JPH06326052A - Thin film formation - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いる薄膜形成法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming method used for manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】集積回路の微細化に伴い、コンタクトホ
ールは高アスペクト比となり、信頼性を確保するために
は、コンタクトホールを埋め込む技術が必要である。例
えば、２５６ＤＲＡＭのコンタクトホールは、コンタク
ト径が０．２５μｍ、絶縁膜の厚さは、１μｍ程度であ
り、アスペクト比は４程度となり、６４ＭＤＲＡＭのコ
ンタクトホールのアスペクト比の１．４倍となってい
る。高信頼性を有するコンタクトホール形成法として
は、ＣＶＤ法により、コンタクト部および絶縁膜上に、
タングステン膜を成長し、その後、Ｗエッチバックを行
うことにより、コンタクトホールを埋め込む方法がとら
れている。このＣＶＤ−Ｗの場合、拡散層、絶縁膜との
密着性の向上および拡散層との電気的に接続するため
に、Ｗ膜と拡散層の間にＴｉＮ／ＴｉＳｉｘ（チタンシ
リサイド）構造を挟む構造が必要となる。この構造は、
Ｗ膜を成長する前に、Ｔｉ（チタン）をスパッタ法によ
りコンタクトホール部に堆積し、その後、窒素雰囲気中
で、窒化することにより形成している。2. Description of the Related Art With the miniaturization of integrated circuits, contact holes have a high aspect ratio, and a technique for filling the contact holes is necessary to ensure reliability. For example, the contact hole of 256 DRAM has a contact diameter of 0.25 μm, the thickness of the insulating film is about 1 μm, and the aspect ratio is about 4, which is 1.4 times the aspect ratio of the contact hole of 64 MDRAM. . As a highly reliable contact hole forming method, a CVD method is used to form a contact hole on an insulating film.
A method of filling a contact hole by growing a tungsten film and then performing W etch back is used. In the case of this CVD-W, a structure in which a TiN / TiSix (titanium silicide) structure is sandwiched between the W film and the diffusion layer in order to improve the adhesion to the diffusion layer and the insulating film and electrically connect to the diffusion layer. Is required. This structure is
Before the W film is grown, Ti (titanium) is deposited in the contact hole portion by a sputtering method, and then nitrided in a nitrogen atmosphere.
【０００３】ＣＶＤ−Ｗ成長のためのＴｉ膜堆積は、ス
パッタ法により行われているが、高アスペクト比を有す
るコンタクトホールのコンタクト底部にＴｉ膜を堆積す
ることが困難になってきている。そのため、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法やコリメートスパッタによるＴｉ膜の堆積
が検討されている。コリメートスパッタは、Ａｒにより
スパッタされたＴｉ粒子の方向を、基板とターゲット間
にコリメータを挿入することにより制御し、コンタクト
ホール部でのＴｉ膜のステップカバレッジを改善するも
のである。The deposition of a Ti film for CVD-W growth is performed by a sputtering method, but it is becoming difficult to deposit a Ti film on the contact bottom of a contact hole having a high aspect ratio. Therefore, the deposition of the Ti film by the ECR plasma CVD method or the collimate sputtering has been studied. Collimation sputtering controls the direction of Ti particles sputtered by Ar by inserting a collimator between the substrate and the target, and improves the step coverage of the Ti film in the contact hole portion.
【０００４】また、回路の微細化に伴い、金属配線幅の
縮小が必要となっている。これに伴いエレクトロマイグ
レーション、ストレスマイグレーション等の問題が生じ
るが、ストレスマイグレーションは配線が２〜３μｍ以
下になったときに顕著となるため、特に問題となる。配
線に最も用いられるＡｌ配線に対しては、機械的強度を
有するＴｉＮ、Ｔｉ膜を用いてアルミ配線を挟んでＴｉ
Ｎ／Ａｌ／ＴｉＮのような積層構造を形成する方法、ま
たはドライエッチングにより配線を形成した後スパッタ
法によってＴｉＮ膜を被膜し、エッチバックを行い、Ａ
ｌ配線をコートする方法がとられている。また、パシベ
ーション膜として低応力の材料の膜を選択し、ストレス
マイグレーションを抑制する方法も用いられている。Further, with the miniaturization of circuits, it is necessary to reduce the width of metal wiring. Along with this, problems such as electromigration and stress migration occur, but stress migration becomes a particular problem because it becomes remarkable when the wiring becomes 2 to 3 μm or less. For Al wiring, which is most used for wiring, TiN and Ti films with mechanical strength are used to sandwich aluminum wiring and Ti.
