JPH06309696A - 光学記録媒体およびその記録膜材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ７７０〜８１０ｎｍの波長再生が可能なオレ
ンジブックに準拠した光デイスクを提供する。 【構成】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の積層体
で構成され、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン化合物の少なくとも一種以上を含有する有機
薄膜よりなることを特徴とする光学記録媒体。一般式
［Ｉ］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘは、２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロポキシ基を表す。置換基Ｙ¹〜Ｙ⁴はそれぞれ独
立に、ハロゲン原子、置換基を有して良いアルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、スル
ホン酸基、スルホン酸アミド基、スルホン酸エステル基
を表わし、ｎ１〜ｎ４はＹ¹〜Ｙ⁴の置換基数で０〜３の
整数を表す。中心金属Ｍは、ＳiまたはＡｌを表し、置
換基Ｚは、−ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ¹Ｒ²または−ＯＰ（＝Ｏ）
Ａｒ¹Ａｒ²を表わす。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光線によっ
て、情報を書き込んだり、読み取ったりする事が可能な
光学記録媒体に関する。さらに詳しくは、追記型コンパ
クトディスクの記録膜構成およびその記録膜材料に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーデオ等の音楽再生用としてのコンパクトデイス
ク（ＣＤ）が広く普及している。このようなＣＤは、通
常ポリカーボネート等の透明基板表面にＣＤフォーマッ
ト信号を有するピット列を射出成形時に形成し、その上
からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッタリ
ングにより反射膜として設け、さらに保護層をコートし
て作成する。このようにして作成した光デイスクの基板
の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー
光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化から
各信号を読み取り、情報を再生するものである。しか
し、このようなＣＤは再生専用であり記録が出来ないた
め、追記型光デイスクあるいは書き換え可能な光磁気デ
イスク等のような編集機能がないという不都合さがあっ
た。一方、編集機能を有する追記型光デイスクあるいは
光磁気デイスクとしては、Ｔｅ等カルコゲナイト系化合
物、希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフタロシア
ニン等の有機色素等を記録膜としたものが実用化されて
いる。 しかしながら、これらの光デイスクは基盤面か
らの反射率が低く、現状のままＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍの再生装置により信号の再生を行うことは出来ないと
いう問題点がある。このような問題点を解決するため
に、シアニン等の記録膜の上に金等の反射膜を設けて、
基板面反射率で７０％以上を確保して７８０ｎｍでＣＤ
フォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を
記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装置で情報を読
み出す光デイスクおよび方法が提案されている。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、ＣＤのような単面構成で直接太陽光に
さらされるような使用条件では、記録の信頼性に問題が
生じる可能性がある。そのため、シアニン色素に代え
て、化学的、物理的安定性の優れたフタロシアニン色素
を記録膜材料に使用する試みが検討されている。

【０００４】このようなフタロシアニン色素としては、
特公平４−５３７１３で提案された記録膜材料が効果的
であるが、ここで示されているフタロシアニン色素は、
従来のフタロシアニン系化合物特有の特性が十分改善さ
れておらず、熱的に非常に安定なため記録感度が低く、
さらに吸収バンドが非常にシャープであるため、ＣＤド
ライブのピックアップに搭載される半導体レーザーの発
振波長の許容範囲（７７０〜８１０ｎｍ程度）で安定し
た光学特性（反射率および吸収）を得ることが困難であ
り記録感度の波長依存性が大きい等の課題が残ってお
り、追記型コンパクトディスク用の記録膜材料として必
ずしも十分な特性を持つ材料ではない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、化学的、物
理的に安定でレーザー光線により高感度に記録、再生で
きる安価な特定のフタロシアニン化合物、およびそれを
用いた光学記録媒体を提供するものであり、ＣＤ型光記
録媒体については、従来の追記機能、編集機能を有する
ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０
ｎｍ〜８１０ｎｍの波長範囲で安定した光学特性を実現
し、この波長範囲で完全に記録再生が可能なレッドブッ
クに準拠した光デイスクを提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、特公平４
−５３７１３に提案されているフタロシアニン系の光記
録材料をさらに詳細に検討を行なった結果、ある特定の
フタロシアニン化合物を含有する有機薄膜を基板／記録
膜／反射膜／保護膜の積層体よりなる光学記録媒体の記
録膜に適用することにより、優れた種々の特性を有する
ことを見いだし、本発明を完成するに至った。即ち、本
発明は一般式［Ｉ］で示され、透明基板／記録膜／反射
膜／保護膜の積層体で構成される光学記録媒体の記録膜
に適用できるフタロシアニン化合物系の記録膜材料およ
びそれを用いた光学記録媒体である。一般式［Ｉ］

【化３】 ［式中、置換基Ｘは、２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロポキシ基を表す。置換基Ｙ¹〜Ｙ⁴はそれぞれ独
立に、ハロゲン原子、置換基を有して良いアルキル基、
置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリールオキシ
基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有
しても良いアリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、スル
ホン酸基、スルホン酸アミド基、スルホン酸エステル基
を表わし、ｎ１〜ｎ４はＹ¹〜Ｙ⁴の置換基数で０〜３の
整数を表す。中心金属Ｍは、ＳiまたはＡｌを表す。置
換基Ｚは、−ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ¹Ｒ²または−ＯＰ（＝Ｏ）
Ａｒ¹Ａｒ²を表わす。ただし、Ｒ¹、Ｒ²は置換基を有し
ても良い直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、Ａ
ｒ¹、Ａｒ²は置換基を有しても良いアリール基を表す。
ｍは、置換基Ｚの個数で１または２の整数を表す。］

【０００７】本発明の記録膜層が一般式［Ｉ］で示され
るような特殊な構造を有するフタロシアニン系色素で示
される色素膜により構成することにより前述した課題を
解決するに至った。つまり、一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン化合物の最大の特徴は、置換基Ｘにフッ素
原子を置換した嵩高い分枝のアルコキシル基である２、
２−ビス（トリフルオロメチル）プロポキシ基をフタロ
シアニンを構成する４個のベンゼン環にそれぞれ１個づ
つ導入することである。それぞれのベンゼン環における
置換位置については、特に限定されず置換可能な４つの
箇所のいずれであってもよい。このような置換基の導入
によりフタロシアニン分子同士のベンゼン環同士の重な
りによるスタッキングが阻害され、中心金属からフタロ
シアニン環の分子平面に垂直な方向に導入された置換基
（一般式［Ｉ］中の置換基Ｚ）の立体障害の効果と相乗
して、より高い屈折率を得ることができるため透明基板
／記録膜／反射膜の構成での反射率が大きくなると同時
に反射率の波長依存性の低減される。また、置換基に導
入されたフッ素原子の効果（基板と記録膜との界面エネ
ルギーによるものと考えられる）により記録ピットの形
状及び対称性が良好になるため、記録信号の歪が低減さ
れると同時に、記録前後でコントラストが鮮明になり、
記録変調度の大きく、良好な記録波形が得られる。ま
た、汎用の有機溶剤に対する溶解性が飛躍的に向上し、
スピンコート法による記録膜の作成が容易になるという
利点があること等である。このように、置換基Ｘにフッ
素原子を置換した嵩高い分枝のアルコキシル基である
２、２−ビス（トリフルオロメチル）プロポキシ基を導
入することにより、基板／記録膜／反射膜／保護膜の積
層体で構成される追記型コンパクトディスクの記録膜と
して特に優れた特性を有する記録膜材料になると言え
る。

【０００８】本発明の一般式［Ｉ］で示されるフタロシ
アニン系色素に導入される置換基Ｙ ¹〜Ｙ⁴を構成する原
子および有機置換基の代表例としては、置換基を持たな
い場合に相当する水素原子をはじめ、ハロゲン原子とし
ては塩素、臭素、ヨウ素、フッ素があり、置換基を有し
て良いアルキル基としては、メチル基、ｎ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、ト
リフルオロメチル基、２−メトキシエチル基、フタルイ
ミドメチル基等を、置換基を有してもよいアリール基と
しては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−ニトロフェニル
基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等があり、置換基を有し
てもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−ブトキシ基等があり、置換基を有しても良いア
リールオキシ基としては、フェノキシ基、ペンタフルオ
ロフェニル基等があり、置換基を有しても良いアルキル
チオ基としては、メチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基等が
ある、置換基を有しても良いアリールチオ基としては、
フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ等がそれぞれ
挙げられるが、これらに限定させるものではない。

【０００９】本発明において、一般式［Ｉ］で示される
化合物は、例えば以下の方法により製造することができ
る。

【００１０】すなわち、下記一般式［ＩＩＩ］で示され
るフタロニトリル類、または、下記一般式［ＩＶ］で示
されるイソイドリン化合物、あるいは、相当するフタル
酸無水物類、フタルイミド類として一般式［Ｉ］中のＭ
で示される金属の各種金属塩を出発原料として常法によ
り、一般式［Ｖ］で示されるフタロシアニン系化合物を
製造できる。

【００１１】一般式［ＩＩＩ］

【化４】 ［式中、Ｘ，Ｙ，ｎはそれぞれ一般式［Ｉ］における
Ｘ，Ｙ¹〜Ｙ⁴，ｎ¹〜ｎ⁴と同じ意味を表す。］

【００１２】一般式［ＩＶ］

【化５】 ［式中、Ｘ，Ｙ，ｎはそれぞれ一般式［Ｉ］における
Ｘ，Ｙ¹〜Ｙ⁴，ｎ¹〜ｎ⁴と同じ意味を表す。］

【００１３】一般式［Ｖ］

【化６】 ［式中、Ｘ，Ｙ¹〜Ｙ⁴，ｎ¹〜ｎ⁴、Ｍ，ｍはそれぞれ一
般式［Ｉ］におけるＸ，Ｙ¹〜Ｙ⁴，ｎ¹〜ｎ⁴、Ｍ，ｍと
同じ意味を表す。］

【００１４】次に、得られた一般式［Ｖ］で示されるフ
タロシアニン化合物に、種々の置換基を有しても良い直
鎖、分岐または環状のアルキル基、アリール基を有する
クロロホスフィン誘導体を反応させることにより、一般
式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物を製造するこ
とができる。

【００１５】本発明で使用される一般式［Ｉ］で示され
るフタロシアニン化合物の代表的な例として下記に示す
フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｅ）等が挙げられる
が、これらに限定されるものではない。

【００１６】（ａ）

【化７】

【００１７】（ｂ）

【化８】

【００１８】（ｃ）

【化９】

【００１９】（ｄ）

【化１０】

【００２０】（ｅ）

【化１１】

【００２１】本発明における一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン化合物を用いた記録膜層には、記録膜の耐
光性、耐環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさ
らに向上させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収
剤等の添加剤を加えても良い。

【００２２】記録膜層の成膜方法としては、ドライプロ
セス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によって
も可能であるが、ウエットプロセス、例えば、スピンコ
ート法、デップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュアーブロジェット）法によっても可
能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、例
えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲ
ン系、炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性
および記録膜の均一性からスピンコート法により成膜す
る方法が好ましい。

【００２３】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、色素に対して３０ｗｔ％以下が好ましい。

【００２４】本発明の記録膜層の最適膜厚は、記録膜材
料の種類および組み合わせにより異なるため特に制限は
なく、５００〜３０００Ａが好ましく、さらに１０００
〜２５００Ａが最適膜厚範囲である。

【００２５】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。 また、場合によっては有機
性の高反射膜を使用することもできる。このような反射
膜の成膜方法としては、ドライプロセス例えば真空蒸着
法、スパッタリング法が最も好ましいがこれらに限られ
るものではない。本発明の反射膜の最適膜厚について
は、特に制限はないが４００〜１３００Ａの範囲が好ま
しい。

【００２６】さらに、反射膜の上より、デイスク特に記
録膜層および反射膜層の化学的劣化（例えば酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的でデイスクを保護するための保護層を設ける。保護層
用の材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピン
コートにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法
が好ましいがこれに限られるものではない。保護層の最
適膜厚については、薄い場合には、保護の効果が低下
し、厚い場合には樹脂の硬化時の収縮によりデイスクの
そり等の機械特性の悪化の原因になるため、２〜２０ミ
クロンの範囲で成膜することが好ましい。

【００２７】また、本発明に用いられるデイスク基板と
しては信号の書き込みや読みだしを行うための光の透過
率が好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小
さいものが好ましい。例えば、ガラス、またはアクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
アミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−
メチルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの
熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性
樹脂からなる基板が挙げられる。 これらの中で、成形
のしやすさ、ＡＴＩＰ用ウオッブル信号および案内溝等
の付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが
好ましく、さらに光学特性や機械特性およびコストから
みてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるもの
が特に好ましい。また、ＡＴＩＰウオブル信号および案
内溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮
成形）する際のスタンパーなどを用いて付与する方法が
好ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ
法による方法によっても行うことが出来る。

【００２８】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく台形あるいはＵ字形であっても良い。また、案
内溝の寸法については、記録膜材料の種類および組み合
わせ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅（溝
深さの１／２の位置の幅）が０．４〜０．６ミクロン、
また、溝深さが１０００〜２０００Ａの範囲が好まし
い。

【００２９】本発明のデイスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）および追
記型コンパクトディスクの規格（オレンジブック）に準
拠していることが好ましい。

【００３０】

【実施例】以下の実施例および比較例により本発明を具
体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限られるも
のではない。はじめに、本発明で使用されるフタロシア
ニン化合物の代表例の製造法について説明する。

【００３１】 製造例１：フタロシアニン化合物（ａ）の製造 スルホラン１２０部、１，８−ジアザビシクロ［５，
４，０］−７−ウンデセン１４部に４−（２、２−ビス
（トリフルオロメチル）プロピル）オキシ−１、３−ジ
イミノイソインドリン１０部および四塩化珪素５部を加
え、１６０〜１７０℃で８時間加熱撹拌後、冷却し、３
５％塩酸８０部と水１５００部の混合溶液に注入撹拌
し、８０度２時間加熱撹拌後、析出した沈澱を濾別、メ
タノール／水（４／１）混合溶液で洗浄、乾燥して緑色
の粉末１０部を得た。 この粉末を濃硫酸２５０部に溶
解した後、氷水２０００部に注入、析出した沈澱を濾
別、水洗、乾燥して緑青色の粉末９部を得た。この粉末
はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一般式［Ｖ］に相当するジヒ
ドロキシシリコンフタロシアニン体であることが確認さ
れた。上記で得られたジヒドロキシシリコンフタロシア
ニン体５部をピリジン１００部、トリ−ｎ−ブチルアミ
ン２５部に撹拌溶解した後、冷却しながらクロロジフェ
ニルホスフィン１０部を加え、１１０℃で２時間加熱撹
拌した後、冷却し、氷水１０００部中に注入した。 析
出した沈澱を濾別し、水洗、乾燥してフタロシアニン化
合物（ａ）を４部得た。

【００３２】 製造例２：フタロシアニン化合物（ｂ）の製造 ｏ−ジクロロベンゼン５０部、トリ−ｎ−ブチルアミン
２５部に、４−（２、２−ビス（トリフルオロメチル）
プロピル）オキシ−１、３−ジイミノイソインドリン８
部および四塩化珪素６部を加え、１６０ー１７０℃で７
時間加熱撹拌後、冷却し、メタノール１０００部で希
釈、析出した沈澱を濾別、メタノール／水（３／１）混
合溶液で洗浄、乾燥して緑色の粉末５．５部を得た。こ
の粉末を濃硫酸３００部に溶解した後、氷水６０００部
に注入、析出した沈澱を濾別、水洗、乾燥して緑青色の
粉末４．３部を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結
果、一般式［Ｖ］に相当するヒドロキシアルミニウムフ
タロシアニン体であることが確認された。上記で得られ
たヒドロキシアルミニウムフタロシアニン体４部をピリ
ジン８０部、トリ−ｎ−ブチルアミン２０部に撹拌溶解
した後、冷却しながらクロロジフェニルホスフィン５部
を加え、１１０℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、氷
水１０００部に注入した。 析出した沈澱を濾別し、水
洗、乾燥して緑色の粉末３．５部を得た。 ＦＤ−ＭＳ
分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｂ）で
あることが確認された。

