JPH08255383A - 光デイスク用直接記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】短時間でかつ簡易に製造し得る、光デイスク成
形用の金型としての光デイスク用直接記録媒体及びその
製造方法の実現を目的とする。 【構成】鏡面基板の鏡面上に形成されたネガレジスト層
に所望の光デイスク信号を露光記録した後、ネガレジス
ト層を現像し、硬化させるようにして光デイスク用直接
記録媒体を製造するようにしたことにより、短時間でか
つ簡易に製造し得る光デイスク用直接記録媒体及びその
製造方法を実現できる。 また原盤の一面側に形成され
たポジレジスト層に所望の光デイスク信号を露光記録し
た後、ポジレジスト層を現像硬化し、得られたポジレジ
スト層のパターンを２Ｐ法により所定の基板に転写する
ようにして光デイスク直接記録媒体を製造するようにし
たことにより、短時間でかつ簡易に製造し得る光デイス
ク用直接記録媒体及びその製造方法を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１、図３〜図５） 作用（図１、図３〜図５） 実施例 （１）第１実施例（図１及び図２） （２）第２実施例（図１〜図５） （３）他の実施例（図１〜図５） 発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は光デイスク用直接記録媒
体及びその製造方法に関し、例えば光デイスク成形時の
スタンパとして使用する光デイスク用直接記録媒体及び
その製造方法に適用して好適なものである。

【０００３】

【従来の技術】従来光デイスク用のスタンパは、以下の
工程により製造されている。すなわち、まず使用済のガ
ラス板から残存ニツケル及び残存レジスト等を除去し、
その表面を研磨することによりガラス板を再生した後
（第１の工程）、当該ガラス板を超音波洗浄等の方法で
洗浄することにより表面に残存している研磨剤等を除去
する（第２の工程）。次いでこのガラス板（以下、この
状態のガラス板を洗浄済ガラス板と呼ぶ）を種々の方法
により乾燥させた後その表面にレジストを塗布すること
によりレジスト層を形成する（第３の工程）。続いてこ
のガラス板（以下、この状態のガラス板をレジスト塗布
済ガラス板と呼ぶ）のレジスト層に所望の光デイスク信
号を露光記録した後（第４の工程）、これを現像するこ
とにより当該レジスト層に上述の光デイスク信号に応じ
た凹凸パターンを形成する（第５の工程）。

【０００４】続いてレジスト層の表面にスパツタリン
グ、蒸着又は無電解メツキ法等の手法により薄い金属層
を形成（メタライゼーシヨン）した後（第６の工程）、
この金属層の上面に所定の厚さになるまでメツキを施す
（電鋳）ことによりメツキ層を形成する（第７の工
程）。さらにこの後金属層とメツキ層とでなる部分（以
下、これをスタンパ部と呼ぶ）をガラス板から引き剥が
した後、当該スタンパ部のピツト面に付着しているレジ
スト等を洗い流し、乾燥させ、余分な部分をプレスで除
去する等の後工程を行う（第８の工程）。これによりス
タンパを得ることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところがスタンパは、
上述のように製造工程が非常に長く、多くの設備を必要
とするために、製造するに際しての設備投資額が多額に
なり、またこれに付随してクリーンルーム面積も広く必
要になる問題があつた。またスタンパは、製造時におけ
る原料費、ランニングコスト及び時間等を多く必要とす
るために単価が高くなる問題があつた。さらにスタンパ
は、製造工程が個々に難しく、また各製造工程において
経験及びノウハウを必要とするために、製造が難しい問
題があつた。

【０００６】かかる課題を解決する１つの手段として、
従来、ガラス原盤上にSiO₂層及びレジスト層を順次形成
し、当該レジスト層に所望の光デイスク信号を露光記録
した後これを現像すると共に、この後ガラス原盤上に残
存するレジストをマスクとしてSiO₂層をエツジングした
後、残存レジストをSiO₂層上から除去し、SiO₂層に形成
された上述の光デイスク信号に基づく微小な凹凸パター
ンを２Ｐ法で透明板に写し取ることによりスタンパを形
成する方法が提案されている（特開平3-65327号公
報）。この方法によれば、少ない工程でスタンパを製造
することができる利点がある。

