JPH06326052A - 薄膜形成法 - Google Patents
薄膜形成法Info
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- JPH06326052A JPH06326052A JP11256093A JP11256093A JPH06326052A JP H06326052 A JPH06326052 A JP H06326052A JP 11256093 A JP11256093 A JP 11256093A JP 11256093 A JP11256093 A JP 11256093A JP H06326052 A JPH06326052 A JP H06326052A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 36
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 2
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008486 TiSix Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 還元作用を有するガスを用いた置換反応によ
り、高アスペクト比コンタクトホール底部でのチタン膜
の形成を実現する。 【構成】 基板１にｎ+ 拡散層２が形成されており、酸
化膜の窓が、ドライエッチングにより、開口してある。
ＣＶＤ法により、Ａｌ膜４をコンタクトホール底部に選
択成長する。ここで、ＴｉＣｌ4 ガスを用い、Ａｌ膜を
Ｔｉ膜５に置き換え、Ｔｉ膜を形成する。その後、窒素
雰囲気中で窒化を行い、ＴｉＮ膜６／ＴｉＳｉ2 膜７構
造を形成した後、ＣＶＤ法により、Ｗ膜８を選択成長
し、コンタクトホール部を埋め込む。
り、高アスペクト比コンタクトホール底部でのチタン膜
の形成を実現する。 【構成】 基板１にｎ+ 拡散層２が形成されており、酸
化膜の窓が、ドライエッチングにより、開口してある。
ＣＶＤ法により、Ａｌ膜４をコンタクトホール底部に選
択成長する。ここで、ＴｉＣｌ4 ガスを用い、Ａｌ膜を
Ｔｉ膜５に置き換え、Ｔｉ膜を形成する。その後、窒素
雰囲気中で窒化を行い、ＴｉＮ膜６／ＴｉＳｉ2 膜７構
造を形成した後、ＣＶＤ法により、Ｗ膜８を選択成長
し、コンタクトホール部を埋め込む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いる薄膜形成法に関するものである。
いる薄膜形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の微細化に伴い、コンタクトホ
ールは高アスペクト比となり、信頼性を確保するために
は、コンタクトホールを埋め込む技術が必要である。例
えば、２５６ＤＲＡＭのコンタクトホールは、コンタク
ト径が０．２５μｍ、絶縁膜の厚さは、１μｍ程度であ
り、アスペクト比は４程度となり、６４ＭＤＲＡＭのコ
ンタクトホールのアスペクト比の１．４倍となってい
る。高信頼性を有するコンタクトホール形成法として
は、ＣＶＤ法により、コンタクト部および絶縁膜上に、
タングステン膜を成長し、その後、Ｗエッチバックを行
うことにより、コンタクトホールを埋め込む方法がとら
れている。このＣＶＤ−Ｗの場合、拡散層、絶縁膜との
密着性の向上および拡散層との電気的に接続するため
に、Ｗ膜と拡散層の間にＴｉＮ／ＴｉＳｉｘ（チタンシ
リサイド）構造を挟む構造が必要となる。この構造は、
Ｗ膜を成長する前に、Ｔｉ（チタン）をスパッタ法によ
りコンタクトホール部に堆積し、その後、窒素雰囲気中
で、窒化することにより形成している。
ールは高アスペクト比となり、信頼性を確保するために
は、コンタクトホールを埋め込む技術が必要である。例
えば、２５６ＤＲＡＭのコンタクトホールは、コンタク
ト径が０．２５μｍ、絶縁膜の厚さは、１μｍ程度であ
り、アスペクト比は４程度となり、６４ＭＤＲＡＭのコ
ンタクトホールのアスペクト比の１．４倍となってい
る。高信頼性を有するコンタクトホール形成法として
は、ＣＶＤ法により、コンタクト部および絶縁膜上に、
タングステン膜を成長し、その後、Ｗエッチバックを行
うことにより、コンタクトホールを埋め込む方法がとら
れている。このＣＶＤ−Ｗの場合、拡散層、絶縁膜との
密着性の向上および拡散層との電気的に接続するため
に、Ｗ膜と拡散層の間にＴｉＮ／ＴｉＳｉｘ（チタンシ
リサイド）構造を挟む構造が必要となる。この構造は、
Ｗ膜を成長する前に、Ｔｉ（チタン）をスパッタ法によ
りコンタクトホール部に堆積し、その後、窒素雰囲気中