A method of forming a laminated structure such as N / Al / TiN or a method of forming wiring by dry etching and then coating a TiN film by a sputtering method and performing etch back,
The method of coating the 1-wiring is taken. A method of suppressing stress migration by selecting a film of a low stress material as the passivation film is also used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＶＤ法によ
ってコンタクトホール底部にＴｉ膜を堆積する方法で
は、Ｔｉ膜の成長時にＴｉ膜に不純物が残存し、良質な
Ｔｉ膜を成長することが困難であるという問題があっ
た。また、コリメートスパッタ法では、スパッタの際、
ターゲットと基板の間にコリメータが挿入されているた
め、従来のスパッタ法に比べて堆積速度が低く、量産性
に乏しいという問題があった。However, in the method of depositing a Ti film on the bottom of the contact hole by the CVD method, impurities remain in the Ti film during the growth of the Ti film, and it is difficult to grow a high-quality Ti film. There was a problem. In the collimated sputtering method,
Since the collimator is inserted between the target and the substrate, there is a problem that the deposition rate is lower than that of the conventional sputtering method and the mass productivity is poor.
【０００６】また、Ａｌ配線をＴｉ膜、ＴｉＮ膜で被膜
する方法については、工程が複雑となり、且つパターン
依存性があることよりコンフォーマルな膜を被膜するこ
とが困難であった。Further, with respect to the method of coating the Al wiring with the Ti film or the TiN film, it is difficult to coat a conformal film due to the complicated process and pattern dependence.
【０００７】本発明の目的は、以上の問題を解決し高ア
スペクト比であるコンタクトホール底部にＴｉを均一に
成膜すること、およびＡｌ配線を強化するためのＴｉ系
化合物による被膜を少ない工程で確実に行えるような薄
膜形成法を提供することである。An object of the present invention is to solve the above problems and to form a uniform Ti film on the bottom of a contact hole having a high aspect ratio, and to reduce the amount of a Ti-based compound film for strengthening Al wiring. It is to provide a thin film forming method that can be reliably performed.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成法は、
第１の薄膜を基板上に堆積し、この薄膜をハロゲン系等
の還元作用を有するガスを用いて置換反応を行うことに
よって第２の薄膜を形成することを特徴とする。The thin film forming method of the present invention comprises:
The second thin film is formed by depositing the first thin film on the substrate and subjecting the thin film to a substitution reaction using a reducing gas such as a halogen-based gas.
【０００９】この方法により、第１の薄膜と反応ガスの
選択が可能となり、第２の薄膜を適宜選択することが可
能となる。また他の部分に悪影響を及ぼさずに配線ある
いはコンタクトホールにのみ選択的に反応を生じさせる
ことが、少ない工程で可能となる。さらに、この工程を
数回繰り返すことによって、微細配線に用いられる積層
構造を容易に形成することが可能となる。According to this method, the first thin film and the reaction gas can be selected, and the second thin film can be appropriately selected. In addition, it is possible to selectively cause the reaction only in the wiring or the contact hole without adversely affecting the other portions with a small number of steps. Furthermore, by repeating this process several times, it becomes possible to easily form a laminated structure used for fine wiring.
【００１０】[0010]
【実施例】（実施例１）図１（ａ）〜図１（ｄ）は、本
発明の薄膜形成法の第１実施例を示す断面図である。EXAMPLES Example 1 FIGS. 1A to 1D are sectional views showing a first example of the thin film forming method of the present invention.
