク、追記型光ディスク等のあらゆる光デ
ィスクを製造するに際して用いられるスタンパーの製造
に適用することができる。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の方法によれば、レーザーカッティング・現像処理が
施されたマスター基板を紫外線照射した後、ベーキング
処理しているので、ガラスとレジストとの密着力が高ま
り、その後の工程でマスター基板からスタンパーを剥離
した際にスタンパーにレジストが付着するのが回避さ
れ、何度でもマスター基板を再利用することができる。
したがって、１枚のマスター基板から複数枚の同じ特性
を持つスタンパーを製造することができ、工程の品質保
証上もスムーズに管理することができる。
明の方法によれば、レーザーカッティング・現像処理が
施されたマスター基板を紫外線照射した後、ベーキング
処理しているので、ガラスとレジストとの密着力が高ま
り、その後の工程でマスター基板からスタンパーを剥離
した際にスタンパーにレジストが付着するのが回避さ
れ、何度でもマスター基板を再利用することができる。
したがって、１枚のマスター基板から複数枚の同じ特性
を持つスタンパーを製造することができ、工程の品質保
証上もスムーズに管理することができる。
【００４０】また、本発明の方法によれば、スタンパー
製造工程においての精密洗浄から現像までの工程が省略
でき、生産性の大幅な向上を図ることもできる。さら
に、今まで高価であったスタンパーの価格も、本発明を
利用することにより、大幅にコストダウンを図ることが
できる。
製造工程においての精密洗浄から現像までの工程が省略
でき、生産性の大幅な向上を図ることもできる。さら
に、今まで高価であったスタンパーの価格も、本発明を
利用することにより、大幅にコストダウンを図ることが
できる。
【図１】スタンパーを製造する工程を順次示すフローチ
ャート図である。
ャート図である。
【図２】スタンパーを製造する工程のうちレジストに紫
外線を照射する工程を示す図である。
外線を照射する工程を示す図である。
【図３】スタンパーを製造する工程のうちレーザーカッ
ティング後のベーキング処理工程における処理温度と時
間を示す図である。
ティング後のベーキング処理工程における処理温度と時
間を示す図である。
【図４】従来の方法によりスタンパーを製造する工程を
順次示すフローチャート図である。
順次示すフローチャート図である。
１・・・ステージ ２・・・ガラス基板 ３・・・光源
Claims (1)
- 【請求項１】 予め信号情報をレーザーカッティングに
より記録してなるガラス基板をマスター基板とし、この
マスター基板から転写により光ディスクスタンパーを製
造する光ディスク基板の製造方法において、 上記マスター基板は、レーザーカッティング・現像処理
後、紫外線照射及びベーキング処理が施されていること
を特徴とする光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09338993A JP3428064B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP09338993A JP3428064B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302016A true JPH06302016A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3428064B2 JP3428064B2 (ja) | 2003-07-22 |
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ID=14080962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09338993A Expired - Fee Related JP3428064B2 (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3428064B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423477B1 (en) * | 1997-10-07 | 2002-07-23 | Odme International B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP09338993A patent/JP3428064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423477B1 (en) * | 1997-10-07 | 2002-07-23 | Odme International B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
| USRE39434E1 (en) * | 1997-10-07 | 2006-12-19 | Otb Group B.V. | Method of manufacturing a stamper for producing optical discs, a stamper thus obtained and an optical disc obtained by using such a stamper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3428064B2 (ja) | 2003-07-22 |
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