で、窒化することにより形成している。
【０００３】ＣＶＤ−Ｗ成長のためのＴｉ膜堆積は、ス
パッタ法により行われているが、高アスペクト比を有す
るコンタクトホールのコンタクト底部にＴｉ膜を堆積す
ることが困難になってきている。そのため、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法やコリメートスパッタによるＴｉ膜の堆積
が検討されている。コリメートスパッタは、Ａｒにより
スパッタされたＴｉ粒子の方向を、基板とターゲット間
にコリメータを挿入することにより制御し、コンタクト
ホール部でのＴｉ膜のステップカバレッジを改善するも
のである。
パッタ法により行われているが、高アスペクト比を有す
るコンタクトホールのコンタクト底部にＴｉ膜を堆積す
ることが困難になってきている。そのため、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法やコリメートスパッタによるＴｉ膜の堆積
が検討されている。コリメートスパッタは、Ａｒにより
スパッタされたＴｉ粒子の方向を、基板とターゲット間
にコリメータを挿入することにより制御し、コンタクト
ホール部でのＴｉ膜のステップカバレッジを改善するも
のである。
【０００４】また、回路の微細化に伴い、金属配線幅の
縮小が必要となっている。これに伴いエレクトロマイグ
レーション、ストレスマイグレーション等の問題が生じ
るが、ストレスマイグレーションは配線が２〜３μｍ以
下になったときに顕著となるため、特に問題となる。配
線に最も用いられるＡｌ配線に対しては、機械的強度を
有するＴｉＮ、Ｔｉ膜を用いてアルミ配線を挟んでＴｉ
Ｎ／Ａｌ／ＴｉＮのような積層構造を形成する方法、ま
たはドライエッチングにより配線を形成した後スパッタ
法によってＴｉＮ膜を被膜し、エッチバックを行い、Ａ
ｌ配線をコートする方法がとられている。また、パシベ
ーション膜として低応力の材料の膜を選択し、ストレス
マイグレーションを抑制する方法も用いられている。
縮小が必要となっている。これに伴いエレクトロマイグ
レーション、ストレスマイグレーション等の問題が生じ
るが、ストレスマイグレーションは配線が２〜３μｍ以
下になったときに顕著となるため、特に問題となる。配
線に最も用いられるＡｌ配線に対しては、機械的強度を
有するＴｉＮ、Ｔｉ膜を用いてアルミ配線を挟んでＴｉ
Ｎ／Ａｌ／ＴｉＮのような積層構造を形成する方法、ま
たはドライエッチングにより配線を形成した後スパッタ
法によってＴｉＮ膜を被膜し、エッチバックを行い、Ａ
ｌ配線をコートする方法がとられている。また、パシベ
ーション膜として低応力の材料の膜を選択し、ストレス
マイグレーションを抑制する方法も用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＶＤ法によ
ってコンタクトホール底部にＴｉ膜を堆積する方法で
は、Ｔｉ膜の成長時にＴｉ膜に不純物が残存し、良質な
Ｔｉ膜を成長することが困難であるという問題があっ
た。また、コリメートスパッタ法では、スパッタの際、
ターゲットと基板の間にコリメータが挿入されているた
め、従来のスパッタ法に比べて堆積速度が低く、量産性
に乏しいという問題があった。
ってコンタクトホール底部にＴｉ膜を堆積する方法で
は、Ｔｉ膜の成長時にＴｉ膜に不純物が残存し、良質な
Ｔｉ膜を成長することが困難であるという問題があっ
た。また、コリメートスパッタ法では、スパッタの際、
ターゲットと基板の間にコリメータが挿入されているた
め、従来のスパッタ法に比べて堆積速度が低く、量産性
に乏しいという問題があった。
【０００６】また、Ａｌ配線をＴｉ膜、ＴｉＮ膜で被膜
する方法については、工程が複雑となり、且つパターン
依存性があることよりコンフォーマルな膜を被膜するこ
とが困難であった。
する方法については、工程が複雑となり、且つパターン
依存性があることよりコンフォーマルな膜を被膜するこ
とが困難であった。
【０００７】本発明の目的は、以上の問題を解決し高ア
スペクト比であるコンタクトホール底部にＴｉを均一に
成膜すること、およびＡｌ配線を強化するためのＴｉ系
化合物による被膜を少ない工程で確実に行えるような薄
膜形成法を提供することである。
スペクト比であるコンタクトホール底部にＴｉを均一に
成膜すること、およびＡｌ配線を強化するためのＴｉ系
化合物による被膜を少ない工程で確実に行えるような薄
膜形成法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成法は、
第１の薄膜を基板上に堆積し、この薄膜をハロゲン系等
の還元作用を有するガスを用いて置換反応を行うことに