【０００７】しかしなからこの方法を用いてスタンパを
製造しようとする場合、ガラス原盤上のSiO₂層をエツジ
ングする工程に必要な設備が必要になると共に、SiO₂層
を所定の深さにエツジングする制御が難しく、このため
スタンパを廉価でかつ簡易には製造し難い問題があつ
た。また一般的に透明板は熱伝導率が高く、従つて上述
のような透明板からなるスタンパを用いて光デイスクを
インジエクシヨン成形しようとする場合には、光デイス
クを１枚成形するごとにスタンパを冷やすための時間が
多くかかるために、結果的に光デイスクの製造時間を短
縮し難い問題がある。

【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、短時間でかつ簡易に製造し得る光デイスク成形用の
金型としての光デイスク用直接記録媒体及びその製造方
法を提案しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、光デイスク成形用の金型として使
用する、所望の光デイスク信号が記録された光デイスク
用直接記録媒体において、一面が極めて平滑に形成され
た基板１、２３と、基板１、２３の一面１Ａ、２３Ａ側
において、光デイスク信号に基づく微小な凹凸パターン
を形成する樹脂層２Ｂ、２２Ａとを設けた。

【００１０】また本発明においては、樹脂層２Ｂ、２２
Ａは、硬化されたレジスト樹脂又は２Ｐレジン樹脂でな
るようにした。

【００１１】さらに本発明においては、基板１、２３
は、金属板でなるようにした。

【００１２】さらに本発明においては、光デイスク成形
用の金型として使用する光デイスク用直接記録媒体の製
造方法において、一面１Ａが極めて平滑形成された基板
１の一面１Ａ側にネガレジストを塗布することによりネ
ガレジスト層２を形成する第１の工程と、ネガレジスト
層２に所望の光デイスク信号を露光記録した後、ネガレ
ジスト層２を現像する第２の工程と、現像後、基板１上
のネガレジスト層２を硬化させる第３の工程とでなるよ
うにした。

【００１３】さらに本発明においては、基板１は、金属
板と、金属板の一面に設けられた、基板の一面を形成す
る樹脂層とでなるようにした。

【００１４】さらに本発明においては、第１の工程は、
基板１の一面１Ａに、ネガレジスト層２と基板１の一面
１Ａとの密着力を向上させる表面処理を施す工程を備え
るようにした。

【００１５】さらに本発明においては、第３の工程は、
硬化されたネガレジスト層２の表面と、硬化されたネガ
レジスト層２の間から露出する基板１の一面１Ａとに、
光デイスクの成形時に光デイスクを光デイスク用直接記
録媒体３から離型させ易くする離型剤からなる離型剤層
を形成する工程を備えるようにした。

【００１６】さらに本発明においては、光デイスク成形
用の金型として使用する光デイスク用直接記録媒体の製
造方法において、所定形状の原盤２０の一面２０Ａ側に
ポジレジストを塗布することによりポジレジスト層２１
を形成する第１の工程と、ポジレジスト層２１に所望の
光デイスク信号を露光記録した後、ポジレジスト層２１
を現像すると共に、この後原盤２０上に光デイスク信号
に基づくパターンで残存するポジレジスト層２１を硬化
させる第２の工程と、一面２３Ａが極めて平滑に形成さ
れた基板２３の一面２３Ａを原盤２０の一面２０Ａ側に
柔軟な硬度可変型樹脂２２を介して密着させた後、硬度
可変型樹脂２２を硬化させることにより、原盤２０上の
ポトレジスト層２１のパターンを硬度可変型樹脂２２に
転写する第３の工程と、基板２３及び硬度可変型樹脂２
２を一体に原盤２０から離型させる第４の工程とでなる
ようにした。

【００１７】さらに本発明においては、原盤２０は、ガ
ラス板でなるようにした。

【００１８】さらに本発明においては、基板２３は、金
属板と、金属板の一面に設けられ、基板の一面を形成す
る樹脂層とでなるようにした。

【００１９】さらに本発明においては、第３の工程は、
基板２３の一面２３Ａにポジレジスト層２１と基板２３
の一面２３Ａとの密着力を向上させる表面処理を施す工
程を備えるようにした。

【００２０】さらに本発明においては、第２の工程は、
硬化されたポジレジスト層２１の表面と、硬化されたポ
ジレジスト層２１の間から露出する基板２０の一面２０
Ａとに、光デイスクの成形時に光デイスクを光デイスク
用直接記録媒体２４から離型させ易くする離型剤からな
る離型剤層を形成する工程を備えるようにした。

