JPH06338085A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06338085A JPH06338085A JP12627693A JP12627693A JPH06338085A JP H06338085 A JPH06338085 A JP H06338085A JP 12627693 A JP12627693 A JP 12627693A JP 12627693 A JP12627693 A JP 12627693A JP H06338085 A JPH06338085 A JP H06338085A
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- magneto
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 消し残り特性が改善され、磁界変調記録にお
いて良好なオーバーライト特性を得ることができ、充分
な消去比を得ることのできる、信頼性の高い光磁気記録
媒体を提供する。 【構成】 金属反射層が、ランド部とグルーブ部で異な
り、且つランド部膜厚とグルーブ部膜厚との大小関係
が、 グルーブ部膜厚（ｈGROOVE）＞ランド部膜厚（ｈLAND）
又は、（グルーブ部膜厚）／（ランドブ部膜厚）≧１．
２ となるよう、更に第２無機誘電体層は逆に、 ランド部膜厚（ｈLAND）＞グルーブ部膜厚（ｈGROOVE）
又は、０≦Ｘ≦３０、Ｙ−Ｘ≧１５（ｎｍ） （Ｘはグルーブ部の、Ｙはランド部の膜厚ｎｍ）となる
ようにディスクを作成しランド部（小）とグルーブ部
（大）として光感度の差を設けることにより、目的とす
る消し残り特性が改善された、オーバーライト特性の良
好な、信頼性の高い光磁気記録媒体が提供される。
いて良好なオーバーライト特性を得ることができ、充分
な消去比を得ることのできる、信頼性の高い光磁気記録
媒体を提供する。 【構成】 金属反射層が、ランド部とグルーブ部で異な
り、且つランド部膜厚とグルーブ部膜厚との大小関係
が、 グルーブ部膜厚（ｈGROOVE）＞ランド部膜厚（ｈLAND）
又は、（グルーブ部膜厚）／（ランドブ部膜厚）≧１．
２ となるよう、更に第２無機誘電体層は逆に、 ランド部膜厚（ｈLAND）＞グルーブ部膜厚（ｈGROOVE）
又は、０≦Ｘ≦３０、Ｙ−Ｘ≧１５（ｎｍ） （Ｘはグルーブ部の、Ｙはランド部の膜厚ｎｍ）となる
ようにディスクを作成しランド部（小）とグルーブ部
（大）として光感度の差を設けることにより、目的とす
る消し残り特性が改善された、オーバーライト特性の良
好な、信頼性の高い光磁気記録媒体が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置等
に用いられ、磁気カー効果或いはファラデー効果等の磁
気光学効果によって記録された情報を読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関する。
に用いられ、磁気カー効果或いはファラデー効果等の磁
気光学効果によって記録された情報を読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方法は、光と磁性体とを用い
て記録再生を行うため、磁気記録が有する不揮発性及び
書き換え可能性と、光記録の有する高密度記録性の双方
の優れた特性を兼ね備えており、その実用化が望まれて
いた。近年、光磁気記録方式で用いられる記録媒体とし
て、非晶質希土類遷移金属合金薄膜からなる磁性層を有
するディスク状の光磁気記録媒体が実用化され、例えば
大容量のデータファイルの記憶等に利用され始めてい
る。これらの光磁気記録媒体への記録は、ＣＡＶ（一定
回転数）方式で行われるのが一般的である。ＣＡＶ方式
の場合、媒体の回転数が一定であるため、記録マーク長
がディスク状の媒体の内周部分と外周部分とで異なるこ
とになり、そのため記録容量の大容量化に限界が生じて
いた。そこで、さらなる大容量化を可能にする記録方式
として、一定のマーク長で記録するＭ−ＣＡＶ（Modifi
ed CAV）方式が案出されている。この方式は、ディスク
状の光磁気記録媒体の内周と外周とで、線速度が異なる
ので記録周波数を変えて、記録マーク長を一定にする方
式である。この他更に記録されたピットの端部に０，１
の情報を対応付けるピットエッジ記録方式も提案されて
いる。
て記録再生を行うため、磁気記録が有する不揮発性及び
書き換え可能性と、光記録の有する高密度記録性の双方
の優れた特性を兼ね備えており、その実用化が望まれて
いた。近年、光磁気記録方式で用いられる記録媒体とし
て、非晶質希土類遷移金属合金薄膜からなる磁性層を有
するディスク状の光磁気記録媒体が実用化され、例えば
大容量のデータファイルの記憶等に利用され始めてい