【００１１】図１（ａ）に示している高アスペクト比の
コンタクトホールの構造は、基板１にｎ+ 拡散層２が形
成されており、コンタクト面として酸化膜の窓（０．２
５μｍ径）が、ＣＨＦ3 ガスによるドライエッチングに
より、開口してある。酸化膜には、ボロン，燐が添加さ
れているＢＰＳＧ膜３（１．０μｍ）を用いている。In the structure of the high-aspect-ratio contact hole shown in FIG. 1A, an n + diffusion layer 2 is formed on a substrate 1, and an oxide film window (0.2) is formed as a contact surface.
5 μm diameter) is opened by dry etching with CHF 3 gas. As the oxide film, the BPSG film 3 (1.0 μm) to which boron and phosphorus are added is used.
【００１２】まず、図１（ａ）の構造にＣＶＤ法によ
り、Ａｌ膜４を高アスペクト比のコンタクトホール底部
に２００オングストローム、ＴＩＢＡ（トリイソブチル
アルミニウム）をガスソースとして用い、成長温度２８
０℃の条件で、選択成長する（図１（ｂ））。次に、還
元作用を有するＴｉＣｌ4 ガスを用い、以下の置換反応 ４Ａｌ（ｓ）＋３ＴｉＣｌ4 （ｇ）→４ＡｌＣｌ3 （ｇ）＋３Ｔｉ（ｓ）：Δ Ｇ＝−９５．１０ｋＪ／ｍｏｌ により、Ａｌ膜４をＴｉ膜５に置き換え、Ｔｉ膜を形成
した（図１（ｃ））。その後、窒素雰囲気中で窒化を行
い、ＴｉＮ膜６／ＴｉＳｉ2 膜７構造を形成した。次
に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜８を選択成長し、コンタクト
ホール部を埋め込んだ（図１（ｄ））。First, in the structure of FIG. 1A, the Al film 4 is formed at the bottom of a contact hole having a high aspect ratio of 200 angstroms, and TIBA (triisobutylaluminum) is used as a gas source by a CVD method to grow at a growth temperature of 28.
Selective growth is performed at 0 ° C. (FIG. 1 (b)). Then, using TiCl 4 gas having a reducing action, the following substitution reaction 4Al (s) + 3TiCl 4 (g) → 4AlCl 3 (g) + 3Ti (s): Δ G = −95.10 kJ / mol 4 was replaced with a Ti film 5 to form a Ti film (FIG. 1 (c)). Then, nitriding was performed in a nitrogen atmosphere to form a TiN film 6 / TiSi 2 film 7 structure. Next, the W film 8 was selectively grown by the CVD method to fill the contact hole portion (FIG. 1D).
【００１３】本実施例では、埋め込み材料として、Ｗ膜
を用いた例を示したが、ＡｌやＣｕ（銅）を用いても良
い。In this embodiment, the W film is used as the filling material, but Al or Cu (copper) may be used.
【００１４】本実施例によれば、高アスペクト比のコン
タクトホール底部において、従来のＴｉのスパッタ法に
より、Ｔｉを堆積することが困難であった問題が、置換
反応を用いた薄膜形成法を用いることにより可能とな
る。According to the present embodiment, it is difficult to deposit Ti on the bottom of a contact hole having a high aspect ratio by the conventional Ti sputtering method. However, a thin film forming method using a substitution reaction is used. This will be possible.
【００１５】（実施例２）図２（ａ）〜図２（ｅ）は、
本発明の薄膜形成法の第２実施例を示す断面図である。(Embodiment 2) FIGS. 2 (a) to 2 (e)
It is sectional drawing which shows the 2nd Example of the thin film forming method of this invention.
【００１６】図２（ａ）に示している配線の下地は、以
下の方法で作製した。プラズマ酸化膜９を７０００オン
グストローム成長した後、スパッタ法により、ＴｉＮ膜
１０を２５０オングストローム堆積した。次にスパッタ
法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜１１を５０００オ
ングストローム堆積した。The base of the wiring shown in FIG. 2A was manufactured by the following method. After the plasma oxide film 9 was grown to 7,000 Å, the TiN film 10 was deposited to 250 Å by the sputtering method. Next, an Al-0.5% Cu alloy film 11 was deposited to 5000 angstrom by the sputtering method.
