JPH06338086A - 光磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

光磁気ディスクの製造方法

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Publication number
JPH06338086A
JPH06338086A JP12715893A JP12715893A JPH06338086A JP H06338086 A JPH06338086 A JP H06338086A JP 12715893 A JP12715893 A JP 12715893A JP 12715893 A JP12715893 A JP 12715893A JP H06338086 A JPH06338086 A JP H06338086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magneto
optical disk
plastic substrate
curable resin
recording layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP12715893A
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English (en)
Inventor
Ikuo Yoshida
郁男 吉田
Toshimi Kobayashi
利美 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 本発明はプラスチック基板の記録層の反対
面に、UV硬化型樹脂を密着性よく被覆して、プラスチ
ック基板の硬度を高くし、ゴミなど静電付着をなくして
ディスクのエラーを抑制するようにした光磁気ディスク
の製造方法の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明による光磁気ディスクの製造方法
は、プラスチック基板上に垂直磁気記録層を有する光磁
気ディスクにおいて、プラスチック基板の記録層との反
対面に、式 【化7】 (ここにR1 は水素原子またはメチル基、R2 は炭素数
3〜6の二価炭化水素基、R3 はメチル基またはフェニ
ル基、aは0≦a≦2の数)で示される構造と式−(C
H3)2Si(NH)−で示される構造を同時に含有するオルガノ
ポリシラザンを下塗りし、ついでUV硬化型樹脂を上塗
りしてUV硬化することを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスクの製造方
法、特にはプラスチック基板の一主面上にUV硬化型樹
脂被覆を密着性よく接着させる光磁気ディスクの製造方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、光磁気ディスクの基板材料として
は広くプラスチック材が使用されている。この代表的な
材料であるポリカーボネート樹脂は耐熱性に優れ、吸水
による変形も小さいという利点があるが、これには樹脂
自体の硬度が小さいために傷が付き易く、しかも誘電体
であるためにゴミなどが静電付着し易く、これが原因と
なって電気信号にエラーが引き起こされるという問題点
がある。
【0003】そのため、この基板については、基板上に
成膜される記録膜との反対面に、帯電防止機能を付与し
たハードコートを施すことが行なわれており、このハー
ドコート材料としては透明なUV硬化型樹脂や無機系の
材料などが考えられるが安価、簡便であるというこうと
から、エポキシ系、メタクリル系、ウレタン系などのU
V硬化型樹脂が利用されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このUV硬化
型樹脂についてはプラスチック基板との濡れ性や密着性
に問題があることから、UV硬化型樹脂被覆の前の基板
にプライマー処理を施してこの密着性を改良することも
行なわれているし、このUV硬化型樹脂自体を改良する
ことも試みられているが、いずれも満足する効果は得ら
れていない。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した光磁気ディスクの製造方法に関す
るものであり、これはプラスチック基板上に垂直磁気記
録層を有する光磁気ディスクの製造方法において、プラ
スチック基板の記録層との反対面に、一般式(I)で示
される式
【化3】 (ここにR1 は水素原子またはメチル基、R2 は炭素数
3〜6の二価炭化水素基、R3 はメチル基またはフェニ
ル基、aは0≦a≦2)で示される構造および式−(C