る。これらの光磁気記録媒体への記録は、ＣＡＶ（一定
回転数）方式で行われるのが一般的である。ＣＡＶ方式
の場合、媒体の回転数が一定であるため、記録マーク長
がディスク状の媒体の内周部分と外周部分とで異なるこ
とになり、そのため記録容量の大容量化に限界が生じて
いた。そこで、さらなる大容量化を可能にする記録方式
として、一定のマーク長で記録するＭ−ＣＡＶ（Modifi
ed CAV）方式が案出されている。この方式は、ディスク
状の光磁気記録媒体の内周と外周とで、線速度が異なる
ので記録周波数を変えて、記録マーク長を一定にする方
式である。この他更に記録されたピットの端部に０，１
の情報を対応付けるピットエッジ記録方式も提案されて
いる。
【０００３】記録容量の大容量化と平行して、単位記録
量当たりの記録再生に要する時間を短縮することが要求
されている。この要求を満たすためには、消去動作を必
要としない記録プロセスすなわちオーバーライト機能を
実現させる必要があるが、このオーバーライト可能な記
録方式としては、記録すべきデータに応じて磁界を変調
させる磁界変調方式があり、この方式が有望視されてい
る。
量当たりの記録再生に要する時間を短縮することが要求
されている。この要求を満たすためには、消去動作を必
要としない記録プロセスすなわちオーバーライト機能を
実現させる必要があるが、このオーバーライト可能な記
録方式としては、記録すべきデータに応じて磁界を変調
させる磁界変調方式があり、この方式が有望視されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上記の磁
界変調方式によってデ−タを記録する場合、特にオーバ
ーライトする際に、以下のような問題があった。即ち、
最初にデータを記録する際に使用したパワー（イニシャ
ルパワー）よりも低いパワーの光ビームを使用してオー
バーライトした場合、或いは光ビームのスポットが大き
くなり、データを記録すべきランド部及びランド部の両
端に設けられたグルーブ部からなるトラックのグルーブ
部に迄、オフトラックしてオーバーライトした場合等
に、前のデータが完全に消去されず一部が残ってしま
い、消し残りが発生する。従って、充分な消去比を得る
ためにオーバーライトパワーを大きくする必要があり、
実用上、半導体レーザーの最大パワーを越えてしまうと
いうような大きな問題があった。
界変調方式によってデ−タを記録する場合、特にオーバ
ーライトする際に、以下のような問題があった。即ち、
最初にデータを記録する際に使用したパワー（イニシャ
ルパワー）よりも低いパワーの光ビームを使用してオー
バーライトした場合、或いは光ビームのスポットが大き
くなり、データを記録すべきランド部及びランド部の両
端に設けられたグルーブ部からなるトラックのグルーブ
部に迄、オフトラックしてオーバーライトした場合等
に、前のデータが完全に消去されず一部が残ってしま
い、消し残りが発生する。従って、充分な消去比を得る
ためにオーバーライトパワーを大きくする必要があり、
実用上、半導体レーザーの最大パワーを越えてしまうと
いうような大きな問題があった。
【０００５】本発明の目的は、上記の問題点を解消し
て、オーバーライト時の消し残りを少なくし、充分な消
去比を得ることのできる、光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
て、オーバーライト時の消し残りを少なくし、充分な消
去比を得ることのできる、光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、グルーブを
有する透明基板上に、第１無機誘電体層、磁性層、第２
無機誘電体層、金属反射層が順次積層されてなる光磁気
記録媒体において、前記光磁気記録媒体の記録感度が、
ランド部とグルーブ部で異なり、且つ該記録感度の大小
関係が、 グルーブ部記録感度＞ランド部記録感度 となるように形成された光磁気記録媒体が、磁界変調オ
ーバーライトに対して消し残りが少なくなることを見出
し本発明を完成するに至った。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、グルーブを
有する透明基板上に、第１無機誘電体層、磁性層、第２
無機誘電体層、金属反射層が順次積層されてなる光磁気
記録媒体において、前記光磁気記録媒体の記録感度が、
ランド部とグルーブ部で異なり、且つ該記録感度の大小
関係が、 グルーブ部記録感度＞ランド部記録感度 となるように形成された光磁気記録媒体が、磁界変調オ
ーバーライトに対して消し残りが少なくなることを見出
し本発明を完成するに至った。
【０００７】本発明の目的とする光磁気記録媒体は、以
下に示す構成により達成される。即ち、本発明第１の構
成は、金属反射層の膜厚がランド部とグルーブ部で異な
り且つランド部の膜厚の方が薄くなるように形成された
光磁気記録媒体であり、又第２の構成は、第２無機誘電
体膜の膜厚がランド部とグループ部で異なり、且つグル
ーブ部の膜厚の方が薄くなるように形成された光磁気記
録媒体である。
下に示す構成により達成される。即ち、本発明第１の構
成は、金属反射層の膜厚がランド部とグルーブ部で異な
り且つランド部の膜厚の方が薄くなるように形成された
光磁気記録媒体であり、又第２の構成は、第２無機誘電
体膜の膜厚がランド部とグループ部で異なり、且つグル
ーブ部の膜厚の方が薄くなるように形成された光磁気記
録媒体である。
【０００８】本発明に基ずく光磁気記録媒体は、図１及
び２に示されるように、第１無機誘電体層２、磁性層
３、第２無機誘電体層４、金属反射層５を順次積層させ
たものを、第１無機誘電体層２側が基板１に接するよう
基板１上に積層された構成をなしている。
び２に示されるように、第１無機誘電体層２、磁性層
３、第２無機誘電体層４、金属反射層５を順次積層させ
たものを、第１無機誘電体層２側が基板１に接するよう
基板１上に積層された構成をなしている。
【０００９】基板１の材料として、ガラス等の無機材料
の他ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメチルメ
タクリレート等の透明性高分子樹脂材料が使用される。
ガラス材料はその表面にプレグルーブ（案内溝）やプレ
ピット等の微細パターン加工を施すのに多大な労力とコ
ストを要する。そのため最近ではグルービング（微細溝
加工）の容易な透明性高分子樹脂材料が主に使用されて
いる。
の他ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリメチルメ
タクリレート等の透明性高分子樹脂材料が使用される。
ガラス材料はその表面にプレグルーブ（案内溝）やプレ
ピット等の微細パターン加工を施すのに多大な労力とコ
ストを要する。そのため最近ではグルービング（微細溝
加工）の容易な透明性高分子樹脂材料が主に使用されて
いる。
【００１０】第１及び第２無機誘電体層の材料として、
Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2 ，モルファスＳ
ｉ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 、ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 ０5 ，Ｚｎ
Ｓ等を挙げることができる。中でも、光学的特性や保護
性能の面からＳｉＮやＡｌＮ或いはこれらの混合物を用
いることが最も望ましい。
Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，ＳｉＯ2 ，モルファスＳ
ｉ，ＡｌＮ，Ａｌ2 ０3 、ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 ０5 ，Ｚｎ
Ｓ等を挙げることができる。中でも、光学的特性や保護
性能の面からＳｉＮやＡｌＮ或いはこれらの混合物を用
いることが最も望ましい。
【００１１】磁性層３は、例えば非晶質希土類鉄族遷移
金属合金からなり、単層膜でも２層以上の積層膜でもよ
く、又、耐食性を向上させるためにＣｒやＴｉ等の一般
に耐食性を高めることのできる金属を添加してもよい。
金属合金からなり、単層膜でも２層以上の積層膜でもよ
く、又、耐食性を向上させるためにＣｒやＴｉ等の一般
に耐食性を高めることのできる金属を添加してもよい。
【００１２】金属反射層５の反射率は８０％以上が望ま
しく、熱伝導率が適度に良いものが望ましい。又、耐食
性を向上させるために反射率や熱伝導率に余り影警を与
えない範囲で、ＣｒやＴｉ等の一般に耐食性を高めるこ
とのできる金属を添加してもよい。
しく、熱伝導率が適度に良いものが望ましい。又、耐食
性を向上させるために反射率や熱伝導率に余り影警を与
えない範囲で、ＣｒやＴｉ等の一般に耐食性を高めるこ
とのできる金属を添加してもよい。
【００１３】光磁気記録層６を構成する各層は、それぞ
れ、スパッタ法・イオンプレーティング法・真空蒸着法
・プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて形成される
が、とりわけ、スパッタ法を用いるのが好ましく、更
に、マグネトロンスパッタ法を用いるのがより好まし
い。
れ、スパッタ法・イオンプレーティング法・真空蒸着法
・プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて形成される
が、とりわけ、スパッタ法を用いるのが好ましく、更
に、マグネトロンスパッタ法を用いるのがより好まし
い。
【００１４】本発明の光磁気記録媒体においては、光磁
気記録層６の上面（基板１側でない面）及び側面を紫外
線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保護層で被覆することも
可能である。
気記録層６の上面（基板１側でない面）及び側面を紫外
線硬化樹脂等よりなる有機樹脂保護層で被覆することも
可能である。
【００１５】
【作用】以下に、本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。本発明第１構成に基づく光磁気記録媒体は、図１に
示されるように、金属反射層の膜厚がランド部とグルー
プ部で異なり、且つランド部の膜厚の方が薄い構成とな
っている。このように、金属反射層の膜厚をランド部と
グループ部で相異させる一手法として、金属反射層の成
膜後、逆スパッタリングによるエッチング処理を行う方
法がある。通常、凸凹面にエッチング処理を施した場
合、凸面の方がエッチングされ易い（凸：ランド面、
凹：グループ面）が、このような手法により、本発明第
１構成の光磁気記録媒体においては金属反射層の膜厚が
ランド部とグループ部で異なり、且つグループ部の膜厚
の方が厚い構成となっている。つまり、グループ部はラ
ンド部に比ベて、熱伝導の良い金属反射層が厚く設置さ
れることとなる。このため、ランド部とグループ部で膜
の熱伝導特性が異なっており、ランド部に比ベてグルー
プ部では、レーザーパワー照射による磁性膜の温度上昇
が起こり難くなっている。
る。本発明第１構成に基づく光磁気記録媒体は、図１に
示されるように、金属反射層の膜厚がランド部とグルー
プ部で異なり、且つランド部の膜厚の方が薄い構成とな
っている。このように、金属反射層の膜厚をランド部と
グループ部で相異させる一手法として、金属反射層の成
膜後、逆スパッタリングによるエッチング処理を行う方
法がある。通常、凸凹面にエッチング処理を施した場
合、凸面の方がエッチングされ易い（凸：ランド面、
凹：グループ面）が、このような手法により、本発明第
１構成の光磁気記録媒体においては金属反射層の膜厚が
ランド部とグループ部で異なり、且つグループ部の膜厚
の方が厚い構成となっている。つまり、グループ部はラ
ンド部に比ベて、熱伝導の良い金属反射層が厚く設置さ
れることとなる。このため、ランド部とグループ部で膜
の熱伝導特性が異なっており、ランド部に比ベてグルー
プ部では、レーザーパワー照射による磁性膜の温度上昇
が起こり難くなっている。
【００１６】次に、本発明第２構成に基づく光磁気記録
媒体を図２に示す。図より本発明第２構成の光磁気記録
媒体は、第２無機誘電体層の膜厚がランド部とグルーブ
部で異なり、且つグループ部の膜厚の方が薄い構成とな
っている。このように、第２無機誘電体層の膜厚をラン
ド部とグループ部で相異させる一手法として、高周波ス
パッタリングの際、基板にバイアス電圧を印加して成膜
を行う方法がある。通常、スパッタリング時に基板にバ
イアス電圧を印加することにより、ステップカバリッジ
が改善され膜の付き廻りが良くなることが知られている
が、その場合基板に印加されるバイアス電圧は約−５０
〜−１００Ｖ程度である。ところが、本発明のように大
きなバイアス電圧を基板に印加すると、再スパッタリン
グ等の効果が大きくなり過ぎ、グルーブ部における膜の
付き廻りが悪くなる。このような手法により、本発明第
２構成の光磁気記録媒体においては、第２無機誘電体層
の膜厚がランド部とグループ部で異なり、且つグループ
部の膜厚の方が薄い構成となっている。即ち、グループ
部はランド部に比ベて、熱伝導の良い金属反射層が磁性
層により近く配置されることとなる。従って、ランド部
とグループ部で膜の熱伝導特性が異なっており、ランド
部に比ベてグループ部では、レーザーパワー照射による
磁性膜の温度上昇が起こり難くなっている。これは、表
１（本発明第２構成の実施例５におけるランド部とグル
ーブ部における記録しきい（閾）値パワーを示す表）に
示すようにランド部とグルーブ部で記録のしきい（閾）
値パワー（以後、記録感度と称する）が異なっているこ
とからも確認される。
媒体を図２に示す。図より本発明第２構成の光磁気記録
媒体は、第２無機誘電体層の膜厚がランド部とグルーブ
部で異なり、且つグループ部の膜厚の方が薄い構成とな
っている。このように、第２無機誘電体層の膜厚をラン
ド部とグループ部で相異させる一手法として、高周波ス
パッタリングの際、基板にバイアス電圧を印加して成膜
を行う方法がある。通常、スパッタリング時に基板にバ
イアス電圧を印加することにより、ステップカバリッジ
が改善され膜の付き廻りが良くなることが知られている
が、その場合基板に印加されるバイアス電圧は約−５０
〜−１００Ｖ程度である。ところが、本発明のように大
きなバイアス電圧を基板に印加すると、再スパッタリン
グ等の効果が大きくなり過ぎ、グルーブ部における膜の
付き廻りが悪くなる。このような手法により、本発明第