【００１７】次に、図２（ｂ）に示しているように、フ
ォトリソグラフィーによるフォトレジスト１２の形成
と、それをマスクとしたＲＩＥによりＡｌ膜１１および
ＴｉＮ膜１０のパターニングを行った。ＲＩＥガスとし
て、Ｃｌ2 とＡｒの混合ガスを用いた。その後、フォト
レジストを除去した（図２（ｃ））。この例では、線幅
０．３μｍ、スペース幅０．３５μｍでＡｌ配線を形成
した。Next, as shown in FIG. 2B, the photoresist 12 was formed by photolithography, and the Al film 11 and the TiN film 10 were patterned by RIE using the photoresist 12 as a mask. A mixed gas of Cl 2 and Ar was used as the RIE gas. Then, the photoresist was removed (FIG. 2C). In this example, the Al wiring was formed with a line width of 0.3 μm and a space width of 0.35 μm.
【００１８】次に、本発明を用いて、Ａｌ膜１１の表面
を置換反応によりＴｉ膜１３に２００オングストローム
形成した（図２（ｄ））。その後、Ｎ2 プラズマを照射
し、ＴｉＮ膜１０を（２５０オングストローム）形成
し、Ａｌ配線をＴｉＮ膜１０で被膜することができた
（図２（ｅ））。Next, using the present invention, the surface of the Al film 11 was formed into 200 angstroms on the Ti film 13 by a substitution reaction (FIG. 2 (d)). After that, irradiation with N 2 plasma was performed to form a TiN film 10 (250 Å), and the Al wiring could be coated with the TiN film 10 (FIG. 2E).
【００１９】本実施例では、Ａｌ膜をＴｉＮ膜で被膜し
たが、Ｔｉ膜で被膜することや、ＷＣｌ6 を用い、Ｗ膜
を被膜（２Ａｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝
−７０８．０ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。In this embodiment, the Al film is coated with the TiN film, but the Ti film is coated, or WCl 6 is used and the W film is coated (2Al + WCl 6 → 2AlCl 3 + W: ΔG =
-708.0 kJ / mol) is also possible.
【００２０】（実施例３）図３（ａ）〜図３（ｃ）は、
本発明の薄膜形成法の第３実施例を示す断面図である。(Embodiment 3) FIGS. 3 (a) to 3 (c) show
It is sectional drawing which shows the 3rd Example of the thin film forming method of this invention.
【００２１】図３（ａ）に示すビアホールの構造は、Ｃ
ｕ膜１４配線上に酸化膜１５（０．６μｍ）が堆積して
あり、酸化膜にはＣＨＦ3 ガスによるドライエッチング
により、窓（０．６μｍ径）を開口してある。酸化膜に
は、プラズマ酸化膜を用いている。The structure of the via hole shown in FIG. 3A is C
An oxide film 15 (0.6 μm) is deposited on the wiring of the u film 14, and a window (0.6 μm diameter) is opened in the oxide film by dry etching with CHF 3 gas. A plasma oxide film is used as the oxide film.
【００２２】まず、開口されているビアホールに、スパ
ッタ法により、ＴｉＮ膜１６を１０００オングストロー
ム堆積する。次に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜１７を全面に
３０００オングストローム成長し、ビアホールを埋める
（図３（ｂ））。First, a TiN film 16 of 1000 angstrom is deposited in the opened via hole by a sputtering method. Next, the W film 17 is grown to 3000 angstroms on the entire surface by the CVD method to fill the via hole (FIG. 3B).