【００２１】さらに本発明においては、光デイスク成形
用の金型として使用する光デイスク用直接記録媒体の製
造方法において、所定形状の基板１、２０、２３の一面
１Ａ、２０Ａ、２３Ａに所望の光デイスク信号に基づく
微小な凹凸パターンを形成する第１の工程と、基板１、
２０、２３の一面１Ａ、２０Ａ、２３Ａに光デイスク成
形時に光デイスクを基板１、２０、２３から離型させ易
くする離型剤からなる離型剤層を形成する第２の工程と
を備えるようにした。

【００２２】

【作用】一面１Ａが極めて平滑形成された基板１の一面
１Ａ側にネガレジスト層２を形成し、当該ネガレジスト
層２に所望の光デイスク信号を露光記録した後、ネガレ
ジスト層２を現像し、この後基板１上のネガレジスト層
２を硬化させるようにして光デイスク成形用の金型とし
て使用する光デイスク用直接記録媒体３を製造するよう
にしたことにより、従来に比べて短い工程で短時間で当
該光デイスク直接記録媒体３を製造することができる。

【００２３】また原盤の一面２０Ａ側にポジレジスト層
２１を形成し、当該ポジレジスト層２１に所望の光デイ
スク信号を露光記録した後、ポジレジスト層２１を現像
すると共に、この後原盤２０の一面２０Ａ上に残存する
ポジレジスト層２１を硬化させ、この後一面２３Ａが極
めて平滑に形成された基板２３の一面２３Ａを原盤２０
の一面２０Ａ側に柔軟な硬度可変型樹脂２２を介して密
着させた後、硬度可変型樹脂２２を硬化させることによ
り、原盤２０上のポトレジスト層２１のパターンを硬度
可変型樹脂２２に転写し、さらにこの後基板２３及び硬
度可変型樹脂２２を一体に原盤２０から離型させるよう
にして光デイスク成形用の金型として使用する光デイス
ク直接記録媒体２３を製造するようにしたことにより、
従来に比べて短い工程で短時間で当該光デイスク用直接
記録媒体２３を製造することができる。

【００２４】

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。

【００２５】（１）第１実施例 図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を用いて第１実施例による光デ
イスク用スタンパの製造工程を説明する。まず、光デイ
スク用スタンパを製造するに際して、一面１Ａが極めて
平滑（鏡面）に形成された基板（以下、これを鏡面基板
と呼ぶ）１を製作する。実際上鏡面基板１は、通常のプ
ロセスに従つて作られた洗浄済ガラス板又はレジスト塗
布済ガラス板にメタライゼーシヨン、電鋳を順次行うこ
とにより鏡面状の一面をもつマスタスタンパ（鏡面マス
タスタンパ）を作成し、当該鏡面マスタスタンパを用い
て通常通りの手順に従つてマザースタンパ（鏡面マザー
スタンパ）を製作することにより当該鏡面マザースタン
パを用いて多数製作することができる。

【００２６】続いてこのようにして製作された鏡面基板
１の鏡面１Ａに、ネガレジストを塗布することによりネ
ガレジスト層２を形成する（図１（Ａ））。この場合鏡
面基板１の鏡面１Ａには、予めネガレジストとの間の密
着力を向上させ得るような所定の表面処理を施してお
き、これによりこの後ネガレジスト層２が鏡面基板１の
鏡面１Ａから不用意に剥がれないようにしておく。続い
てこのネガレジスト層２に所望の光デイスク信号を露光
記録した後、これを現像する。これにより鏡面基板１の
鏡面１Ａ上に、上述の光デイスク信号に基づくパターン
で残存ネガレジストからなる凸ピツト２Ａを形成する。
（図１（Ｂ））。

【００２７】続いてこの各凸ピツト２Ａを、紫外線照射
又は120 〔°〕以上での加熱処理等の所定の手法により
硬化させる。これにより図１（Ｃ）のような、硬化され
た凸ピツト（以下、これを硬化凸ピツトと呼ぶ）２Ｂが
上述の光デイスク信号に応じたパターンで鏡面基板１の
鏡面１Ａ上に配列してなるスタンパ３を得ることができ
る。さらにこの後、必要に応じてスタンパ３のピツト面
３Ａ全面に離型剤を塗布して極めて薄い離型剤層を形成
する。これによりこのスタンパ３Ａを用いて光デイスク
をインジエクシヨン成形する際に、当該成形された光デ
イスクをスタンパ３から容易に離型させることができる
ようになる。

【００２８】実際上スタンパ３のピツト面３Ａ全面に極
めて薄い離型剤層を形成する工程は、例えば図２のよう
なスタンパ加工装置１０を用いることにより行うことが
できる。すなわちこのスタンパ加工装置１０では、加工
対象のスタンパ３をターンテーブル１１上に載せるよう
にしてセツトするようになされている。この場合ターン
テーブル１１の上方位置には窒素ブローノズル１２が配
設されると共に、窒素ブローノズル１２はヒータ１３を
有する離型剤ガス発生器１４連結され、かつ離型剤ガス
発生器１４は容器内部１５に供給される窒素ガス中に離
型剤ガスを微量含ませた後、これを窒素ブローノズル１
２に送出するようになされている。

【００２９】これによりこのスタンパ加工装置１０で
は、ターンテーブル１１を回転させながら窒素ブローノ
ズル１２から窒素ガスを吹き出すことにより当該ターン
テーブル１１上に載せられたスタンパ３のピツト面３Ａ
に離型剤ガスを微量含む窒素ガスを吹きつけることがで
き、かくして当該ピツト面３Ａ上に昇華又は凝縮によつ
て離型剤を薄く均一に塗布し得るようになされている。

【００３０】以上の方法によれば、鏡面基板１上にネガ
レジスト層２を形成し、当該ネガレジスト層２に所望の
光デイスク信号を露光記録後、これを現像することによ
り鏡面基板１の鏡面１Ａに当該光デイスク信号に基づく
凹凸パターンでネガレジストからなる凸ピツト２Ｂを形
成すると共に、この後この凸ピツト２Ｂを所定の手法を
用いて硬化させてスタンパ３を製造するようにしたこと
により、スタンパ３を製造するために従来行われていた
多くの工程を省略することができる。従つてスタンパ３
の製作時間を大幅に短縮することができ、かくして短時
間で簡易にスタンパ３を製造することができる。

【００３１】またスタンパ３を製作するために従来行わ
れていたほとんどの工程を省略することができることに
より、スタンパ３を製作するための設備及びクリーンル
ーム面積を少なくすることができ、かくしてスタンパ３
を製作するに際しての設備投資額を大幅に削減すること
ができると共に、スタンパ３を製作するためのランニン
グコストを削減することができる。

【００３２】さらにスタンパ３のピツト面３Ａ全面に離
型剤層を形成するようにしたことにより、当該スタンパ
３を用いて光デイスクをインジエクシヨン成形する際
に、当該成形された光デイスクをスタンパ３から容易に
離型させることができ、かくして光デイスクのスタンパ
３からの離型性を大幅に改善させることができる。

【００３３】（２）第２実施例 図３（Ａ）〜図４（Ｂ）を用いて第２実施例による光デ
イスク用スタンパの製造工程を説明する。まず図３
（Ａ）に示すように、一面が極めて平滑に形成されたガ
ラス板２０の鏡面２０Ａ上にポジレジストを塗布するこ
とによりポジレジスト層２１を形成する。次いで図３
（Ａ）に示すように、このポジレジスト層２１に所望の
光デイスク信号を露光記録した後、これを現像すること
によりガラス板２０上に当該光デイスク信号に応じた凹
凸パターンで残存ポジレジスト層からなる凸ピツト２１
Ａを形成する。

【００３４】以上の工程までは、通常のマスタリングプ
ロセスに従つて行う。続いて図３（Ｃ）に示すように、
ガラス板２０上の各凸ピツト２０Ａを紫外線照射又は12
0 〔°〕以上での加熱処理等の所定の手法により硬化さ
せる（以下、この硬化された凸ピツト２０Ａを硬化凸ピ
ツト２０Ｂと呼ぶ）。続いて図４（Ａ）に示すように、
このガラス板２０の鏡面２０Ａに架橋タイプのＵＶレジ
ン２２を所定量供給した後、例えば第１実施例の鏡面基
板１（図１（Ａ））と同様のプロセスにより形成された
鏡面基板２３をＵＶレジン液２２を介してガラス板２０
の鏡面２０ＡにＵＶレジン２２に気泡が生じないように
密着させる。この場合鏡面基板２３のガラス板２０との
対向面（以下、この面を下面と呼ぶ）２２Ａには、ＵＶ
レジン２２との密着力を高めるために予め所定の表面処
理を施しておく。