よって第２の薄膜を形成することを特徴とする。
第１の薄膜を基板上に堆積し、この薄膜をハロゲン系等
の還元作用を有するガスを用いて置換反応を行うことに
よって第２の薄膜を形成することを特徴とする。
【０００９】この方法により、第１の薄膜と反応ガスの
選択が可能となり、第２の薄膜を適宜選択することが可
能となる。また他の部分に悪影響を及ぼさずに配線ある
いはコンタクトホールにのみ選択的に反応を生じさせる
ことが、少ない工程で可能となる。さらに、この工程を
数回繰り返すことによって、微細配線に用いられる積層
構造を容易に形成することが可能となる。
選択が可能となり、第２の薄膜を適宜選択することが可
能となる。また他の部分に悪影響を及ぼさずに配線ある
いはコンタクトホールにのみ選択的に反応を生じさせる
ことが、少ない工程で可能となる。さらに、この工程を
数回繰り返すことによって、微細配線に用いられる積層
構造を容易に形成することが可能となる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）図１（ａ）〜図１（ｄ）は、本
発明の薄膜形成法の第１実施例を示す断面図である。
発明の薄膜形成法の第１実施例を示す断面図である。
【００１１】図１（ａ）に示している高アスペクト比の
コンタクトホールの構造は、基板１にｎ+ 拡散層２が形
成されており、コンタクト面として酸化膜の窓（０．２
５μｍ径）が、ＣＨＦ3 ガスによるドライエッチングに
より、開口してある。酸化膜には、ボロン，燐が添加さ
れているＢＰＳＧ膜３（１．０μｍ）を用いている。
コンタクトホールの構造は、基板１にｎ+ 拡散層２が形
成されており、コンタクト面として酸化膜の窓（０．２
５μｍ径）が、ＣＨＦ3 ガスによるドライエッチングに
より、開口してある。酸化膜には、ボロン，燐が添加さ
れているＢＰＳＧ膜３（１．０μｍ）を用いている。
【００１２】まず、図１（ａ）の構造にＣＶＤ法によ
り、Ａｌ膜４を高アスペクト比のコンタクトホール底部
に２００オングストローム、ＴＩＢＡ（トリイソブチル
アルミニウム）をガスソースとして用い、成長温度２８
０℃の条件で、選択成長する（図１（ｂ））。次に、還
元作用を有するＴｉＣｌ4 ガスを用い、以下の置換反応 ４Ａｌ（ｓ）＋３ＴｉＣｌ4 （ｇ）→４ＡｌＣｌ3 （ｇ）＋３Ｔｉ（ｓ）：Δ Ｇ＝−９５．１０ｋＪ／ｍｏｌ により、Ａｌ膜４をＴｉ膜５に置き換え、Ｔｉ膜を形成
した（図１（ｃ））。その後、窒素雰囲気中で窒化を行
い、ＴｉＮ膜６／ＴｉＳｉ2 膜７構造を形成した。次
に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜８を選択成長し、コンタクト
ホール部を埋め込んだ（図１（ｄ））。
り、Ａｌ膜４を高アスペクト比のコンタクトホール底部
に２００オングストローム、ＴＩＢＡ（トリイソブチル
アルミニウム）をガスソースとして用い、成長温度２８
０℃の条件で、選択成長する（図１（ｂ））。次に、還
元作用を有するＴｉＣｌ4 ガスを用い、以下の置換反応 ４Ａｌ（ｓ）＋３ＴｉＣｌ4 （ｇ）→４ＡｌＣｌ3 （ｇ）＋３Ｔｉ（ｓ）：Δ Ｇ＝−９５．１０ｋＪ／ｍｏｌ により、Ａｌ膜４をＴｉ膜５に置き換え、Ｔｉ膜を形成
した（図１（ｃ））。その後、窒素雰囲気中で窒化を行
い、ＴｉＮ膜６／ＴｉＳｉ2 膜７構造を形成した。次
に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜８を選択成長し、コンタクト
ホール部を埋め込んだ（図１（ｄ））。
【００１３】本実施例では、埋め込み材料として、Ｗ膜
を用いた例を示したが、ＡｌやＣｕ（銅）を用いても良
い。
を用いた例を示したが、ＡｌやＣｕ（銅）を用いても良
い。
【００１４】本実施例によれば、高アスペクト比のコン
タクトホール底部において、従来のＴｉのスパッタ法に
より、Ｔｉを堆積することが困難であった問題が、置換
反応を用いた薄膜形成法を用いることにより可能とな
る。
タクトホール底部において、従来のＴｉのスパッタ法に
より、Ｔｉを堆積することが困難であった問題が、置換
反応を用いた薄膜形成法を用いることにより可能とな
る。
【００１５】（実施例２）図２（ａ）〜図２（ｅ）は、
本発明の薄膜形成法の第２実施例を示す断面図である。
本発明の薄膜形成法の第２実施例を示す断面図である。
【００１６】図２（ａ）に示している配線の下地は、以
下の方法で作製した。プラズマ酸化膜９を７０００オン
グストローム成長した後、スパッタ法により、ＴｉＮ膜
１０を２５０オングストローム堆積した。次にスパッタ
法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜１１を５０００オ
ングストローム堆積した。
下の方法で作製した。プラズマ酸化膜９を７０００オン
グストローム成長した後、スパッタ法により、ＴｉＮ膜
１０を２５０オングストローム堆積した。次にスパッタ
法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜１１を５０００オ
ングストローム堆積した。
【００１７】次に、図２（ｂ）に示しているように、フ
ォトリソグラフィーによるフォトレジスト１２の形成
と、それをマスクとしたＲＩＥによりＡｌ膜１１および
ＴｉＮ膜１０のパターニングを行った。ＲＩＥガスとし
て、Ｃｌ2 とＡｒの混合ガスを用いた。その後、フォト
レジストを除去した（図２（ｃ））。この例では、線幅
０．３μｍ、スペース幅０．３５μｍでＡｌ配線を形成
した。
ォトリソグラフィーによるフォトレジスト１２の形成
と、それをマスクとしたＲＩＥによりＡｌ膜１１および
ＴｉＮ膜１０のパターニングを行った。ＲＩＥガスとし
て、Ｃｌ2 とＡｒの混合ガスを用いた。その後、フォト
レジストを除去した（図２（ｃ））。この例では、線幅
０．３μｍ、スペース幅０．３５μｍでＡｌ配線を形成
した。
【００１８】次に、本発明を用いて、Ａｌ膜１１の表面
を置換反応によりＴｉ膜１３に２００オングストローム
形成した（図２（ｄ））。その後、Ｎ2 プラズマを照射
し、ＴｉＮ膜１０を（２５０オングストローム）形成
し、Ａｌ配線をＴｉＮ膜１０で被膜することができた
（図２（ｅ））。
を置換反応によりＴｉ膜１３に２００オングストローム
形成した（図２（ｄ））。その後、Ｎ2 プラズマを照射
し、ＴｉＮ膜１０を（２５０オングストローム）形成
し、Ａｌ配線をＴｉＮ膜１０で被膜することができた
（図２（ｅ））。
【００１９】本実施例では、Ａｌ膜をＴｉＮ膜で被膜し
たが、Ｔｉ膜で被膜することや、ＷＣｌ6 を用い、Ｗ膜
を被膜（２Ａｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝
−７０８．０ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。
たが、Ｔｉ膜で被膜することや、ＷＣｌ6 を用い、Ｗ膜
を被膜（２Ａｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝
−７０８．０ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。
【００２０】（実施例３）図３（ａ）〜図３（ｃ）は、
本発明の薄膜形成法の第３実施例を示す断面図である。
本発明の薄膜形成法の第３実施例を示す断面図である。
【００２１】図３（ａ）に示すビアホールの構造は、Ｃ
ｕ膜１４配線上に酸化膜１５（０．６μｍ）が堆積して
あり、酸化膜にはＣＨＦ3 ガスによるドライエッチング
により、窓（０．６μｍ径）を開口してある。酸化膜に
は、プラズマ酸化膜を用いている。
ｕ膜１４配線上に酸化膜１５（０．６μｍ）が堆積して
あり、酸化膜にはＣＨＦ3 ガスによるドライエッチング
により、窓（０．６μｍ径）を開口してある。酸化膜に
は、プラズマ酸化膜を用いている。
【００２２】まず、開口されているビアホールに、スパ
ッタ法により、ＴｉＮ膜１６を１０００オングストロー
ム堆積する。次に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜１７を全面に
３０００オングストローム成長し、ビアホールを埋める
（図３（ｂ））。
ッタ法により、ＴｉＮ膜１６を１０００オングストロー
ム堆積する。次に、ＣＶＤ法により、Ｗ膜１７を全面に
３０００オングストローム成長し、ビアホールを埋める
（図３（ｂ））。
【００２３】次に、本発明の薄膜形成法により、還元作
用を有するＣｕＣｌガスを用い、以下の置換反応 ６ＣｕＣｌ（ｇ）＋Ｗ（ｓ）→６Ｃｕ（ｓ）＋ＷＣｌ6 （ｇ）：ΔＧ＝−８１ ０．７２ｋＪ／ｍｏｌ により、Ｗ膜表面を３０００オングストロームＣｕ膜１
４に置き換え、ＰＲ工程を行うことにより、Ｗプラグの
ビアホールとＣｕ配線を完成した（図３（ｃ））。
用を有するＣｕＣｌガスを用い、以下の置換反応 ６ＣｕＣｌ（ｇ）＋Ｗ（ｓ）→６Ｃｕ（ｓ）＋ＷＣｌ6 （ｇ）：ΔＧ＝−８１ ０．７２ｋＪ／ｍｏｌ により、Ｗ膜表面を３０００オングストロームＣｕ膜１
４に置き換え、ＰＲ工程を行うことにより、Ｗプラグの
ビアホールとＣｕ配線を完成した（図３（ｃ））。
【００２４】（実施例４）図４（ａ）〜図４（ｄ）は、
本発明の薄膜形成法の第４実施例を示す断面図である。
本発明の薄膜形成法の第４実施例を示す断面図である。
【００２５】図４（ａ）に示している、配線の下地は、
以下の方法で作製した。プラズマ酸化膜１８を７０００
オングストローム成長した後、スパッタ法により、Ｔｉ
Ｎ膜１９を２５０オングストローム堆積した。次に、ス
パッタ法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５
００オングストローム堆積した。
以下の方法で作製した。プラズマ酸化膜１８を７０００
オングストローム成長した後、スパッタ法により、Ｔｉ
Ｎ膜１９を２５０オングストローム堆積した。次に、ス
パッタ法により、Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５
００オングストローム堆積した。
【００２６】次に、本発明により、還元作用を有するＴ
ｉＣｌ4 ガスを用いて、Ａｌ膜２０の表面を置換反応に
より、Ｔｉ膜２１に２００オングストローム形成した
（図４（ｂ））。その後、スパッタ法により、Ａｌ−
０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５００オングストローム形
成した（図４（ｃ））。次に、同様の工程を繰り返し、
置換反応により、Ａｌ膜表面にＴｉ膜２１を２００オン
グストローム形成し、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ
の積層配線を形成できた（図４（ｄ））。
ｉＣｌ4 ガスを用いて、Ａｌ膜２０の表面を置換反応に
より、Ｔｉ膜２１に２００オングストローム形成した
（図４（ｂ））。その後、スパッタ法により、Ａｌ−
０．５％Ｃｕ合金膜２０を２５００オングストローム形
成した（図４（ｃ））。次に、同様の工程を繰り返し、
置換反応により、Ａｌ膜表面にＴｉ膜２１を２００オン
グストローム形成し、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ
の積層配線を形成できた（図４（ｄ））。
【００２７】本実施例では、Ａｌ膜をＴｉ膜に置換した
が、ＷＣｌ6 ガスを用いて、Ａｌ膜をＷ膜に置換（２Ａ
ｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝−７０８．０
ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。
が、ＷＣｌ6 ガスを用いて、Ａｌ膜をＷ膜に置換（２Ａ
ｌ＋ＷＣｌ6 →２ＡｌＣｌ3 ＋Ｗ：ΔＧ＝−７０８．０
ｋＪ／ｍｏｌ）することも可能である。
【００２８】また、配線材料として、ＡｌＣｕを用いた
が、その代わりにＡｌ，Ａｌ合金，Ｃｕ，Ｗを用いても
良い。
が、その代わりにＡｌ，Ａｌ合金，Ｃｕ，Ｗを用いても
良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の置換反応
を用いた薄膜形成法により、従来の技術では困難であっ
た高アスペクト比のコンタクトホール部に対してＴｉ膜
の形成ができ、コンタクトホール部でのコンタクト抵抗
の低抵抗化やリーク電流の低減が可能となり、コンタク
ト部での信頼性が向上する。また、配線のストレスマイ
グレーションの低減対策としての積層配線、配線被膜
を、少ない工程で容易に形成でき、微細配線の信頼性が
向上する。
を用いた薄膜形成法により、従来の技術では困難であっ
た高アスペクト比のコンタクトホール部に対してＴｉ膜
の形成ができ、コンタクトホール部でのコンタクト抵抗
の低抵抗化やリーク電流の低減が可能となり、コンタク
ト部での信頼性が向上する。また、配線のストレスマイ
グレーションの低減対策としての積層配線、配線被膜
を、少ない工程で容易に形成でき、微細配線の信頼性が
向上する。
【図１】第１実施例の薄膜形成法を示す断面図である。
【図２】第２実施例の薄膜形成法を示す断面図である。
【図３】第３実施例の薄膜形成法を示す断面図である。
【図４】第４実施例の薄膜形成法を示す断面図である。
１ 基板 ２ ｎ+ 拡散層 ３ ＢＰＳＧ ４ アルミニウム（Ａｌ）膜 ５，１３，２１ チタン（Ｔｉ）膜 ６，１０，１６，１９ 窒化チタン（ＴｉＮ）膜 ７ チタンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）膜 ８，１７ タングステン（Ｗ）膜 ９，１５，１８ プラズマ酸化膜 １１，２０ Ａｌ−０．５％Ｃｕ合金膜 １２ フォトレジスト １４ 銅（Ｃｕ）膜
Claims (5)
- 【請求項１】第１の薄膜を基板上に堆積する工程と、前
記第１の薄膜を還元作用を有するガスを用いて置換反応
をすることによって第２の薄膜を形成する工程とを含む
薄膜形成法。 - 【請求項２】第１の薄膜を基板上に堆積する工程と、前
記第１の薄膜を還元作用を有するガスを用いて置換反応
をさせることによって第２の薄膜を形成する工程と、前
記第２の薄膜上に、前記第１の薄膜を堆積する第３の工
程と、前記第２の工程と前記第３の工程とを複数回繰り
返す工程とを含む薄膜形成法。 - 【請求項３】コンタクトホールの底部に第１の薄膜を堆
積する工程と、前記第１の薄膜を還元作用を有するガス
を用いた置換反応によって第２の薄膜に置換する工程と
を含む薄膜形成法。 - 【請求項４】配線を基板上に形成する工程と、前記配線
の表面を還元作用を有するガスを用いた置換反応によっ
て置換し、前記配線に被膜を形成する工程とを含む薄膜
形成法。 - 【請求項５】還元作用を有する前記ガスがハロゲンガス
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112560A JP3012428B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5112560A JP3012428B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326052A true JPH06326052A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3012428B2 JP3012428B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=14589737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5112560A Expired - Fee Related JP3012428B2 (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012428B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304928A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 配線の形成方法 |
| JPH03285331A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPH0464224A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
| JPH0485824A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | タングステン薄膜の形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JPH04252051A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04348519A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5112560A patent/JP3012428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304928A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 配線の形成方法 |
| JPH03285331A (ja) * | 1990-04-02 | 1991-12-16 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JPH0464224A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
| JPH0485824A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | タングステン薄膜の形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JPH04252051A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04348519A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012428B2 (ja) | 2000-02-21 |
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