【００２３】次に、本発明の薄膜形成法により、還元作
用を有するＣｕＣｌガスを用い、以下の置換反応 ６ＣｕＣｌ（ｇ）＋Ｗ（ｓ）→６Ｃｕ（ｓ）＋ＷＣｌ6 （ｇ）：ΔＧ＝−８１ ０．７２ｋＪ／ｍｏｌ により、Ｗ膜表面を３０００オングストロームＣｕ膜１
４に置き換え、ＰＲ工程を行うことにより、Ｗプラグの
ビアホールとＣｕ配線を完成した（図３（ｃ））。Next, according to the thin film forming method of the present invention, the following substitution reaction 6CuCl (g) + W (s) → 6Cu (s) + WCl 6 (g): ΔG = −81 is used by using CuCl gas having a reducing action. With 0.72 kJ / mol, the W film surface is 3000 angstrom Cu film 1
4 and a PR process was performed to complete the via hole of the W plug and the Cu wiring (FIG. 3C).
【００２４】（実施例４）図４（ａ）〜図４（ｄ）は、
本発明の薄膜形成法の第４実施例を示す断面図である。(Embodiment 4) FIGS. 4 (a) to 4 (d) show
It is sectional drawing which shows 4th Example of the thin film forming method of this invention.
【００２５】図４（ａ）に示している、配線の下地は、
以下の方法で作製した。プラズマ酸化膜１８を７０００
オングストローム成長した後、スパッタ法により、Ｔｉ
Ｎ膜１９を２５０オングストローム堆積した。次に、ス
パッタ法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５
００オングストローム堆積した。The base of the wiring shown in FIG.
It was produced by the following method. Plasma oxide film 18 to 7000
After angstrom growth, Ti is sputtered
An N film 19 was deposited to 250 angstrom. Next, the Al-0.5% Cu alloy film 20 is formed into 25 by a sputtering method.
00 Angstrom deposited.
【００２６】次に、本発明により、還元作用を有するＴ
ｉＣｌ4 ガスを用いて、Ａｌ膜２０の表面を置換反応に
より、Ｔｉ膜２１に２００オングストローム形成した
（図４（ｂ））。その後、スパッタ法により、Ａｌ−
０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５００オングストローム形
成した（図４（ｃ））。次に、同様の工程を繰り返し、
置換反応により、Ａｌ膜表面にＴｉ膜２１を２００オン
グストローム形成し、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ
の積層配線を形成できた（図４（ｄ））。Next, according to the present invention, T having a reducing action
The surface of the Al film 20 was subjected to a substitution reaction using iCl 4 gas to form 200 angstroms on the Ti film 21 (FIG. 4B). After that, the Al-
A 0.5% Cu alloy film 20 having a thickness of 2500 angstrom was formed (FIG. 4C). Then repeat the same steps,
By the substitution reaction, a Ti film 21 of 200 angstrom is formed on the surface of the Al film, and Ti / Al / Ti / Al / TiN is formed.
It was possible to form the laminated wiring (FIG. 4D).
【００２７】本実施例では、Ａｌ膜をＴｉ膜に置換した
が、ＷＣｌ6 ガスを用いて、Ａｌ膜をＷ膜に置換（２Ａ
ｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝−７０８．０
ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。In this embodiment, the Al film was replaced with the Ti film, but the W film was replaced with the W film by using WCl 6 gas (2 A).
l + WCl 6 → 2AlCl 3 + W: ΔG = −708.0
kJ / mol) is also possible.
【００２８】また、配線材料として、ＡｌＣｕを用いた
が、その代わりにＡｌ，Ａｌ合金，Ｃｕ，Ｗを用いても
良い。Although AlCu is used as the wiring material, Al, Al alloy, Cu or W may be used instead.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の置換反応
を用いた薄膜形成法により、従来の技術では困難であっ
た高アスペクト比のコンタクトホール部に対してＴｉ膜
の形成ができ、コンタクトホール部でのコンタクト抵抗
の低抵抗化やリーク電流の低減が可能となり、コンタク
ト部での信頼性が向上する。また、配線のストレスマイ
グレーションの低減対策としての積層配線、配線被膜
を、少ない工程で容易に形成でき、微細配線の信頼性が
向上する。As described above, according to the thin film forming method using the substitution reaction of the present invention, it is possible to form a Ti film in a contact hole portion having a high aspect ratio, which has been difficult in the prior art, so that a contact can be formed. The contact resistance in the hole portion can be reduced and the leak current can be reduced, and the reliability in the contact portion can be improved. In addition, the laminated wiring and the wiring coating can be easily formed in a small number of steps as a measure for reducing the stress migration of the wiring, and the reliability of the fine wiring is improved.
