JPH0630282B2 - ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ - Google Patents
ＳｉＣ薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPH0630282B2 JPH0630282B2 JP60130113A JP13011385A JPH0630282B2 JP H0630282 B2 JPH0630282 B2 JP H0630282B2 JP 60130113 A JP60130113 A JP 60130113A JP 13011385 A JP13011385 A JP 13011385A JP H0630282 B2 JPH0630282 B2 JP H0630282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- sic thin
- paste
- electrodes
- film thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高応答性および、高耐熱性を要求される温度セ
ンサに利用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関するもので
ある。
ンサに利用されるＳｉＣ薄膜サーミスタに関するもので
ある。
従来の技術 以下、図面を参照しながら、従来のＳｉＣ薄膜サーミス
タについて説明を行う。
タについて説明を行う。
従来のＳｉＣ薄膜サーミスタは第２図に示すように、ア
ルミナ基板１上の金属ペーストにて一対の対向電極２
ａ，２ｂを形成した後、リード線取付部分３ａ，３ｂを
除く前記対向電極２ａ，２ｂが形成されている前記アル
ミナ基板１上にＳｉＣの薄膜４をスパッタリングにより
形成し、前記対向電極２ａ，２ｂ上の前記ＳｉＣ薄膜４
が形成されていない部分にリード線５ａ，５ｂを接着し
た構造であった。
ルミナ基板１上の金属ペーストにて一対の対向電極２
ａ，２ｂを形成した後、リード線取付部分３ａ，３ｂを
除く前記対向電極２ａ，２ｂが形成されている前記アル
ミナ基板１上にＳｉＣの薄膜４をスパッタリングにより
形成し、前記対向電極２ａ，２ｂ上の前記ＳｉＣ薄膜４
が形成されていない部分にリード線５ａ，５ｂを接着し
た構造であった。
発明が解決しようとする問題点 ところが、このような従来の構成では、高耐熱性を得る
ために、対向電極２ａ，２ｂを、熱安定性にすぐれた金
属ペーストで形成すると、接続時に外力が加わるリード
線５ａ，５ｂをこの対向電極２ａ，２ｂに接続した場
合、この対向電極２ａ，２ｂとアルミナ基板１との接着
が十分に得られないことに起因して、リード線５ａ，５
ｂにに外力が加わると、この対向電極２ａ，２ｂがアル
ミナ基板１から剥離してしまうという問題があった。逆
に、機械的な強度を得るために、対向電極２ａ，２ｂに
アルミナ基板１との接着力の強い金属ペーストを用いる
と、温度検出部で高温に接するＳｉＣ薄膜４部分におけ
る対向電極２ａ，２ｂの熱安定性が十分でなく、耐熱温
度の低い製品となった。
ために、対向電極２ａ，２ｂを、熱安定性にすぐれた金
属ペーストで形成すると、接続時に外力が加わるリード
線５ａ，５ｂをこの対向電極２ａ，２ｂに接続した場
合、この対向電極２ａ，２ｂとアルミナ基板１との接着
が十分に得られないことに起因して、リード線５ａ，５
ｂにに外力が加わると、この対向電極２ａ，２ｂがアル
ミナ基板１から剥離してしまうという問題があった。逆
に、機械的な強度を得るために、対向電極２ａ，２ｂに
アルミナ基板１との接着力の強い金属ペーストを用いる
と、温度検出部で高温に接するＳｉＣ薄膜４部分におけ
る対向電極２ａ，２ｂの熱安定性が十分でなく、耐熱温
度の低い製品となった。
本発明はこのような従来の問題点を解消するもので３０
０℃の耐熱性および十分な機械的強度を有するＳｉＣ薄
膜サーミスタを提供するものである。
０℃の耐熱性および十分な機械的強度を有するＳｉＣ薄
膜サーミスタを提供するものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために、本発明のＳｉＣ薄膜サー
ミスタは、ＳｉＣ薄膜が形成される部分は、熱安定性に
すぐれたＰｔ−Ａｕペーストで電極を形成し、リード線
取出部は、セラミック絶縁基板との接着力の強いＡｇ−
Ｐｄペーストで電極を形成した構成としたものである。
ミスタは、ＳｉＣ薄膜が形成される部分は、熱安定性に
すぐれたＰｔ−Ａｕペーストで電極を形成し、リード線
取出部は、セラミック絶縁基板との接着力の強いＡｇ−
Ｐｄペーストで電極を形成した構成としたものである。
作用 上記構成とすることにより本発明の薄膜サーミスタは、
感温抵抗体となるＳｉＣ薄膜形成部分には、熱安定性の
すぐれたＰｔ−Ａｕペースト、機械的強度を決定するリ
ード線取出部には、セラミック絶縁基板との接着力の強
いＡｇ−Ｐｄペーストを用いて、電極を形成しているた
め３００℃の耐熱性、および十分な機械的強度を持つＳ
ｉＣ薄膜サーミスタを提供することができる。
感温抵抗体となるＳｉＣ薄膜形成部分には、熱安定性の
すぐれたＰｔ−Ａｕペースト、機械的強度を決定するリ
ード線取出部には、セラミック絶縁基板との接着力の強
いＡｇ−Ｐｄペーストを用いて、電極を形成しているた
め３００℃の耐熱性、および十分な機械的強度を持つＳ
ｉＣ薄膜サーミスタを提供することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例のＳｉＣ薄膜サーミスタを図面
を参照にして説明する。
を参照にして説明する。
第１図に示すように、アルミナ基板６の上に、熱安定性
にすぐれたＰｔ−Ａｕペーストにて一対のくし形Ｐｔ−
Ａｕ電極７ａ，７ｂを形成し、前記各Ｐｔ−Ａｕ電極７
ａ，７ｂに一部を重ねてアルミナ基板６との接着力の強
いＡｇ−Ｐｄペーストにて一対のＡｇ−Ｐｄ電極８ａ，
８ｂをアルミナ基板６上に形成した後、くし形Ｐｔ−Ａ
ｕ電極７ａ，７ｂ部分にＳｉＣ薄膜９をスパッタリング
により形成し感温抵抗体とし、Ａｇ−Ｐｄ電極８ａ，８
ｂにはリード線、１０ａ，１０ｂを溶接にて接続した構
成となっている。
にすぐれたＰｔ−Ａｕペーストにて一対のくし形Ｐｔ−
Ａｕ電極７ａ，７ｂを形成し、前記各Ｐｔ−Ａｕ電極７
ａ，７ｂに一部を重ねてアルミナ基板６との接着力の強
いＡｇ−Ｐｄペーストにて一対のＡｇ−Ｐｄ電極８ａ，
８ｂをアルミナ基板６上に形成した後、くし形Ｐｔ−Ａ
ｕ電極７ａ，７ｂ部分にＳｉＣ薄膜９をスパッタリング
により形成し感温抵抗体とし、Ａｇ−Ｐｄ電極８ａ，８
ｂにはリード線、１０ａ，１０ｂを溶接にて接続した構
成となっている。
発明の効果 上記のように本発明は、ＳｉＣ薄膜サーミスタの電極に
熱安定性にすぐれたＰｔ−Ａｕペースト、およびセラミ
ック絶縁基板との接着力の強いＡｇ−Ｐｄペーストの２
種を用いることにより、３００℃の耐熱性および十分な
機械的強度を持つ、ＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることが
できるものである。
熱安定性にすぐれたＰｔ−Ａｕペースト、およびセラミ
ック絶縁基板との接着力の強いＡｇ−Ｐｄペーストの２
種を用いることにより、３００℃の耐熱性および十分な
機械的強度を持つ、ＳｉＣ薄膜サーミスタを得ることが
できるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるＳｉＣ薄膜サーミス
タの斜視図、第２図は従来の薄膜サーミスタの斜視図で
ある。 ６……アルミナ基板、７ａ，７ｂ……Ｐｔ−Ａｕ電極、
８ａ，８ｂ……Ａｇ−Ｐｄ電極、９……ＳｉＣ薄膜、１
０ａ，１０ｂ……リード線。
タの斜視図、第２図は従来の薄膜サーミスタの斜視図で
ある。 ６……アルミナ基板、７ａ，７ｂ……Ｐｔ−Ａｕ電極、
８ａ，８ｂ……Ａｇ−Ｐｄ電極、９……ＳｉＣ薄膜、１
０ａ，１０ｂ……リード線。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック絶縁基板上に、熱安定性にすぐ
れたＰｔ−Ａｕペーストにて一対の対向電極を設け、さ
らに前記セラミック絶縁基板との接着力の強いＡｇ−Ｐ
ｄペーストにて前記対向電極のそれぞれに一部分を接触
させて、このセラミック絶縁基板上に一対の電極を設
け、前記熱安定性のすぐれたＰｔ−Ａｕペーストにて形
成された対向電極が存在する前記セラミック絶縁基板上
にＳｉＣの薄膜を形成し、前記セラミック絶縁基板との
接着力の強いＡｇ−Ｐｄペーストにて形成された電極に
はリード線を接着してなるＳｉＣ薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130113A JPH0630282B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130113A JPH0630282B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287202A JPS61287202A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0630282B2 true JPH0630282B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=15026260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130113A Expired - Lifetime JPH0630282B2 (ja) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630282B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785204A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thin film thermistor |
-
1985
- 1985-06-14 JP JP60130113A patent/JPH0630282B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61287202A (ja) | 1986-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6066145A (ja) | 外部雰囲気検知装置 | |
| US4160969A (en) | Transducer and method of making | |
| JP3819081B2 (ja) | 温度センサ | |
| GB1532908A (en) | Resistance thermometers | |
| JP3277471B2 (ja) | 温度検出素子及びその応用素子 | |
| JPH11354302A (ja) | 薄膜抵抗素子 | |
| JP2001056257A (ja) | 温度センサ素子及びその製造方法並びに温度センサ | |
| US5958606A (en) | Substrate structure with adhesive anchoring-seams for securely attaching and boding to a thin film supported thereon | |
| JPS61245502A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS631235Y2 (ja) | ||
| JPS61287202A (ja) | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ | |
| JP2572864Y2 (ja) | 焦電形赤外線検出器 | |
| JPH10172806A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
| JPS6069524A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JP2645153B2 (ja) | 薄膜温度センサー素子 | |
| JPS6219954Y2 (ja) | ||
| JPS60125535A (ja) | 表面温度センサ | |
| JP2996161B2 (ja) | 白金感温抵抗体 | |
| JP2628709B2 (ja) | 温度センサ | |
| JPS6117410Y2 (ja) | ||
| JPH10221144A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法 | |
| JPS6348082Y2 (ja) | ||
| JPS6140930B2 (ja) | ||
| JP3003943B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPS61287203A (ja) | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |