JPH0630794B2 - 半導体洗浄用超純水製造装置 - Google Patents
半導体洗浄用超純水製造装置Info
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- JPH0630794B2 JPH0630794B2 JP60229602A JP22960285A JPH0630794B2 JP H0630794 B2 JPH0630794 B2 JP H0630794B2 JP 60229602 A JP60229602 A JP 60229602A JP 22960285 A JP22960285 A JP 22960285A JP H0630794 B2 JPH0630794 B2 JP H0630794B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は超純水製造装置に関し、より詳しくは従来の装
置では除去し得なかつた低分子有機化合物をも除去し、
より理論純水に近い超純水を製造する装置に係る。
置では除去し得なかつた低分子有機化合物をも除去し、
より理論純水に近い超純水を製造する装置に係る。
一般に、超純水はLSIや超LSIの製造などに多量に使用さ
れており、今後ますます需要が増加しつつある。これら
の超純水としては１７〜１８ＭΩ・cmの比抵抗を有する
ものが製造されているが、より理論純水（H2Oのみから
なる水）の比抵抗18.24ＭΩ・cmに近づける努力がなさ
れている現状にある。
れており、今後ますます需要が増加しつつある。これら
の超純水としては１７〜１８ＭΩ・cmの比抵抗を有する
ものが製造されているが、より理論純水（H2Oのみから
なる水）の比抵抗18.24ＭΩ・cmに近づける努力がなさ
れている現状にある。
従来、超純水製造プロセスは、活性炭、イオン交換樹
脂、ＵＶ酸化、逆浸透膜(RO)、限外濾過膜(UF)等で構成
されている。
脂、ＵＶ酸化、逆浸透膜(RO)、限外濾過膜(UF)等で構成
されている。
例えば、超純水を用いた半導体ウエーハ洗浄システムか
らの洗浄廃液回収工程を有する超純水製造プロセスは第
２図に示す通りである。第２図に示す装置においては、
半導体洗浄工程１からの廃水を、まず回収システムＡの
活性炭吸着塔２において活性炭吸着処理し、イオン交換
塔３で処理して脱塩した後、更に必要なときには逆浸透
膜装置（図示せず）を介して紫外線酸化装置４で処理し
ている。紫外線酸化装置４においては、有機物をほぼ完
全に酸化分解させるために、一般に、酸化剤として過酸
化水素を添加し、過酸化水素存在下で紫外線を照射して
処理が行なわれる。
らの洗浄廃液回収工程を有する超純水製造プロセスは第
２図に示す通りである。第２図に示す装置においては、
半導体洗浄工程１からの廃水を、まず回収システムＡの
活性炭吸着塔２において活性炭吸着処理し、イオン交換
塔３で処理して脱塩した後、更に必要なときには逆浸透
膜装置（図示せず）を介して紫外線酸化装置４で処理し
ている。紫外線酸化装置４においては、有機物をほぼ完
全に酸化分解させるために、一般に、酸化剤として過酸
化水素を添加し、過酸化水素存在下で紫外線を照射して
処理が行なわれる。
このような活性炭吸着塔２、イオン交換塔３及び紫外線
酸化装置４からなる回収システムＡからの処理水は、純
水製造システムＢに戻される。この純水製造システムＢ
は、前処理システムＣ（凝集反応槽５及び二槽濾過器６
からなる。）、１次純水システムＤ（逆浸透膜装置７、
脱気器８及びイオン交換塔９からなる。）及びサブシス
テムＥ（紫外線殺菌装置１０、混床式イオン交換器１１
及び限外濾過装置１２からなる。）から構成されてい
る。このような装置により、処理原水中のイオンはほぼ
完全に除去され、最終処理水の比抵抗は１７ＭΩ・cm以
上の高純度となる。
酸化装置４からなる回収システムＡからの処理水は、純
水製造システムＢに戻される。この純水製造システムＢ
は、前処理システムＣ（凝集反応槽５及び二槽濾過器６
からなる。）、１次純水システムＤ（逆浸透膜装置７、
脱気器８及びイオン交換塔９からなる。）及びサブシス
テムＥ（紫外線殺菌装置１０、混床式イオン交換器１１
及び限外濾過装置１２からなる。）から構成されてい
る。このような装置により、処理原水中のイオンはほぼ
完全に除去され、最終処理水の比抵抗は１７ＭΩ・cm以
上の高純度となる。
しかしながら、上述のような従来装置によつた場合、処
理原水中に含まれる低分子有機化合物、とりわけ有機ハ
ロゲン化合物は除去できず、サブシステムの最終処理水
中にリークし、これが全有機炭素(TOC)としてオンさ
れ、要求水質を満さないという問題点があつた。また、
トリハロメタンのような有機ハロゲン化合物は活性炭で
も除去できるが、処理容量が小さく、さらに長期通液の
際に活性炭層に菌が増殖するという問題点があつた。
理原水中に含まれる低分子有機化合物、とりわけ有機ハ
ロゲン化合物は除去できず、サブシステムの最終処理水
中にリークし、これが全有機炭素(TOC)としてオンさ
れ、要求水質を満さないという問題点があつた。また、
トリハロメタンのような有機ハロゲン化合物は活性炭で
も除去できるが、処理容量が小さく、さらに長期通液の
際に活性炭層に菌が増殖するという問題点があつた。