【図１】第１実施例の薄膜形成法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a thin film forming method of a first embodiment.
【図２】第２実施例の薄膜形成法を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a thin film forming method of a second embodiment.
【図３】第３実施例の薄膜形成法を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a thin film forming method of a third embodiment.
【図４】第４実施例の薄膜形成法を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a thin film forming method of a fourth embodiment.
１ 基板 ２ ｎ+ 拡散層 ３ ＢＰＳＧ ４ アルミニウム（Ａｌ）膜 ５，１３，２１ チタン（Ｔｉ）膜 ６，１０，１６，１９ 窒化チタン（ＴｉＮ）膜 ７ チタンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）膜 ８，１７ タングステン（Ｗ）膜 ９，１５，１８ プラズマ酸化膜 １１，２０ Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜 １２ フォトレジスト １４ 銅（Ｃｕ）膜1 Substrate 2 n + Diffusion Layer 3 BPSG 4 Aluminum (Al) Film 5, 13, 21 Titanium (Ti) Film 6, 10, 16, 19 Titanium Nitride (TiN) Film 7 Titanium Silicide (TiSi 2 ) Film 8, 17 Tungsten (W) film 9,15,18 Plasma oxide film 11,20 Al-0.5% Cu alloy film 12 Photoresist 14 Copper (Cu) film
Claims (5)
記第１の薄膜を還元作用を有するガスを用いて置換反応
をすることによって第２の薄膜を形成する工程とを含む
薄膜形成法。1. A thin film comprising: a step of depositing a first thin film on a substrate; and a step of forming a second thin film by subjecting the first thin film to a substitution reaction using a gas having a reducing action. Forming method.
記第１の薄膜を還元作用を有するガスを用いて置換反応
をさせることによって第２の薄膜を形成する工程と、前
記第２の薄膜上に、前記第１の薄膜を堆積する第３の工
程と、前記第２の工程と前記第３の工程とを複数回繰り
返す工程とを含む薄膜形成法。2. A step of depositing a first thin film on a substrate; a step of forming a second thin film by subjecting the first thin film to a substitution reaction using a gas having a reducing action; A thin film forming method comprising: a third step of depositing the first thin film on the second thin film; and a step of repeating the second step and the third step a plurality of times.
積する工程と、前記第１の薄膜を還元作用を有するガス
を用いた置換反応によって第２の薄膜に置換する工程と
を含む薄膜形成法。3. A thin film formation including a step of depositing a first thin film on a bottom portion of a contact hole, and a step of replacing the first thin film with a second thin film by a substitution reaction using a gas having a reducing action. Law.
の表面を還元作用を有するガスを用いた置換反応によっ
て置換し、前記配線に被膜を形成する工程とを含む薄膜
形成法。4. A thin film forming method comprising the steps of forming wiring on a substrate and substituting the surface of the wiring by a substitution reaction using a gas having a reducing action to form a film on the wiring.
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の薄膜形成法。5. The thin film forming method according to claim 1, wherein the gas having a reducing action is a halogen gas.
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|---|---|---|---|
| JP5112560A JP3012428B2 (en) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Thin film formation method |
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|---|---|---|---|
| JP5112560A JP3012428B2 (en) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Thin film formation method |
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| JPH06326052A true JPH06326052A (en) | 1994-11-25 |
| JP3012428B2 JP3012428B2 (en) | 2000-02-21 |
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| JP (1) | JP3012428B2 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304928A (en) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | Forming method of wiring |
| JPH03285331A (en) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Hitachi Ltd | Formation of thin film and manufacture of semiconductor device |
| JPH0464224A (en) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPH0485824A (en) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | Formation of thin tungsten film and manufacture of semiconductor device |
| JPH04252051A (en) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH04348519A (en) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5112560A patent/JP3012428B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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