【００３５】次いで、ＵＶレジン２２にガラス板２０を
通して紫外線を照射することによりこのＵＶレジン２２
を硬化させる（以下、この硬化したＵＶレジン２２を硬
化ＵＶレジン２２Ａと呼ぶ）。これによりＵＶレジン２
２にガラス板２０上の凹凸パターンを転写する。さらに
この後鏡面基板２３を硬化ＵＶレジン２２Ａと共にガラ
ス板２０から引き剥がす。これにより図４（Ｂ）のよう
な鏡面基板２３と硬化ＵＶレジン２２Ａとでなるスタン
パ２４を得ることができる。

【００３６】さらにこの後必要に応じて第１実施例と同
様にして硬化ＵＶレジン２２Ａの表面でなるスタンパ２
４のピツト面２４Ａ全面に離型剤を塗布して極めて薄い
離型剤層を形成する。これによりこのスタンパ２４を用
いて光デイスクをインジエクシヨン成形する際に、当該
成形された光デイスクのスタンパ２４からの離型性を向
上させることができる。

【００３７】ここで鏡面基板２３をＵＶレジン２２を介
してガラス板２０の鏡面２０Ａに気泡が生じないように
密着させる手法としては、図５に示すように、現像乾燥
したガラス板２０の中心に所定量（例えば0.5 〜５〔m
l〕）のＵＶレジン液２２を注下した後、鏡面基板２３
を所定の手法によりガラス板２０側へ向けて膨らませ
（例えば鏡面基板２３の上側から空気圧をかける、又は
鏡面基板２３の下側を減圧する等）、この状態でガラス
板２０をゆつくりと鏡面基板２３に押し付けることによ
り行う、いわゆる２Ｐ法を用いれば良い。

【００３８】また鏡面基板２３の下面とＵＶレジン２２
との密着力を高めるために当該鏡面基板２３の下面に施
す表面処理としては、当該下面を洗浄後、0.05〜５
〔％〕の範囲でアルコール、MIBK、乳酸エチル等の所定
の溶剤にアミノエトキシシラン、エポキシエトキシシラ
ン等のシランカツプリング等の溶剤を溶かすことにより
形成した密着力向上剤をスピンコートした後必要に応じ
て100 〜200 〔°〕で10〜30分程度ベーキングする方法
を用いれば良い。

【００３９】実際上実験によれば、鏡面基板２３として
表面が鏡面状に形成されたニツケル板（鏡面ニツケル
板）を用い、当該鏡面ニツケル板に上述のようにして形
成したガラス板２０上の凹凸パターンを２Ｐ法で転写し
た結果、この凹凸パターンを形成する硬化凸ピツト２１
Ｂにダメージを与えずにきれいにガラス板２０上の凹凸
パターンを転写することができた。この場合この鏡面ニ
ツケル板上に形成されたピツト形状は、通常の電鋳によ
り形成されたニツケル製のスタンパのピツト形状とほぼ
同等の精度が得られることが確認できた。

【００４０】またこのようにして製造したスタンパ２４
を用いてインジエクシヨン成形により光デイスクを成形
した結果、インジエクシヨン成形時における条件を従来
の条件から変更しなくても正常な光デイスクを成形する
ことができた。この場合２Ｐレジン層と成形デイスクと
の離型性は実用上充分な程度に良好であり、また鏡面ニ
ツケル板と２Ｐレジン層との間の密着性も実用上充分な
程度に良好であつた。

【００４１】以上の工程によれば、ガラス板２０上にポ
ジレジスト層２１を形成し、当該ポジレジスト層２１に
所望の信号を露光記録後、現像し、残存するポジレジス
トを硬化させると共に、この結果としてガラス板２０上
に形成される当該光デイスク信号に基づく凹凸パターン
を２Ｐ法を用いて鏡面基板２３上に転写するようにして
スタンパ２４を製造するようにしたことにより、スタン
パ２４を製造するために従来行われていた多くの工程を
省略することができる。従つて第１実施例の場合と同様
にスタンパ２４の製作時間を大幅に短縮することがで
き、かくして短時間で簡易にスタンパ２４を製造するこ
とができる。

【００４２】またスタンパ２４を製作するために従来行
われていたほとんどの工程を省略することができること
により、スタンパ２４を製作するための設備及びクリー
ンルーム面積を少なくすることができ、かくしてスタン
パ２４を製作するに際しての設備投資額を大幅に削減す
ることができると共に、スタンパ２４を製作するための
ランニングコストを削減することができる。

【００４３】（３）他の実施例 なお上述の第１及び第２実施例においては、通常のプロ
セスに従つて作られた洗浄済ガラス板又はレジスト塗布
済ガラス板にメタライゼーシヨン、電鋳を順次行うこと
により鏡面マスタスタンパを作成し、当該鏡面マスタス
タンパを用いて通常通りの手順により鏡面マザースタン
パし、当該鏡面マザースタンパを用いて鏡面基板１、２
３を製作するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、例えば市販の磨きステンレス板を所定
形状に打ち抜くことによりステンレス原盤を形成し、当
該ステンレス原盤の上面に樹脂層を形成した後、当該樹
脂層に紫外線を照射して全面を硬化させることにより形
成するようにしても良い。

【００４４】またこの場合、ステンレス板の代わりに銅
板又は黄銅板等の他の金属板、又はこの板状部材を用い
るようにしても良い。さらにこのとき金属板上に塗布す
る樹脂としては、安い低解像度用で良く、要は、続く工
程において塗布される高解像度のネガレジストに侵され
ないタイプ（例えばＰＡＶ水溶液等）の塗料であれば、
その素材はどのようなものであつても良い。

【００４５】また上述の第２実施例においては、鏡面基
板２３と２Ｐレジンとの密着力を増加させるための手法
として、鏡面基板２３の表面を洗浄後、鏡面基板２３の
ガラス板２０との対向面に0.05〜５〔％〕の範囲でアル
コール、MIBK、乳酸エチル等の所定の溶剤にアミノエト
キシシラン、エポキシエトキシシラン等のシランカツプ
リング等の溶剤を溶かすことにより形成した密着力向上
剤をスピンコートするようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、0.05〜５〔％〕の範囲でア
ルコール、MIBK、乳酸エチル等の所定の溶剤にタイタニ
ウム、アセトアセトネートのようなチタンカツプリング
剤やHMDS（ヘキサメチルジシラザン）等の溶剤を溶かす
ことにより形成した密着力向上剤を鏡面基板２０上の表
面に塗布するようにしても良い。

【００４６】さらにこの他の手法として、0.05〜５
〔％〕の範囲でアルコール、MIBK、乳酸エチル等の所定
の溶剤にタイタニウム、アセトアセトネートのようなチ
タンカツプリング剤やHMDS（ヘキサメチルジシラザン）
等の溶剤を溶かすことにより形成した密着力向上剤を２
Ｐレジン中に加えておく方法や、鏡面基板２０を構成す
る金属板の表面を、真空中でボンバード、逆スパツタ又
はプラズマクリーニング等により清浄化してからＣr
（クロム）やＴi （チタン）等の金属を薄くつける方法
なども用いることができる。

【００４７】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、スタンパ３、２４のピツト面３Ａ、２４Ａに離型剤
を塗布する手段として、スタンパ３、２４をターンテー
ブル１１で回転させながら、当該スタンパ３、２４の上
面に離型剤を微量含む窒素ガスを吹きつけるようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、スタン
パ３、２４をターンテーブル１１で回転させながら、当
該スタンパの上面に離型剤濃度が0.01〜1.0 〔％〕程度
の薄い溶剤を塗布するようにしても良い。

【００４８】この場合特に第２実施例では、スタンパ２
４を形成した後で当該スタンパ２４のピツト面２４Ａに
離型剤層を形成するのではなく、ガラス板２０上の凸ピ
ツト２１Ａを硬化させた後で硬化凸ピツト２１Ｂの表面
及び露出するガラス板２０の鏡面２０Ａに上述の離型剤
を微量含む窒素ガスを吹きつけることによりこの部分に
離型剤層を形成するようにしても良い。

【００４９】このようにすることによつてこの後の工程
においてガラス板２０上の硬化凸ピツト２１Ｂを傷めず
にスタンパ２４をガラス板２０から離型させることがで
きるため、現像済のガラス板２０を用いて何枚でも２Ｐ
法によりスタンパ２４を製造し得るようにすることがで
きると共に、製造されたスタンパ２４の表面にもこの離
型剤が転写されることにより光デイスクのインジエクシ
ヨン成形時における当該スタンパ２４からの離型性を改
善することができる。またこの場合、離型剤層を形成す
る手段としては、ポジレジスト層２１Ｂを侵さないもの
であれば溶剤をスピンコートするようにしても良い。

