JPS63274792A - 光ディスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの製造方法Info
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- JPS63274792A JPS63274792A JP11010287A JP11010287A JPS63274792A JP S63274792 A JPS63274792 A JP S63274792A JP 11010287 A JP11010287 A JP 11010287A JP 11010287 A JP11010287 A JP 11010287A JP S63274792 A JPS63274792 A JP S63274792A
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- conductive film
- stamper
- glass substrate
- optical disk
- nickel plating
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- Pending
Links
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク用スタンバの製造方法に関する。
本発明は、光ディスク用スタンパの製造方法に勿いて、
導体化膜を形成したプリグループパターンつきガラス基
板をＤＥＥＰ−ＵＶｉ置にてＵＶ照射を行ない導体化膜
の汚れ、および酸化膜を取り去り表面改質を行ない、ニ
ッケルめっきを施こすに当たり、導体化膜の漏れ性を向
上させる前処理を行なった後、ニッケルめっきを行なう
ことにより導体化膜とニッケルめっきとのｍｓ性を向上
しかつ転写精度の向上をはかったものである。
導体化膜を形成したプリグループパターンつきガラス基
板をＤＥＥＰ−ＵＶｉ置にてＵＶ照射を行ない導体化膜
の汚れ、および酸化膜を取り去り表面改質を行ない、ニ
ッケルめっきを施こすに当たり、導体化膜の漏れ性を向
上させる前処理を行なった後、ニッケルめっきを行なう
ことにより導体化膜とニッケルめっきとのｍｓ性を向上
しかつ転写精度の向上をはかったものである。
従来のスタンパの製造方法は公知のごとく種々の方法が
知られている。その代表的な方法は、平滑なガラス基板
に７オトレジスト（例えばＡＺ−１３５０）ｆｉを塗布
形成し、カッティングマシンを使用しレーザー光により
情報記録を行ない、現像の後かかるレジスト塗布ガラス
基板に、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により導
体化膜を形成し、この導体化膜を陰極としてニッケルめ
っきを行ないニッケルめっき層を得るものである。
知られている。その代表的な方法は、平滑なガラス基板
に７オトレジスト（例えばＡＺ−１３５０）ｆｉを塗布
形成し、カッティングマシンを使用しレーザー光により
情報記録を行ない、現像の後かかるレジスト塗布ガラス
基板に、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により導
体化膜を形成し、この導体化膜を陰極としてニッケルめ
っきを行ないニッケルめっき層を得るものである。
かかるニッケルめっき層をスタンパとして供するもので
ある。
ある。
第２図〜第５図は、従来技術の工程を示すもので詳細に
は次のようになる。
は次のようになる。
表面を研磨して平坦とした厚さ約８ｍｍのガラス基板１
の上に、スピンコード法により厚さ約１０００人のレジ
スト膜２を形成する（ｖ５２図）次にかかるレジスト膜
２に、レーザーカッティングマシンを用いて情報！２録
を行ないさらに、現像を行なってプリグループパターン
３を形成する（第３図）次にかかる基板にニッケルを約
７００人の厚さにスパッタして導体化膜４を形成する（
第４図）次に導体化膜４を陰極としてニッケルめっき液
に浸漬し電解を行なって、厚さ約３００μｍのめっき！
５を形成する（第５図）さらにめっき表面研磨を行ない
均一な厚さとした０次にガラス基板１から♀り離して洗
浄を行ないレジスト膜２を除去してスタンバ６が作られ
る。このようにして作られたスタンバ６は鋳型として使
われ、多数の光ディスク基板がつくられるが、スタンバ
には、■長寿命であること。０ｍ型性が良いこと。■転
写精度が高いこと。等の要求がされるものである。
の上に、スピンコード法により厚さ約１０００人のレジ
スト膜２を形成する（ｖ５２図）次にかかるレジスト膜
２に、レーザーカッティングマシンを用いて情報！２録
を行ないさらに、現像を行なってプリグループパターン
３を形成する（第３図）次にかかる基板にニッケルを約
７００人の厚さにスパッタして導体化膜４を形成する（
第４図）次に導体化膜４を陰極としてニッケルめっき液
に浸漬し電解を行なって、厚さ約３００μｍのめっき！
５を形成する（第５図）さらにめっき表面研磨を行ない
均一な厚さとした０次にガラス基板１から♀り離して洗
浄を行ないレジスト膜２を除去してスタンバ６が作られ
る。このようにして作られたスタンバ６は鋳型として使
われ、多数の光ディスク基板がつくられるが、スタンバ
には、■長寿命であること。０ｍ型性が良いこと。■転
写精度が高いこと。等の要求がされるものである。
しかし前述の従来技術では、導体化膜４にニッケルめっ
きを行ない、めっき膜を作り、次にこれを！１１離して
スタンバ６を作る段階で欠陥密度が増加する事実があり
、これは導体化膜４をスパッタしこの導体化膜４を陰極
としてめっきする際の密着性が悪いことが原因であり、
スタンバの品質を低下させているという問題点ををする
。
きを行ない、めっき膜を作り、次にこれを！１１離して
スタンバ６を作る段階で欠陥密度が増加する事実があり
、これは導体化膜４をスパッタしこの導体化膜４を陰極
としてめっきする際の密着性が悪いことが原因であり、
スタンバの品質を低下させているという問題点ををする
。
そこで本発明は、このような問題点を解決するものでそ
の目的とするところは、導体化膜とニッケルめっき層と
の密着力を向上させることにより転写精度の高い、かつ
欠陥密度の少ないスタンバを提供するところにある。
の目的とするところは、導体化膜とニッケルめっき層と
の密着力を向上させることにより転写精度の高い、かつ
欠陥密度の少ないスタンバを提供するところにある。
本発明の光ディスク用スタンバの製造方法は、ガラス基
板に形成したるプリグループパターン上に導体化膜を形
成した後、該導体化膜を陰極としてニッケルめっきを行
ないスタンバを形成する工程において、めっき処理前に
ＤＥＥＰ−ＵＶ処理装置に装着し、紫外線照射を行ない
導体化膜のクリーニング処理を行なうことを特徴とする
。
板に形成したるプリグループパターン上に導体化膜を形
成した後、該導体化膜を陰極としてニッケルめっきを行
ないスタンバを形成する工程において、めっき処理前に
ＤＥＥＰ−ＵＶ処理装置に装着し、紫外線照射を行ない
導体化膜のクリーニング処理を行なうことを特徴とする
。
本発明の上記構成によれば、スタンバ６の形成段階で欠
陥密度が増大していることは、めっき層５をガラス基板
１から剥離する際に導体化膜の一部が、ガラス基板１も
しくはレジストｌ！！２に付着していることでありこの
ことは導体化膜４とめっき層５との密着性が不充分なこ
とを示している。
陥密度が増大していることは、めっき層５をガラス基板
１から剥離する際に導体化膜の一部が、ガラス基板１も
しくはレジストｌ！！２に付着していることでありこの
ことは導体化膜４とめっき層５との密着性が不充分なこ
とを示している。
この原因は、スパッタ過程での導体化膜の油汚れまたは
、スパッタ後の取扱いによる酸化膜の形成及び汚れが原
因と推定できる。そこでニッケルめっきに際して、めっ
き前に、ガラス基板にＤＥＥＰ−ＵＶを照射し、導体化
膜の表面に形成されている数人〜数十人の酸化膜および
汚れを取り去るものである。このことにより導体化膜は
活性化されかつ、表面に耐着している汚れも、除去出来
、しかも漏れ性が向上し、密着力の高いスタンバを得る
ことが出来るものである。
、スパッタ後の取扱いによる酸化膜の形成及び汚れが原
因と推定できる。そこでニッケルめっきに際して、めっ
き前に、ガラス基板にＤＥＥＰ−ＵＶを照射し、導体化
膜の表面に形成されている数人〜数十人の酸化膜および
汚れを取り去るものである。このことにより導体化膜は
活性化されかつ、表面に耐着している汚れも、除去出来
、しかも漏れ性が向上し、密着力の高いスタンバを得る
ことが出来るものである。
第１図は本発明の実施例におけるスタンバの断面図であ
って、第２図〜第５図に示すように、表面を研磨して平
坦とし、さらに清浄に保たれた厚さ６ｍｍのガラス基板
１にフォトレジストＡＺＩ３５０を用いてスピンコード
法によりｌ１００Ａのレジスト膜２を形成した。さらに
乾燥炉を用いてソフトベークを８０′″Ｃで１５分間行
なった。
って、第２図〜第５図に示すように、表面を研磨して平
坦とし、さらに清浄に保たれた厚さ６ｍｍのガラス基板
１にフォトレジストＡＺＩ３５０を用いてスピンコード
法によりｌ１００Ａのレジスト膜２を形成した。さらに
乾燥炉を用いてソフトベークを８０′″Ｃで１５分間行
なった。
次に、レーザーカッティングマシンにかけて情報記録を
行ない、ＡＺデベロッパーにて現像を行なった。現像条
件は２０°Ｃにおいて６０秒間行ない、充分水洗した後
、スピンドライを行なった。
行ない、ＡＺデベロッパーにて現像を行なった。現像条
件は２０°Ｃにおいて６０秒間行ない、充分水洗した後
、スピンドライを行なった。
次に乾燥炉を用いて９０＠Ｃで３０分間、ポストベーキ
ングを行なった。さらにスパッタ装置に装着した基板面
にニッケルを７００人の厚さにスパッタし導体化膜４と
した。次に、かかる導体化膜つきのガラス基板を、ＤＥ
ＥＰ−ＵＶ装置、（商品８二ケミトロン）に装着し、紫
外線照射を３分間行なった。さらに発生するオゾン除去
を２分間かけて行なった後にケミトロンから取り出した
。
ングを行なった。さらにスパッタ装置に装着した基板面
にニッケルを７００人の厚さにスパッタし導体化膜４と
した。次に、かかる導体化膜つきのガラス基板を、ＤＥ
ＥＰ−ＵＶ装置、（商品８二ケミトロン）に装着し、紫
外線照射を３分間行なった。さらに発生するオゾン除去
を２分間かけて行なった後にケミトロンから取り出した
。
ＤＥＥＰ−ＵＶ照射に際しては、ニッケル導体化膜面を
、装置のランプ側とし、左右に振動させながら照射を行
なった。ＤＥＥＰ−ＵＶ処理の終ったガラス基板を、水
洗した後電鋳装置に装置し、漏れ性を確認し、めっき液
に投入直後に電解を開始した。所定の厚さとなったとこ
ろで、電鋳装置から取り出し水洗、乾燥の後、めっき面
研磨を行ない２９０μｍのスタンバ６を得た。さらに該
スタンバにて射出成型を行ない、多数枚の光ディスクメ
ディアを得た。
、装置のランプ側とし、左右に振動させながら照射を行
なった。ＤＥＥＰ−ＵＶ処理の終ったガラス基板を、水
洗した後電鋳装置に装置し、漏れ性を確認し、めっき液
に投入直後に電解を開始した。所定の厚さとなったとこ
ろで、電鋳装置から取り出し水洗、乾燥の後、めっき面
研磨を行ない２９０μｍのスタンバ６を得た。さらに該
スタンバにて射出成型を行ない、多数枚の光ディスクメ
ディアを得た。
以上述べたように発明によれば導体化膜を形成したガラ
ス基板をＤＥＥＰ−ＵＶ装看に装置し紫外線照射を行な
い、導体化膜のクリーニングを行なった後に導体化膜を
陰極として電解しニッケルめっき層を形成することによ
り、導体化膜とニッケルめっき層との密着力を向上せし
め、欠陥密度の少ない、かつ転写精度の高いスタンバを
得ることができるという効果を有する。
ス基板をＤＥＥＰ−ＵＶ装看に装置し紫外線照射を行な
い、導体化膜のクリーニングを行なった後に導体化膜を
陰極として電解しニッケルめっき層を形成することによ
り、導体化膜とニッケルめっき層との密着力を向上せし
め、欠陥密度の少ない、かつ転写精度の高いスタンバを
得ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の光ディスク用スタンバの実施例を示す
主要断面図。 第２図は乃至第５図は従来の光ディスク用スタ／パの製
造工程を示す断面図。 １・・・ガラス基板 ２・・・レジスト膜３・・・プリ
グループ ４・・・導体化膜５・・・めっ！Ａ！ｉ
６・・・スタンバ第６図は従粟のスタンバを示す断面図
。 以 上 １［人 セイコーエプソン株式会社 第１０ 箋２ ＋１ 専３＋％ 名４鴎 埠６１刀
主要断面図。 第２図は乃至第５図は従来の光ディスク用スタ／パの製
造工程を示す断面図。 １・・・ガラス基板 ２・・・レジスト膜３・・・プリ
グループ ４・・・導体化膜５・・・めっ！Ａ！ｉ
６・・・スタンバ第６図は従粟のスタンバを示す断面図
。 以 上 １［人 セイコーエプソン株式会社 第１０ 箋２ ＋１ 専３＋％ 名４鴎 埠６１刀
Claims (1)
- ガラス基板に形成したるプリグループパターン上に導体
化膜を形成した後、該導体化膜を陰極としてニッケルめ
っきを行ないスタンパを形成する工程において、めっき
処理前に、ＤＥＥＰ−ＵＶ処理装置に装着し、紫外線照
射を行ない、導体化膜のクリーニング処理を行なうこと
を特徴とする光ディスク用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010287A JPS63274792A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11010287A JPS63274792A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274792A true JPS63274792A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14527087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11010287A Pending JPS63274792A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274792A (ja) |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11010287A patent/JPS63274792A/ja active Pending
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