本発明は上記の如き従来装置の有する問題点を解消し、
従来装置では除去し得なかつた低分子有機化合物を除去
し、TOCをさらに低減化させ、論理純水により近い超純
水の製造装置を提供することを目的とするものである。
従来装置では除去し得なかつた低分子有機化合物を除去
し、TOCをさらに低減化させ、論理純水により近い超純
水の製造装置を提供することを目的とするものである。
本発明者は従来装置では除去できない低分子有機化合
物、特にクロロホルム、トリクロロエタン、トリクロロ
エチレン、ブロムジクロルメタン、テトラクロロエチレ
ン、クロルジブロムメタン及びブロムホルムなどの有機
ハロゲン化合物を除去するために種々検討の結果、これ
ら低分子有機化合物が合成吸着剤によつて除去され、TO
Cが低減されることを知見し本発明を完成するに至つ
た。すなわち、本発明の超純水製造装置は濾過器などを
備えた原水の前処理システムと、逆浸透膜などの膜を内
蔵した膜処理装置などを備えた前処理システムの処理水
から純水を得る１次純水システムと、混床式イオン交換
器及び限外濾過膜などの膜を内蔵した膜処理装置などを
備えた１次純水システムの純水から超純水を得るサブシ
ステムとからなる半導体洗浄用超純水製造装置におい
て、前記１次純水システムの膜処理の下流側に樹脂基体
がスチレン−ビニルベンゼン系、メタアクリル酸エステ
ル系、ピニルピリジン系、スルホキシド系及びアミド系
から選ばれたイオン交換基をもたないに合成吸着剤を内
蔵した合成吸着剤塔を介在させたことを特徴とするもの
である。
物、特にクロロホルム、トリクロロエタン、トリクロロ
エチレン、ブロムジクロルメタン、テトラクロロエチレ
ン、クロルジブロムメタン及びブロムホルムなどの有機
ハロゲン化合物を除去するために種々検討の結果、これ
ら低分子有機化合物が合成吸着剤によつて除去され、TO
Cが低減されることを知見し本発明を完成するに至つ
た。すなわち、本発明の超純水製造装置は濾過器などを
備えた原水の前処理システムと、逆浸透膜などの膜を内
蔵した膜処理装置などを備えた前処理システムの処理水
から純水を得る１次純水システムと、混床式イオン交換
器及び限外濾過膜などの膜を内蔵した膜処理装置などを
備えた１次純水システムの純水から超純水を得るサブシ
ステムとからなる半導体洗浄用超純水製造装置におい
て、前記１次純水システムの膜処理の下流側に樹脂基体
がスチレン−ビニルベンゼン系、メタアクリル酸エステ
ル系、ピニルピリジン系、スルホキシド系及びアミド系
から選ばれたイオン交換基をもたないに合成吸着剤を内
蔵した合成吸着剤塔を介在させたことを特徴とするもの
である。
本発明で使用される合成吸着剤としては、イオン交換基
をもたないゲル型又はポーラス型などの樹脂で、基体と
してはスチレン−ジビニルベンゼン系、メタアクリル酸
エステル系、ビニルピリジン系、スルホキシド系あるい
はアミド系のものであり、予め有機溶剤と加温した苛性
ソーダを併用して洗浄し、TOC成分を除去して調製した
ものである。これら合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤塔
の構造は一般に用いられているイオン交換塔と同じもの
を用いることができる。つまりイオン交換塔のカチオン
あるいはアニオン交換樹脂のかわりに前述のような合成
吸着剤を内蔵させればよい。すなわち、合成吸着剤は通
さないが水は通過することができる集水機構を塔下部に
設け、この上に合成吸着剤を積層させる構成とする。
をもたないゲル型又はポーラス型などの樹脂で、基体と
してはスチレン−ジビニルベンゼン系、メタアクリル酸
エステル系、ビニルピリジン系、スルホキシド系あるい
はアミド系のものであり、予め有機溶剤と加温した苛性
ソーダを併用して洗浄し、TOC成分を除去して調製した
ものである。これら合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤塔
の構造は一般に用いられているイオン交換塔と同じもの
を用いることができる。つまりイオン交換塔のカチオン
あるいはアニオン交換樹脂のかわりに前述のような合成
吸着剤を内蔵させればよい。すなわち、合成吸着剤は通
さないが水は通過することができる集水機構を塔下部に
設け、この上に合成吸着剤を積層させる構成とする。
以下に本発明の一実施例を示す第１図を参照して本発明
をさらに詳しく説明する。
をさらに詳しく説明する。
第１図において、原水は左側から矢印の如く凝集反応槽
５および二層濾過器６からなる前処理システムＣに通水
され、前処理される。この前処理後の処理水は次いで、
逆浸透装置７、合成吸着剤塔１３、脱気器８およびイオ
ン交換塔９からなる１次純水システムＤに順次通水さ
れ、純水が得られる。この１次純水システムＤにより得
られた純水はその後、紫外線殺菌装置１０、混床式イオ
ン交換器１１および限外濾過膜装置２からなるサブシス
テムＥにより超純水が得られる。
５および二層濾過器６からなる前処理システムＣに通水
され、前処理される。この前処理後の処理水は次いで、
逆浸透装置７、合成吸着剤塔１３、脱気器８およびイオ
ン交換塔９からなる１次純水システムＤに順次通水さ
れ、純水が得られる。この１次純水システムＤにより得
られた純水はその後、紫外線殺菌装置１０、混床式イオ