【００５０】さらに上述の第２実施例においては、ガラ
ス板２０上の残存ポジレジスト層２１Ａの凹凸パターン
を写し取る手段として何も添加されてないＵＶレジン２
２を用いるようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えばシリカ、アルミナ等の微粒子が添
加されたＵＶレジン２２を用いるようにしても良い。こ
れによりこの後の工程で紫外線硬化されるＵＶレジン２
２の強度を高めることができる。

【００５１】またＵＶレジン２２中に離型剤を添加する
ようにしても良く、このようにすることにより光デイス
ク成形時における当該光デイスクのスタンパからの離型
性を向上させることができる。さらにはＵＶレジン２２
の代わりに、２液反応タイプのエポキシ樹脂や、ＵＶ及
び熱硬化型の複合型タイプ等、種々の硬度可変型の樹脂
等を用いることができる。。

【００５２】さらに上述の第２実施例においては、ポジ
レジストを塗布する原盤としてガラス板２０を用いるよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、要は、極めて平滑な一面をもつものであればこの他
のものを用いても良い。

【００５３】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、光デイスクの成形時に当該光デイスクをスタンパか
ら離型させ易くする手段として、スタンパのピツト面３
Ａ、２３Ａに離型剤からなる離型剤層を形成する方法を
スタンパ３、２３に適用するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の方法によ
り形成された種々の光デイスク用スタンパ又は光デイス
ク製造用金型に適用することができる。

【００５４】さらに上述の第１及び第２実施例において
は、本発明をスタンパ３、２４の製造に適用するように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、こ
の他種々の光デイスク製造用金型の製造に適用すること
ができる。

【００５５】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面が極
めて平滑形成された基板の一面側にネガレジスト層を形
成し、当該ネガレジスト層に所望の光デイスク信号を露
光記録した後、ネガレジスト層を現像し、この後基板上
のネガレジスト層を硬化させるようにして光デイスク用
直接記録媒体を製造するようにしたことにより、従来に
比べて短い工程で短時間に光デイスク成形用の金型とし
て使用する光デイスク用直接記録媒体を製造することが
でき、かくして短時間でかつ簡易に製造し得る、光デイ
スク成形用の金型としての光デイスク用直接記録媒体及
びその製造方法を実現できる。

【００５６】また原盤の一面側にポジレジスト層を形成
し、当該ポジレジスト層に所望の光デイスク信号を露光
記録した後、ポジレジスト層を現像すると共に、この後
原盤の一面上に残存するポジレジスト層を硬化させ、こ
の後一面が極めて平滑に形成された基板の一面を原盤の
一面側に柔軟な硬度可変型樹脂を介して密着させた後、
硬度可変型樹脂を硬化させることにより、原盤上のポト
レジスト層のパターンを硬度可変型樹脂に転写し、さら
にこの後基板及び硬度可変型樹脂を一体に原盤から離型
させるようにして光デイスク成形用の金型として使用す
る光デイスク用直接記録媒体を製造するようにしたこと
により、従来に比べて短い工程で短時間で当該光デイス
ク用直接記録媒体を製造することができ、かくして短時
間でかつ簡易に製造し得る、光デイスク成形用の金型と
しての光デイスク用直接記録媒体及びその製造方法を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例による光デイスク用スタンパの製造
工程の説明に供する側面図である。

【図２】スタンパ加工装置の構成を示す略線図である。

【図３】第２実施例による光デイスク用スタンパの製造
工程の説明に供する略線図である。

【図４】第２実施例による光デイスク用スタンパの製造
工程の説明に供する略線図である。

【図５】２Ｐ法の説明に供する略線図である。

【符号の説明】

１、２３……鏡面基板、１Ａ、２０Ａ……鏡面、２……
ネガレジスト層、２Ａ、２１Ａ……凸ピツト、２Ｂ、２
１Ｂ……硬化凸ピツト、３、２４……スタンパ、２１…
…ポジレジスト層、２２……ＵＶレジン。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光デイスク成形用の金型として使用する、
   所望の光デイスク信号が記録された光デイスク用直接記
   録媒体において、 一面が極めて平滑に形成された基板と、 上記基板の上記一面側において、上記光デイスク信号に
   基づく微小な凹凸パターンを形成する樹脂層とを具える
   ことを特徴とする光デイスク用直接記録媒体。
2. 【請求項２】上記樹脂層は、硬化されたレジスト樹脂又
   は２Ｐレジン樹脂でなることを特徴とする請求項１に記
   載の光デイスク用直接記録媒体。
3. 【請求項３】上記基板は、金属板でなることを特徴とす
   る請求項１に記載の光デイスク用直接記録媒体。
4. 【請求項４】光デイスク成形用の金型として使用する光
   デイスク用直接記録媒体の製造方法において、 一面が極めて平滑形成された基板の上記一面側にネガレ
   ジストを塗布することによりネガレジスト層を形成する
   第１の工程と、 上記ネガレジスト層に所望の光デイスク信号を露光記録
   した後、上記ネガレジスト層を現像する第２の工程と、 上記現像後、上記基板上の上記ネガレジスト層を硬化さ
   せる第３の工程とを具えることを特徴とする光デイスク
   用直接記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】上記基板は、 金属板と、 上記金属板の一面に設けられた、上記基板の上記一面を
   形成する樹脂層とでなることを特徴とする請求項４に記
   載の光デイスク用直接記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】上記第１の工程は、 上記基板の上記一面に、上記ネガレジスト層と上記基板
   の上記一面との密着力を向上させる表面処理を施す工程
   を具えることを特徴とする請求項４に記載の光デイスク
   用直接記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】上記第３の工程は、 硬化させた上記ネガレジスト層の表面と、硬化させた上
   記ネガレジスト層の間から露出する上記基板の上記一面
   とに、上記光デイスクの成形時に上記光デイスクを上記
   光デイスク用直接記録媒体から離型させ易くする離型剤
   からなる離型剤層を形成する工程を具えることを特徴と
   する請求項４に記載の光デイスク用直接記録媒体の製造
   方法。
8. 【請求項８】光デイスク成形用の金型として使用する光
   デイスク用直接記録媒体の製造方法において、 所定形状の原盤の一面側にポジレジストを塗布すること
   によりポジレジスト層を形成する第１の工程と、 上記ポジレジスト層に所望の光デイスク信号を露光記録
   した後、上記ポジレジスト層を現像すると共に、この後
   上記原盤の上記一面上に上記光デイスク信号に基づくパ
   ターンで残存する上記ポジレジスト層を硬化させる第２
   の工程と、 一面が極めて平滑に形成された基板の上記一面を上記原
   盤の上記一面側に柔軟な硬度可変型樹脂を介して密着さ
   せた後、上記硬度可変型樹脂を硬化させることにより、
   上記原盤上の上記ポトレジスト層の上記パターンを上記
   硬度可変型樹脂に転写する第３の工程と、 上記基板及び上記硬度可変型樹脂を一体に上記原盤から
   離型させる第４の工程とを具えることを特徴とする光デ
   イスク用記録媒体の製造方法。
9. 【請求項９】上記原盤は、ガラス板でなることを特徴と
   する請求項８に記載の光デイスク用直接記録媒体の製造
   方法。
10. 【請求項１０】上記基板は、 金属板と、 上記金属板の一面に設けられ、上記基板の上記一面を形
    成する樹脂層とでなることを特徴とする請求項８に記載
    の光デイスク用直接記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】上記第３の工程は、 上記基板の上記一面に上記ポジレジスト層と上記基板の
    上記一面との密着力を向上させる表面処理を施す工程を
    具えることを特徴とする請求項８に記載の光デイスク用
    直接記録媒体の製造方法。
12. 【請求項１２】上記第２の工程は、 硬化させた上記ポジレジスト層の表面と、硬化させた上
    記ポジレジスト層の間から露出する上記基板の上記一面
    とに、上記光デイスクの成形時に上記光デイスクを上記
    光デイスク用直接記録媒体から離型させ易くする離型剤
    からなる離型剤層を形成する工程を具えることを特徴と
    する請求項８に記載の光デイスク用直接記録媒体の製造
    方法。
13. 【請求項１３】光デイスク成形用の金型として使用する
    光デイスク用直接記録媒体の製造方法において、 所定形状の基板の一面に所望の光デイスク信号に基づく
    微小な凹凸パターンを形成する第１の工程と、 上記基板の上記一面に上記光デイスク成形時に上記光デ
    イスクを上記基板から離型させ易くする離型剤からなる
    離型剤層を形成する第２の工程とを具えることを特徴と
    する光デイスク用直接記録媒体の製造方法。