H3)2Si(NH)−で示される構造を同時に含有するオルガノ
ポリシラザンを下塗りし、ついでUV硬化被覆剤を上塗
りしてUV硬化することを特徴とするものである。
【0006】すなわち、本発明者らはプラスチック基板
とUV硬化樹脂被覆とが良好に密着している光磁気ディ
スクの製造方法を開発すべく種々検討した結果、このU
V硬化型樹脂でプラスチック基板を被覆する前に、この
プラスチック基板の記録層との反対面を予め上記した一
般式(I)で示される基と−(CH3)2Si(NH)−で示される
基を同時に含有するオルガノポリシラザンを下塗りする
と、ここにこのプラスチック基材とこのシラザンとの化
学結合層とが形成されるので、この上にUV硬化型樹脂
を上塗りするとこのUV硬化型樹脂層がプラスチック基
板に密着良く被覆できることを見出し、これによればプ
ラスチック基板にUV硬化型樹脂を密着良く被覆するこ
とができ、UV硬化型樹脂によるハブを密着性よく接着
することができることを確認して本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
【0007】
【作用】本発明は光磁気ディスクの製造方法に関するも
のであり、これは前記したようにプラスチック基板の記
録層成膜面と反対面に、一般式(I)で示される構造と
式−(CH3)2Si(NH)−で示される構造を同時に含有するオ
ルガノポリシラザンを下塗りし、ついでUV硬化型被覆
剤を上塗りしてUV硬化させることを特徴とするもので
あるが、これによればUV硬化型被覆剤をプラスチック
基板に密着性よく被覆することができるので、このプラ
スチック基板に傷がつきにくく、ゴミなどが静電付着す
ることもないようにすることができるので、この光磁気
ディスクをエラーの少ないものとすることができるとい
う有利性が与えられる。
【0008】本発明は光磁気ディスクの製造方法に関す
るものであり、これはプラスチック基板の記録層成膜面
の反対面に、UV硬化型被覆剤を密着性よく被覆する方
法を要旨とするものである。この光磁気ディスク自体の
構成は公知のものとすればよく、したがってこれはポリ
カーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂
などからなる案内溝のついたプラスチック基板の表面
に、第1の誘電体層としてのSiN、AlN、SiC層
などを設けたのち、この上にTbFe、TbFeCoな
どからなる記録層を単一層または二層以上の積層で設
け、さらにこの上に第1の誘電体層と同じ第2の誘電体
層を設け、最後にAl、Cu、Agなどの単体または合
金からなる反射層を設けたものとすればよいが、これは
この反射層の上にさらに有機保護層を設けたものとする
ことが好ましい。
【0009】本発明ではこのようにして作られた光磁気
ディスクのプラスチック基板の記録層の反対面にUV硬
化型被覆層を設けるのであるが、このUV硬化型被覆剤
を塗布する前に、このプラスチック基板にオルガノポリ
シラザンが下塗りされる。しかして、このオルガノポリ
シラザンは一般式(I)としての式
【化4】 で示され、このR1 は水素原子またはメチル基、R2
プロピレン基、ブチレン基、アミレン基、ヘキシレン基
などの炭素数3〜6の二価炭化水素基、R3 はメチル基
またはフェニル基でaは0≦a≦2の数とされる構造と
式−(CH3)2Si(NH)−で示される構造を同時に含有するも
の、例えば
【化5】 で示されるものとすることが必要とされる。
【0010】このようなオルガノポリシラザンのプラス
チック基板への下塗りによるプラスチック基板へのプラ
イマー処理はスピンコート法、浸漬法、スプレー法など
で行えばよいが、このように処理するとプラスチック基
板とシラザンとの間に化学結合層が形成されるので、こ
こにエポキシ系、アクリル系、メタクリル系、ウレタン
系などのUV硬化型樹脂を上塗りすると、このUV硬化
型樹脂がこの化学結合層を介してプラスチック基板に被
覆されるので、このものはプラスチック基板に密着性よ
く被覆され、したがってここに濡れ性や密着性の問題が
生ずることはないという有利性が与えられる。
【0011】なお、このUV硬化型樹脂の硬化はこれが
UV硬化型のものであることから、この塗布に水銀灯な
どからの紫外線を照射すれば容易にこれを硬化させるこ
とができるが、このオルガノポリシラザンはハブの接着
面とディスクの被接着面に塗布してよく、これによれば
UV硬化型樹脂によりハブを密着性よく接着することが
できるという有利性が与えられる。
【0012】
【実施例】つぎに本発明で使用されるオルガノポリシラ
ザンの合成例および実施例をあげる。 (合成例)3−メタクロキシプロピルトリクロロシラン
とジメチルジクロロシランのヘキサン混合溶液にアンモ
ニアガスをフローし、副生成した塩化アンモニウムを窒
素ガス雰囲気下で濾別したところ、式
【化6】 で示されるオルガノポリシラザンのヘキサン溶液が得ら
れた。
【0013】実施例 案内溝のついた透明なポリカーボネート基板上に、第1
誘電体層としてのSiN膜を 1,000Åの厚さにスパッタ
成膜したのち、この上に記録層としてのTbFeCo膜
を 200Åの厚さにスパッタ成膜し、この上に第2の誘電
体層としてのSiN膜を 350Åの厚さにスパッタ成膜
し、さらにこの上に反射層としてのAl膜を 500Åの厚
さにスパッタ成膜し、このスパッタ膜上にアクリル系U
V硬化型樹脂をスピンコートし、UV硬化しここに10μ
mの被覆層を作って光磁気デバイスを作製した。
【0014】ついで、この光磁気デバイスのポリカーボ
ネート基板の記録層との反対面上に、上記した合成例で
合成したオルガノポリシラザンのヘキサン溶液をスピン
コートしたのち、ここにアクリル系UV硬化型樹脂をス
ピンコートし、UV硬化させて厚さ5μmの被覆層を作
ると共に、比較のためにオルガノポリシラザンを使用せ
ずにポリカーボネート基板に直接アクリル系UV硬化型
樹脂をスピンコートし、UV硬化させて被覆層を作っ
た。
【0015】つぎにこのようにして得たアクリル系UV
硬化型樹脂でポリカーボネート基を被覆した光磁気ディ
スクのアクリル系UV硬化型樹脂の接着強度を、製造直
後および温度80℃、湿度85%での 2,000時間耐久試験後
の碁盤目テープ法で評価したところ、つぎの表1に示し
たとおりの結果が得られた。
【0016】
【表1】
【0017】
【発明の効果】本発明は光磁気ディスクの製造方法に関
するものであり、これは前記したようにプラスチック基
板上に垂直磁気記録層を有する光磁気ディスクにおい
て、プラスチック基板の記録層との反対面に、一般式
(I)で示される構造と式−(CH3)2Si(NH)−で示される
構造を同時に含有するオルガノポリシラザンを下塗り
し、ついでUV硬化型樹脂を上塗りしてUV硬化するこ
とを特徴とするものであるが、これによればオルガノポ
リシラザンの下塗りでプラスチック基板とシラザンとの
間に化学結合層が形成されるのでここに上塗りされたU
V硬化型樹脂はプラスチック基板に密着性よく被覆さ
れ、したがって、ここに濡れ性や密着性の問題が発生せ
ず、プラスチック基板の硬度が改善され、傷がつかない
ようになり、ここにゴミなどが静電付着するということ
がなくなり、電気信号のエラーが少なくなるという有利
性が与えられる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラスチック基板上に垂直磁気記録層を有
    する光磁気ディスクの製造方法において、プラスチック
    基板の記録層との反対面に、式 【化1】 (ここにR1 は水素原子またはメチル基、R2 は炭素数
    3〜6の二価炭化水素基、R3 はメチル基またはフェニ
    ル基、aは0≦a≦2)で示される構造および式−(C
    H3)2Si(NH)−で示される構造を同時に含有するオルガノ
    ポリシラザンを下塗りし、ついでUV硬化型樹脂を上塗
    りしてUV硬化することを特徴とする光磁気ディスクの
    製造方法。
  2. 【請求項2】オルガノポリシラザンが式 【化2】 (ここにR1 は水素原子またはメチル基、R2 は炭素数
    3〜6の二価炭化水素基、R3 はメチル基またはフェニ
    ル基、aは0≦a≦2、xは0<x≦0.8 、yは0<y
    ≦0.8 )で示されるものである請求項1に記載した光磁
    気ディスクの製造方法。
  3. 【請求項3】オルガノポリシラザンの下塗りを、ハブの
    接着面とディスク上の被接着面に行なったのち、UV硬
    化型樹脂によりハブを接着する請求項1に記載した光磁
    気ディスクの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020176195A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 信越化学工業株式会社 ビスシリルアミノ基含有有機ポリシラザン化合物及びその製造方法並びにこれを含む組成物及び硬化物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020176195A (ja) * 2019-04-17 2020-10-29 信越化学工業株式会社 ビスシリルアミノ基含有有機ポリシラザン化合物及びその製造方法並びにこれを含む組成物及び硬化物

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