ン交換器１１および限外濾過膜装置２からなるサブシス
テムＥにより超純水が得られる。
上記のような第１図のシステムＣ，Ｄ，Ｅからなる超純
水製造システムＢでは合成吸着剤塔１３を設置した点
が、第２図に示されるような従来装置と異なるところで
あり、この合成吸着剤塔１３により前述したような低分
子の有機化合物がほぼ完全に除去される。なお、通水を
継続していくことにより合成吸着剤の有機化合物吸着能
力が低下してくるため、定期的に苛性ソーダなどの薬剤
により再生するようにする。
水製造システムＢでは合成吸着剤塔１３を設置した点
が、第２図に示されるような従来装置と異なるところで
あり、この合成吸着剤塔１３により前述したような低分
子の有機化合物がほぼ完全に除去される。なお、通水を
継続していくことにより合成吸着剤の有機化合物吸着能
力が低下してくるため、定期的に苛性ソーダなどの薬剤
により再生するようにする。
また第１図に示したように合成吸着剤塔１３を１次純水
システムＤのフロー中に設置する場合は逆浸透装置７以
降に設ける。すなわち逆浸透装置７以降に設けることに
より、浮遊懸濁物(SS)が逆浸透装置７によつて除去さ
れ、合成吸着剤塔１３の差圧上昇が防止できる。
システムＤのフロー中に設置する場合は逆浸透装置７以
降に設ける。すなわち逆浸透装置７以降に設けることに
より、浮遊懸濁物(SS)が逆浸透装置７によつて除去さ
れ、合成吸着剤塔１３の差圧上昇が防止できる。
このような超純水製造装置における処理流速としてはSV
＝５〜50hr-1、好ましくはSV＝10〜30hr-1とする。
＝５〜50hr-1、好ましくはSV＝10〜30hr-1とする。
得られた超純水は各種の用途に供せられるが、第１図に
は半導体洗浄に使用した例を示している。すなわち本発
明装置によつて得られた超純水はLSIもしくは超LSIなど
の半導体洗浄（ユースポイント）１に用いられ、これに
より不純物などの混入した水は活性炭吸着塔２、イオン
交換塔３および紫外線酸化装置４からなる回収システム
Ａにより回収され、１次純水システムＤの入口に戻さ
れ、循環使用される。なお、回収システムＡからの回収
水は前処理システムＣの入口に戻されてもよい。
は半導体洗浄に使用した例を示している。すなわち本発
明装置によつて得られた超純水はLSIもしくは超LSIなど
の半導体洗浄（ユースポイント）１に用いられ、これに
より不純物などの混入した水は活性炭吸着塔２、イオン
交換塔３および紫外線酸化装置４からなる回収システム
Ａにより回収され、１次純水システムＤの入口に戻さ
れ、循環使用される。なお、回収システムＡからの回収
水は前処理システムＣの入口に戻されてもよい。
次に実験例を示す。
実施例１ 有機ハロゲン化合物を含んだ合成水を、スチレンとジビ
ニルベンゼンの共重合体である合成吸着剤（バイエル社
製、Lewatit（商標）Ｅ400/83）100mlにSV＝10hr-1で通
水したところ表１に示すような結果を得た。すなわち処
理水の有機ハロゲンは著しく低減した。
ニルベンゼンの共重合体である合成吸着剤（バイエル社
製、Lewatit（商標）Ｅ400/83）100mlにSV＝10hr-1で通
水したところ表１に示すような結果を得た。すなわち処
理水の有機ハロゲンは著しく低減した。
実験例２ 市水を第１図に示されるように逆浸透装置７の出口に合
成吸着剤Lewatit（商標）Ｅ400/83を１００充填した
合成吸着剤塔１３を設置した超純水製造装置と、第２図
に示されるように合成吸着剤１３を設置しない装置とに
３０日間通水し、サブシステムの処理水（ユースポイン
トで使用する超純水のTOC濃度を比較した。
成吸着剤Lewatit（商標）Ｅ400/83を１００充填した
合成吸着剤塔１３を設置した超純水製造装置と、第２図
に示されるように合成吸着剤１３を設置しない装置とに
３０日間通水し、サブシステムの処理水（ユースポイン
トで使用する超純水のTOC濃度を比較した。
その結果を表２に示す。
以上のような本発明の超純水製造装置では超純水製造シ
ステム中の１次純水システムの膜処理の下流側にに特殊
な合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤塔を設置したため、
従来装置では除去が困難であつた低分子有機化合物を除
去でき、TOCをさらに低減して理論水に極めて近い超純
水を得ることができるという効果を有する。
ステム中の１次純水システムの膜処理の下流側にに特殊
な合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤塔を設置したため、
従来装置では除去が困難であつた低分子有機化合物を除
去でき、TOCをさらに低減して理論水に極めて近い超純
水を得ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す超純水製造装置のシス
テムフローの概略説明図である。 第２図は従来装置のシステムフローの概略説明図であ
る。 １……半導体洗浄（ユースポイント） ２……活性炭吸着塔、３……イオン交換塔 ４……紫外線酸化装置、５……凝集反応槽 ６……二層濾過器、７……逆浸透装置 ８……脱気器、９……イオン交換塔 １０……紫外線殺菌装置、１１……混床式イオン交換器 １２……限外濾過装置、１３……合成吸着剤塔 Ａ……回収システム、Ｂ……超純水製造システム Ｃ……前処理システム、Ｄ……１次純水システム Ｅ……サブシステム