２構成の光磁気記録媒体においては、第２無機誘電体層
の膜厚がランド部とグループ部で異なり、且つグループ
部の膜厚の方が薄い構成となっている。即ち、グループ
部はランド部に比ベて、熱伝導の良い金属反射層が磁性
層により近く配置されることとなる。従って、ランド部
とグループ部で膜の熱伝導特性が異なっており、ランド
部に比ベてグループ部では、レーザーパワー照射による
磁性膜の温度上昇が起こり難くなっている。これは、表
１（本発明第２構成の実施例５におけるランド部とグル
ーブ部における記録しきい（閾）値パワーを示す表）に
示すようにランド部とグルーブ部で記録のしきい（閾）
値パワー（以後、記録感度と称する）が異なっているこ
とからも確認される。
【００１７】
【表１】 以上のことから、本発明第１及び第２構成の光磁気記録
媒体では記録レーザーパワーを増加させて行っても、記
録ビットの幅はランド幅以上には広がり難くなってい
る。従って、光磁気信号の記録トラック幅一杯にビット
が書き込めるパワー以上でオーバーライトを行えば消し
残りが発生しない。
媒体では記録レーザーパワーを増加させて行っても、記
録ビットの幅はランド幅以上には広がり難くなってい
る。従って、光磁気信号の記録トラック幅一杯にビット
が書き込めるパワー以上でオーバーライトを行えば消し
残りが発生しない。
【００１８】このように本発明第１及び第２構成は、デ
ータを記録すべきランド部の両端に設けられたグルーブ
部に記録がされ難い状態を作り出すことにより達成され
る。又、第１及び第２の構成の組み合わせにより本発明
の光磁気記録媒体を形成することも可能である。
ータを記録すべきランド部の両端に設けられたグルーブ
部に記録がされ難い状態を作り出すことにより達成され
る。又、第１及び第２の構成の組み合わせにより本発明
の光磁気記録媒体を形成することも可能である。
【００１９】
【実施例】以下に、試験結果を用いて本発明の実施例を
示すが、本発明がこれらのみに限定されるものではな
い。尚、本発明第１の構成については実施例１〜３に、
又第２の構成については実施例４〜６に例示する。
示すが、本発明がこれらのみに限定されるものではな
い。尚、本発明第１の構成については実施例１〜３に、
又第２の構成については実施例４〜６に例示する。
【００２０】実施例１ 径が１３０ｍｍのグルーブ付きのポリカーボネート基板
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを９４ｎｍ、再生磁性層としてＧｄＦ
ｅＣｏを１０ｎｍ、記録磁性層としてＴｂＦｅＣｏを２
０ｎｍ、そして酸化防止と千渉効果を高めるために第２
無機誘電体層としてＳｉＮを３０ｎｍ、金属反射層とし
てＡｌを１００ｎｍ順次真空を破ることなく連続してマ
グネトロンスパッタ装置を用いて高周波スパッタリング
により成膜した。最後に、ランド部の膜厚が６０ｎｍ、
グループ部の膜厚が９０ｎｍ、になるように、圧力０．
１Ｐａで１００Ｗ，６０ｓｅｃ逆スパッタによるエッチ
ング処理を施し本発明第１構成の光磁気記録媒体を作成
した。
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを９４ｎｍ、再生磁性層としてＧｄＦ
ｅＣｏを１０ｎｍ、記録磁性層としてＴｂＦｅＣｏを２
０ｎｍ、そして酸化防止と千渉効果を高めるために第２
無機誘電体層としてＳｉＮを３０ｎｍ、金属反射層とし
てＡｌを１００ｎｍ順次真空を破ることなく連続してマ
グネトロンスパッタ装置を用いて高周波スパッタリング
により成膜した。最後に、ランド部の膜厚が６０ｎｍ、
グループ部の膜厚が９０ｎｍ、になるように、圧力０．
１Ｐａで１００Ｗ，６０ｓｅｃ逆スパッタによるエッチ
ング処理を施し本発明第１構成の光磁気記録媒体を作成
した。
【００２１】実施例２，３ 金属反射層の膜厚をそれぞれ表２（本発明第１構成の実
施例における媒体構成を示す表）に示すように変化させ
た以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体の試料
を作製した。
施例における媒体構成を示す表）に示すように変化させ
た以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体の試料
を作製した。
【００２２】
【表２】 比較例１〜３ 金属反射層の膜厚をそれぞれ表２に示すように変化させ
た以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体の試料
を作製した。
た以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒体の試料
を作製した。
【００２３】以上、実施例１〜３、及び比較例１〜３に
おいて作成された各光磁気記録媒体について、磁界変調
記録方式によるオーバーライト試験を行った。その結果
を表３（本発明第１構成における実施例の効果を示す
表）に示す。
おいて作成された各光磁気記録媒体について、磁界変調
記録方式によるオーバーライト試験を行った。その結果
を表３（本発明第１構成における実施例の効果を示す
表）に示す。
【００２４】
【表３】 記録再生条件 再生パワー ：１．３ｍＷ 変調磁界 ：±２００ Ｏｅ 線速度 ：１２ｍ／ｓｅｃ 記録パワー（イニシャル） ：９．０ｍＷ （オーバ−ライト）：８．０ｍＷ 記録周波数（イニシャル） ：２．４６ＭＨｚ（旧デ
ータ） （オーバ−ライト）：８．６１ＭＨｚ（新データ） 本第１構成の実施例ディスクにおいては、消去比が４０
ｄＢ以上得られており実用上間題のない値が得られた。
但し、旧データと新データにおけるキヤリヤレベルの差
を消去比とする。
ータ） （オーバ−ライト）：８．６１ＭＨｚ（新データ） 本第１構成の実施例ディスクにおいては、消去比が４０
ｄＢ以上得られており実用上間題のない値が得られた。
但し、旧データと新データにおけるキヤリヤレベルの差
を消去比とする。
【００２５】又、表３より金属反射層の膜厚を下記式の
範囲内とするのが好ましいことが分かる。
範囲内とするのが好ましいことが分かる。
【００２６】 （グルーブ部膜厚）／（ランド部膜厚）≧１．２。
【００２７】実施例４ 径が１３０ｍｍのグルーブ付きのポリカーボネート基板
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを１０２ｎｍ、記録再生磁性層として
ＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍ、そして酸化防止と干渉効果を
高めるために第２無機誘電体層としてＳｉＮを３０ｎ
ｍ、金属反射層としてＡｌを４５ｎｍ順次真空を破るこ
となく連続してマグネトロンスパッタ装置を用いて高周
波スパッタリングにより本発明第２構成の光磁気記録媒
体を作成した。但し、第２無機誘電体層ＳｉＮの膜厚を
ランド部で３０ｎｍ、グルーブ部で１５ｎｍとなるよう
に、基板にバイアス電圧を約−２００Ｖ印加して成膜を
行った。
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを１０２ｎｍ、記録再生磁性層として
ＴｂＦｅＣｏを２０ｎｍ、そして酸化防止と干渉効果を
高めるために第２無機誘電体層としてＳｉＮを３０ｎ
ｍ、金属反射層としてＡｌを４５ｎｍ順次真空を破るこ
となく連続してマグネトロンスパッタ装置を用いて高周
波スパッタリングにより本発明第２構成の光磁気記録媒
体を作成した。但し、第２無機誘電体層ＳｉＮの膜厚を
ランド部で３０ｎｍ、グルーブ部で１５ｎｍとなるよう
に、基板にバイアス電圧を約−２００Ｖ印加して成膜を
行った。
【００２８】実施例５ 径が１３０ｍｍのグルーブ付きのポリカーボネート基板
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを９４ｎｍ、再生磁性層としてＧｄＦ
ｅＣｏを１０ｎｎ、記録磁性層としてＴｂＦｅＣｏを２
０ｎｍ、そして酸化防止と干渉効果を高めるために第２
無機誘電体層としてＳｉＮを４０ｎｍ、金属反射層とし
てＡｌを４５ｎｍ順次真空を破ることなく連続してマグ
ネトロンスパッタ装置を用いて高周波スパッタリングに
より、本発明第２構成の光磁気記録媒体を作成した。但
し、第２無機誘電体層ＳｉＮの膜厚をランド部で４０ｎ
ｍ、グルーブ部で２０ｎｍとなるように、基板にバイア
ス電圧を約−２００Ｖ印加して成膜を行った。
上に、酸化防止と干渉効果を得るために、第１無機誘電
体層としてＳｉＮを９４ｎｍ、再生磁性層としてＧｄＦ
ｅＣｏを１０ｎｎ、記録磁性層としてＴｂＦｅＣｏを２
０ｎｍ、そして酸化防止と干渉効果を高めるために第２
無機誘電体層としてＳｉＮを４０ｎｍ、金属反射層とし
てＡｌを４５ｎｍ順次真空を破ることなく連続してマグ
ネトロンスパッタ装置を用いて高周波スパッタリングに
より、本発明第２構成の光磁気記録媒体を作成した。但
し、第２無機誘電体層ＳｉＮの膜厚をランド部で４０ｎ
ｍ、グルーブ部で２０ｎｍとなるように、基板にバイア
ス電圧を約−２００Ｖ印加して成膜を行った。
【００２９】実施例６ 第２無機誘電体層成膜の際、基板にバイアス電圧を約−
１５０Ｖ印加することにより、第２無機誘電体層の膜厚
をランド部で４５ｎｍ、グルーブ部で３０ｎｍとした以
外は実施例４と同一の材料構成の光磁気記録媒体を作製
した。
１５０Ｖ印加することにより、第２無機誘電体層の膜厚
をランド部で４５ｎｍ、グルーブ部で３０ｎｍとした以
外は実施例４と同一の材料構成の光磁気記録媒体を作製
した。
【００３０】比較例４ 第２無機誘電体層は、基板にバイアス電圧を印加せずに
成膜を行うことにより膜厚をランド部とグループ部で同
一とした以外は、実施例４と同一の材料構成の光磁気記
録媒体を作成した。
成膜を行うことにより膜厚をランド部とグループ部で同
一とした以外は、実施例４と同一の材料構成の光磁気記
録媒体を作成した。
【００３１】比較例５ 第２無機誘電体層成膜の際、基板にバイアス電圧を約−
１５０Ｖ印加することにより、第２無機誘電体層の膜厚
をランド部で６０ｎｍ、グルーブ部で４０ｎｍとした以
外は実施例５と同一の材料構成の光磁気記録媒体を作製
した。
１５０Ｖ印加することにより、第２無機誘電体層の膜厚
をランド部で６０ｎｍ、グルーブ部で４０ｎｍとした以
外は実施例５と同一の材料構成の光磁気記録媒体を作製
した。
【００３２】以上、実施例４〜６、及び比較例４，５に
おいて作成された各光磁気記録媒体について、磁界変調
記録方式によるオーバーライト試験を行った。その結果
を表４（本発明第２構成における実施例の効果を示す
表）に示す。
おいて作成された各光磁気記録媒体について、磁界変調
記録方式によるオーバーライト試験を行った。その結果
を表４（本発明第２構成における実施例の効果を示す
表）に示す。
【００３３】
【表４】 記録再生条件 再生パワー ：１．３ｍＷ 変調磁界 ：±２００ Ｏｅ 線速度 ：１２ｍ／ｓｅｃ 記録パワー（イニシャル） ：９．０ｍＷ （オーバ−ライト）：８．０ｍＷ 記録周波数（イニシャル） ：２．４６ＭＨｚ（旧デ
ータ） （オーバ−ライト）：８．６１ＭＨｚ（新データ） 本発明第２構成の実施例ディスクにおいては、消去比が
４０ｄＢ以上得られており、実用上問題のない値が得ら
れた。但し、旧データと新データにおけるキヤリヤレベ
ルの差を消去比とする。
ータ） （オーバ−ライト）：８．６１ＭＨｚ（新データ） 本発明第２構成の実施例ディスクにおいては、消去比が
４０ｄＢ以上得られており、実用上問題のない値が得ら
れた。但し、旧データと新データにおけるキヤリヤレベ
ルの差を消去比とする。
【００３４】又、表４より第２無機誘電体層の膜厚を下
記一般式の範囲内とするのが好ましいことが分かる。
記一般式の範囲内とするのが好ましいことが分かる。
【００３５】 ０≦Ｘ≦３０、且つ、Ｙ−Ｘ≧１５（ｎｍ） （但し、Ｘはグルーブ部での第２無機誘電体層の膜厚、
Ｙはランド部での第２無機誘電体層の膜厚。）
Ｙはランド部での第２無機誘電体層の膜厚。）
【００３６】
【発明の効果】上記のように、本発明の第１及び第２の
構成における光磁気記録媒体は、本発明の第１構成にお
いては、金属反射層の膜厚がランド部とグルーブ部で異
なり、且つランド部よりグルーブ部の方が厚い構成をな
すものである。又、本発明の第２構成においては、第２
無機誘電体層の膜厚がランド部とグループ部で異なり、
且つランド部よりグルーブ部の方が薄い構成をなすもの
である。上記のような構成をなすことにより、磁界変調
記録において良好なオーバーライト特性が得られる。
構成における光磁気記録媒体は、本発明の第１構成にお
いては、金属反射層の膜厚がランド部とグルーブ部で異
なり、且つランド部よりグルーブ部の方が厚い構成をな
すものである。又、本発明の第２構成においては、第２
無機誘電体層の膜厚がランド部とグループ部で異なり、
且つランド部よりグルーブ部の方が薄い構成をなすもの
である。上記のような構成をなすことにより、磁界変調
記録において良好なオーバーライト特性が得られる。
【図１】本発明第１構成の光磁気記録媒体の一実施例を
示す概略断面図。
示す概略断面図。
【図２】本発明第２構成の光磁気記録媒体の一実施例を
示す概略断面図。
示す概略断面図。
１ 基板 ２ 第１無機誘電体層 ３ 磁性層 ４ 第２無機誘電体層 ５ 金属反射層 ６ 光磁気記録層
Claims (7)
- 【請求項１】 案内溝（以下グルーブと称する）が形成
された透明基板上に第１無機誘電体層、磁性層、第２無
機誘電体層、金属反射層が順次積層されてなる光磁気記
録媒体において、該光磁気記録媒体の記録感度が、記録
領域であるランド部とグルーブ部で異なり、且つ該記録
感度の大小関係が、 グルーブ部記録感度＞ランド部記録感度 であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記金属反射層の膜厚が、ランド部とグ
ループ部で異なり、且つ膜厚の大小関係が、 グルーブ部膜厚＞ランド部膜厚 であることを特徴とする、請求項１記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 前記金属反射層のランド部とグルーブ部
の膜厚の関係が、 （グルーブ部膜厚）／（ランド部膜厚）≧１．２ であることを特徴とする、請求項２記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 前記第１無機誘電体層と第２無機誘電体
層の少なくとも一方が、窒化物の薄膜からなることを特
徴とする、請求項１ないし３の何れかに記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項５】 前記第２無機誘電体層の膜厚が、ランド
部とグルーブ部で異なり、且つ膜厚の大小関係が、 ランド部膜厚＞グルーブ部膜厚 であることを特徴とする、請求項１記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 前記第２無機誘電体層の膜厚が、グルー
ブ部の膜厚をＸｎｍとし、ランド部の膜厚をＹｎｍとし
て、 ０≦Ｘ≦３０，Ｙ−Ｘ≧１５（ｎｍ） の関係にあることを特徴とする、請求項５記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１無機誘電体層と第２無機誘電体
層の少なくとも一方が、窒化物の薄膜からなることを特
徴とする、請求項５又は６記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12627693A JPH06338085A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12627693A JPH06338085A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338085A true JPH06338085A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14931202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12627693A Pending JPH06338085A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338085A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4109159A1 (de) * | 1990-03-20 | 1991-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren und vorrichtung zum verfolgen eines fahrzeugs |
| DE4344485A1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Fahrumgebungs-Überwachungsgerät |
| DE4410406A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zum Überwachen der Umgebung eines Fahrzeugs |
| US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP12627693A patent/JPH06338085A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4109159A1 (de) * | 1990-03-20 | 1991-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren und vorrichtung zum verfolgen eines fahrzeugs |
| DE4344485A1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Fahrumgebungs-Überwachungsgerät |
| DE4344485C2 (de) * | 1992-12-22 | 1999-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Fahrumgebungs-Überwachungsgerät |
| DE4410406A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zum Überwachen der Umgebung eines Fahrzeugs |
| DE4410406C2 (de) * | 1993-03-26 | 1998-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | Optoelektronische Vorrichtung zum Überwachen der Umgebung eines Fahrzeugs |
| US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
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