【００３３】 製造例３：フタロシアニン化合物（ｃ）の製造 製造例２と同様にしてｏ−ジクロロベンゼン１５０部、
トリ−ｎ−ブチルアミン３０部に４−（２、２−ビス
（トリフルオロメチル）プロピル）オキシ−６−ブロモ
−１、３−ジイミノイソインドリン１０部および四塩化
珪素１５部を加え、１６０〜１７０℃で８時間加熱撹拌
後、冷却し、２０００部のメタノールで希釈した。 析
出した沈澱を濾別、メタノール／水（４／１）混合溶液
で洗浄、乾燥して緑色の粉末８部を得た。 この粉末を
濃硫酸４００部に溶解した後、氷水２０００部に注入、
析出した沈澱を濾別、水洗、乾燥して緑青色の粉末６部
を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一般式
［Ｖ］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニン
体であることが確認された。上記で得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン体５部をピリジン１００部、
トリ−ｎ−ブチルアミン２５部に撹拌溶解した後、冷却
しながらクロロジフェニルホスフィン１０部を加え、１
１０℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、氷水１０００
部中に注入した。 析出した沈澱を濾別し、水洗、乾燥
してフタロシアニン化合物（ｃ）を７部得た。

【００３４】 製造例４：フタロシアニン化合物（ｄ）の製造 製造例２と同様にしてｏ−ジクロロベンゼン２００部、
トリ−ｎ−ブチルアミン５０部に４−（２、２−ビス
（トリフルオロメチル）プロピル）オキシ−７−メチル
−１、３−ジイミノイソインドリン１０部および四塩化
珪素１５部を加え、１６０〜１７０℃で８時間加熱撹拌
後、冷却し、１５００部のメタノールで希釈した。 析
出した沈澱を濾別、メタノール／水（４／１）混合溶液
で洗浄、乾燥して緑色の粉末８部を得た。 この粉末を
濃硫酸３００部に溶解した後、氷水２０００部に注入、
析出した沈澱を濾別、水洗、乾燥して緑青色の粉末６部
を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一般式
［Ｖ］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニン
体であることが確認された。上記で得られたジヒドロキ
シシリコンフタロシアニン体５部をピリジン７０部、ト
リ−ｎ−ブチルアミン２０部に撹拌溶解した後、冷却し
ながらクロロジフェニルホスフィン１０部を加え、１１
０℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、氷水１０００部
中に注入した。 析出した沈澱を濾別し、水洗、乾燥し
てフタロシアニン化合物（ｄ）を４部得た。

【００３５】 製造例５：フタロシアニン化合物（ｅ）の製造 製造例１と同様にして合成した、一般式［Ｖ］に相当す
るジヒドロキシシリコンフタロシアニン体５部を９６％
濃硫酸５５０部に溶解させ臭素１１部を加え、系温を２
５−３０℃に保ちながら６時間撹拌後、亜硫酸水素ナト
リウム２４部を溶かし込んだ水２０００部に注入撹拌
し、析出した沈澱を濾別、炭酸水素ナトリウム水溶液、
水、メタノ−ル／水（１／１）混合溶液で順に洗浄、乾
燥して緑色の粉末５．２部を得た。この粉末はＦＤ−Ｍ
Ｓ分析の結果、ブロモ化度が１〜４の混合物である一般
式［Ｖ］に相当するジヒドロキシシリコンフタロシアニ
ン体であることが確認された。上記で得られたジヒドロ
キシシリコンフタロシアニン体５部をピリジン１００
部、トリ−ｎ−ブチルアミン２５部に撹拌溶解した後、
冷却しながらクロロジフェニルホスフィン１０部を加
え、１１０℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、氷水１
０００部中に注入した。 析出した沈澱を濾別し、水
洗、乾燥してフタロシアニン化合物（ｅ）を４部得た。

【００３６】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ａ］を２、２、３、
３−テトラフルオロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌの濃
度で溶解し、０．２ミクロンのフイルタリングを行い塗
液を調整し、この塗液を用いて、スピンコーターにより
記録膜厚１３００オングストロームに成膜した。次に、
このようにして得た記録膜の上にスパッタリングにより
金を膜厚８００オングストロームに成膜した。さらに、
この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜層を５ミクロン
の膜厚で設けて光デッスクを作成した。このようにして
作成した光デイスクの反射率は７６％であったこのよう
にして作成した光デイスクを用い、波長７８５ｎｍの半
導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃでＥＦ
Ｍ−ＣＤフォーマット信号を記録したところ、最適記録
レーザーパワーが６．１ｍＷで記録が可能であった。次
に、この信号をＣＤプレーヤーによりレーザーパワー
０．５ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号は良好
であり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであ
った。

【００３７】実施例２ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｂ］をジアセトンア
ルコールに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより記録膜厚１２００オング
ストロームに成膜した。次に、このようにして得た記録
膜の上にスパッタリングにより金を膜厚８００オングス
トロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹
脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デッス
クを作成した。このようにして作成した光デイスクの反
射率は８０％であったこのようにして作成した光デイス
クを用い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して
線速度１．４ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信
号を記録したところ、最適記録レーザーパワーが６．５
ｍＷで記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレ
ーヤーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行った
ところ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレー
ヤーに十分かかるレベルであった。

【００３８】実施例３〜４ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表１に示すフタロシアニン化合物をジアセト
ンアルコールに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２
ミクロンのフイルタリングを行い塗液を調整し、この塗
液を用いて、スピンコーターにより記録膜厚１２００オ
ングストロームに成膜した。次に、このようにして得た
記録膜の上にスパッタリングにより金を膜厚８００オン
グストロームに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化
型樹脂により保護膜層を５ミクロンの膜厚で設けて光デ
イスクを作成した。このようにして作成した光デイスク
の反射率および実施例１と同様の方法で記録、再生を行
なった場合の最適レーザーパワーを表１に示す。 表１ ─────────────────────────────────── 実施例 フタロシアニン 反射率 最適記録 化合物 ％ レーザーパワー(mW) ─────────────────────────────────── ３ （ｃ） ７５ ６．３ ４ （ｄ） ７３ ６．９ ───────────────────────────────────

【００３９】比較例１ 化学式［ＶＩ］で示されるフタロシアニン化合物をもち
いて実施例１と同様にして、光デイスクを作成した。化
学式［ＶＩ］

【化１２】 このようにして作成した光デイスクの反射率は５１％で
あったこのようにして作成した光デイスクを用い、波長
７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ
／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーは８．９ｍＷであった。

【００４０】比較例２ 化学式［ＶＩＩ］で示されるフタロシアニン化合物をも
ちいて実施例１と同様にして、光デイスクを作成した。
化学式［ＶＩＩ］

【化１３】 このようにして作成した光デイスクの反射率は６２％で
あったこのようにして作成した光デイスクを用い、波長
７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４ｍ
／ｓｅｃでＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録したと
ころ、最適記録レーザーパワーは７．７ｍＷであった。

【００４１】

【発明の効果】実施例１〜５および比較例１〜２から明
かなように、一般式［Ｉ］における置換基Ｘに分枝のア
ルコキシル基である２、２−ビス（トリフルオロメチ
ル）プロポキシ基を導入することにより、これまでの直
鎖タイプの置換基を有するフタロシアニン化合物より
も、７８０ｎｍから８１０ｎｍの半導体レーザーに対し
て、より高感度でかつ高反射率な安定した記録再生特性
を示す光記録媒体を提供することができる。

フロントページの続き (72)発明者 坂本 希 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の積
   層体で構成され、該記録膜が下記一般式［Ｉ］で示され
   るフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする光
   学記録媒体。一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘは、２、２−ビス（トリフルオロメチ
   ル）プロポキシ基を表す。置換基Ｙ¹〜Ｙ⁴はそれぞれ独
   立に、ハロゲン原子、置換基を有して良いアルキル基、
   置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよ
   いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリールオキシ
   基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有
   しても良いアリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、スル
   ホン酸基、スルホン酸アミド基、スルホン酸エステル基
   を表わし、ｎ１〜ｎ４はＹ¹〜Ｙ⁴の置換基数で０〜３の
   整数を表す。中心金属Ｍは、ＳiまたはＡｌを表す。置
   換基Ｚは、−ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ¹Ｒ²または−ＯＰ（＝Ｏ）
   Ａｒ¹Ａｒ²を表わす。ただし、Ｒ¹、Ｒ²は置換基を有し
   ても良い直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、Ａ
   ｒ¹、Ａｒ²は置換基を有しても良いアリール基を表す。
   ｍは、置換基Ｚの個数で１または２の整数を表す。］
2. 【請求項２】 一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン
   化合物からなる請求項１記載の光学記録媒体の記録膜材
   料。
3. 【請求項３】 フタロシアニン化合物が下記式［ＩＩ］
   で示される請求項２記載の記録膜材料。式［ＩＩ］ 【化２】