テムフローの概略説明図である。 第２図は従来装置のシステムフローの概略説明図であ
る。 １……半導体洗浄（ユースポイント） ２……活性炭吸着塔、３……イオン交換塔 ４……紫外線酸化装置、５……凝集反応槽 ６……二層濾過器、７……逆浸透装置 ８……脱気器、９……イオン交換塔 １０……紫外線殺菌装置、１１……混床式イオン交換器 １２……限外濾過装置、１３……合成吸着剤塔 Ａ……回収システム、Ｂ……超純水製造システム Ｃ……前処理システム、Ｄ……１次純水システム Ｅ……サブシステム
Claims (1)
- 【請求項１】濾過器などを備えた原水の前処理システム
と、逆浸透膜などの膜を内蔵した膜処理装置などを備え
た前処理システムの処理水から純水を得る１次純水シス
テムと、混床式イオン交換器及び限外濾過膜などの膜を
内蔵した膜処理装置などを備えた１次純水システムの純
水から超純水を得るサブシステムとからなる半導体洗浄
用超純水製造装置において、前記１次純水システムの膜
処理装置の下流側に樹脂基体がスチレン−ジビニルベン
ゼン系、メタアクリル酸エステル系、ビニルピリジン
系、スルホキシド系及びアミド系から選ばれたイオン交
換基をもたない合成吸着剤を内蔵した合成吸着剤塔を介
在させたことを特徴とする半導体洗浄用超純水製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229602A JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229602A JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287299A JPS6287299A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0630794B2 true JPH0630794B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=16894750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229602A Expired - Fee Related JPH0630794B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 半導体洗浄用超純水製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630794B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02198687A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 純水の製造方法 |
| US5164093A (en) * | 1991-11-29 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for removing metallic contamination from fluids using silicon beads |
| JPH07328693A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-19 | Japan Organo Co Ltd | 超純水製造装置 |
| JP3878452B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP5720122B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2015-05-20 | 岩崎電気株式会社 | 超純水製造システム |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4842550A (ja) * | 1971-10-04 | 1973-06-20 | ||
| JPS5524949A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-22 | Hitachi Ltd | Manufacture of graphite-containing aluminium alloy |
| JPS5618427A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-21 | Fujitsu Ltd | Washing method for semiconductor substrate with pure water |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60229602A patent/JPH0630794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6287299A (ja) | 1987-04-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |